CN102915993B - 具有传感器的集成电路和制造这种集成电路的方法 - Google Patents

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Abstract

公开了一种集成电路，包括：衬底(10)，承载多个电路元件；金属化叠层(12，14，16)，将所述电路元件互连，所述金属化叠层包括已构图的上部金属化层，所述上部金属化层包括第一金属部分(20)和第二金属部分(21)；钝化叠层(24，26，28)，覆盖所述金属化叠层；气体传感器，包括所述钝化叠层上的感测材料部分(32，74)；第一导电部分(38)，延伸通过所述钝化底层，将所述感测材料部分的第一区域与所述第一金属部分相连；以及第二导电部分(40)，延伸通过所述钝化叠层，将所述感测材料部分的第二区域与所述第二金属部分相连。还公开了制造这种IC的方法。

Description

具有传感器的集成电路和制造这种集成电路的方法
技术领域
本发明涉及一种集成电路(IC)，包括：衬底，承载多个电路元件；金属化叠层，将所述电路元件互连，所述金属化叠层包括已构图的上部金属化层，所述上部金属化层包括第一金属部分；钝化叠层，覆盖所述金属化叠层；以及传感器。
本发明还涉及一种制造这种IC的方法。
背景技术
当前，集成电路(IC)可以包括诸多的传感器，例如气体传感器、相对湿度(RH)传感器、特定分析物检测传感器等等。由于多种原因，可以将这些传感器包括在IC设计中。
例如，可以将气体传感器包括在IC中，用于检测添加了芯片的产品的环境条件中的变化，使得通过监测芯片的传感器读数可以实现产品质量控制。例如，这可以用于精确地预测例如易腐食品原料等产品的剩余保存期。例如，气体传感器可以适用于确定环境大气中的CO2含量的变化。替代地，气体传感器可以用于检测诸如建筑物之类的大型环境的气体成分中的变化，或者可以用于医疗应用领域，例如在呼吸器械中。
特别相关的是诸如用于产品监测的RF标签之类的大量销售的应用，可以利用有限的附加成本将气体传感器功能添加到IC，因为在这些IC上存在较大的价格压力；即必须便宜地生产这些IC以便商业上具有吸引力。
清楚的是需要按照节省成本的方式将诸如气体传感器之类的多个传感器集成到IC上。
发明内容
本发明设法提供一种包括气体传感器的IC，可以使用标准IC制造方法容易地提供所述气体传感器。
本发明还设法提供一种制造这种IC的方法。
根据本发明的一个方面，提出了一种集成电路，包括：衬底，承载多个电路元件；金属化叠层，将所述电路元件互连，所述金属化叠层包括已构图的上部金属化层，所述上部金属化层包括第一金属部分和第二金属部分；钝化叠层，覆盖所述金属化叠层；气体传感器，包括所述钝化叠层上的感测材料部分；第一导电部分，延伸通过所述钝化叠层，将所述感测材料部分的第一区域与所述第一金属部分相连；以及第二导电部分，延伸通过所述钝化叠层，将所述感测材料部分的第二区域与所述第二金属部分相连。
本发明是基于这样的认识：可以使用标准处理技术将气体感测材料沉积到钝化叠层的顶部上，并且与金属化叠层中的触点相连。在实施例中，所述感测材料包括多孔层，所述多孔层包括至少一种金属氧化物。例如，这种多孔层可以是利用所述至少一种金属氧化物实现的多孔衬底层，可以使用标准处理步骤形成所述多孔层；可以通过标准刻蚀技术形成所述孔，并且可以使用诸如ALD、CVD、PE-CVD等之类的标准沉积技术形成金属氧化物。替代地，所述多孔衬底层包括阳极氧化铝，可以通过铝沉积接着是阳极氧化步骤来形成所述阳极氧化铝，从而形成迄今为止已知的自对准纳米多孔材料。
所述感测材料部分可以具有T形，使得凹陷部分位于所述感测材料部分和所述钝化叠层之间。如果通过金属部分的氧化形成所述感测材料部分，则这是特别有利的，其中不完全氧化可能引起例如在感测部分面对钝化叠层的表面处，金属轨道在第一和第二导电部分之间延伸，从而将感测材料短路。所述凹陷部分防止了残余的金属轨道到达导电部分，从而防止了感测材料的短路。
替代地，可以通过相应的电绝缘侧壁间隔物将感测材料部分的侧壁与第一和第二导电部分相分离来防止这种短路。
