CN104409139A

CN104409139A - 透明导电结构与包含该透明导电结构的电容式触摸屏

Info

Publication number: CN104409139A
Application number: CN201410649258.4A
Authority: CN
Inventors: 解金库; 于甄; 陈西宝; 丁晓峰; 高建聪
Original assignee: Zhangjiagang Kangdexin Optronics Material Co Ltd
Current assignee: Zhangjiagang Kangdexin Optronics Material Co Ltd
Priority date: 2014-11-14
Filing date: 2014-11-14
Publication date: 2015-03-11
Anticipated expiration: 2034-11-14
Also published as: CN104409139B

Abstract

本申请提供了一种透明导电结构与包含该透明导电结构的电容式触摸屏。该透明导电结构包括透明导电膜，该透明导电膜包括：第一高折导电层、第一钝化层、金属层、第二钝化层、第二高折导电层，第一钝化层设置在第一高折导电层的表面上，金属层设置在第一钝化层的远离第一高折导电层的表面上，第二钝化层设置在金属层的远离第一钝化层的表面上，第二高折导电层设置在第二钝化层的远离金属层的表面上。具有上述结构的透明导电膜的第一高折导电层、第一钝化层、金属层、第二钝化层与第二高折导电层之间实现了间隙掺杂，使透明导电结构的方阻值减小，导电性能提高；另外，通过调节透明导电膜的厚度，使其对光的反射率降到最低，进而使其透光率达到最大。

Description

透明导电结构与包含该透明导电结构的电容式触摸屏

技术领域

本发明涉及触摸屏领域，具体而言，涉及一种透明导电结构与包含该透明导电结构的电容式触摸屏。

背景技术

近年来，随着半导体制造技术的突飞猛进，诸如光电池、平面显示器、LED照明、触摸屏等新器件迅速发展起来并大量运用到我们的日常生活中。这些新器件都要用到透明导电膜作为受光面或者是发光面电极。

如果能提高这些器件中的透明导电膜的透光率，则光电池能增加对光的吸收从而转换出更多的电量、发光器件在不增加能耗的情况下可以增加亮度、触摸屏能提高亮度与清晰度；同样，如果能减小透明导电膜的电阻率，则可以减少光电池与发光器件的传输损耗，提高能源利用率、提高器件的灵敏度。

目前ITO(掺锡氧化铟Indium Tin Oxide)膜仍是透明导电膜中最常用的材料，因此，提高ITO膜的导电性，同时提高其透光率是光电材料工程师追求的目标之一。例如，申请号为201220623869.8的中国专利申请中提出了一种复合折射率ITO膜，通过不同厚度设置以及折射率的差异，适应不同工作状态下对光学电学性能的要求。通过控制薄膜生长时氩气和氧气比值，使上层ITO膜与下层ITO膜具有不同的折射率，得到了较低的方块电阻和较大透光率的ITO膜。申请号为201220623869.8的中国专利申请中提出了一种基材/SiO2/ITO三层结构，方块电阻值为100Ω左右，提高了薄膜的透光率和降低了电阻率。

目前，同时提高ITO膜的透光率与方阻值存在矛盾：为了增大ITO膜的透光率，应当减小ITO膜的厚度，但为了减小ITO膜的方阻值，应当增加ITO膜的厚度。现有技术中折中考虑这两方面，ITO膜的透光率在90％以下，其方阻在100Ω～200Ω范围内，当其应用在平面显示器、LED照明、触摸屏等光电器件时，会使器件出现灵敏度下降、驱动难度大等问题。例如当其应用于大尺寸电容式触摸屏应用领域时，因为ITO膜是靠刻蚀线路传输电信号的，尺寸增大时，线电阻会成比例增加，这样会造成ITO膜出现末端信号衰变，边缘感应的灵敏度下降及扫描电压增加而无法工作。

