CN103030932B - 预浸材料、覆金属层叠体、印刷线路板和半导体器件 - Google Patents

预浸材料、覆金属层叠体、印刷线路板和半导体器件 Download PDF

Info

Publication number
CN103030932B
CN103030932B CN201210376063.8A CN201210376063A CN103030932B CN 103030932 B CN103030932 B CN 103030932B CN 201210376063 A CN201210376063 A CN 201210376063A CN 103030932 B CN103030932 B CN 103030932B
Authority
CN
China
Prior art keywords
printed substrate
mass parts
preimpregnation material
semiconductor device
resin
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201210376063.8A
Other languages
English (en)
Other versions
CN103030932A (zh
Inventor
长田将一
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shin Etsu Chemical Co Ltd
Original Assignee
Shin Etsu Chemical Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shin Etsu Chemical Co Ltd filed Critical Shin Etsu Chemical Co Ltd
Publication of CN103030932A publication Critical patent/CN103030932A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN103030932B publication Critical patent/CN103030932B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B15/00—Layered products comprising a layer of metal
    • B32B15/04—Layered products comprising a layer of metal comprising metal as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material
    • B32B15/08—Layered products comprising a layer of metal comprising metal as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material of synthetic resin
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B15/00—Layered products comprising a layer of metal
    • B32B15/14—Layered products comprising a layer of metal next to a fibrous or filamentary layer
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J5/00—Manufacture of articles or shaped materials containing macromolecular substances
    • C08J5/04—Reinforcing macromolecular compounds with loose or coherent fibrous material
    • C08J5/10—Reinforcing macromolecular compounds with loose or coherent fibrous material characterised by the additives used in the polymer mixture
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J5/00—Manufacture of articles or shaped materials containing macromolecular substances
    • C08J5/24—Impregnating materials with prepolymers which can be polymerised in situ, e.g. manufacture of prepregs
    • C08J5/241—Impregnating materials with prepolymers which can be polymerised in situ, e.g. manufacture of prepregs using inorganic fibres
    • C08J5/244—Impregnating materials with prepolymers which can be polymerised in situ, e.g. manufacture of prepregs using inorganic fibres using glass fibres
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J5/00—Manufacture of articles or shaped materials containing macromolecular substances
    • C08J5/24—Impregnating materials with prepolymers which can be polymerised in situ, e.g. manufacture of prepregs
    • C08J5/249—Impregnating materials with prepolymers which can be polymerised in situ, e.g. manufacture of prepregs characterised by the additives used in the prepolymer mixture
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/18—Oxygen-containing compounds, e.g. metal carbonyls
    • C08K3/20—Oxides; Hydroxides
    • C08K3/22—Oxides; Hydroxides of metals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/18—Oxygen-containing compounds, e.g. metal carbonyls
    • C08K3/24—Acids; Salts thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K7/00—Use of ingredients characterised by shape
    • C08K7/02—Fibres or whiskers
    • C08K7/04—Fibres or whiskers inorganic
    • C08K7/14—Glass
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L63/00—Compositions of epoxy resins; Compositions of derivatives of epoxy resins
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2260/00—Layered product comprising an impregnated, embedded, or bonded layer wherein the layer comprises an impregnation, embedding, or binder material
    • B32B2260/02—Composition of the impregnated, bonded or embedded layer
    • B32B2260/021—Fibrous or filamentary layer
    • B32B2260/023—Two or more layers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2260/00—Layered product comprising an impregnated, embedded, or bonded layer wherein the layer comprises an impregnation, embedding, or binder material
    • B32B2260/04—Impregnation, embedding, or binder material
    • B32B2260/046—Synthetic resin
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2305/00—Condition, form or state of the layers or laminate
    • B32B2305/07—Parts immersed or impregnated in a matrix
    • B32B2305/076—Prepregs
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2457/00—Electrical equipment
    • B32B2457/08—PCBs, i.e. printed circuit boards
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J2363/00—Characterised by the use of epoxy resins; Derivatives of epoxy resins
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/18—Oxygen-containing compounds, e.g. metal carbonyls
    • C08K3/20—Oxides; Hydroxides
    • C08K3/22—Oxides; Hydroxides of metals
    • C08K2003/221—Oxides; Hydroxides of metals of rare earth metal
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/18—Oxygen-containing compounds, e.g. metal carbonyls
    • C08K3/24—Acids; Salts thereof
    • C08K3/26—Carbonates; Bicarbonates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/4501—Shape
    • H01L2224/45012—Cross-sectional shape
    • H01L2224/45015—Cross-sectional shape being circular
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45147—Copper (Cu) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L24/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Reinforced Plastic Materials (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