在另外的替代实施例中，第一和第二导电部分包括相应的接合引线，其不与感测部分的侧壁接触，从而也防止了上述短路。
所述集成电路还可以包括：在所述金属化叠层的金属化层中的加热元件，所述加热元件的位置与所述感测材料部分相对。这具有以下优势：可以控制气体传感器的工作温度，从而促进了对只能在升高的温度下进行检测的气体的检测以及气体传感器的反应和恢复时间的加速。优选地，收纳所述加热元件的金属化层是上部金属化层。
根据本发明的另一个方面，提出了一种制造集成电路的方法，包括：提供衬底，所述衬底承载多个电路元件；形成金属化叠层，将所述电路元件互连，所述金属化叠层包括已构图的上部金属化层，所述上部金属化层包括第一金属部分和第二金属部分；形成钝化叠层，覆盖所述金属化叠层；形成气体传感器，包括所述钝化叠层上的感测材料部分；将所述钝化叠层开口以暴露出第一金属部分和第二金属部分；以及形成位于所述感测材料部分的第一区域和第一金属触点之间的第一导电部分以及位于所述感测材料部分的第二区域和第二金属触点之间的第二导电部分。
这种方法促进了按照标准制造工艺形成气体传感器，具体地是标准CMOS工艺。
所述方法还可以包括：在形成所述第一导电部分和所述第二导电部分之前选择性地去除所述感测材料部分的边缘部分以在所述感测材料部分和所述钝化叠层之间形成凹陷部分，以防止如前所述在导电部分之间形成短路。
在替代实施例中，所述方法还包括：在形成所述第一导电部分和所述第二导电部分之前形成与所述感测部分相邻的电绝缘侧壁间隔物，以防止如前所述地在导电部分之间形成短路。
在再一个替代实施例中，在所述感测材料部分的第一区域和所述第一金属触点之间形成第一导电部分以及在所述感测材料部分的第二区域和所述第二金属触点之间形成第二导电部分的步骤包括在所述感测材料部分的第一区域和所述第一金属触点之间形成第一接合引线以及在所述感测材料部分的第二区域和所述第二金属触点之间形成第二接合引线，以防止如前所述地在导电部分之间形成短路。
形成包括钝化叠层上的感测材料部分的气体传感器的步骤可以包括：在钝化叠层上形成衬底部分；在所述衬底部分中刻蚀孔洞；以及用至少一种金属氧化物至少部分地填充所述孔洞。这具有以下优势：可以极大地避免发生由于金属部分的不完全氧化导致的短路。
替代地，形成包括钝化叠层上的感测材料部分的气体传感器的步骤包括：在所述钝化叠层上形成铝层部分；以及阳极氧化所述铝层部分。这具有以下优势：可以在简单的两步骤工艺中形成所述感测材料部分，从而产生特别节省成本的IC。
附图说明
参考附图更加详细地并且作为非限制示例描述本发明的实施例，其中：
图1示意性地示出了气体传感器的示例工作原理；
图2a-2h示意性地示出了根据本发明实施例制造具有气体传感器的IC的方法；
图3a-3c示意性地示出了根据本发明另一个实施例制造具有气体传感器的IC的方法；
图4a-4c示意性地示出了根据本发明再一个实施例制造具有传感器的IC的方法；
图5a-5b示意性地示出了根据本发明又一个实施例制造具有传感器的IC的方法；
图6-6h示意性地示出了根据本发明还一个实施例制造具有传感器的IC的方法；
图7示意性地示出了根据本发明再一个实施例的包括气体传感器的IC的顶视图；以及
图8示意性地示出了根据本发明又一个实施例的包括气体传感器的IC的顶视图。
具体实施方式
应该理解的是附图只是示意性地并且没有按比例绘制。还应该理解的是贯穿附图相同的参考数字用于表示相同或类似的部件。
图1示意性地示出了气体传感器的工作原理。将气体感测材料部分32放置于第一触点20和第二触点21之间的导电路径中。气体感测材料部分32用作可变电阻器，其电阻依赖于暴露于要监测的气体的水平(levelof exposure)。通过其中电子从气体感测材料部分32转移到气体的氧化反应的发生、或者通过其中电子从气体转移到气体感测材料部分32的还原反应，气体被吸收到气体感测材料部分32的表面从而改变了材料的电阻。因为反应速率随着气体浓度而变化，可以将测量的电阻转变为气体浓度。典型地，选择气体感测材料部分32具有特定的较高表面积，使得可以将相对较大体积的气体吸收到气体感测材料部分32，从而提高气体传感器的信号-噪声特性。
