JP2009199637A - パターン化磁気記録媒体およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】凹凸パターンを有する磁性層を備え、耐腐食性に優れた第一保護層および磁気ヘッドの摺動性に優れた第二保護層を備えたパターン化磁気記録媒体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】パターン化磁気記録媒体は、情報記録領域を画定するトラック状および／またはドット状の凹凸パターンを有する磁性層、該磁性層を被覆する第一保護層および該第一保護層の凸部パターンの頂部上に第二保護層を含み、該第二保護層がＦＣＡ法またはＦＣＶＡ法により形成されるテトラヘドラル・カーボン（ｔａ−Ｃ）膜からなることを特徴とし、その製造方法は、下地層または磁性層上に、ナノインプリント法により凹凸パターンを形成する工程、凹凸パターン上に第一保護層をプラズマＣＶＤ法により形成する工程、およびＦＣＡ法またはＦＣＶＡ法によるテトラヘドラル・カーボン（ｔａ−Ｃ）膜からなる第二保護層を形成する工程を含む。
【選択図】図１

Description

本発明は磁気記録媒体に係り、さらに詳しくは、情報記録領域がトラック状および／またはドット状の凹凸パターンとして画定されているパターン化磁気記録媒体およびその製造方法に関する。

磁気記録媒体の記録容量は、それに要される磁性体の開発、垂直磁化方式の採用、磁気記録装置の書き込み・読み出し時における磁気ヘッドの低浮上化による磁気ヘッドと磁気記録媒体表面との狭小化等により、著しく増加してきている。

このような磁気記録媒体は、通常、アルミニウムなどの金属基板、ガラス基板、プラスチックフィルム基板などの非磁性基板上に、下地層を介して磁性層および保護層が順次積層された構造を有している。

保護層は、本質的に金属成分からなる磁性層を外部雰囲気から遮断し、その腐食を防止することを目的とし、無機薄膜、非磁性金属膜などが使用されてきたが、磁気ヘッドの低浮上化に伴いさらなる薄膜化が要求され、種々の形態の炭素質膜が、磁気ヘッドとの接触に対する耐破損性、耐摩耗性、保護層上に塗布される潤滑剤の吸着性などに優れることから多用されてきている。

これらの炭素質膜として、グラファイトをターゲットに用いたマグネトロン・スパッタリング法により形成されるグラファイト膜、炭化水素、たとえば、メタン、エタン、プロパン、ブタンなどのアルカン類、エチレン、プロピレンなどのアルケン類、アセチレンなどのアルキン類などを原料に用いたプラズマＣＶＤ法により形成したダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）膜、陰極に純グラファイトターゲットを用い、放電によりターゲット上でアークを発生させて炭素プラズマを生成させ、この炭素プラズマを基材上に並べてカーボン膜を形成するＦｉｌｔｅｒｅｄ Ｃａｔｈｏｄｉｃ Ａｒｃ（ＦＣＡ）法、あるいはＦｉｌｔｅｒｅｄ Ｃａｔｈｏｄｉｃ Ｖａｃｕｕｍ Ａｒｃ（ＦＣＶＡ）法により形成したテトラヘドラル・カーボン（ｔａ−Ｃ）膜などがあり、プラズマＣＶＤ法により形成したＤＬＣ膜上にｔａ−Ｃ膜を重積した二層構造からなる保護層（特許文献１、２など）が提案されている。

次世代の磁気記録媒体として、情報記録領域がトラック状やドット状を有するナノオーダーの凹凸パターンとして画定され、それらの凸部および／または凹部に各種の情報が磁気記録されるディスクリート・トラック・メディア（ＤＴＭ）やビット・パターン・メディア（ＢＰＭ）などのパターン化磁気記録媒体（特許文献３、４など）が提案されている。

特開２００３−３４６３２２号公報 特開２００４−０５４９９１号公報 特開２００３−２０３３０１号公報 特開２００３−１２３２０１号公報

前記ｔａ−Ｃ膜は、バルク硬度が６５〜７５ＧＰａと、プラズマＣＶＤ法により形成されるＤＬＣ膜のバルク硬度１０〜３５ＧＰａに比較して高硬度で緻密な膜であり、磁気記録媒体の保護膜として期待できるが、磁性層上にｔａ−Ｃ層の単層を形成しても保護層に求められる所望の特性の全てを満たすことは極めて困難である。