本发明涉及生产半导体器件的预浸材料，使用该预浸材料的覆金属层叠体和印刷线路板，以及使用该印刷线路板的半导体器件，该半导体器件甚至在使用Cu线时，在高温和高湿条件下也展示出优越的可靠性(耐热和耐湿可靠性)。具体公开的是包含基材和B-阶树脂组合物的预浸材料，该B-阶树脂组合物包含(a)热固性树脂、(b)具有特定组成的水滑石化合物、(c)钼酸锌、和(d)氧化镧，其中所述树脂组合物被浸渍在所述基材中；覆金属层叠体，其包含一层或层叠的多层的上述预浸材料和在该预浸材料的一个表面或两个表面上具备的金属箔；印刷线路板，其包含一层或层叠的多层的上述预浸材料和在所述预浸材料的一个表面或两个表面上具备的、包含金属箔的线路图案；以及半导体器件，其包含上述印刷线路板、安装在该印刷线路板上的半导体元件、和将该印刷线路板的线路图案和该半导体元件电连接的Cu线。

Description

预浸材料、覆金属层叠体、印刷线路板和半导体器件
技术领域
本发明涉及预浸材料、层叠体、印刷线路板和使用这些元件的半导体器件。本发明的层叠体包括其中的一个表面或两个表面被涂有金属箔的层叠体，即覆金属层叠体。
背景技术
近些年来，随着半导体器件已经在尺寸和重量上减小并且在功能方面得到改善，用于电绝缘的预浸材料、层叠体和印刷线路板的量已经提高。常规地，已经采用Au线、Au凸块或焊球将半导体元件上的端子和印刷线路板上的电路连接，但出于降低成本的目的，最近Cu线的使用已经增多起来。
然而，有报道称当在高温和高湿(HAST)的条件下将Cu线用于偏压测试时，在半导体元件上的Cu线和Al板之间的接点处可能发生开路故障。
相关技术的文件
非专利文献
[非专利文献1]2010年电子部件和技术会议(2010ElectronicComponentsandTechnologyConference)，1729-1732页
[非专利文献2]第12届IC封装技术博览会(ICP2011)研讨会文献，题目“ReliabilityofCopperWirePackagesandMoldingCompounds”
专利文献
[专利文献1]JP2009-59962A。
包含在半导体器件内的阴离子杂质被认为导致Al或Cu/Al金属间化合物的腐蚀，并且已经报道了在半导体封装材料中不含卤素的阻燃剂所造成的影响。
发明内容
鉴于上述情况而开发了本发明，并且其目的在于提供产生半导体器件的预浸材料、使用该预浸材料的覆金属层叠体和印刷线路板、以及使用该印刷线路板的半导体器件，该半导体器件甚至当使用Cu线时，在高温和高湿的条件下也展示出优越的可靠性(耐热和耐湿可靠性)。
作为深入研究(目的在于实现上述目的)的结果，本发明的发明人发现，通过减小用于半导体器件中的印刷线路板内的离子杂质的量并适当地控制所述印刷线路板的水萃取物的pH，无论使用的封装树脂的类型是什么，都能够降低高温和高湿条件下的电气故障，并且他们因此能够完成本发明。
换言之，本发明的第一方面是提供包含基材和B-阶(即半固化)树脂组合物的预浸材料，该B-阶树脂组合物包含：
(a)100质量份的热固性树脂，
(b)1-5质量份的由如下所示的式(1)代表的水滑石化合物：
MgxAly(OH)2x+3y-2z(CO3)z·mH2O(1)
其中，x和y为正数，并且z代表0或正数，条件是x、y和z满足0<y/x≤1和0≤z/y<1.5，并且m代表正数，
(c)至少0.5质量份的钼酸锌，和
(d)0.2-1质量份的氧化镧，
其中，该树脂组合物被浸渍到该基材中。
本发明的第二方面提供了覆金属层叠体，其包含：
一层或层叠的多层的上述预浸材料，和
在该预浸材料的一个表面或两个表面上具备的金属箔。
本发明的第三方面提供了印刷线路板，其包含：
一层或层叠的多层的上述预浸材料，和
在该预浸材料的一个表面或两个表面上具备的、包含金属箔的线路图案。
本发明的第四方面提供了半导体器件，其包括：
上述印刷线路板，
安装在该印刷线路板上的半导体元件，和
将该印刷线路板的线路图案和所述半导体元件电连接的Cu线。
所述组分(b)的水滑石化合物展现出很好的pH控制和对氯离子、有机酸根离子、硫酸根离子和硝酸根离子很好的俘获性，所述组分(c)的钼酸锌展现出对硫酸根离子很好的俘获性，并且所述组分(d)的氧化镧展现出对硫酸根离子和磷酸根离子很好的俘获性。由于本发明的预浸材料包含这些组分，因此在高温和高湿的条件下有效俘获了本发明中使用所述预浸材料的半导体器件中的阴离子杂质，这意味着甚至当使用Cu线时，也不可能出现电气故障。因此，本发明的预浸材料对于电绝缘是理想的。通过使用本发明的预浸材料，可以在半导体器件中使用廉价的Cu线，并因此可以保存资源如Au线，并可以降低成本。
具体实施方式
[(a)热固性树脂]
可用作所述组分(a)的热固性树脂的树脂的实例包括含有环氧基团、马来酰亚胺基团、或这两种基团的热固性树脂，如环氧树脂和双马来酰亚胺化合物。可以将单一化合物单独用作所述组分(a)，或可以使用两种或更多种化合物的组合。
可以使用的环氧树脂的实例包括双酚A环氧树脂、双酚F环氧树脂、双酚S环氧树脂、二苯基环氧树脂、萘二酚环氧树脂、苯酚线型酚醛清漆环氧树脂、甲酚线型酚醛清漆环氧树脂、苯酚芳烷基环氧树脂、二苯基芳烷基环氧树脂、三酚基甲烷环氧树脂、脂肪族环氧树脂、四(缩水甘油基氧基苯基)乙烷、缩水甘油酯树脂、缩水甘油基胺树脂、杂环环氧树脂(如异氰尿酸三缩水甘油酯和二缩水甘油基乙内酰脲)、以及通过采用一种或多种反应性单体使任意上述环氧树脂改性而得到的改性环氧树脂。可以单独使用单一环氧树脂，或可以使用两种或更多种环氧树脂的组合。
对双马来酰亚胺化合物没有具体限定，并且其代表性的实例包括二(3-甲基-4-马来酰亚氨基苯基)甲烷、二(3-乙基-4-马来酰亚氨基苯基)甲烷、二(3,5-二甲基-4-马来酰亚氨基苯基)甲烷、二(3-乙基-5-甲基-4-马来酰亚氨基苯基)甲烷、二(3,5-二乙基-4-马来酰亚氨基苯基)甲烷、这些双马来酰亚胺化合物的预聚物、以及由一种或多种这些双马来酰亚胺化合物和胺化合物形成的预聚物。可以单独使用单一双马来酰亚胺化合物，或可以使用两种或更多种化合物的组合。