图2a-2h示意性地示出了制造具有气体传感器的IC的方法的各个步骤，所述气体传感器即根据本发明实施例的IC的暴露到环境中的传感器，其中可以使用在IC制造工艺中常用的处理步骤来集成所述气体传感器。优选地，所述制造工艺是CMOS工艺。
如图2a所示，可以提供一种包括衬底10的IC，在所述衬底上形成了金属化叠层。这种金属化叠层典型地包括已构图金属层12的叠层，通过电绝缘(即电介质)层14将已构图金属层12彼此电绝缘。可以通过延伸穿过电介质层14的过孔16将不同金属化层12中的金属部分彼此导电相连，所述电介质层14将这些金属部分彼此分离。衬底10可以是任意合适的衬底材料，例如单晶Si、SiGe、绝缘体上硅等等，并且可以承载诸如晶体管、二极管等之类的多个电路元件。
同样，可以按照任意合适的方式形成金属化叠层，并且所述金属化叠层可以包含任意合适个数的金属层12和电介质层14。应该理解的是只是作为非限制性示例示出了三个金属层。
只是为了清楚起见，在图2a中将每一个金属层12和每一个电介质层14示出为单层。应该理解的是这些层可以由多个堆叠的子层构成，例如在亚微米CMOS工艺中，可以将Ti、TiN、AlCu、TiN的叠层用于限定所述金属化叠层中的单一金属层。
每一个电介质层14也可以包括多于一个单层。例如，这种电介质层可以是包括FSG(氟硅酸盐玻璃)、SiO2和HDP氧化物(高密度等离子体)或任意其他合适电介质材料组合的叠层。也可以使用其他合适的材料。
类似地，清楚的是过孔16可以由多于一种单一材料形成。例如，在140nm CMOS技术中，可以通过TiN衬垫和W塞来形成过孔16。其他半导体工艺可以使用不同的材料，例如将Cu用于金属层12和过孔16。
在图2a中，金属化叠层的上部金属层包括第一电极部分20、第二电极部分21、接合焊盘部分22和可选的加热元件23。可以将加热元件23实现为上部金属层中的曲折线。替代地，可以省略加热元件23。
在图2b，通过钝化叠层覆盖了金属化叠层，钝化叠层可以包括沉积高密度等离子体氧化物24、接着是氧化物平面化步骤，例如化学机械抛光(CMP)步骤，随后可以沉积任意合适厚度的SiO2层26和Si3N4层28。也可以考虑其他层材料用于钝化叠层。本质上本领域普通技术人员知晓如何形成这种钝化叠层，因此只是为了简明的原因而不再详细描述。
所述方法如图2c所示的进行，其中将铝层30沉积到钝化叠层上。例如，可以使用化学气相沉积(CVD)或者等离子体气相沉积(PVD)来实现这种沉积。优选地，所述铝层30具有1至几个微米的厚度，例如5μm或以上。
在图2d中，将铝层30阳极氧化以将所述铝层30转换为阳极氧化铝32。例如，这可以通过将晶片浸没到电解液/酸浴中、并且在浸浴中的铝层30和电极两端施加电压来实现。应该注意的是IC的其他部件仍然受到钝化叠层的保护。
阳极氧化铝是一种自组织纳米孔材料，其包含与支撑纳米孔的表面垂直对齐的高密度圆柱形纳米孔。例如，这种支撑可以是铝层30的未反应部分，其可以位于氧化部分的底部处或者位于孔之间。典型地，形成密集的氧化铝膜，将所述孔与所述铝支撑分离。通过控制阳极反应的条件，可以在较大的范围调节孔直径，例即从5至几百纳米，相应的孔密度范围在1012-109cm-1。所述孔增加了材料的特定表面积，从而提供了用于将气体吸附到其上的较大表面积。
接下来，可以对阳极氧化铝32进行功能化以使得阳极氧化铝32对于特定类型的气体敏感，例如CO2。例如，这可以通过在阳极氧化铝32上沉积诸如ZnO之类的金属氧化物来实现，优选地按照高度共形的方式执行所述沉积以确保将金属氧化物有效地穿透到阳极氧化铝32的孔中。例如，这可以通过原子层沉积(ALD)来实现。
如图2e所示，将阳极氧化铝32构图为位于(如果存在的)上部金属层中的加热元件23上方(即与其相对)的钝化叠层上的感测材料部分。可以使用本质上已知的构图技术来实现这种构图；例如，可以沉积抗蚀剂、通过光刻掩模曝光并且显影，以只覆盖阳极氧化铝32的要留在钝化叠层上的一部分，随后将暴露的阳极氧化铝32刻蚀至钝化叠层为止，接着从阳极氧化铝32的剩余部分中去除抗蚀剂。