前記特許文献１および２は、平坦な磁性層上に形成される保護層をｔａ−Ｃ層／その他の炭素層の二層構造とすることにより、ｔａ−Ｃ層形成時のイオン入射に伴う磁気記録層の劣化を防止すること、および保護層とその上に形成される潤滑剤層との密着性を向上させることをそれぞれ提案している。

上記の提案はいずれも二層構造からなる保護層を平坦な磁性層上に形成することを前提としており、次世代磁気記録媒体として検討が進められている、ＤＴＭやＢＰＭのような凹凸パターンを有するパターン化磁気記録媒体を用いる磁気記録装置においては、従来のＣＳＳ（コンタクト・スタート・ストップ）方式を用いるハードディスク装置などと異なり、磁気ヘッドが磁気記録媒体上に接触したまま摺動して情報の書き込み／読み出しを行う方式が採用されるため、パターン化磁気記録媒体の保護層に適用した場合に生じる課題については検討されていない。

ＤＴＭやＢＰＭのような磁性層が凹凸パターンを有するパターン化磁気記録媒体においては、凹凸パターンを有する磁性層の保護層には腐食を防止する十分な耐腐食性とともに、磁気ヘッドの接触による良好な摺動性が要求される。

凹凸パターンを有する磁性層の保護層として、高硬度で摺動性に優れたｔａ−Ｃ層の単層をＦＣＡ法やＦＣＶＡ法により形成する場合、炭素プラズマの直進性が高いために、凹凸に沿った均一な成膜が難しく、膜の付きにくい箇所から腐食が進行し保護層として機能しない。また、ｔａ−Ｃ膜は、ＤＬＣ膜に比較して垂直方向の力が作用した場合に割れやすく、割れた部分からも磁性層の腐食が進行する。

さらに、パターン化磁気記録媒体を開示した特許文献３および４のいずれにも、磁性層にナノオーダーの凹凸パターンを形成する具体的な方法は記載されていない。

本発明は、情報記録領域がトラック状および／またはドット上の凹凸パターンとして画定され、前記凹凸パターンに対応した凹凸パターンを有する磁性層を腐食から防止するとともに、磁気ヘッドとの摺動性に優れたパターン化磁気記録媒体、およびその製造方法を提供することを目的とする。

本発明者等は、上記目的を達成すべく鋭意研究した結果、ナノインプリント法を用いることにより、情報記録領域を画定する所望のナノオーダーの凹凸パターンに対応した凹凸パターンを有する磁性層を容易に形成できること、形成された凹凸パターンを有する磁性層上に、ＣＶＤ法によりＤＬＣ膜からなる保護層を形成し、該ＤＬＣ膜上にＦＣＡ法によりＤＬＣ膜よりも高硬度のｔａ−Ｃ膜を形成することにより、凹凸パターンを有する磁性層の十分な耐腐食性とともに、磁気ヘッドの良好な摺動性が得られることを見出し、本発明を完成した。

本発明のパターン化磁気記録媒体は、情報記録領域がトラック状および／またはドット状の凹凸パターンとして画定されている磁気記録媒体であって、基体、該基体上に配置された下地層、該下地層上に配置された前記情報記録領域に対応した凹凸パターンを有する磁性層、該凹凸パターンを有する磁性層を被覆する第一保護層、および該第一保護層の凸部パターンの少なくとも頂部に第二保護層、を含み、前記第二保護層がＦＣＡ法またはＦＣＶＡ法により形成されるテトラヘドラル・カーボン（ｔａ−Ｃ）膜からなることを特徴とする。

前記情報記録領域は、前記凹凸パターンを有する磁性層の少なくとも凸部パターンに画定され、また凸部パターンおよび凹部パターンの双方に画定されていてもよい。

前記第一保護層は、好ましくはプラズマＣＶＤ法により形成される無機質膜または炭素質膜であり、さらに好ましくは、プラズマＣＶＤ法により形成されるダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）膜である。