为了半固化或固化包含所述组分(a)的热固性树脂的树脂组合物，通常将固化剂加入所述树脂组合物中。对该固化剂没有具体限定，其可以是用作热固性树脂用固化剂的任何化合物，并且实例包括作为固化促进剂用于环氧树脂的化合物、双马来酰亚胺化合物、或这两种化合物。具体的实例包括胺系固化剂、酚系固化剂、酸酐系固化剂和氰酸酯化合物。其中，通常用于电绝缘清漆的化合物类型是优选的。可以单独使用单一固化剂，或可以使用两种或更多种固化剂的组合。
胺系固化剂通常作为固化促进剂用于环氧树脂。可使用的胺系固化剂的具体实例包括链状脂肪族胺，如乙二胺、二亚乙基三胺、三亚乙基四胺、四亚乙基五胺、六亚甲基二胺、二乙基氨基丙胺、双氰胺、四甲基胍和三乙醇胺；环状脂肪族胺，如异佛尔酮二胺、二氨基二环己基甲烷、双(氨基甲基)环己烷、双(4-氨基-3-甲基二环己基)甲烷、N-氨基乙基哌嗪和3,9-双(3-氨基丙基)-2,4,8,10-四氧杂螺[5.5]十一烷；和芳香族胺，如苯二甲胺、苯二胺、二氨基二苯基甲烷和二氨基二苯基砜。其中，双氰胺在固化剂的固化性和所得的固化产品的物理性质方面是优选的。可以单独使用单一胺系固化剂，或可以使用两种或更多种胺系固化剂的组合。设定所述胺系固化剂的加入量，从而相对于所述组分(a)的热固性树脂内的每1mol环氧基团，所述胺系固化剂内的氮原子的摩尔数优选为0.1-1.0mol的范围，并更优选为0.3-0.6mol。
酚系固化剂通常作为固化促进剂用于环氧树脂。酚系固化剂的具体实例包括双酚、双酚A、双酚F、苯酚线型酚醛清漆、甲酚线型酚醛清漆、双酚A线型酚醛清漆、苯酚芳烷基、二苯基芳烷基、和上述化合物的烷基取代形式(其中，该烷基基团的实例包括甲基基团和乙基基团)。可以单独使用单一酚系固化剂，或可以使用两种或更多种酚系固化剂的组合。设定所述酚系固化剂的加入量，从而相对于所述组分(a)的热固性树脂内的每1mol环氧基团，所述酚系固化剂内的酚羟基基团的摩尔数优选为0.5-2.0mol的范围，并优选为0.7-1.5mol。
酸酐系固化剂通常作为固化促进剂用于环氧树脂。酸酐系固化剂的具体实例包括六氢邻苯二甲酸酐(HPA)、四氢邻苯二甲酸酐(THPA)、均苯四酸酐(PMDA)、氯菌酸酐(HET)、桥亚甲基四氢化邻苯二甲酸酐(NA)、甲基桥亚甲基四氢化邻苯二甲酸酐(MNA)、十二烯基琥珀酸酐(DDSA)、邻苯二甲酸酐(PA)、甲基六氢邻苯二甲酸酐(MeHPA)和马来酸酐。可以单独使用单一酸酐系固化剂，或可以使用两种或更多种酸酐系固化剂的组合。设定所述酸酐系固化剂的加入量，从而相对于所述组分(a)的热固性树脂内的每1mol环氧基团，所述酸酐系固化剂内的酸酐基团的摩尔数优选为0.5-2.0mol的范围，并优选为0.6-1.0mol。
氰酸酯化合物通常作为固化促进剂用于双马来酰亚胺化合物。对氰酸酯化合物没有具体限定，只要其为在每个分子中含有两个或更多个氰酸酯基团的氰酸酯化合物即可。这样的氰酸酯化合物的具体实例包括1,3-或1,4-二氰酰基苯、1,3,5-三氰酰基苯、1,3-、1,4-、1,6-、1,8-、2,6-或2,7-二氰酰基萘、1,3,6-三氰酰基萘、4,4'-二氰酰基联苯、双(4-二氰酰基苯基)甲烷、2,2-双(4-氰酰基苯基)丙烷、双(4-氰酰基苯基)醚、双(4-氰酰基苯基)硫醚、二(4-氰酰基苯基)砜、和通过线型酚醛清漆与卤代氰化物反应得到的氰酸酯化合物。而且，重均分子量为500-5000并含有三唑环，并且通过这些氰酸酯化合物(氰酸酯单体)中的一种的氰酸酯基团的三聚而形成的预聚物可以特别利于使用。通过使用酸(如矿物酸或Lewis酸)、碱(如醇钠盐或叔胺)或盐(如碳酸钠)作为催化剂将上述氰酸酯单体聚合来获得这些预聚物。可以单独使用单一氰酸酯化合物，或可以使用两种或更多种氰酸酯化合物的组合。设定所述氰酸酯化合物的加入量，从而相对于所述组分(a)的热固性树脂内的每1mol马来酰亚胺基团，所述氰酸酯化合物内的氰酸酯基团的摩尔数优选为0.1-1.0mol的范围，并更优选为0.3-0.6mol。
[(b)水滑石化合物]
所述组分(b)是如下所示的式(1)所代表的水滑石化合物：
MgxAly(OH)2x+3y-2z(CO3)z·mH2O(1)
其中，x和y为正数，并且z代表0或正数，条件是x、y和z满足0<y/x≤1和0≤z/y<1.5，并且m代表正数。
x优选为2-5的正数。y优选为1-3的正数。z优选为0-2的数。而且，x、y和z优选满足0.4≤y/x≤0.8和0≤z/y<0.5。m优选为1-4的正数。单一化合物可以作为所述组分(b)单独使用，或可以使用两种或更多种化合物的组合。
相对于每100质量份所述热固性树脂，所述组分(b)的水滑石化合物的加入量为1-5质量份，并优选1-3质量份。如果所述加入量为小于1质量份，那么不能获得满意的pH控制能力和杂质俘获能力。如果所述加入量超过5质量份，那么所述pH控制能力、所述杂质俘获能力或这两种能力变得过度，并且所述水滑石化合物本身所吸收的水分的量增多，导致所获得的半导体器件的耐湿回焊特性的变差。
[(c)钼酸锌]
相对于每100质量份所述组分(a)的热固性树脂，所述组分(c)的钼酸锌的加入量为至少0.5质量份，并优选至少3质量份。如果所述加入量小于0.5质量份，那么不能获得满意的杂质俘获能力。尽管不存在对该加入量上限的具体限定，但从更容易保持利用所得的树脂组合物制造的层叠体和印刷线路板的粘合性和可加工性的角度出发，该上限优选为相当于所述全体树脂组合物的5-50质量%。例如，相对于每100质量份所述组分(a)的热固性树脂，该上限优选为100质量份，并更优选50质量份。
[(d)氧化镧]
相对于每100质量份所述热固性树脂，所述组分(d)的氧化镧的加入量为0.2-1质量份，并优选0.3-0.6质量份。如果所述加入量小于0.2质量份，那么不能获得满意的杂质俘获能力。如果所述加入量超过1质量份，那么由氧化镧本身吸收的水分的量增多，导致所获得的半导体器件的耐湿回焊特性的退化。