另外，无论是ITO膜还是Metal mesh导电膜对氧气或水汽的阻隔效率很低，容易发生氧化或老化的现象，经检测通常用的ITO膜或Metal mesh导电膜，水汽阻隔率<10^-2g/m².day，降低了使用该ITO膜的器件的寿命，例如达不到触摸屏使用50000小时的寿命要求，现有的做法是将导电膜贴合在玻璃上以提高水汽阻隔率，然而这样制得的触摸屏较厚、不易弯折；同时由于OLED对空气中的水汽或氧气较敏感，要求水汽阻隔率>10^-6g/m².day，而现有技术中ITO膜或Metal mesh的水汽阻隔率远大于10^-6g/m².day，所以现有技术中ITO膜或Metalmesh不能应用于OLED(Organic Light-Emitting Diode，有机发光二极管)或AMOLED(ActiveMatrix/Organic Light-Emitting Diode，有源矩阵有机发光二极体面板)等触摸显示屏或柔性触摸屏。

发明内容

本发明旨在提供一种透明导电结构与包含该透明导电结构的电容式触摸屏，以解决现有技术中透明导电结构方阻值大、透光率低的问题。

为了实现上述目的，根据本发明的一个方面，提供了一种透明导电结构，该透明导电结构包括：第一高折导电层、第一钝化层、金属层、第二钝化层、第二高折导电层，第一钝化层设置在上述第一高折导电层的表面上，金属层设置在上述第一钝化层的远离上述第一高折导电层的表面上，第二钝化层设置在上述金属层的远离上述第一钝化层的表面上，第二高折导电层设置在上述第二钝化层的远离上述金属层的表面上。

进一步地，形成上述第一钝化层和上述第二钝化层的材料为抗氧化金属材料。

进一步地，上述第一钝化层和上述第二钝化层的材料相同或不同，上述抗氧化金属材料为锌或钛。

进一步地，上述第一钝化层与上述第二钝化层的厚度相同，上述厚度在1nm～10nm之间，优选在1nm～5nm之间。

进一步地，上述金属层的厚度为6nm～12nm。

进一步地，上述第一高折导电层与上述第二高折导电层的光学厚度相等，上述第一高折导电层和上述第二高折导电层的光学厚度总和为0.8～2.0个光学单位。

进一步地，上述第一高折导电层与上述第二高折导电层的折射率均大于2。

进一步地，上述透明导电结构还包括透明基材层，上述透明基材层设置在上述第一高折导电层的远离上述第一钝化层的表面上。

进一步地，上述透明基材层为柔性透明基材层，优选为PET材料层。

进一步地，上述透明导电结构还包括水汽阻隔层，上述水汽阻隔层设置在透明基材层的远离上述第一高折导电层的表面上。

进一步地，上述水汽阻隔层包括：第一薄膜，设置在上述透明基材层的远离上述第一高折导电层的表面上；第二薄膜，设置在上述第一薄膜的远离上述透明基材层的表面上；保护膜，设置在上述第二薄膜的远离上述第一薄膜的表面上。

进一步地，上述第一薄膜的厚度在10nm～100nm之间。

进一步地，上述第一薄膜为无机氧化物，优选为ITO材料。

进一步地，上述第二薄膜为无机氧化物，优选为Al₂O₃或SiO₂。

进一步地，上述保护膜为PET膜。根据本发明的另一方面，提供了一种电容式触摸屏，包括透明导电结构，上述透明导电结构为上述的透明导电结构。

进一步地，上述透明导电结构为两个，分别为第一透明导电结构和第二透明导电结构，上述电容式触摸屏还包括透明胶层，上述第一透明导电结构和上述第二透明导电结构设置在上述透明胶层的相对两个表面上，且各上述透明导电结构的上述透明导电膜设置在上述透明胶层上，当所述透明导电结构还包括水汽阻隔层时，上述第一透明导电结构的上述水汽阻隔层被基板代替。

