JP5771129B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
(装置構成)
本発明の第1の実施の形態を、図1ないし図3に基づいて説明する。
図3は、半導体装置100の製造工程を示すフローチャートである。
以下、半導体装置100の製造方法を具体例を挙げて説明する。
次に、本発明の第2の実施の形態を、図4に基づいて説明する。なお、前述した第1の例と同一部分については、その説明を省略し、同一符号を付す。
102 化合物半導体素子(ホール素子)
104 シリコンLSI回路内におけるSi半導体デバイス
105 シリコンLSI回路内における金属配線
106 SiO2層間膜
107 SiN保護膜
108 保護膜
109 金属配線
110 層間膜
111 ホール素子直上でコ字型を呈するCu配線
112 コンタクト穴
113 シリコンLSI回路
114 一次導体配線とホール素子との間に設けられた空間
Claims (8)
- 半導体装置の製造方法であって、
半導体基板上の第1の領域に半導体回路を形成し、該半導体回路を含む全領域に絶縁膜を塗布する工程と、
前記半導体基板上の前記絶縁膜の一部を除去して、化合物半導体回路を形成するための第2の領域を形成する工程と、
前記半導体回路の上部及び前記化合物半導体回路と対向する側面を含む前記第1の領域に窒化シリコン膜を形成する工程と、
前記絶縁膜が除去された前記半導体基板上の前記第2の領域に、前記化合物半導体回路を形成する工程と、
前記半導体回路と前記化合物半導体回路とを、第一の電気配線部により電気的に接続する工程と、
前記化合物半導体回路が形成された前記第2の領域の直上部に、該直下の前記化合物半導体回路に対して磁束密度を増加させるための所定の形状を有する第2の電気配線部を形成する工程と
を具えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記所定の形状を有する第2の電気配線部は、コ字型または馬蹄型の形状を有する金属配線からなることを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第2の電気配線部と前記化合物半導体回路との間に空間を設けるステップをさらに具えたことを特徴とする請求項1又は2記載の半導体装置の製造方法。
- 前記空間は、真空またはガスが封入された密閉された空間であることを特徴とする請求項3記載の半導体装置の製造方法。
- 前記半導体基板は、シリコン基板であることを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記半導体回路は、LSI回路であることを特徴とする請求項1から4のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記化合物半導体回路は、化合物半導体素子であることを特徴とする請求項1から5のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記化合物半導体素子は、化合物半導体膜を所定の形状に加工して得られるホール素子を含むことを特徴とする請求項6記載の半導体装置の製造方法。
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