[其他组分]
用于本发明的树脂组合物还可以含有无机填料，其加入是出于使由所述树脂组合物制备的预浸材料进一步改善阻燃性、改善硬度、和降低热膨胀性的目的。从有助于实现上述目的的角度出发，并从更易于保持利用所述树脂组合物制造的层叠体和印刷线路板的粘合性和可加工性的角度出发，该无机填料的量优选表示为所述树脂组合物中所有组分(排除任何有机溶剂)的10-50质量%，即包含该无机填料的树脂组合物的总固体部分的10-50质量%。对该无机填料没有具体限定，只要其没有损害所述层叠体和所述印刷线路板的性能即可，并且具体的实例包括硅石、滑石、云母、氧化铝、碳酸镁、和碳酸钡。可以单独使用单一无机填料，或可以使用两种或更多种无机填料的组合。
除了所述无机填料之外，还可以将其他组分如阻燃剂、颜料、粘合助剂、抗氧化剂、固化促进剂和有机溶剂加入用于本发明的树脂组合物中而没有具体限制，只要它们不损害所述层叠体和所述印刷线路板的性能即可。可以单独使用这些其他组分，或可以使用两种或更多种组分的组合。可以用作这些其他组分的常规化合物(例如咪唑如2-乙基-4-甲基咪唑)可以用作固化促进剂。对这些其他组分的加入量没有具体限定，只要它们不损害所述层叠体和所述印刷线路板的性能即可。
对所使用的有机溶剂的类型或量没有具体限定，只要该溶剂能够使所述树脂组合物均匀溶解，并能够保持用于制备所述预浸材料的适当的粘度和挥发性水平即可。在各种可能性中，从满足上述条件的角度出发，并从成本、操作性和安全性的角度出发，优选的有机溶剂包括丙酮、甲基乙基酮、2-甲氧基乙醇、2-甲氧基丙醇、1-甲氧基-2-丙醇、甲苯、二甲苯和二甲基甲酰胺。可以单独使用单一有机溶剂，或也可以使用两种或更多种有机溶剂的组合。当将所述树脂组合物浸入所述基材中为特别重要时，优选使用沸点为约120-200℃的两种或更多种有机溶剂的组合。所述有机溶剂的量优选相当于包含所述有机溶剂的全部树脂组合物的约10-50质量%。
[基材]
用于本发明的预浸材料的基材可以为用于各种类型的印刷线路板材料中的任何常规基材，并且实例包括由石英玻璃纤维形成的基材；由除了石英玻璃纤维之外的玻璃纤维形成的基材，该玻璃纤维例如为E玻璃纤维、D玻璃纤维、S玻璃纤维、NE玻璃纤维和T玻璃纤维；由除了玻璃纤维之外的无机纤维形成的基材；由有机纤维如聚亚酰胺、聚酰胺和聚酯形成的基材；和由两种或更多种上述类型的纤维的组合形成的基材。所述基材的形式的实例包括机织织物、非织造织物、粗纱、短切原丝垫和表面毡。对该基材的厚度没有具体限定，并且约0.01-0.3mm的厚度通常是合适的。在上述基材中，在强度和吸水性方面，由除了石英玻璃纤维之外的玻璃纤维形成的基材或由石英玻璃纤维形成的基材是优选的。
[预浸材料]
可以通过用所述树脂组合物(A-阶树脂组合物)浸渍上述基材来制备本发明的预浸材料，该树脂组合物包含上述组分(a)-(d)以及固化剂和根据需要的任何其他组分，并然后使所述树脂组合物干燥并进行B-阶化。干燥过程中的温度为例如70-150℃的范围，并且干燥时间通常为约30-60分钟。
[覆金属层叠体]
可以通过将铜或铝等金属箔置于单层的上述预浸材料或层叠的多层的上述预浸材料的一个表面或两个表面上来制造本发明的覆金属层叠体，然后进行层叠模塑。对所使用的金属箔没有具体限定，只要其为用作印刷线路板材料的箔类型即可。用于所述层叠模塑的方法和条件可以运用在制造用于常规印刷线路板的层叠体和多层板中使用的方法和条件的类型。例如，使用多层压机、真空多层压机(multi-daylightvacuumpress)、连续模塑装置或压热模塑装置等，并且模塑一般在包括150-300℃的温度、2-100kgf/cm2的压力和0.05-5小时的加热时间的条件下进行。
[印刷线路板]
本发明的印刷线路板可以如下制造：通过蚀刻从上述覆金属层叠体除去不需要的金属箔部分，从而形成线路图案(电路)。
在上述预浸材料、层叠体和印刷线路板的制造中，可以根据需要实施本技术领域通常的涂布步骤、层叠步骤和电路加工步骤。以这种方式得到的层叠体和印刷线路板展现出优越的耐热性、阻燃性和可靠性。
[半导体器件]
可以通过将半导体元件粘合至上述印刷线路板，用Cu线使所述印刷线路板的线路图案连接至所述半导体元件来获得本发明的半导体器件，并且如果需要的话，随后通过采用封装树脂的封装来保护所述半导体元件、所述Cu线和所述印刷线路板的一部分或全部。
实施例
下面基于一系列实施例和对比实施例对本发明更详细地描述，但这些实施例不以任何方式限定本发明。
在实施例和对比实施例中，将下列材料用作所述热固性树脂、所述水滑石化合物、所述钼酸锌、所述氧化镧和所述其他组分。
—环氧树脂A：甲酚线型酚醛清漆环氧树脂，由DICCorporation生产，产品名称：N-673(环氧当量重量：210)
—环氧树脂B：二苯基芳烷基环氧树脂，由NipponKayakuCo.,Ltd.生产，产品名称：NC-3000H(环氧当量重量：292)
—双马来酰亚胺：双(3-乙基-5-甲基-4-马来酰亚氨基苯基)甲烷，由KIChemicalIndustryCo.,Ltd.生产，产品名称：BMI-70
—氰酸酯化合物：2,2-双(4-氰酰基苯基)丙烷，由HuntsmanInternationalLLC生产，产品名称：AroCy-L-10
—酚系固化剂：苯酚线型酚醛清漆树脂，由DICCorporation生产，产品名称：TD-2131
—胺系固化剂：双氰胺，由NipponCarbideIndustriesCo.,Inc.生产
—钼酸锌：由NihonSherwinWilliamsCo.,Ltd.生产，产品名称：Kemgard911B
—水滑石化合物：Mg4.5Al2(OH)13CO3·3.5H2O，由KyowaChemicalIndustryCo.,Ltd.生产，产品名称：DHT-4A-2
—氧化镧：由Shin-EtsuChemicalCo.,Ltd.生产
—三苯基膦：由HokkoChemicalIndustryCo.,Ltd.生产，产品名称：TPP