应用本发明的技术方案，上述结构的透明导电结构中的透明导电膜的第一高折导电层、第一钝化层、金属层、第二钝化层与第二高折导电层实现间隙掺杂，即金属层间隙掺杂到第一高折导电层与第二高折导电层之间，使透明导电结构的电阻率减小、方阻值减小，进而使得透明导电结构的导电性能提高；另外，由于在相同厚度时，本申请中多层膜结构的透明导电膜的电阻率较小，导电率较大，透光率也得到提高；而且本领域技术人员可以通过调节透明导电膜厚度，使透明导电膜对光的反射率降低，进而使得透明导电膜的透光率增大。

附图说明

构成本申请的一部分的说明书附图用来提供对本发明的进一步理解，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：

图1示出了本申请一种优选的透明导电膜的结构剖面图；

图2示出了本申请一种优选的透明导电结构的结构剖面图；

图3示出了本申请一种优选的水汽阻隔层的结构剖面图；

图4示出了本申请一种优选的电容式触摸屏的结构剖面图；

图5示出了本申请实施例2的透明导电膜的反射率与波长的关系曲线；以及

图6使出了本申请中实施例4中透明导电膜的水汽阻隔层的水汽阻隔率随时间的变化曲线。

具体实施方式

应该指出，以下详细说明都是例示性的，旨在对本申请提供进一步的说明。除非另有指明，本文使用的所有技术和科学术语具有与本申请所属技术领域的普通技术人员通常理解的相同含义。

需要注意的是，这里所使用的术语仅是为了描述具体实施方式，而非意图限制根据本申请的示例性实施方式。如在这里所使用的，除非上下文另外明确指出，否则单数形式也意图包括复数形式，此外，还应当理解的是，当在本说明书中使用属于“包含”和/或“包括”时，其指明存在特征、步骤、操作、器件、组件和/或它们的组合。

需要说明的是，本申请的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本申请的实施方式例如能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。

为了便于描述，在这里可以使用空间相对术语，如“在……之上”、“在……上方”、“在……上表面”、“上面的”等，用来描述如在图中所示的一个器件或特征与其他器件或特征的空间位置关系。应当理解的是，空间相对术语旨在包含除了器件在图中所描述的方位之外的在使用或操作中的不同方位。例如，如果附图中的器件被倒置，则描述为“在其他器件或构造上方”或“在其他器件或构造之上”的器件之后将被定位为“在其他器件或构造下方”或“在其他器件或构造之下”。因而，示例性术语“在……上方”可以包括“在……上方”和“在……下方”两种方位。该器件也可以其他不同方式定位(旋转90度或处于其他方位)，并且对这里所使用的空间相对描述作出相应解释。

正如背景技术所介绍的，现有技术中的透明导电膜的方阻值较大，透光率较低，为了解决如上问题，本申请提出了一种透明导电结构。

需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本发明。

在本申请一种优选的实施方式中，提供了一种透明导电结构，该透明导电结构包括透明导电膜300，如图1所示，该透明导电膜300包括：第一高折导电层311、第一钝化层312、金属层313、第二钝化层314、第二高折导电层315，第一钝化层312设置在上述第一高折导电层311的表面上，金属层313设置在上述第一钝化层312的远离上述第一高折导电层311的表面上，第二钝化层314设置在上述金属层313的远离上述第一钝化层312的表面上，第二高折导电层315设置在第二钝化层314的远离上述金属层313的表面上。

具有上述结构的透明导电结构中的透明导电膜300的第一高折导电层311、第一钝化层312、金属层313、第二钝化层314与第二高折导电层315实现间隙掺杂，即金属层313间隙掺杂到第一高折导电层311与第二高折导电层315，使透明导电结构的电阻率减小、方阻值减小，进而使得透明导电结构的导电性能提高；另外，由于在相同厚度时，本申请中多层膜结构的透明导电膜300的电阻率较小，导电率较大，透光率也得到提高；而且本领域技术人员可以通过调节透明导电膜300厚度，使透明导电膜300对光的反射率降低，进而使得透明导电膜300的透光率增大。