本発明のパターン化磁気記録媒体の製造方法は、基体上に配置された下地層上に情報記録領域を画定するトラック状および／またはドット状の凹凸パターンに対応した凹凸パターンを有する磁性層を形成する工程、および前記凹凸パターンを有する磁性層上に第一保護層を形成する工程、および前記第一保護層の凹凸パターンの少なくとも凸部の頂部にｔａ−Ｃ膜からなる第二保護層を形成する工程を含み、前記凹凸パターンを有する磁性層の形成工程は、下地層または磁性層もしくは仮保護層上に光硬化性エッチングレジストのエッチングパターンを形成する工程、および該エッチングパターンに沿って下地層または磁性層もしくは仮保護層および磁性層をエッチングして下地層または磁性層に凹凸パターンを形成する工程を含み、前記第一保護層の形成工程が、プラズマＣＶＤ法により無機膜または炭素質膜を形成する工程からなり、ｔａ−Ｃ膜からなる第二保護層の形成工程がＦＣＡ法またはＦＣＶＡ法からなることを特徴とする。

前記下地層または磁性層もしくは仮保護層上に光硬化性エッチングレジストのエッチングパターンを形成する工程として、下地層または磁性層もしくは仮保護層上に光硬化性エッチングレジストを塗布する工程、および前記レジストの塗布膜に所望の凹凸パターンを有する石英モールドを押圧し該石英モールドを介して紫外線を照射して前記レジストを硬化させてエッチングパターンを形成する工程、を含み、前記石英モールドがナノオーダーの凹凸パターンを有しているナノインプリント法が好適である。

第一保護層の形成工程は、プラズマＣＶＤ法によるダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）膜の形成工程からなることが好ましい。

本発明のパターン化磁気記録媒体は、第一保護層上に摺動性に優れたｔａ−Ｃ膜からなる第二保護層を有することにより、情報の書き込み／読み出し時に、磁気ヘッドが磁気記録媒体と接触したまま摺動可能であり、磁気ヘッドと磁性層の間隔は、実質的に磁性層上の第一保護層厚さと第二保護層厚さの合計厚さにまで短縮される結果、大きな記録容量が達成でき、情報記録領域として画定されたトラック状および／またはドット状の凹凸パターンの一つ一つに、通常の情報はもちろん、磁気記録媒体の固有情報、たとえば、管理者情報、情報の種類、情報の読み出し番号などの操作性情報などの情報を登録できる利点を有する。

また、凹凸パターンとして形成された磁性層を含む情報記録領域はその立上部まで、被覆性に優れた第一保護層で被覆されることにより、良好な耐蝕性が得られ、さらに磁気ヘッドと接触する第一保護層の凸部パターンの頂部にｔａ−Ｃ膜からなる第二保護層が配置されていることにより、極めて良好な磁気ヘッドの摺動性が得られる。

また、パターン化磁気記録媒体の製造方法においては、ナノインプリント法を用いることにより、所望のナノオーダーの凹凸パターンを有する磁性層を含む情報記録領域を容易に画定することができる。

本明細書において、「パターン化磁気記録媒体」は、基体上に磁性層を含む情報記録領域がトラック状および／またはドット状を有するナノオーダーの凹凸パターンとして配置され、前記凹凸パターンの凸部および／または凹部が情報記録領域として画定されている磁気記録媒体である。

本発明のパターン化磁気記録媒体を、その一実施態様を示す図１に基づいて説明する。図１において、パターン化磁気記録媒体は、基体１、該基体１上の下地層２、該下地層２上にトラック状および／またはドット状を有するナノオーダーの凹凸パターンとして配置された磁性層３、該磁性層３の凹凸パターンの全体を被覆する第一保護層４、および凹凸パターンの頂部および底部を被覆するテトラヘドラル・カーボン（ｔａ−Ｃ）膜からなる第二保護層５で構成される。

本発明において、基体１は、通常の磁気記録媒体に使用されている各種の基体、たとえばガラス基板、セラミック基板、プラスチック基板、非磁性金属基板などの各種基板や、非磁性金属ドラムなどである。

下地層２は、非磁性ないし軟磁性材料、たとえば、Ｃｏ、ＣｏＮｉ系合金などの垂直磁気異方性を有する材料やパーマロイなどの軟磁性材料などからなり、平坦な表面を有するか、または磁性層３に対応したナノオーダーの凹凸パターンを表面に有する。