接下来，通过形成沟槽34将钝化叠层开口，所述沟槽至少暴露出触点20、21，并且也可以暴露接合焊盘22。这如图2f所示。可以使用本质上已知的构图技术实现这种构图；例如可以沉积抗蚀剂、通过光刻掩模曝光并且显影，以只暴露钝化叠层的将要开口的一部分，随后将暴露的钝化叠层刻蚀掉至金属叠层的上部金属层为止，接着从钝化叠层的剩余部分去除抗蚀剂。
所述方法如图2g所示进行，其中按照任意合适的方式沉积限定传感器触点的金属层36，例如通过PVD或CVD，随后如图2h所示对金属层36构图以限定第一导电部分38和第二导电部分40，所述第一导电部分将阳极氧化铝部分32的一侧与第一电极触点20相连，所述第二导电部分将阳极氧化铝部分32的相对一侧与第二电极触点21相连，使得阳极氧化铝部分32在第一导电部分38和第二导电部分40之间横向地延伸。如以前那样，可以按照任意合适的方式实现金属层36的构图，例如通过抗蚀剂沉积、光刻曝光和显影、后续的金属层刻蚀和抗蚀剂去除。尽管在图2h中已经从接合焊盘22中去除了金属36，应该理解的是同样可以在接合焊盘22上保持金属部分。随后可以按照任意合适的方式完成IC，例如封装。
图3a-3c示出了图2a-2h方法的替代实施例，其从图2e之后获得的中间IC结构开始进行。如前所述，阳极氧化铝部分32可以仍然包括铝支撑层，例如当没有完全氧化铝层30时可以发生这种情况。这如图3a所示。在如图2h所示形成第一导电部分38和第二导电部分40时，铝支撑层30可以形成第一导电部分38和第二导电部分40之间的低阻导电路径，其将可以工作的阳极氧化铝部分32旁路(短路)，从而禁用了气体传感器，即使得气体传感器无法工作。
为了防止发生这种短路，可以向图2a-图2h的方法添加附加的处理步骤。这种附加的处理步骤在将钝化叠层开口之前进行，并且如图3b所示。执行不会侵袭Al2O3的选择性铝刻蚀，其在阳极氧化铝部分32下面创建了钻蚀或者凹陷部分42，使得在如参考图2a-图2h更加详细地解释地形成第一导电部分38和第二导电部分40时，获得了如图3c所示的最终气体传感器，其中将第一导电部分38和第二导电部分40通过凹陷部分或空隙42与铝支撑层30电绝缘。
在图4a-4c中示出了将第一导电部分38和第二导电部分40与铝支撑层30电绝缘的替代实施例，其采用如图2e所示的中间IC结构作为起点。在如图4a所示，在得到的结构上沉积诸如氧化物、氮化物、低-k电介质等之类的电绝缘材料层50，接着如图4b所示将电绝缘材料构图成电绝缘侧壁间隔物52。例如，这可以通过实质上众所周知的间隔物刻蚀来实现。
可以如图2a-2h所示地完成气体传感器，即通过将钝化层开口并且形成第一导电部分38和第二导电部分40，所述导电部分通过侧壁间隔物52与铝支撑层30电绝缘。图4c示出了得到的结构。应该需要指出的是：侧壁间隔物52可以具有任意合适的形状，并且例如可以具有在阳极氧化铝部分32的上表面上延伸的部分，以进一步改进第一导电部分38和第二导电部分40与铝支撑层30的电绝缘。
应该注意的是：图3a-3c和图4a-4c共同点在于：分别在铝支撑层30与第一导电部分38和第二导电部分40之间形成电绝缘装置。然而在图5a-5b所示的替代实施例中，在阳极氧化铝部分32上表面的相对边缘部分上形成了触点部分60和62，可以通过诸如CVD或PVD沉积步骤之类的金属沉积步骤、接着形成构图的抗蚀剂、从由构图的抗蚀剂暴露的区域进行金属刻蚀以及后续的抗蚀剂去除来实现。可以如图2f所示地将钝化叠层开口，接着是按照分别从第一触点部分60到第一金属部分20以及从第二触点部分62到第二金属部分21的接合引线的形式形成第一导电部分38和第二导电部分40。因为接合引线没有与铝支撑层30和阳极氧化铝部分32的侧壁物理接触，避免了气体传感器的短路。
用于本发明的气体传感器的多孔材料不局限于阳极氧化铝。可以使用任意合适的多孔材料，尽管由于成本的原因优选地使用在IC制造工艺中已经使用的材料。
在图6a-6h中示出了使用替代实施例的本发明的实施例。图6a和图6b与图2a和图2b所示的步骤完全类似，因此为了简明起见不再描述。
在图6c，在IC的钝化叠层上沉积例如硅、氧化硅或氮化硅之类的衬底材料70。例如，这可以使用CVD或PVD沉积技术实现。替代地，可以将所述衬底材料70外延生长到钝化叠层上。随后可以将所述衬底材料70构图为衬底部分72，其位于如果存在的加热元件23上方。这如图6d所示。
典型地对衬底70进行构图，使得从除了衬底部分72的区域之外的区域去除衬底70，通过在衬底部分72中刻蚀微孔来使得衬底部分72是多孔的。例如，这可以通过将衬底部分72上的掩模部分限定为具有纳米尺寸的开口来容易地实现。应该注意的是：在诸如亚微米CMOS工艺之类的亚微米制造工艺中这通常是切实可行的，其中例如刻蚀穿过电介质层的过孔沟槽时，可以常规地实现只有几百纳米的特征尺寸。
在提供所述多孔衬底部分72时，例如可以通过如前所述的金属氧化物的高共形沉积来实现这种多孔部分，所述金属氧化物例如是用于C02传感器的ZnO。其他合适的功能化材料对于本领域普通技术人员是清楚明白的。在图6e中示出了得到的功能化多孔衬底部分74。现在，所述方法可以按照图2a-2h的详细描述中已经解释的类似地进行，即通过如图6f所示形成穿过钝化叠层的沟槽34、如图6g所示在得到的结构上沉积金属层36以及对金属层36进行构图以形成第一导电部分38和第二导电部分40，所述导电部分将气体感测衬底部分74分别与第一触点部分20和第二触点部分21相连。
应该指出的是：对于所示制造工艺的变化对于本领域普通技术人员是清楚明白的，因此这些变化落在本发明的范围之内。
例如，如图2a-5b所示，可以在构图之前对铝层30氧化。同样切实可行的是首先将铝层30构图为传感器部分并且随后对这一部分进行氧化和功能化。
同样，尽管将图3a-5b的实施例示出为是本发明的分离实施例，可以在不脱离本发明教导的情况下将这些实施例进行组合。例如，可以将接合引线60和62与侧壁间隔物52或凹陷部分42组合地使用，以进一步减小上述短路发生的风险。
类似地在图6a-6h中，在功能化之前已经对衬底层70进行构图。当然同样切实可行的是首先使得衬底层70是多孔的、随后将所述多孔的层功能化，然后对功能化的多孔层构图成为功能化的多孔衬底部分74。替代地，可以首先使得衬底层是多孔的、随后构图并且在构图之后进行功能化。
最后，应该理解的是对于钝化叠层上的气体感测部分上的导电部分38和40的结构可以存在许多变体。例如，可以设想在气体感测部分顶部上具有交叉指状互连的触点部分38和40的结构，使得交叉指状互连的触点部分38和40通过气体感测部分32或74的曲折部分彼此电绝缘。在图7中示出了具有气体感测部分32的示例实施例。实质上已知的其他结构对于本领域普通技术人员而言也是可用的。
还应该理解的是可以通过多于两个电极接触所述气体感测部分。例如如图8所示，除了形成内部电极对的触点部分38和40之外，所述IC还可以包括附加对的触点部分38’和48’，形成外部电极对。外部电极对可以用于强制电流通过诸如图8所示的气体感测部分32之类的气体感测部分，其中内部电极对配置用于测量气体感测部分两端的电压降。同样，这种电极结构本质上是已知的，并且替代结构对于本领域普通技术人员而言是可用的。
本发明的IC可以集成到任意合适的电子装置中，例如诸如移动电话、个人数字助手等之类的移动通信装置，或者可以用作用于监测目的的物品标签，在这种情况下可以将IC扩展为具有RF功能，例如与IC的传感器通信耦合的RF收发机。
应该注意的是上述实施例说明而不是限制本发明，并且本领域普通技术人员在不脱离所附权利要求范围的情况下能够设计许多替代实施例。在权利要求中，放置在圆括号中的任何参考符号不应该解释为限制权利要求。词语“包括”不排除除了权利要求中所列举的元素或步骤的存在。不特定数量的元素不排除存在多个这种元素。本发明可以通过包括几个明确元件的硬件来实现。在枚举了几种装置的设备权利要求中，可以通过一个相同的硬件来实现这些装置中的几个。唯一的事实在于在相互不同的从属权利要求中使用的特定措施并不表示不能有利地使用这些措施的组合。

Claims (15)