—2-乙基-4-甲基咪唑：由ShikokuChemicalsCorporation生产，产品名称：2E4MZ
—辛酸锌：(试剂级别)
—氢氧化铝：由SumitomoChemicalCo.,Ltd.生产，产品名称：CL-303
—硅石：由AdmatechsCo.,Ltd.生产，产品名称：SC-2500SQ。
(实施例1)
<预浸材料、覆铜层叠体和印刷线路板的制备>
制备具有下述组成的树脂清漆，并将该清漆浸入厚度为0.1mm的E玻璃机织织物中并在160℃下加热5分钟，生成预浸材料，其中所述树脂清漆以半固化状态被浸入所述E玻璃机织织物内：
环氧树脂A：60质量份
酚系固化剂：40质量份
水滑石化合物：3质量份
钼酸锌：10质量份
氧化镧：0.5质量份
硅石：80质量份
三苯基膦：2质量份
溶剂(甲基乙基酮)：300质量份
随后，将4片所述预浸材料堆叠在彼此上方，将厚度为18μm的电解铜箔置于该堆叠结构的两个表面上，并在3MPa的压力、180℃下将该结构压制90分钟，产生厚度为0.4mm的双侧覆铜层叠体。将该铜箔的不需要部分通过蚀刻从该覆铜层叠体除去，从而在两个表面上形成电路。然后，在所述层叠体的电路部分内开通孔，将该通孔的内部镀敷，从而在所述层叠体的两侧上将电路电连接。
将厚度为25μm的阻焊剂(由TaiyoInkMfg.Co.,Ltd.生产，产品名称：PSR-4000AUS-308)施涂于所述层叠体的整个表面上，并通过在80℃下加热30分钟来初步干燥。接下来，将UV灯通过负片照射在所述层叠体上，从而在要求钎焊的那些部分使阻焊剂以未固化状态保持，而使施涂于要求保护的那些部分的阻焊剂固化。然后，通过显影液除去所述阻焊剂的未固化部分，并且将暴露的铜箔部分镀金属，从而形成BGA印刷线路板。
<印刷线路板的水萃取物的pH和杂质浓度水平的测定>
在160℃下，用水将该印刷线路板萃取20小时，并测定该水萃取物的pH和杂质浓度水平。
<半导体器件的制备>
随后，在包括130℃的温度和0.5MPa的压力的条件下，采用芯片粘结膜(由Shin-EtsuChemicalCo.,Ltd.生产，产品名称：X-45-3024DT3，厚度：25μm)将用于测试和评价目的的半导体元件(10mm×10mm×0.3mm)(包含以线之间5μm间隔设置宽度为5μm的Al线)粘合于上述印刷线路板，然后将该结构在175℃下加热2小时以使该芯片粘结膜固化。
采用直径为2μm并且长度为3.5mm的Cu线使所述半导体元件上的Al板和所述印刷线路板上的镀金属部分连接。随后，在175℃、6.9MPa的压力下进行传递模塑90秒，以将包括所述半导体元件、所述印刷线路板和所述Cu线的整体结构封装在不含卤素的环氧树脂(由Shin-EtsuChemicalCo.,Ltd.生产，产品名称：KMC-6000NHR-1)内。然后在180℃下，进行后模塑固化(PMC)4小时，生成尺寸为24mm×24mm×1.2mm的半导体器件。
<耐湿可靠性测试>
在121℃、2个大气压下，将所制得的半导体器件保持300小时，然后施加10V的偏压，并测定开路故障率。
<MSL测试>
在包括30℃的温度和70%RH的条件下，将所制得的半导体器件储存192小时，并随后将其通过最高温度为260℃的IR回焊炉。然后，采用超声波测试装置来确定所述半导体器件内部是否存在剥离。
(实施例2)
除了将实施例1中所描述的树脂清漆的组成换为下述组成之外，以与实施例1同样的方式制备并评价印刷线路板和半导体器件。
环氧树脂A：100质量份
胺系固化剂：4质量份
水滑石化合物：3质量份
钼酸锌：10质量份
氧化镧：0.5质量份
硅石：80质量份
2-乙基-4-甲基咪唑：0.3质量份
溶剂(甲基乙基酮)：300质量份。
(实施例3)
除了将实施例1中所描述的树脂清漆的组成换为下述组成之外，以与实施例1同样的方式制备并评价印刷线路板和半导体器件。
环氧树脂A：60质量份
酚系固化剂：40质量份
水滑石化合物：3质量份
钼酸锌：10质量份
氧化镧：0.5质量份
氢氧化铝：40质量份
硅石：40质量份
三苯基膦：2质量份
溶剂(甲基乙基酮)：300质量份。
(实施例4)
除了将实施例1中所描述的树脂清漆的组成换为下述组成之外，以与实施例1同样的方式制备并评价印刷线路板和半导体器件。
双马来酰亚胺：70质量份
氰酸酯化合物：30质量份
水滑石化合物：3质量份
钼酸锌：10质量份
氧化镧：0.5质量份
硅石：80质量份
辛酸锌：0.01质量份
溶剂(甲基乙基酮)：300质量份。
(对比实施例1)
除了将实施例1中所描述的树脂清漆的组成换为下述组成之外，以与实施例1同样的方式制备并评价印刷线路板和半导体器件。
环氧树脂A：60质量份
酚系固化剂：40质量份
硅石：80质量份
三苯基膦：2质量份
溶剂(甲基乙基酮)：300质量份。
(对比实施例2)
除了将实施例1中所描述的树脂清漆的组成换为下述组成之外，以与实施例1同样的方式制备并评价印刷线路板和半导体器件。
环氧树脂A：100质量份
胺系固化剂：4质量份
硅石：80质量份
2-乙基-4-甲基咪唑：0.3质量份
溶剂(甲基乙基酮)：300质量份。
(对比实施例3)
除了将实施例1中所描述的树脂清漆的组成换为下述组成之外，以与实施例1同样的方式制备并评价印刷线路板和半导体器件。
环氧树脂A：100质量份
胺系固化剂：4质量份
水滑石化合物：7质量份
钼酸锌：10质量份
氧化镧：3质量份
硅石：80质量份
2-乙基-4-甲基咪唑：0.3质量份
溶剂(甲基乙基酮)：300质量份。
(对比实施例4)
除了将实施例1中所描述的树脂清漆的组成换为下述组成之外，以与实施例1同样的方式制备并评价印刷线路板和半导体器件。
双马来酰亚胺：70质量份
氰酸酯化合物：30质量份
硅石：80质量份
辛酸锌：0.01质量份
溶剂(甲基乙基酮)：300质量份
测试结果示于表1和表2中。
表1
表2
基于以上结果，证明在采用本发明的预浸材料的半导体器件中，能够抑制高温和高湿条件下杂质的生成。因此，本发明的预浸材料有效改善了采用Cu线的半导体器件的可靠性。

