CN102915745A - 具有软中间膜的气垫面外层及制造该气垫面外层的方法 - Google Patents

具有软中间膜的气垫面外层及制造该气垫面外层的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN102915745A
CN102915745A CN2012102737136A CN201210273713A CN102915745A CN 102915745 A CN102915745 A CN 102915745A CN 2012102737136 A CN2012102737136 A CN 2012102737136A CN 201210273713 A CN201210273713 A CN 201210273713A CN 102915745 A CN102915745 A CN 102915745A
Authority
CN
China
Prior art keywords
adhesive film
magnetic head
magnetic
dlc
concentration
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN2012102737136A
Other languages
English (en)
Inventor
儿玉峰章
石崎浩
大川贵子
稻叶宏
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
HGST Netherlands BV
Original Assignee
Hitachi Global Storage Technologies Netherlands BV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Global Storage Technologies Netherlands BV filed Critical Hitachi Global Storage Technologies Netherlands BV
Publication of CN102915745A publication Critical patent/CN102915745A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
    • G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
    • G11B5/3103—Structure or manufacture of integrated heads or heads mechanically assembled and electrically connected to a support or housing
    • G11B5/3106—Structure or manufacture of integrated heads or heads mechanically assembled and electrically connected to a support or housing where the integrated or assembled structure comprises means for conditioning against physical detrimental influence, e.g. wear, contamination
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
    • G11B5/1278—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive specially adapted for magnetisations perpendicular to the surface of the record carrier
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
    • G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
    • G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/11—Magnetic recording head
    • Y10T428/1164—Magnetic recording head with protective film

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Adjustment Of The Magnetic Head Position Track Following On Tapes (AREA)
  • Magnetic Heads (AREA)

Abstract

一种具有软中间膜的气垫面外层及制造该气垫面外层的方法。在一个实施例中，一种磁头包括至少一个磁头元件，其用于从磁介质读取和/或向磁介质写入，该元件具有面向磁介质的气垫面（ABS）；在ABS上方的包含碳化硅的粘性膜，该粘性膜具有在水蒸汽局部压力下形成的特性；以及在粘性膜上方的保护膜，该保护膜包括碳。而且，在另一实施例中，一种方法包括：形成磁头的ABS，该ABS是在使用时距磁介质最近的磁头的表面；在磁头的ABS上方形成粘性膜，该粘性膜在水蒸汽局部压力下形成；以及在粘性膜上方形成保护膜，该保护膜包括碳。