1.一种集成电路，包括：
衬底(10)，承载多个电路元件；
金属化叠层(12，14，16)，将所述电路元件互连，所述金属化叠层包括已构图的上部金属化层，所述上部金属化层包括第一金属部分(20)和第二金属部分(21)；
钝化叠层(24，26，28)，覆盖所述金属化叠层；
气体传感器，包括所述钝化叠层上的感测材料部分(32，74)；
第一导电部分(38)，延伸通过所述钝化叠层，将所述感测材料部分的第一区域与所述第一金属部分相连；以及
第二导电部分(40)，延伸通过所述钝化叠层，将所述感测材料部分的第二区域与所述第二金属部分相连。
2.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述感测材料包括多孔层，所述多孔层包括至少一种金属氧化物。
3.根据权利要求2所述的集成电路，其中所述多孔层(74)是利用所述至少一种金属氧化物实现的衬底层。
4.根据权利要求3所述的集成电路，其中从ZnO和Al2O3中选择所述至少一种金属氧化物。
5.根据权利要求2所述的集成电路，其中所述多孔层(32)包括阳极氧化铝。
6.根据权利要求1-5中任一项所述的集成电路，其中所述感测材料部分(32)为T形，使得凹陷部分(42)位于所述感测材料部分和所述钝化叠层(24，26，28)之间。
7.根据权利要求1-5中任一项所述的集成电路，其中通过相应的电绝缘侧壁间隔物(52)将所述感测材料部分(32)的侧壁与第一和第二导电部分(38，40)相分离。
8.根据权利要求1-5中任一项所述的集成电路，其中第一和第二导电部分(38，40)包括相应的接合引线。
9.根据权利要求1-5中任一项所述的集成电路，还包括在所述金属化叠层的金属化层中的加热元件(23)，所述加热元件的位置与所述感测材料部分(32,74)相对。
10.一种制造集成电路的方法，包括：
提供衬底(10)，所述衬底承载多个电路元件；
形成金属化叠层(12，14，16)，将所述电路元件互连，所述金属化叠层包括已构图的上部金属化层，所述上部金属化层包括第一金属部分(20)和第二金属部分(21)；
形成钝化叠层(24，26，28)，覆盖所述金属化叠层；
形成气体传感器，包括所述钝化叠层上的感测材料部分(32，74)；
将所述钝化叠层开口以暴露出所述第一金属部分和所述第二金属部分；以及
形成位于所述感测材料部分的第一区域和第一金属触点之间的第一导电部分(38)以及位于所述感测材料部分的第二区域和第二金属触点之间的第二导电部分(40)。
11.根据权利要求10所述的方法，还包括在形成所述第一导电部分(38)和所述第二导电部分(40)之前选择性地去除所述感测材料部分(32)的边缘部分，以在所述感测材料部分和所述钝化叠层(24，26，28)之间形成凹陷部分(42)。
12.根据权利要求10所述的方法，还包括：在形成所述第一导电部分(38)和所述第二导电部分(40)之前形成与所述感测材料部分(32)相邻的电绝缘侧壁间隔物(52)。
13.根据权利要求10所述的方法，其中在所述感测材料部分(32)的第一区域和所述第一金属触点(20)之间形成第一导电部分(38)以及在所述感测材料部分的第二区域和所述第二金属触点(21)之间形成第二导电部分(40)的步骤包括：在所述感测材料部分的第一区域和所述第一金属触点之间形成第一接合引线以及在所述感测材料部分的第二区域和所述第二金属触点之间形成第二接合引线。
14.根据权利要求10-13中任一项所述的方法，其中形成包括钝化叠层上的感测材料部分(74)的气体传感器的步骤包括：
在钝化叠层(24，26，28)上形成衬底部分(72)；
在所述衬底部分中刻蚀孔洞；以及
用至少一种金属氧化物至少部分地填充所述孔洞。
15.根据权利要求10-13中任一项所述的方法，其中形成包括钝化叠层上的感测材料部分(32)的气体传感器的步骤包括：
在所述钝化叠层(24，26，28)上形成铝层部分(30)；以及
阳极氧化所述铝层部分。
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