Claims (4)

1.包含基材和B-阶树脂组合物的预浸材料，该B-阶树脂组合物包含：
(a)100质量份的热固性树脂，
(b)1-5质量份由如下所示的式(1)代表的水滑石化合物：
MgxAly(OH)2x+3y-2z(CO3)z·mH2O(1)
其中，x和y为正数，并且z代表0或正数，条件是x、y和z满足0<y/x≤1和0≤z/y<1.5，并且m代表正数，
(c)至少0.5质量份的钼酸锌，和
(d)0.2-1质量份的氧化镧，
其中，该树脂组合物被浸渍到该基材中。
2.覆金属层叠体，其包含：
一层或层叠的多层的权利要求1中所限定的预浸材料，和
在该预浸材料的一个表面或两个表面上具备的金属箔。
3.印刷线路板，其包含：
一层或层叠的多层的权利要求1中所限定的预浸材料，和
在该预浸材料的一个表面或两个表面上具备的、包含金属箔的线路图案。
4.半导体器件，其包括：
权利要求3中所限定的印刷线路板，
安装在该印刷线路板上的半导体元件，和
将该印刷线路板的线路图案和该半导体元件电连接的Cu线。
CN201210376063.8A 2011-10-07 2012-10-08 预浸材料、覆金属层叠体、印刷线路板和半导体器件 Active CN103030932B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011222598 2011-10-07
JP2011-222598 2011-10-07