Description

具有软中间膜的气垫面外层及制造该气垫面外层的方法
技术领域
本发明涉及磁记录头，且更具体地涉及具有在磁盘装置中使用的气垫保护膜或气垫面外层的磁记录头。
背景技术
计算机的心脏是磁盘驱动器（HDD），其通常包括旋转式磁盘、具有读写头的滑撬、在旋转盘上方的悬臂以及使悬臂摆动以将读头和/写头放置在旋转盘上所选的圆形磁道上的致动器臂。当盘不旋转时，悬臂将滑撬偏置成与盘的表面接触，但是当盘旋转时，通过旋转的盘使空气靠近滑撬的气垫面（ABS）形成旋涡，使滑橇依靠在气垫上而与旋转的盘的表面有微小距离。当滑撬依靠在ABS上时，采用读写头对旋转的盘写入磁印痕并从旋转的盘读取磁信号场。读写头连接到根据实现读写功能的计算机程序操作的处理电路。
在信息化时代处理的信息量迅速增加。尤其期望HDD在其有限的面积和体积中存储更多的信息。对这种期望的技术途径是通过增加HDD的记录密度来增加容量。为了实现更高的记录密度，记录比特的进一步小型化是有效的，这通常又需要设计越来越小的组件。
然而，各种组件的进一步小型化其自身存在一组挑战和障碍。近年来，在增加磁盘记录和回放装置的记录密度以满足处理的数据量的增加上已经迅速发展。实现高记录密度的关键问题是减小磁间距，磁间距是磁头滑撬和磁盘之间的距离。然而，当磁间距减小时，磁头滑撬更有可能接触或冲击高速旋转的磁盘表面。为此，除在磁头滑撬的ABS上形成薄的且耐用的保护膜之外，高耐磨性也是重要的。
同时，安装在磁头滑撬上的磁阻元件经受磁材料易于腐蚀的缺点，而且气垫保护膜（ABPF）也必须能够防止磁材料的腐蚀。此外，当在磁头和磁盘之间在电势上存在差异时，存在可能在磁头滑撬和磁盘之间发生放电而破坏磁阻元件的问题，因而期望ABPF也具有防护放电的能力。
为了满足这些期望的性能，在滑动期间没有灰尘、具有低的磨损系数、优异的耐磨性、高原子密度而且化学稳定的薄膜是优选的。
发明内容
在一个实施例中，一种磁头包括至少一个磁头元件，其用于从磁介质读取和/或向磁介质写入，其中该至少一个磁头元件包括面向磁介质的气垫面（ABS）；在ABS上方的粘性膜，该粘性膜具有氮化硅并且具有在水蒸汽局部压力下形成的特性；以及在该粘性膜上方的保护膜，该保护膜包括碳。
在另一个实施例中，一种方法包括：形成磁头的气垫面，该气垫面是当磁头使用时该磁头最靠近磁介质的面；在磁头的气垫面上方形成粘性膜，该粘性膜在水蒸气局部压力下形成，其中该粘性膜包括氮化硅；以及在该粘性膜上方形成保护膜，该保护膜包括碳。
本发明的其它方面和优点从以下详细描述中将变得明显，当结合附图时该详细描述以示例方式图示本发明的原理。
附图说明
为了更充分地理解本发明的本质和优点，以及优选的使用模式，应当参考结合附图阅读的以下详细说明。其中
图1是磁记录盘驱动器系统的简化图。
图2A是利用纵向记录格式的记录介质的截面示意性表示。
图2B是用于图2A中的纵向记录的常规磁记录头和记录介质组合的示意性表示。
图2C是利用垂直记录格式的磁记录介质。
图2D是用于在一侧上的垂直记录的记录头和记录介质组合的示意性表示。
图2E是适合于分别在介质的两侧上记录的记录装置的示意性表示。
图3A是具有螺旋形线圈的垂直磁头的一个具体实施例的横截面视图。
图3B是具有螺旋形线圈的背负式（piggyback）磁头的一个具体实施例的横截面视图。
图4A是具有成环线圈的垂直磁头的一个具体实施例的横截面视图。
图4B是具有成环线圈的背负式磁头的一个具体实施例的横截面视图。
图5是具有带有软中间膜的气垫面保护膜的磁头滑撬的一个实施例的横截面视图。
图6是取自图5的磁头末端的一个实施例的横截面视图。
图7是与现有技术相比，具有带有软中间膜的气垫面保护膜的磁头的一个实施例的微划痕测试结果的图解表示。
图8是与现有技术相比，具有带有软中间膜的气垫面保护膜的磁头的一个实施例的俄歇电子能谱测试结果的图解表示。
图9是与现有技术相比，具有带有软中间膜的气垫面保护膜的磁头的粘性膜的一个实施例中观察的氧和氢浓度的图解表示。
图10是与现有技术相比，在磁头的具有软中间膜的气垫面保护膜的一个实施例中观察的氧和氢浓度的图解表示。
图11是与现有技术相比，在磁头的具有软中间膜的气垫面保护膜的一个实施例中观察的sp3键比例的图解表示。
图12是将具有带有软中间膜的气垫面保护膜的磁头的一个实施例的磨损等级与现有技术相比的绘图。
图13是根据一个实施例的方法的流程图。
具体实施方式
以下说明为了图示本发明的一般原理而做出并且不意味着要限制本文所要求保护的发明概念。而且，在此描述的特定特征可以与在各种可能组合和排列中的每一个中描述的其它特征组合使用。
除非本文另外具体限定，否则所有术语被给定其最宽的可能的解释，包括根据说明书暗示的意义以及本领域技术人员所理解和/或在词典、论文等中所限定的意义。
还必须注意，如在说明书和所附权利要求中所使用的，单数形式“一个”、“一种”和“该”包括复数指代，除非另外指明。
在一个一般实施例中，一种磁头包括至少一个磁头元件，其用于从磁介质读取和/或向磁介质写入，其中该至少一个磁头元件包括面向磁介质的气垫面（ABS）；在ABS上方的粘性膜，该粘性膜包括氮化硅并且具有在水蒸汽局部压力下形成的特性；以及在该粘性膜上方的保护膜，该保护膜包括碳。
在另一个一般实施例中，一种方法包括：形成磁头的气垫面，该气垫面是当磁头使用时该磁头最靠近磁介质的面；在磁头的气垫面上方形成粘性膜，该粘性膜在水蒸气局部压力下形成，其中该粘性膜包括氮化硅；以及在该粘性膜上方形成保护膜，该保护膜包括碳。
现在参考附图，图1示出了根据本发明一个实施例的盘驱动器100。如图1所示，至少一个可旋转的磁盘112支撑在轴114上并且通过盘驱动马达118旋转。每个盘上的磁记录通常为盘112上的环形模式的同心数据磁道（未示出）的形式。