本申请为了进一步提高透明导电结构的导电性，优选上述第一钝化层312和上述第二钝化层314的材料为抗氧化金属材料。

为了提高第一钝化层312和第二钝化层314的抗氧化能力，优选上述第一钝化层312和上述第二钝化层314的金属材料为锌或钛，上述锌或钛与氧反应的活性大于第一高折导电层311和第二高折导电层315，可以使这两层呈欠氧状态，进而形成所谓的隧穿效应提高导电性，同时钝化层312和314因厚度较小可以对导电金属膜层间隙进行填充，进一步提高了透明导电结构的导电性能。

在实现上述理想的抗氧化的基础上，为了进一步使得所形成的透明导电膜的导电性能和透光率，优选上述第一钝化层312和上述第二钝化层314的厚度在1nm～10nm之间，进一步优选在1nm～5nm之间，且该两层抗氧化金属层以中间的导电金属层为镜像对称。这样可以实现与上述透明导电膜300中的第一高折导电层311、金属层313与第二高折导电层315的良好间隙掺杂，进而提高透明导电膜300的导电性能，并且能够保证较高的透光率。为了方便设置，在本申请一种优选的实施例中，上述第一钝化层312与上述第二钝化层314的厚度相同。

本申请一种优选的实施例中，可以通过对金属层的材料进行选择进一步减小透明导电膜的电阻率，优选上述金属层313为金层或银层，这是因为金与银的电阻率很小，与透明导电膜300中的第一高折导电层311、第一钝化层312、第二钝化层314与第二高折导电层315间隙掺杂后，能进一步降低透明导电膜300的电阻率，进而降低透明导电膜300的方阻值，提高透明导电结构的导电性能。

为了实现更好的间隙掺杂效果，并且保证透明导电膜300具有较高的光透过率，本申请优选上述金属层313的厚度为6nm～12nm。

本申请又一种优选的实施例中，第一高折导电层311与第二高折导电层315的光学厚度的总和为0.8～2.0个光学单位。这样的设置方式能够保证透明导电膜300的对光的吸收及反射减小，进而使透光率达到最大值，为了使透明导电膜300的制作工艺简单方便，本申请优选第一高折导电层311与第二高折导电层315的光学厚度相等。

为了进一步提高透明导电膜300的透光率，本申请采用高折导电层与其它材料复合达到增透的效果，本申请优选第一高折导电层311与第二高折导电层315的折射率均大于2。

本申请的另一种优选的实施方式中，透明导电结构还包括透明基材层200，上述透明基材层200设置在上述第一高折导电层311的远离上述第一钝化层312的表面上。

为了使透明导电结构在较宽的温度范围内保持较好的物理机械性能，在高温、高频时保持较好的电性能，本申请优选透明基材层200为柔性透明基材层，进一步优选为PET材料层。

本申请的又一种优选的实施方式中，上述透明导电结构还包括水汽阻隔层100，如图2所示，水汽阻隔层100设置在透明基材层200的远离上述第一高折导电层311的表面上。传统方法中需要采用OCA胶层将透明基材层200与水汽阻隔层100贴合，使得水汽从透明基材层200与水汽阻隔层100中间的侧向漏入。本申通过原子沉积法直接在透明基材层200沉积水汽阻隔膜100，避免了水汽的侧向漏入，提高了透明导电膜300对氧气或水汽的阻隔效率，降低其发生氧化或老化的几率，提高透明导电膜300的使用寿命；同时，包括水汽阻隔层100的透明导电结构还可以应用于OLED与AMOLED等触摸显示屏或柔性触摸屏。

为了得到更好的水汽与氧气阻隔效果，提高透明导电膜300的使用寿命，本申请优选多层薄膜层叠组成的水汽阻隔层100，如图3所示，该水汽阻隔层100包括:第一薄膜101、第二薄膜102、保护膜103，第一薄101膜设置在上述透明基材层200的远离上述第一高折导电层311的表面上；第二薄膜102设置在上述第一薄膜101的远离上述透明基材层200的表面上；保护膜103设置在上述第二薄膜102的远离上述第一薄膜101的表面上。

为了实现更好的水汽阻隔效果，并且可以保证透明导电结构较好的导电性与较高的透光率，本申请优选第一薄膜101的厚度在10nm～100nm之间。

为了达到水汽阻隔层100对氧气分子、水分子与其他小分子更好的阻隔效果，本申请优选上述第一薄膜101为无机氧化物，进一步优选为ITO材料。

为了降低水汽阻隔层100的水汽、氧气的渗透率，本申请优选上述第二薄膜102为无机氧化物，进一步优选为Al₂O₃、SiO₂。

为了使水汽阻隔层100在较宽的温度范围内保持较好的物理机械性能，同时防止在运输过程中损伤第一薄膜101与第二薄膜102，本申请优选保护膜103为PET膜。

本申请的又一种优选的实施方式中，提供了一种电容式触摸屏，该电容式触摸屏包括透明导电结构，该透明导电结构为上述透明导电结构。

具有上述结构的电容式触摸屏，包括上述透明导电结构，该透明导电结构的电阻率低，方阻值小，这样可以提高电容式触摸屏的灵敏度，并使其更容易驱动；该透明导电结构的透光率高，提高了电容式触摸屏的亮度与清晰度，使得电容式触摸屏具有较好的显示效果；此外，当透明导电结构中还包括水汽阻隔层100时，可以使电容式触摸屏不容易发生氧化或者老化，进而可以提高电容式触摸屏的使用寿命。

本申请的又一种优选的实施例中，如图4所示，上述电容式触摸屏的透明导电结构为两个，分别为第一透明导电结构10和第二透明导电结构20，上述电容式触摸屏还包括透明胶层400，上述第一透明导电结构10和第二透明导电结构20设置在上述透明胶层400的相对两个表面上，且各上述透明导电结构的上述透明导电膜设置在上述透明胶层400上，即第一透明导电结构10的第一透明导电膜300与第二透明导电结构20的第二透明导电膜500设置在上述透明胶层400上，当所述透明导电结构还包括水汽阻隔层时，上述第一透明导电结构300的上述水汽阻隔层100被基板800代替得到第二透明导电结构20，该第二透明导电结构20包括第二透明导电膜500、第二基材层600、基板800。本领域技术人员还可以借鉴现有技术，在第二基材层600与基板800之间设置光学胶层700，以牢固粘结第二基材层600和基板800，使得具有图4所示的电容式触摸屏结构更稳定。

具有上述结构的电容式触摸屏，包括本发明的透明导电结构，该透明导电结构的电阻率低，方阻值小，这样可以提高电容式触摸屏的灵敏度，并使其更容易驱动；该透明导电结构的透光率高，提高了电容式触摸屏的亮度与清晰度；该透明导电结构中还包括水汽阻隔层，可以实现良好的水汽阻隔效果，提高电容式触摸屏的使用寿命；另外，该电容式触摸屏中第一透明导电膜300与第二透明导电膜500分别设置在上述透明胶层400的上、下表面，且被第一基材层200与第二基材层600包含在内部，因此可以减少或者消除应力的释放，增加了电容式触摸屏的可弯折性。

以下将结合实施例和对比例进一步说明本发明的有益效果。

实施例1

设置具有图1所示结构的透明导电膜，其中各第一高折导电层311、第一钝化层312、金属层313、第二钝化层314与第二高折导电层315的厚度及材料见表1，对该透明导电膜的电阻率和透光率进行检测，检测结果见表2。

实施例2

设置具有图1所示结构的透明导电膜，其中各第一高折导电层311、第一钝化层312、金属层313、第二钝化层314与第二高折导电层315的厚度及材料见表1，对该透明导电膜的电阻率和透光率进行检测，检测结果见表2及图5。

实施例3

设置具有图1所示结构的透明导电结构，其中各第一高折导电层311、第一钝化层312、金属层313、第二钝化层314与第二高折导电层315的厚度及材料见表1，对该透明导电膜的电阻率和透光率进行检测，检测结果见表2。

实施例4

设置具有图3所示的水汽阻隔层的透明导电结构，透明导电结构如图2所示，其中各第一高折导电层311、第一钝化层312、金属层313、第二钝化层314与第二高折导电层315、水汽阻隔层的厚度及材料见表1，对该透明导电结构的电阻率、透光率、水汽阻隔率进行检测，检测结果见表2及图6。

对比例1

现有透明导电膜一般包括：10nm氧化硅粘结层，5nm氧化铌高折层，60nm氧化硅折射率匹配层，21nmITO导电层。其透光率约为89％，方阻值约为120欧姆，水汽阻隔率约为8.7×10^-1g/m²day。

表1中给出一种现有技术的透明导电膜的具体参数，对其透明导电结构的电阻率和透光率进行检测，检测结果见表2。

其中，上述电阻率的检测采用四探针方法，其中测试宽幅为1250mm，左右内缩40mm；采用λ950分光光度计方法检测透光率；采用MOCON水汽阻隔率测试仪方法检测水汽阻隔率。

表1

表2

	平均方阻值(欧姆)	透光率	水汽阻隔率(g/m²·day)
				实施例1	9.1	90％	4.1×10^-2g/m².day
实施例2	8.8	92％	4.3×10^-2g/m².day
				实施例3	8.0	93％	6.1×10^-2g/m².day
实施例4	8.4	92％	7.4×10^-4g/m².day
				对比例1	120	89％	8.7×10^－1g/m².day

从表2中的测试结果可以得出：具有图2结构的透明导电膜具有较高的透光率、较小的方阻值，方阻值均小于10欧姆，透光率均大约90％。

另外，为了使本领域技术人员更好地理解上述技术效果，将结合表3、图4和图5进行对透光率和水汽阻隔率进行说明，

利用四探针方法对实施例2的透明导电膜的不同位置处的方阻值进行检测，检测结果见表3，表中B.A表示透明导电膜在热处理晶化前的方阻值，A.A表示透明导电膜经热处理晶化后的方阻值，其中测试宽幅为1250mm，左右内缩40mm，由此表可以看出：透明导电膜不同位置处的方阻值均小于8.8欧姆。进一步证明了具有图2结构的透明导电膜具有较小的电阻率、方阻值。

表3

	40	157	274	391	508	625	742	859	976	1093	1215	平均值
													B.A	8.8	8.7	8.8	8.9	8.8	8.8	8.6	8.8	8.8	8.8	8.8	8.7909
A.A	8.1	7.9	7.9	7.8	8	7.8	7.8	7.8	8	8	8.2	7.9364

图5为实施例2的透明导电膜的反射率与波长的关系曲线，从图5可以看出，在可见光范围内，该透明导电膜的反射率都在6％以下，所以其透光率较高，可以达到92％，进一步证明了具有图2结构的透明导电膜具有较高的透光率。

图6为实施例4中水汽阻隔层100的水汽阻隔率随时间的变化曲线，从该曲线表可以看出，该水汽阻隔层在40小时后水汽渗透率逐渐达到平衡，并保持在7.4×10^-4g/m²·day。此曲线更进一步表明具有图3所示的水汽阻隔层结构的透明导电膜有良好的水汽阻隔性能，使具有该水汽阻隔层的器件的使用寿命延长。

从以上的描述中，可以看出，本发明上述的实施方式实现了如下技术效果：

(1)本申请的透明导电结构，包括透明导电膜，该透明导电膜的第一高折导电层、第一钝化层、金属层、第二钝化层与第二高折导电层实现间隙掺杂，金属层间隙掺杂到第一高折导电层与第二高折导电层，使透明导电结构的电阻率减小、方阻值减小，进而使得透明导电结构的导电性能提高；另外，由于在相同厚度时，本申请中多层膜结构的透明导电膜的电阻率较小，导电率较大，透光率也得到提高；而且本领域技术人员可以通过调节透明导电膜厚度，使透明导电膜对光的反射率降到最低，进而使得透明导电膜的透光率达到最大。

(2)本申请的电容式触摸屏，包括上述透明导电结构，该透明导电结构的电阻率低，方阻值小，这样可以提高电容式触摸屏的灵敏度，并使其更容易驱动；该透明导电结构的透光率高，提高了电容式触摸屏的亮度与清晰度；该透明导电结构中还包括水汽阻隔层，可以实现良好的水汽阻隔效果，提高电容式触摸屏的使用寿命；另外，该电容式触摸屏中第一透明导电结构的透明导电膜与第二透明导电结构的透明导电膜设置在透明胶层上，可以减少或者消除应力的释放，增加了电容式触摸屏的可弯折性。

以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims

1.一种透明导电结构，包括透明导电膜，其特征在于，所述透明导电膜包括：

第一高折导电层；

第一钝化层，设置在所述第一高折导电层的表面上；

金属层，设置在所述第一钝化层的远离所述第一高折导电层的表面上；

第二钝化层，设置在所述金属层的远离所述第一钝化层的表面上；

第二高折导电层，设置在所述第二钝化层的远离所述金属层的表面上。

2.根据权利要求1所述的透明导电结构，其特征在于，形成所述第一钝化层和所述第二钝化层的材料为抗氧化金属材料。

3.根据权利要求2所述的透明导电结构，其特征在于，所述第一钝化层和所述第二钝化层的材料相同或不同，所述抗氧化金属材料为锌或钛。

4.根据权利要求2所述的透明导电结构，其特征在于，所述第一钝化层与所述第二钝化层的厚度相同，所述厚度在1nm～10nm之间，优选在1nm～5nm之间。

5.根据权利要求1所述的透明导电结构，其特征在于，所述金属层为金层或银层。

6.根据权利要求5所述的透明导电结构，其特征在于，所述金属层的厚度为6nm～12nm。

7.根据权利要求1所述的透明导电结构，其特征在于，所述第一高折导电层与所述第二高折导电层的光学厚度相等，所述第一高折导电层和所述第二高折导电层的光学厚度总和为0.8～2.0个光学单位。

8.根据权利要求1所述的透明导电结构，其特征在于，所述第一高折导电层与所述第二高折导电层的折射率均大于2。

9.根据权利要求1所述的透明导电结构，其特征在于，所述透明导电结构还包括透明基材层，所述透明基材层设置在所述第一高折导电层的远离所述第一钝化层的表面上。

10.根据权利要求9所述的透明导电结构，其特征在于，所述透明基材层为柔性透明基材层，优选为PET材料层。

11.根据权利要求9所述的透明导电结构，其特征在于，所述透明导电结构还包括水汽阻隔层，所述水汽阻隔层设置在透明基材层的远离所述第一高折导电层的表面上。

12.根据权利要求11所述的透明导电结构，其特征在于，所述水汽阻隔层包括：

第一薄膜，设置在所述透明基材层的远离所述第一高折导电层的表面上；

第二薄膜，设置在所述第一薄膜的远离所述透明基材层的表面上；

保护膜，设置在所述第二薄膜的远离所述第一薄膜的表面上。

13.根据权利要求12所述的透明导电结构，其特征在于，所述第一薄膜的厚度在10nm～100nm之间。

14.根据权利要求12所述的透明导电结构，其特征在于，所述第一薄膜为无机氧化物，优选为ITO材料。

15.根据权利要求12所述的透明导电结构，其特征在于，所述第二薄膜为无机氧化物，优选为Al₂O₃或SiO₂。

16.根据权利要求12所述的透明导电结构，其特征在于，所述保护膜为PET膜。

17.一种电容式触摸屏，包括透明导电结构，其特征在于，所述透明导电结构为权利要求1至16中任一项所述的透明导电结构。

18.根据权利要求17所述的电容式触摸屏，其特征在于，所述透明导电结构为两个，分别为第一透明导电结构和第二透明导电结构，所述电容式触摸屏还包括透明胶层，所述第一透明导电结构和所述第二透明导电结构设置在所述透明胶层的相对两个表面上，且各所述透明导电结构的所述透明导电膜设置在所述透明胶层上，当所述透明导电结构还包括水汽阻隔层时，所述第一透明导电结构的所述水汽阻隔层被基板代替。