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN103030932A CN103030932A (zh) 2013-04-10
CN103030932B true CN103030932B (zh) 2016-06-29

Family

ID=48018357

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201210376063.8A Active CN103030932B (zh) 2011-10-07 2012-10-08 预浸材料、覆金属层叠体、印刷线路板和半导体器件

Country Status (3)

Country Link
US (1) US8796375B2 (zh)
JP (1) JP5904078B2 (zh)
CN (1) CN103030932B (zh)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6492455B2 (ja) * 2014-08-19 2019-04-03 Dic株式会社 硬化性組成物、硬化物、半導体封止材料、半導体装置、プリプレグ、プリント回路基板、フレキシルブル配線基板、ビルドアップフィルム、ビルドアップ基板、繊維強化複合材料、成形品
JPWO2016129655A1 (ja) * 2015-02-10 2017-11-30 インテル・コーポレーション 層間絶縁用樹脂フィルム、接着補助層付き層間絶縁用樹脂フィルム、及びプリント配線板
EP3091049A1 (de) * 2015-05-08 2016-11-09 Siemens Aktiengesellschaft Lagerungsstabile imprägnierharze und elektroisolationsbänder
US11930594B2 (en) 2016-08-15 2024-03-12 Resonac Corporation Adhesive film for multilayer printed-wiring board
WO2019126928A1 (zh) * 2017-12-25 2019-07-04 广东生益科技股份有限公司 热固性树脂组合物、预浸料、层压板和印制电路板
WO2021039687A1 (ja) * 2019-08-26 2021-03-04 リンテック株式会社 樹脂組成物及び樹脂シート