在盘112附近设置了至少一个滑撬113，每个滑撬113支撑一个或多个磁读/写头121。随着盘旋转，滑撬113在盘表面122上径向地移入和移出，使得头121到达盘的期望的数据要被记录和/或写入的不同磁道。每个滑撬113借助于悬架115而附接到致动器臂119。悬架115提供将滑撬113抵靠盘表面122偏置的微小弹簧力。每个致动器臂119附接到致动器127。如图1所示的致动器127可以为音圈马达（VCM）。VCM包括在固定磁场内可移动的线圈，线圈移动的方向和速度通过由控制器129供应的马达电流信号来控制。
在盘存储系统的操作期间，盘112的旋转在滑撬113和盘表面122之间产生气垫，该气垫在滑撬上施加向上的力或提升。气垫因而抗衡悬架115的微小弹簧力并在正常操作期间以小的、大体恒定的间距将滑撬113支撑离开盘表面且略微在盘表面上方。注意在一些实施例中，滑撬113可以沿盘表面122滑动。
盘存储系统的各种组件在操作中通过由控制单元129产生的控制信号——诸如访问控制信号和内时钟信号——来控制。通常，控制单元129包括逻辑控制电路、存储装置（例如，存储器）和微处理器。控制单元129产生诸如线路123上的驱动马达控制信号和线路128上的头定位与查找控制信号的控制信号以控制各种系统操作。线路128上的控制信号提供期望的电流分布以将滑撬113最佳地移动和定位到盘112上的期望的数据磁道。读写信号通过记录通道125而传送给读/写头121或从读/写头121接收。
通常的磁盘存储系统的上述说明以及图1的图示仅用于代表目的。应该明白，盘存储系统可包含大量的盘和致动器，并且每个致动器可以支撑多个滑撬。
也可以提供接口用于盘驱动器和主机（整体或外部）之间的通信以发送和接收数据并且控制盘驱动器的操作，以及把盘驱动器的状况交流到主机，这些都是本领域技术人员所理解的。
在典型的磁头中，感应型写头包括嵌入一个或多个绝缘层（绝缘堆）中的线圈层，该绝缘堆位于第一极靴层和第二极靴层之间。通过写头的ABS处的间隙层在第一极靴层和第二极靴层之间形成了间隙。极靴层可以在后间隙处连接。电流通过线圈层传导，其在极靴中产生磁场。磁场边缘跨越ABS处的间隙，以便在移动介质上的磁道中、诸如在旋转的磁盘上的圆形磁道中写入磁场信息的比特。
第二极靴层具有从ABS延伸到扩张部位的磁极末端部分和从扩张部位延伸到后间隙的轭部。扩张部位是第二极靴开始加宽（成喇叭形）以形成轭的位置。扩张部位的设置直接影响在记录介质上写入信息而产生的磁场的大小。
图2A示意性地图示诸如与诸如图1所示的磁盘记录系统一起使用的常规记录介质。利用该介质以在介质自身的平面中或平行于介质自身的平面记录磁脉冲。图2A中磁性层202中的箭头指示磁化的方向。在该情况中为记录盘的记录介质基本上包括诸如玻璃的合适非磁性材料的支撑基板200，以及合适的且常规的磁性层202的覆盖涂层。
图2B示出了常规记录/回放头204和诸如图2A中的记录介质的常规记录介质之间的操作关系，该常规记录/回放头204可以优选地为薄膜头。
图2C示意性地图示大体上与记录介质的表面垂直的磁化的定向，该记录介质与诸如图1所示的磁盘记录系统的磁盘记录系统一起使用。对于这种垂直记录，介质通常包括具有高磁导率的材料的下层212。该下层212则设置有磁性材料的覆盖涂层214，该磁性材料优选地具有相对于下侧212的高矫顽磁性。
图2D图示垂直头218和记录介质之间的操作关系。图2D中图示的记录介质包括高磁导率下层212和上面关于图2C描述的磁性材料的覆盖涂层214两者。然而，该层212和214两者示出为应用于合适的基板216。通常，在层212和214之间还存在称为“交换-中断（exchange-break）”层或“中间层（interlayer）”的额外的层（未示出）。
在该结构中，在垂直头218的磁极之间延伸的磁通量线成环形进入和离开记录介质的覆盖涂层214，而记录介质的高磁导率下层212使磁通量线在大体垂直于介质表面的方向上穿过覆盖涂层214从而以其磁化轴大体垂直于介质表面的磁脉冲形式在优选具有相对于下层212的高矫顽磁性的磁性材料的覆盖涂层214中记录信息。磁通量通过软下层涂层212往回引导到头218的返回层（P1）。
图2E图示基板216在其两个相对侧中的每一个上承载层212和214的类似结构，其中合适的记录头218在介质的每一侧上靠近磁性涂层214的外表面定位，从而允许在介质的每一侧上记录。
图3A是垂直磁头的横截面视图。在图3A中，使用螺旋形线圈310和312在针脚磁极（stitch pole）308中产生磁通量，针脚磁极308随后把该磁通量输送到主磁极306。线圈310指示从纸面延伸出的线圈，而线圈312指示延伸进入纸面的线圈。针脚磁极308可以从ABS 318凹进。绝缘层316包围线圈并且可以为元件中的一些提供支撑。如由结构右侧的箭头指示的介质行进的方向首先使介质移动经过下返回磁极314，然后经过针脚磁极308、主磁极306、可以连接到围绕屏蔽的包裹物（wrap）（未示出）的尾部屏蔽304，并且最终经过上返回磁极302。这些组件中的每一个可以具有与ABS 318接触的部分。跨过结构的右侧指示ABS 318。
通过迫使磁通量穿过针脚磁极308进入主磁极306并且然后到朝向ABS 318定位的盘的表面来实现垂直写入。
图3B图示具有与图3A的头类似的特征的背负式磁头。两个屏蔽304、314在针脚磁极308和主磁极306两侧。还示出了传感器屏蔽322、324。传感器326通常定位在传感器屏蔽322、324之间。
图4A是使用成环线圈410的一个实施例的示意图，有时也称为扁平形构造，用于把磁通量提供到针脚磁极408。针脚磁极随后将该磁通量提供给主磁极406。在这种定向中，下返回磁极是可选的。绝缘层416包围线圈410，并且可以为针脚磁极408和主磁极406提供支撑。针脚磁极可从ABS 418凹进。如由结构右侧的箭头表示的介质行进的方向首先使介质移动经过针脚磁极408、主磁极406、可以连接到围绕屏蔽的包裹物（未示出）尾部屏蔽404，并且最终经过上返回磁极402（所有这些可有或可以没有与ABS 418接触的部分）。跨过结构的右侧指示ABS 418。在一些实施例中，尾部屏蔽404可以与主磁极406接触。
图4B图示具有与图4A的头类似特征的另一类型的背负式磁头，包括围绕包裹以形成扁平形线圈的成环线圈410。而且示出了传感器屏蔽422、424。传感器426通常定位在传感器屏蔽422、424之间。
在图3B和4B中，示出了在磁头的非ABS侧附近的可选的加热器。加热器也可以包括在图3A和4A所示的磁头中。该加热器的位置可以基于诸如期望突起的位置、周围层的热膨胀系数等设计参数而改变。
现参考图5-6，碳基薄膜保护膜广泛地用作磁盘设备中的保护膜。使用这种保护膜是因为其满足对于保护膜的大部分所需特性。尤其是，通常使用具有高密度和硬度的类金刚石碳（DLC）。
然而，因为当气垫保护膜（ABPF）16被剥离时机械耐磨性和化学抗腐蚀性明显降低，所以通常使粘性膜17作为ABPF 16的最下层以提高ABPF 16和磁性ABS 13之间的附着。硅膜最常用作下该粘性膜17。因而，所谓的ABPF 16通常为包括下粘性膜17和上表面保护膜18的双层结构，硅是最广泛地用于粘性膜17的材料，而DLC常用于表面保护膜18。
随着近年来高记录密度的发展，出现对于进一步减小磁头滑撬和磁盘之间距离的需求，使得ABPF 16厚度的进一步减小。目前用作用于ABPF 16的粘性膜17的硅膜在小于约2.0nm的厚度下经受密度的快速减小，这也引起抗腐蚀性和电绝缘性能降低。
按一种途径，可以通过采用氮化硅致密膜作为粘性膜17来解决常规磁头设计具有的上述问题。例如，使用的硅通常具有2.0g/cm3的体积密度，但是一些途径可以采用具有大致3.2g/cm3的体积密度的氮化硅。采用更致密的氮化硅膜的实施例可以提供优异的抗腐蚀性，因为更致密的膜在ABS形成之后包含更少的针孔。ABPF 16的抗腐蚀性极大地受到在形成ABPF 16时出现的针孔的数目的影响，并且致密的氮化硅膜能够提供具有优异抗腐蚀性的ABPF 16。此外，氮化硅是具有高电阻的绝缘体，并且与在常规头中使用的硅相比，其能够提供具有优异电阻的ABPF 16。
已经利用具有大于约2.6g/cm3的密度且包含大于约45%硅的氮化硅的常规粘性膜来形成ABPF 16，如在美国专利No.4,335,744中详细描述的。
可以根据现有技术描述ABPF 16形成方法。首先，将磁头输送到真空腔室并且从该真空腔室排出空气。之后，使用氩或另一种惰性气体等离子体或离子束来执行ABS蚀刻工艺以形成ABS 13。在这之后，使用反应溅射方法形成粘性膜17。用常规方法，把具有约60%的氩局部压力和约40%的氮局部压力的溅射气体引入真空腔室内，随后供应高频电压（RF）以产生等离子体，使用所产生的等离子体以利用硅靶通过溅射来形成膜。使用阴极真空电弧放电沉积来形成作为表面保护膜的DLC膜18。
为了进一步减小磁间距，也可以使用热感飞行高度控制（TFC）技术。TFC使用加热器来使磁元件附近膨胀，并且是除了补偿磁头滑撬空隙中的不均匀外，还能够使磁头滑撬和磁盘之间的距离接近绝对最小值的技术。该TFC技术是用于减小磁间距的极其有效的技术。然而，因为在磁元件附近使用局部热膨胀来使磁头滑撬更接近磁盘，所以在磁头滑撬和磁盘之间接触期间的接触面积极其小，在ABPF 16上引起相对高的负荷。结果是，在ABPF 16中更可能出现磨损。
对于采用TFC技术的磁头，膜厚度因而受构造材料的硬度和密度限制，并且清楚的是即使当使用如上面描述的包括氮化硅粘性膜17和DLC保护膜18的更致密的常规ABPF 16时，也不能够在没有严重降低耐磨性的情况下减小膜厚度。因而，本说明书的一个目标是提供具有足够的耐磨性以在比目前使用常规ABPF 16设计能够具有的膜厚度小的膜厚度下承受TFC技术的冲击力的ABPF 16。
根据一个实施例的磁头包括双层结构，其中ABPF 16包括粘性膜17和表面保护膜18，而至少磁性记录元件和磁性回放元件形成在基板上。基板可设置有磁性记录元件和磁性回放元件上的单个ABS。
在一些实施例中，磁回放元件可以设置有包括软膜的粘性膜17，该软膜作为缓冲层以缓和由磁头滑撬和磁盘之间的接触导致的冲击力。包括氧和氢的氮化硅膜（SiNxOyHz）是用作能够作为磁头中的缓冲层的粘性膜17的一种示例性材料。
当磁头滑撬和磁盘接触时，利用SiN粘性膜17的常规设计可能经历磨损。因为SiNxOyHz磁性膜比常规SiN膜软，所以它在磁头滑撬和磁盘之间接触期间变形，从而缓和作用在ABPF 16上的冲击力并减小ABPF 16上的磨损。因而，设置有ABPF 16的磁头的至少一些实施例可以利用一个或多个SiNxOyHz磁性膜以减轻磁盘和磁头滑撬之间的冲击力并且减少任何产生的磨损。
根据一个示例性实施例，SiNxOyHz层具有与常规SiN膜近似相等的密度，并且因而可以制造成与常规SiN膜中相同的膜厚度。因此，能够提高ABPF 16的耐磨性而在磁头结构内具有相应地可忽略的磁间距的降低。
图5示出了根据一个实施例的磁头滑撬11的示意图。如所示，磁头滑撬11可定位成面向磁盘14，磁盘14基本上包括磁记录介质。在该布置中，ABS 13为磁头滑撬11的磁盘14侧上的表面。数据通过形成在磁头滑撬末端、即由圆15表示的区域上的磁头元件12而从磁盘14读取和/或写入到磁盘14。
图6是根据一个实施例的上述的磁头末端15的特写示意图。ABPF16可以形成在ABS 13上，并且在图6所示的示例性实施例中，ABPF 16形成在包括粘性膜17和表面保护膜18的双层结构中。而且，ABPF 16的表面保护膜18可以定位在更靠近磁盘14的一侧上。
在另一个实施例中，粘性膜17可以定位在磁头11的周期地接触ABS 13的部分上。如在图6的示例性实施例中所示的，粘性膜17可以由SiNxOyHz形成，并且表面保护膜18可以由DLC形成。当然，可以采用具有与由SiNxOyHz形成的膜类似的体积密度和硬度的其它材料，如本领域技术人员在阅读本说明书时所理解的。
现在描述用于形成具有ABPF 16的磁头的示例性工艺。在一种方式中，首先把可以是特征为具有杆或滑撬形状的磁头11输送到真空腔室内，把真空腔室排空。在优选实施例中，随后利用氩或其它惰性气体的等离子体、离子束或如本领域技术人员在阅读本说明书时将理解的其它相当的蚀刻方法来使ABS经受蚀刻工艺。该蚀刻工艺在处理磁头ABS的同时去除被改变和/或氧化的层。
继续示例性方式，然后在磁头11的ABS 13上形成粘性膜17。该粘性膜17可由SiNxOyHz形成，且可以使用反应溅射而形成为膜。当然，在该层中可以包括其它材料和其他的元素。在示例性方式中，将包括约60%局部压力的氩、约39%局部压力的氮和约1%局部压力的水蒸汽的溅射气体混合物引入膜成形腔室中，随后供应高频电力（RF）以在真空腔室中产生等离子体。接下来利用硅作为靶使用由此产生的等离子体以通过溅射来在ABS 13上形成SiN膜。
在一个实施例中，可以至少部分地通过使真空腔室暂时地暴露于环境大气条件而使湿气吸收在真空腔室的内壁上，来实现将水蒸气引入真空腔室。随后可以在不去除湿气的情况下执行上述的粘性膜17形成工艺。
此外，在某些方式中，当利用已经被氮化的SiN作为溅射靶时，能够形成具有与上述实施例相同性能的SiNxOyHz层。
在另外的实施例中，其它方法可以与上述反应溅射方法相结合来形成包括SiNxOyHz的粘性膜17。例如，即使当使用诸如离子束辅助溅射（IBAS）的离子束膜成形技术时，也可以形成具有与上述相同性能的SiNxOyHz膜。
在一个具体实施例中，可以在粘性膜17之后形成包括DLC的表面保护膜18。DLC可以通过采用阴极真空电弧放电沉积、激光烧蚀沉积、质量选择离子束沉积、离子束沉积方法或如本领域技术人员在阅读本说明书时将理解的其它等效方法来形成为粘性膜17上的膜。
在又一个实施例中，粘性膜17和表面保护膜18在相同的真空腔室中形成。在粘性膜17和表面保护膜18在相同的真空腔室中形成的情况下，表面保护膜18还包括氧和氢以避免当停止引入水蒸气时水蒸气局部压力的立即降低。因此，即使在粘性膜17随后继续形成表面保护膜18的情况下，局部压力继续处于与当形成粘性膜17时相同的水平。
试验结果
一般来说，微划痕测试是测量表面摩擦响应的方法。更具体地，该方法是观察在附接到悬臂末端的半球形金刚石触针压靠在沿着一个方向拖动的测试表面并且使触针与该测试表面平行振荡时的（一个或多个）摩擦响应的方法。而且，在触针上设置负荷并继续增加直到薄膜剥离或破裂，如由于磨损产生的颗粒引起的摩擦响应的快速增加来指示。因而，通过使用微划痕测试，能够确定薄膜剥离或破裂时的负荷，这也已知为并在下文称为“剥离点”。在此再现几个这样的测试的结果以图示根据现有技术的磁头和如本说明书中公开的具有ABPF的磁头的对比性能。
图7示出了根据一个实施例的在硅晶片上形成了ABPF的微划痕测试的结果。在该试验中，曲线31示出了当使用氮化硅（诸如SiN）的常规粘性膜并具有根据现有技术的DLC表面保护膜时观察到的结果。另一方面，曲线32示出了具有ABPF的磁头的一个示例性实施例观察到的结果，该ABPF如在本说明书公开地包括具有SiNxOyHz的粘性膜以及包含DLC的表面保护膜。在常规示例和示例性实施例两者中，SiNxOyHz的膜厚度约为0.5nm，且DLC膜厚度约为1.5nm。
由曲线31表示的常规磁头摩擦响应在数据点33处经历急剧增加，指示在该大约100μN处发生剥离或断裂。另一方面，对于对比性地表示一个实施例的曲线32，在数据点34处出现剥离点，相应的负荷约为500μN。通过指示更大耐磨性的更大剥离点，从上述试验结果清楚的是，使用SiNxOyHz作为粘性膜的ABPF具有比使用氮化硅作为粘性膜的常规ABPF大得多的耐磨性。
俄歇电子能谱检测由电子束激发的俄歇电子，并且是获得在测试材料表面中存在的元素组成的数据的分析方法。由在划痕测试装置中的金刚石触针对DLC膜造成划痕的情况下，DLC膜减少。通过观察碳原子浓度沿着划痕测试轨迹的变化，能够了解DLC膜的膜厚的变化，这允许根据发生剥离或断裂时的负荷的划痕测试做出评估。
图8示出了使用俄歇电子能谱分析图7中的微划痕测试的划痕标记的结果。曲线41示出了粘性膜为常规氮化硅且表面保护膜为DLC时分析的结果。曲线42示出了粘性膜包括SiNxOyHz且表面保护膜包括DLC时分析的结果。
通常而言，在负荷超过“剥离点”的位置观察到碳浓度下降，“剥离点”是指示已经发生剥离或断裂的阈值。在图8中，曲线41示出了根据现有技术的常规膜在数据点43处或约100μN处观察到剥离点。另一方面，在图示本发明一个实施例的曲线42中，如在数据点44处观察到的，剥离点近似为500μN。
使用俄歇电子能谱观察剥离点的结果与根据图7中划痕测试观察的剥离点的结果匹配，并且俄歇电子能谱结果支持了包含SiNxOyHz作为粘性膜的ABPF具有比利用氮化硅作为粘性膜的常规ABPF高的耐磨性的事实。
下面的表1示出了本文描述的包括SiNxOyHz的粘性膜以及形成在硅晶片上的常规氮化硅粘性膜的对比密度和硬度。两种情形中膜厚度约为50nm。
  硬度(GPa)   密度(g/cm3)
  SiNxOyHz   19.6   2.7
  SiN(现有技术)   23.1   2.9
表1：比较膜硬度和密度
在示例性实施例中，SiNxOyHz膜的硬度低于常规氮化硅膜的硬度（分别为约19.6GPa，对照约23.1GPa）。另外，SiNxOyHz膜的密度比常规氮化硅膜的密度低（分别为约2.7g/cm3，对照约2.9g/cm3）。因而，本文公开的SiNxOyHz膜比常规氮化硅膜软。
大于约2.6g/cm3的密度通常为粘性膜提供足够的抗腐蚀性，并且因此能够使用包括具有常规氮化硅膜的厚度相等厚度的SiNxOyHz的粘性膜，因而在磁间距中没有任何相应降低的情况下提高耐磨性。
图9示出了利用能量离子束分离装置的卢瑟福背散射（RBS）分析和弹性反冲检测分析（ERDA）的结果。每一种分析测量了包含在粘性膜中的氧的量，并且图10示出了当使用上述两种分析时观察到的相应表面保护膜中的氧量。这些分析将比较使用本文描述的工艺形成的ABPF与使用常规工艺形成的ABPF。样品形成在硅晶片上。
这里公开的ABPF包括具有包括SiNxOyHz的粘性膜的表面保护膜和包括DLC的表面保护膜。粘性膜和DLC膜可在同一腔室中形成，使得DLC膜具有与在形成粘性膜期间的水蒸汽局部压力相等的水蒸汽局部压力。另一方面，常规ABPF具有氮化硅（诸如SiN）粘性膜和DLC表面保护膜。对于对比示例性实施例和对比常规示例来说，膜厚度对于粘性膜为0.6nm并且对于表面保护膜为1.8nm。
对常规氮化硅粘性膜和包括SiNxOyHz的粘性膜的示例性实施例进行比较分析，结果在图9中示出。具体地，在常规氮化硅膜中观察到的氢的量约为3%，而在对比实施例中观察到的氢的量约为12%。因此，示例性实施例比常规示例包含更多的氢。而且，在常规氮化硅膜中观察到的氧的量约为2.5%的情况下，在示例性实施例中包含的相应的氧的量约为13%，表明与对比示例相比示例性实施例粘性膜中的氧量相对大。因此，本文描述的SiNxOyHz粘性膜适当地以比常规氮化硅膜包含更多的氢和氧为特征。
在一个实施例中，在粘性膜中包括具有从约5%至约13%的范围内的浓度的氧可以是有益的。在另一个实施例中，在粘性膜中包含具有从约6%至约12%的范围内的浓度的氢可以是有益的。
类似地，在图10中示出了常规表面保护膜和DLC表面保护膜的一个示例性实施例的比较分析。注意，在常规DLC膜中观察到氢的量约为4%，而在示例性实施例的DLC膜中观察到的氢的量约为15%，表明在示例性实施例的保护膜中氢的量相对大。此外，在常规表面保护膜中观察到的氧的量约为3%，而在示例性实施例的DLC膜中观察到的氧的量约为8%，表明在示例性实施例的保护膜中氧的量相对大。因而，示例性实施例的表面保护膜适当地以与常规保护膜相比具有相对大的氢和氧的量为特征。该效果可以通过在形成本文描述的粘性膜17的同时施加蒸汽局部压力来实现。
在一个实施例中，在保护膜中包含具有从约5%至约8%的范围内的浓度的氧可以是有益的。在另一个实施例中，在保护膜中包含具有从约6%至约15%的范围内的浓度的氢可以是有益的。
图11示出了测量DLC膜中的sp3键的比例的x射线电子能谱的结果。通常，已知DLC膜包括sp3键和石墨sp2键。而且，材料的密度和硬度通常随sp3键的量的增加而增加。如图11所示，在常规保护膜中约31%的键呈现sp3键形态，而示例性实施例的保护膜中的sp3键的比例近似为35%。这指示示例性实施例的保护膜比常规表面保护膜更致密并且更硬。
图12示出了根据一个实施例的对磁头滑撬的耐磨性测试的结果。在该测试中，磁头滑撬的ABS安装在HDD上并且故意与磁盘接触。随后随用扫描电子显微镜观察在ABPF上得到的磨损程度并且以从0到10的标度记录，其中0指示没有观察到磨损。试验结果表明具有约0.5nm厚的SiN粘性膜和约1.5nm厚的DLC膜的表面保护膜的常规ABPF设计具有印象深刻的等级2和3的磨损。相比之下，具有包括约0.5nm厚的SiNxOyHz的粘性膜和包括约1.5nm厚的DLC的表面保护膜的示例性实施例的ABS保护膜具有相应的等级1。因而，与常规ABPF设计相比，根据各个实施例在此公开的ABPF设计具有优异的耐磨性。
图13是根据一个实施例的用于制造ABPF的方法500的流程图。根据各个实施例，可以在包括图1-6示出的环境的任何期望的环境中执行方法500。当然，根据各个实施例，可以在方法500中包括比下面具体描述的更多或更少的操作。
在操作502中，形成磁头的ABS，ABS为在磁头使用时距磁性介质最近的磁头的表面。
在操作504中，在磁头的ABS上方形成粘性膜，粘性膜在水蒸汽局部压力下形成，其中粘性膜包括氮化硅。
在一种方式中，可以在包括约60%局部压力的氩、约39%局部压力的氮和约1%局部压力的水蒸汽的气体混合物中形成粘性膜。而且，在某些方式中，可以使用以下中的至少一种来形成粘性膜：反应溅射和离子束辅助溅射。
在一个实施例中，粘性膜可以包括SiNxOyHz，其中x、y和z具有使得O浓度大于约5%并且H浓度大于约6%的关系。在另一实施例中，O浓度可以大于约10%，而H浓度可以大于约10%。
根据另一实施例，O浓度可以大于约10%，更优选地13%等，而H浓度可以大于约10%，更优选地12%等。
在一个实施例中，在一种方式中，粘性膜可以具有从约2.6g/cm3至约2.8g/cm3的密度，诸如约2.7g/cm3，并且还可以具有约19.5GPa的硬度。
在操作506中，在粘性膜上方形成保护膜，保护膜包括碳。根据一个实施例，保护膜可以包括DLC或者一些其它合适的材料，其中DLC中氧的浓度大于约5%，更优选地8%等，并且DLC中氢的浓度大于约6%，更优选地10%，甚至更优选地15%等。
在一种方式中，可以在包括约60%局部压力的氩、约39%局部压力的氮和约1%局部压力的水蒸汽的气体混合物中形成保护膜。而且，在一些方式中，可以使用以下中的至少一种来形成保护膜：反应溅射、激光烧蚀、阴极真空电弧放电沉积和质量选择离子束沉积。
根据上述结果，能够通过使用SiNxOyHz作为粘性膜来提供具有高耐磨性的ABPF而不会使磁间距有任何降低。此外，因为表面保护膜中包括的氧和氢的量高于常规表面保护膜，所以可以获得具有更大密度和硬度的膜。而且，因为表面保护膜包括氢，所以碳膜的最上面表面的结构以碳-氢键结束，当与常规表面保护膜相比时降低表面保护膜的表面能量，并且因此观察到润滑剂吸收减小。
尽管上面描述了各个实施例，但是应当理解，各个实施例仅以示例而非限制方式给出。因此，本发明的实施例的宽度和范围不应当受到上述任何示例性实施例的限制，而是应当仅根据随后的权利要求及其等效形式来限定。

Claims (20)

1.一种磁头，包括：
至少一个磁头元件，所述至少一个磁头元件用于从磁介质读取和/或向磁介质写入，其中所述至少一个磁头元件包括气垫面（ABS）；
在所述ABS上方的粘性膜，所述粘性膜包括氮化硅并具有在水蒸汽局部压力下形成的特性；以及
在所述粘性膜上方的保护膜，所述保护膜包括碳。
2.根据权利要求1所述的磁头，其中所述粘性膜包括SiNxOyHz，其中x、y和z具有使得O浓度在约5%至约13%的范围内而H浓度在约6%至约12%的范围内的关系。
3.根据权利要求1所述的磁头，其中所述保护膜包括类金刚石碳（DLC），其中所述DLC中的氧的浓度在约5%至约8%的范围而所述DLC中的氢的浓度在约6%至约15%的范围。
4.根据权利要求1所述的磁头，其中所述的在水蒸汽局部压力下形成的特性包括所述粘性膜包括浓度大于约5%的氧和浓度大于约5%的氢。
5.根据权利要求1所述的磁头，其中所述粘性膜具有约2.6g/cm3至约2.8g/cm3的密度。
6.根据权利要求1所述的磁头，其中所述粘性膜具有约2.7g/cm3的密度和约19.5GPa的硬度。
7.一种磁数据存储系统，包括：
根据权利要求1所述的至少一个磁头；
磁记录介质；
驱动机构，所述驱动机构用于使所述磁介质在所述至少一个磁头上经过；以及
控制器，所述控制器电耦合到所述至少一个磁头，用于控制所述至少一个磁头的操作。
8.一种方法，包括：
形成磁头的气垫面，所述气垫面是在所述磁头使用时该磁头最靠近磁介质的表面；
在所述磁头的所述气垫面上方形成粘性膜，所述粘性膜在水蒸汽局部压力下形成，其中所述粘性膜包括氮化硅；以及
在所述粘性膜上方形成保护膜，所述保护膜包括碳。
9.根据权利要求8所述的方法，其中所述粘性膜包括SiNxOyHz，其中x、y和z具有使得O浓度大于约5%并且H浓度大于约6%的关系。
10.根据权利要求8所述的方法，其中所述粘性膜包括SiNxOyHz，其中x、y和z具有使得O浓度大于约10%并且H浓度大于约10%的关系。
11.根据权利要求8所述的方法，其中所述粘性膜包括SiNxOyHz，其中x、y和z具有使得O浓度约为13%且H浓度约为12%的关系。
12.根据权利要求8所述的方法，其中所述保护膜包括类金刚石碳（DLC），其中所述DLC中氧的浓度大于约5%而所述DLC中氢的浓度大于约6%。
13.根据权利要求8所述的方法，其中所述保护膜包括类金刚石碳（DLC），其中所述DLC中氧的浓度大于约8%而所述DLC中氢的浓度大于约10%。
14.根据权利要求8所述的方法，其中所述保护膜包括类金刚石碳（DLC），其中所述DLC中氧的浓度约为8%而所述DLC中氢的浓度约为15%。
15.根据权利要求8所述的方法，其中在包括约60%局部压力的氩、约39%局部压力的氮和约1%局部压力的水蒸汽的气体混合物中形成所述粘性膜。
16.根据权利要求15所述的方法，其中使用下述至少之一形成所述粘性膜：反应溅射和离子束辅助溅射。
17.根据权利要求8所述的方法，其中在包括约60%局部压力的氩、约39%局部压力的氮和约1%局部压力的水蒸汽的气体混合物中形成所述保护膜。
18.根据权利要求17所述的方法，其中使用下述至少之一形成所述保护膜：反应溅射、激光烧蚀、阴极真空电弧放电沉积和质量选择离子束沉积。
19.根据权利要求8所述的方法，其中所述粘性膜具有从约2.6g/cm3至约2.8g/cm3的密度。
20.根据权利要求8所述的方法，其中所述粘性膜具有约2.7g/cm3的密度和约19.5GPa的硬度。
CN2012102737136A 2011-08-02 2012-08-02 具有软中间膜的气垫面外层及制造该气垫面外层的方法 Pending CN102915745A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US13/196,067 2011-08-02
US13/196,067 US8472134B2 (en) 2011-08-02 2011-08-02 Air bearing surface overcoat with soft intermediate film, and methods of producing the same

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN102915745A true CN102915745A (zh) 2013-02-06

Family

ID=47614081

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2012102737136A Pending CN102915745A (zh) 2011-08-02 2012-08-02 具有软中间膜的气垫面外层及制造该气垫面外层的方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US8472134B2 (zh)
JP (1) JP5859397B2 (zh)
CN (1) CN102915745A (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110910909A (zh) * 2018-09-18 2020-03-24 株式会社东芝 磁记录再现装置

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20130070366A1 (en) * 2011-09-21 2013-03-21 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Magnetic recording head with low-wear protective film having hydrogen and/or water vapor therein
US9570101B2 (en) 2013-08-28 2017-02-14 Seagate Technology Llc Magnetic adhesion layer and method of forming same
US9406323B2 (en) * 2014-12-05 2016-08-02 HGST Netherlands B.V. Slider with aluminum compound fill
EP3322772B1 (en) * 2015-07-13 2021-09-22 Basell Polyolefine GmbH Methods for testing non- or weakly ferromagnetic test objects
US9899049B2 (en) * 2016-03-22 2018-02-20 Western Digital Technologies, Inc. Magnetic write head having recessed trailing shield and trailing return pole

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4335744A (en) 1980-04-07 1982-06-22 Control Components, Inc. Quiet safety relief valve
US5609948A (en) 1992-08-21 1997-03-11 Minnesota Mining And Manufacturing Company Laminate containing diamond-like carbon and thin-film magnetic head assembly formed thereon
JP2531438B2 (ja) 1993-06-17 1996-09-04 日本電気株式会社 磁気ヘッドおよびその製造方法
US5508368A (en) * 1994-03-03 1996-04-16 Diamonex, Incorporated Ion beam process for deposition of highly abrasion-resistant coatings
EP0804630A4 (en) 1994-03-03 1998-06-10 Monsanto Co DIAMOND-LIKE CARBON-TREATED SENSORS FOR MAGNETIC RECORDING MEDIA
JPH0845045A (ja) * 1994-07-29 1996-02-16 Fujitsu Ltd 磁気ヘッド及びその製造方法
JPH09212814A (ja) 1996-01-31 1997-08-15 Nec Corp 保護被膜と保護被膜を有する磁気ヘッドスライダおよび磁気ディスク装置
JP3547934B2 (ja) 1997-03-28 2004-07-28 Ｔｄｋ株式会社 薄膜ヘッドとその製造方法
US6542334B2 (en) 1998-11-18 2003-04-01 Seagate Technology Llc Edge structure for slider-disc interface and method of manufacture therefor
JP3195301B2 (ja) * 1999-02-01 2001-08-06 株式会社半導体エネルギー研究所 炭素系被膜を有する基材
JP2004212824A (ja) 2003-01-08 2004-07-29 Matsushita Electric Ind Co Ltd 干渉型変調器およびそれを用いた高調波光源装置
JP2005302185A (ja) 2004-04-14 2005-10-27 Shinka Jitsugyo Kk 薄膜磁気ヘッド装置、該薄膜磁気ヘッド装置を備えたヘッドジンバルアセンブリ、該ヘッドジンバルアセンブリを備えた磁気ディスク装置及び薄膜磁気ヘッド装置の製造方法
JP4335744B2 (ja) * 2004-05-27 2009-09-30 ヒタチグローバルストレージテクノロジーズネザーランドビーブイ 磁気ヘッド
US7495865B2 (en) 2006-04-10 2009-02-24 Seagate Technology Llc Adhesion layer for protective overcoat
US7782569B2 (en) 2007-01-18 2010-08-24 Sae Magnetics (Hk) Ltd. Magnetic recording head and media comprising aluminum oxynitride underlayer and a diamond-like carbon overcoat
US20080187781A1 (en) 2007-02-05 2008-08-07 Sae Magnetics (Hk) Ltd. Magnetic recording head and media overcoat
US8014104B2 (en) 2007-03-21 2011-09-06 Sae Magnetics (Hk) Ltd. Magnetic head/disk with transition metal oxynitride adhesion/corrosion barrier and diamond-like carbon overcoat bilayer
US7911741B2 (en) * 2007-04-30 2011-03-22 Hitachi Global Storage Technologies, Netherlands, B.V. Slider overcoat for noise reduction of TMR magnetic transducer

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110910909A (zh) * 2018-09-18 2020-03-24 株式会社东芝 磁记录再现装置
CN110910909B (zh) * 2018-09-18 2021-07-13 株式会社东芝 磁记录再现装置

Also Published As

Publication number Publication date
US8472134B2 (en) 2013-06-25
US20130033779A1 (en) 2013-02-07
JP2013033585A (ja) 2013-02-14
JP5859397B2 (ja) 2016-02-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7008550B2 (en) Method for forming a read transducer by ion milling and chemical mechanical polishing to eliminate nonuniformity near the MR sensor
CN100356450C (zh) 磁记录介质、其制造方法以及磁记录/再现设备
US10134429B2 (en) Filled-gap magnetic recording head and method of making
CN102915745A (zh) 具有软中间膜的气垫面外层及制造该气垫面外层的方法
US7027263B2 (en) Apparatus for look-ahead thermal sensing in a data storage device
US6956707B2 (en) Method for look-ahead thermal sensing in a data storage device
JP4545714B2 (ja) 磁気記録媒体並びに磁気記録再生装置
Richards et al. Key issues in the design of magnetic tapes for linear systems of high track density
JP2013182640A (ja) 磁気記録媒体及びその製造方法並びにそれを用いた磁気記憶装置
US9318140B2 (en) Exchange enhanced cap manufactured with argon and oxygen implantation
CN100385507C (zh) 磁记录介质及磁记录再现装置
US9030782B2 (en) Data reader side shields with polish stop
CN101887730B (zh) 磁头滑块的制造方法
US9449633B1 (en) Smooth structures for heat-assisted magnetic recording media
CN102047330A (zh) 垂直磁记录介质、垂直磁记录介质的制造方法和磁记录再生装置
JP6224996B2 (ja) 磁気記録媒体および磁気ヘッド用の超微量の水素を含有する硬質非晶質炭素膜
US20140104718A1 (en) Automated cluster size measurement
US9384771B2 (en) Lubricants providing magnetic head wear reduction and magnetic spacing improvement
US9017832B2 (en) Magnetic element electrode lamination
US8891196B2 (en) Method of reading and writing magnetic recording medium
JP4890077B2 (ja) スライダの製造方法
US7310209B2 (en) Magnetoresistive sensor having a high coercivity hard magnetic bias layer deposited over a metallic layer
US20130070366A1 (en) Magnetic recording head with low-wear protective film having hydrogen and/or water vapor therein
JP2006079805A (ja) 磁気記録媒体及びその製造方法と磁気記録再生装置
JP2006031854A (ja) 磁気ディスク及び磁気ディスク装置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20130206