磁性層３は、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｐｔおよびそれらを含む合金などの磁性金属を含む層からなり、情報記録領域を画定するトラック状および／またはドット状の凹凸パターンに対応した凸部パターンおよび凹部パターンの幅がそれぞれ１００ｎｍ以下、好ましくは１０ｎｍ〜６０ｎｍ、深さが５０ｎｍ以下、好ましくは１０ｎｍ〜４０ｎｍのナノオーダーの凹凸パターンを有する。磁性層３は、凹凸パターンの少なくとも凸部パターンに配置されるが、凸部パターンと凹部パターンの双方に配置されていてもよい。

第一保護層４は、膜厚が５ｎｍ以下、好ましくは２．５ｎｍ〜３．５ｎｍの、比較的に低硬度で被覆性に優れたＳｉＯ₂などの金属酸化物膜、金属窒化物膜等の無機膜、グラファイト膜、ダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）膜などの炭素質膜からなる。特に好ましくは、プラズマＣＶＤ法により形成される膜厚が１〜３ｎｍのＤＬＣ膜からなる。

一方、ｔａ−Ｃ膜からなる第二保護層５は、ＦＣＡ法またはＦＣＶＡ法により形成される膜厚が２．５ｎｍ以下、好ましくは、１ｎｍ以下、最も好ましくは、０．３〜０．７ｎｍの極めて高い硬度を有する炭素質膜であり、凹凸パターンを有する第一保護膜層の少なくとも凸部パターンの頂部に配置される。

前記第一保護層４は、基板１上に配置された凹凸パターンを被覆して磁性層３および下地層２に含まれる金属成分の腐食を防止し、一方、第一保護層４の凹凸パターンの少なくとも凸部パターンの頂部に配置された第二保護層（ｔａ−Ｃ膜）５は、それに接触して摺動する磁気ヘッドに対する摺動性を向上させる。

上記本発明のパターン化磁気記録媒体は、基体１上に情報記録領域を画定するトラック状および／またはドット状の凹凸パターンに対応したナノオーダーの凹凸パターンを有する磁性層３を形成し、形成された凹凸パターン上に第一保護層４とｔａ−Ｃ膜からなる第二保護層５とを形成することにより製造する。

ナノオーダーの凹凸パターンを有する磁性層３は、基体１上に下地層２および磁性層３もしくは磁性層３上にさらに仮保護層４ａを形成した後、磁性層３もしくは仮保護層４ａおよび磁性層３をエッチングする方法、もしくは、基体１上に形成した下地層３をエッチングして下地層３にナノオーダーの凹凸パターンを形成した後、該下地層３上に磁性層３を形成する方法により製造される。前者は、凸部パターンのみにまたは凸部パターンと凹部パターンの双方に磁性層３が配置されたパターン化磁気記録媒体の製造に、また、後者は、凸部パターンと凹部パターンの双方に磁性層３が配置されたパターン化磁気記録媒体の製造に好適である。

ナノオーダーの凹凸パターンを有する下地層２または磁性層３は、図５に示すように、下地層２または磁性層３もしくは仮保護層４ａ上に、光硬化性エッチングレジストを塗布し、該レジスト塗膜に所望の凹凸パターンが形成された石英モールドを押圧し、該石英モールドを介して紫外線を照射してレジスト塗膜を硬化させてエッチングパターンを形成し、該エッチングパターンに沿って下地層２または磁性層３を所望の深さにエッチングするナノインプリント法により製造することができる。

上記の方法において、基体１上への下地層２、該下地層２上への磁性層３および該磁性層３上への仮保護層４ａの形成方法には特に制限はなく、従来の磁気記録媒体の製造に採用されている公知の方法を採用することができる。

次いで、上記で得られた凹凸パターンを有する磁性層上に、第一保護層４を形成し、その少なくとも凸部パターンの頂部にｔａ−Ｃ膜からなる第二保護層５を形成する。

第一保護層４の形成方法には特に制限はなく公知の種々の方法を採用できるが、凹凸パターン上に均一な膜の形成が可能なプラズマＣＶＤ法の採用が好ましい。一方、ｔａ−Ｃ膜からなる第二保護層５の形成には、ＦＣＡ法またはＦＣＶＡ法が採用される。

本発明を、実施例および比較例によりさらに詳細に説明する。

（実施例１）
（試料１）
ガラス基板１上に、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｃｏの少なくとも一種類を含む材料からなる膜厚が３０ｎｍの下地層２をスパッタリング法により形成し、この下地層２上にＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ合金からなる膜厚が１０ｎｍの磁性層３をスパッタリング法により形成した。更に磁性層３上にカーボンからなる膜厚が４ｎｍの仮保護層４ａをプラズマＣＶＤ法により形成した。

得られた仮保護層４ａ上に、スピンコーターを用いてＵＶ硬化性エッチングレジスト（商品名：ＰＡＫ-０１、東洋合成（株）製）をスピンコートで４０ｎｍ厚さに塗布し、８０℃で溶剤除去して得られた塗膜の表面に、トラック状に凹凸パターンが形成されている石英モールドを０.１ＭＰａの圧力で押圧し、該石英モールドを介して紫外線を照射してエッチングレジストを硬化させた後、石英モールドを取り外して、磁性層３上にライン幅６０ｎｍ、ライン厚さ４０ｎｍ、ライン間隔４０ｎｍのトラック状のエッチング用のパターンを形成した。

得られたエッチングパターンの凹凸膜厚差と材質によるエッチング速度の差を利用して仮保護層４ａおよび磁性層３をエッチングした。エッチングはアルゴンイオンを加速電圧５００Ｖ、イオンビーム電流２００ｍＡ、ガス圧力２．０×１０-2Ｐａの条件で照射し、凸部の仮保護層４ａを除去するまで加工した。テーパー角度を調整するため、基板を３°傾け、回転速度２〜５ｒｐｍで回転させた。これにより、磁性層３にライン幅６０ｎｍ、溝幅４０ｎｍ、溝深さ１０ｎｍ、テーパー角度６０°のトラック状の凹凸パターンを形成した。

凹凸パターンが形成された磁性層３上に、プラズマＣＶＤ法によりエチレンガスを原料とし、基板温度１５０℃、ガス圧力０．１〜０．７Ｐａの条件下で２．０ｎｍのＤＬＣ膜を成膜し、凹凸パターンを有する磁性層３を被覆する第一保護層４を形成した。

次いで、前記第一保護層４上に、ＦＣＡ装置を用い、膜厚が０．５ｎｍのｔａ−Ｃ膜５を成膜し、ｔａ−Ｃ膜からなる第二保護層５が、第一保護層の凸部パターンの頂部および凹部パターンの底部に形成された本発明のパターン化磁気記録媒体（試料１）を得た。

（比較試料１）
前記試料１の調製工程中、第一保護層４の形成工程を省略し、磁性層３上に、ＦＣＡ装置を用い、膜厚が２．５ｎｍのｔａ−Ｃ膜を直接形成した以外は、試料１の調製と同様に処理し、比較用のパターン化磁気記録媒体（比較試料１）を得た。

（比較試料２）
試料１の調製に用いた凹凸パターン形成前の磁性層３上に、プラズマＣＶＤ法を用いて試料１と同一条件で膜厚が２．０ｎｍのＤＬＣ膜を形成し、その上にＦＣＡ装置を用いて膜厚が０．５ｎｍのｔａ−Ｃ膜を成膜し、比較用の磁気記録媒体（比較試料２）を得た。

（比較試料３）
試料１の調製に用いた凹凸パターン形成前の磁性層３上に、ＦＣＡ装置を用いて膜厚が２．５ｎｍのｔａ−Ｃ膜を直接成膜し、比較用の磁気記録媒体（比較試料３）を得た。

（金属溶出試験１）
８０℃、９０％ＲＨの環境に１００ｈｒ放置した試料１および比較試料１を、２０ｍｍ×２０ｍｍの角試料に切り出して周囲をシリコン樹脂で封止して保護層形成面以外からの金属溶出を防止した後、２０℃の１ｗｔ％Ｎａ₂ＳＯ₄水溶液に３０分間浸漬し、溶液の浸漬電位を測定して水溶液中に溶出した金属量を分析した。図２に試験結果を示す。図２は試料１の溶出金属量を１としたときの比較試料１の溶出金属量を示す。

図２は、試料１において、凹凸パターンを有する磁性層３上のＣＶＤ法によるＤＬＣ膜が凹凸パターンを有する磁性層からの金属溶出を防止する保護層として十分に機能することを示す。

一方、凹凸パターンを有する磁性層３上にＦＣＡ法により形成されたｔａ−Ｃ膜の単層（比較試料１）は、イオンの直進性が高く、凸部パターンの頂部および凹部パターンの底部に選択的に形成され、凹凸パターンの立上部にはほとんど形成されないことから、この凹凸パターンの立上部から金属が溶出し、磁性層からの金属溶出を防止する保護層として機能しないことを示す。

（摺動試験）
回転速度１．０ｍ／ｓｅｃで回転している比較試料２および３の媒体の表面に、２．０ｍｍφのアルチック球を荷重５．０ｇｆで１分間押し当てた後、試料表面にレーザ光を照射して反射光を観測し、表面に発生したスクラッチ数を計測した。測定結果を図３に示す。

図３は、平板上のＤＬＣ膜上に形成されたｔａ−Ｃ膜（比較試料２）よりも、平板上に直接形成されたｔａ−Ｃ膜の単層（比較試料３）の方が、破損され難いことを示す。

（金属溶出試験２）
回転速度１．０ｍ／ｓｅｃで回転している試料１、比較試料２および比較試料３の媒体の表面に、２．０ｍｍφのアルチック球を荷重５．０ｇｆで１分間押し当てることを１００回繰り返す摺動試験を行い、保護層に垂直方向の力を繰り返して掛けた。

上記摺動試験後の各試料を、８０℃、９０％ＲＨの環境下に１００ｈｒ放置した後、２０ｍｍ×２０ｍｍの各試料に切り出し、周囲をシリコン樹脂で封止し、保護層面以外からの金属溶出を防止した後、２０℃の１ｗｔ％Ｎａ₂ＳＯ₄水溶液に３０分間浸漬し、溶液の浸漬電位を測定して水溶液中に溶出した金属量を分析した。図４に試験結果を示す。図４は試料１の溶出金属量を１としたときの比較試料２および比較試料３の溶出金属量を示す。

図４は、試料１は、磁性層３が凹凸パターンを有するに拘らず、平板状の磁性層３上にＤＬＣ膜およびｔａ−Ｃ膜を形成した比較試料２とほぼ同等の磁性層からの金属溶出を防止する機能を有することを示し、一方、平板状の磁性層３上にｔａ−Ｃ膜の単層を形成した比較試料３では、摺動試験により発生したｔａ−Ｃ膜にスクラッチが、磁性層の保護機能を損なうことを示す。

（実施例２）
実施例１の試料１の製造において、磁性膜３の厚さを２０ｎｍとし、磁性膜３のエッチング深さを１０ｎｍとした以外は、試料１と同様に処理し、磁性層にライン幅６０ｎｍ、溝幅４０ｎｍ、溝深さ１０ｎｍのトラック状の凹凸パターンを有し、凸部パターン、凸部パターン以下の下層および凹部パターンの底部に磁性層３が存在する、ＤＬＣ膜からなる第一保護層およびｔａ−Ｃ膜からなる第二保護層を有するパターン化磁気記録媒体を製造した。得られたパターン化磁気記録媒体の摺動試験後の金属溶出試験において、前記実施例１の試料１と同様の結果が得られた。

（実施例３）
基板１上にＣｒ、Ｔｉ、Ｃｏの少なくとも一種類を含む材料からなる膜厚さが７０ｎｍの下地層２を形成した後、下地層３上にＵＶ硬化性エッチングレジストを塗布し、エッチングレジストの塗膜にトラック状の凹凸パターンが形成された石英モールドを押し当て、この石英モールドを通して紫外線を照射してエッチングレジストを硬化させ、パターン幅が６０ｎｍ、パターン間隔が４０ｎｍのエッチングパターンを形成した後、該エッチングパターンに沿って下地層３をエッチングし、下地層３にパターン幅６０ｎｍ、パターン間隔４０ｎｍ、パターン深さ１０ｎｍの凹凸パターンを形成した。

上記凹凸パターンの形成された下地層３上に、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ合金からなる磁性層３を１０ｎｍ厚さに蒸着した後、実施例１の試料１の製造と同様に処理して、凹凸パターンを有する磁性層３上にＤＬＣ膜およびｔａ−Ｃ膜を形成し、凸部パターンおよび凹部パターンの底部に磁性層３が存在するパターン化磁気記録媒体を製造した。得られたパターン化磁気記録媒体の摺動試験後の金属溶出試験において、前記実施例１の試料１と同様の結果が得られた。

本発明のパターン化磁気記録媒体の一実施態様を示す断面図。 実施例１の金属溶出試験１の結果を示すグラフ。 実施例１の摺動試験の結果を示すグラフ。 実施例１の金属溶出試験２の結果を示すグラフ。 下地層または磁性層に凹凸パターンを形成する工程図。

符号の説明

１ 基体
２ 下地層
３ 磁性層
４ 第一保護層
４ａ 仮保護層
５ 第二保護層（ｔａ−Ｃ膜）

Claims (8)

1. 情報記録領域がトラック状および／またはドット状の凹凸パターンとして画定されている磁気記録媒体であって、基体、該基体上に配置された下地層、該下地層上に配置された前記情報記録領域に対応した凹凸パターンを有する磁性層、該凹凸パターンを有する磁性層を被覆する第一保護層、および該第一保護層の凸部パターンの少なくとも頂部に第二保護層、を含み、前記第二保護層がＦＣＡ法またはＦＣＶＡ法により形成されるテトラヘドラル・カーボン（ｔａ−Ｃ）膜からなることを特徴とするパターン化磁気記録媒体。
2. 前記情報記録領域が、前記凹凸パターンを有する磁性層の少なくとも凸部パターンに画定されている請求項１に記載のパターン化磁気記録媒体。
3. 前記情報記録領域が、前記凹凸パターンを有する磁性層の凸部パターンおよび凹部パターンの双方に画定されている請求項１または２に記載のパターン化磁気記録媒体。
4. 前記第一保護層が、ＣＶＤ法により形成された無機膜または炭素質膜からなることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載のパターン化磁気記録媒体。
5. 前記第一保護層が、ＣＶＤ法により形成されたダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）膜からなることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載のパターン化磁気記録媒体。
6. 基体上に配置された下地層上に情報記録領域を画定するトラック状および／またはドット状の凹凸パターンに対応した凹凸パターンを有する磁性層を形成する工程、および前記凹凸パターンを有する磁性層上に第一保護層を形成する工程、および前記第一保護層の少なくとも凸部パターンの頂部にｔａ−Ｃ膜からなる第二保護層を形成する工程を含み、
   前記凹凸パターンを有する磁性層の形成工程は、下地層または磁性層もしくは仮護層上に光硬化性エッチングレジストのエッチングパターンを形成する工程、および該エッチングパターンに沿って下地層または磁性層もしくは仮保護層および磁性層をエッチングして下地層または磁性層に凹凸パターンを形成する工程を含み、
   前記第一保護層の形成工程が、プラズマＣＶＤ法により無機膜または炭素質膜を形成する工程からなり、ｔａ−Ｃ膜からなる第二保護層の形成工程がＦＣＡ法またはＦＣＶＡ法からなることを特徴とするパターン化磁気記録媒体の製造方法。
7. 前記下地層または磁性層もしくは仮保護層上に光硬化性エッチングレジストのエッチングパターンを形成する工程が、下地層または磁性層もしくは仮保護層上に光硬化性エッチングレジストを塗布する工程、および前記レジストの塗布膜に所望の凹凸パターンを有する石英モールドを押圧し該石英モールドを介して紫外線を照射して前記レジストを硬化させてエッチングパターンを形成する工程、を含み、前記石英モールドがナノオーダーの凹凸パターンを有しているナノインプリント法であることを特徴とする請求項５に記載のパターン化磁気記録媒体の製造方法。
8. 前記第一保護層の形成工程が、プラズマＣＶＤ法によるダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）膜の形成工程であることを特徴とする請求項５に記載のパターン化磁気記録媒体の製造方法。

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