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1908065A (zh) * 2005-08-05 2007-02-07 信越化学工业株式会社 环氧树脂组合物以及半导体装置
CN101356007A (zh) * 2006-01-06 2009-01-28 东亚合成株式会社 硫酸根离子无机捕捉剂、无机捕捉组合物及使用其的电子部件密封用树脂组合物、电子部件密封材、电子部件、清漆、粘接剂、糊与制品

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3433611B2 (ja) * 1996-05-28 2003-08-04 松下電工株式会社 プリプレグ及び積層板
JP3537082B2 (ja) * 1999-02-09 2004-06-14 住友ベークライト株式会社 エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2002121021A (ja) * 2000-08-10 2002-04-23 Shin Etsu Chem Co Ltd 希土類水酸化物、その製造方法およびそれを添加した焼結体
JP5055668B2 (ja) * 2001-07-19 2012-10-24 凸版印刷株式会社 プリント配線板用熱硬化性樹脂組成物
JP2003268208A (ja) * 2002-01-11 2003-09-25 Shin Etsu Chem Co Ltd 半導体封止用難燃性エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP4692744B2 (ja) * 2004-08-02 2011-06-01 信越化学工業株式会社 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP4844725B2 (ja) * 2005-04-25 2011-12-28 信越化学工業株式会社 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2009059962A (ja) 2007-08-31 2009-03-19 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 半導体パッケージ

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1908065A (zh) * 2005-08-05 2007-02-07 信越化学工业株式会社 环氧树脂组合物以及半导体装置
CN101356007A (zh) * 2006-01-06 2009-01-28 东亚合成株式会社 硫酸根离子无机捕捉剂、无机捕捉组合物及使用其的电子部件密封用树脂组合物、电子部件密封材、电子部件、清漆、粘接剂、糊与制品

Also Published As

Publication number Publication date
US8796375B2 (en) 2014-08-05
JP5904078B2 (ja) 2016-04-13
CN103030932A (zh) 2013-04-10
US20130088842A1 (en) 2013-04-11
JP2013091781A (ja) 2013-05-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103030932B (zh) 预浸材料、覆金属层叠体、印刷线路板和半导体器件
KR101229854B1 (ko) 에폭시 수지, 이를 함유하는 경화성 수지 조성물 및 그용도
US8198381B2 (en) Phenol aralkyl epoxy resin with secondary hydroxyl groups
KR20120021243A (ko) 금속 부착 적층판 및 그 제조 방법
US8053378B2 (en) Modified phenolic resin, epoxy resin composition containing the same, and prepreg containing the composition
KR20110091458A (ko) 프리프레그, 적층판, 프린트 배선판 및 반도체 장치
JP5206600B2 (ja) エポキシ樹脂組成物、プリプレグ、積層板、樹脂シート、多層プリント配線板、及び半導体装置
JP6098372B2 (ja) 半導体装置
KR102316144B1 (ko) 에폭시 수지 조성물, 수지 시트, 프리프레그 및 금속장 적층판, 프린트 배선기판, 반도체 장치
KR101526645B1 (ko) 수지 조성물, 프리프레그, 수지 시트, 금속 부착 적층판, 프린트 배선판, 다층 프린트 배선판 및 반도체 장치
TW201835136A (zh) 含有噁唑烷酮環的環氧樹脂組成物、其製造方法、硬化性樹脂組成物、及硬化物
JP2014218600A (ja) プリプレグ、金属張積層板、プリント配線基板および半導体パッケージ
JP2014205755A (ja) プライマー層形成用樹脂組成物
JP7472948B2 (ja) 樹脂組成物
JP2014056924A (ja) 半導体装置の製造方法及びそれに用いる熱硬化性樹脂組成物並びにそれらにより得られる半導体装置
JP6229439B2 (ja) 金属張積層板、プリント配線基板、および半導体装置
JP2017082213A (ja) エポキシ樹脂組成物、硬化物、半導体素子、樹脂シート、プリプレグ及び炭素繊維強化複合材料
JP2001081282A (ja) エポキシ樹脂組成物及びそれを用いたフレキシブル印刷配線板材料
JP6472073B2 (ja) エポキシ樹脂含有ワニス、エポキシ樹脂組成物含有ワニス、プリプレグ、樹脂シート、プリント配線板、半導体装置
JP4197611B2 (ja) エポキシ樹脂組成物及びそれを用いたフレキシブル印刷配線板材料
JP2020015864A (ja) 樹脂組成物、シート状積層材料、プリント配線板、半導体チップパッケージ、及び半導体装置
JP2015159177A (ja) 樹脂基板、金属張積層板、プリント配線基板、および半導体装置
JP6739893B2 (ja) 半導体封止用部材、半導体装置の製造方法及び半導体装置
JP4622036B2 (ja) 熱硬化性樹脂組成物、硬化物、積層板用プリプレグ、及びプリント配線基板
JP2021031523A (ja) 硬化性樹脂組成物およびその硬化物

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant