JP2009199637A - パターン化磁気記録媒体およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】凹凸パターンを有する磁性層を備え、耐腐食性に優れた第一保護層および磁気ヘッドの摺動性に優れた第二保護層を備えたパターン化磁気記録媒体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】パターン化磁気記録媒体は、情報記録領域を画定するトラック状および/またはドット状の凹凸パターンを有する磁性層、該磁性層を被覆する第一保護層および該第一保護層の凸部パターンの頂部上に第二保護層を含み、該第二保護層がFCA法またはFCVA法により形成されるテトラヘドラル・カーボン(ta−C)膜からなることを特徴とし、その製造方法は、下地層または磁性層上に、ナノインプリント法により凹凸パターンを形成する工程、凹凸パターン上に第一保護層をプラズマCVD法により形成する工程、およびFCA法またはFCVA法によるテトラヘドラル・カーボン(ta−C)膜からなる第二保護層を形成する工程を含む。
【選択図】図1
【解決手段】パターン化磁気記録媒体は、情報記録領域を画定するトラック状および/またはドット状の凹凸パターンを有する磁性層、該磁性層を被覆する第一保護層および該第一保護層の凸部パターンの頂部上に第二保護層を含み、該第二保護層がFCA法またはFCVA法により形成されるテトラヘドラル・カーボン(ta−C)膜からなることを特徴とし、その製造方法は、下地層または磁性層上に、ナノインプリント法により凹凸パターンを形成する工程、凹凸パターン上に第一保護層をプラズマCVD法により形成する工程、およびFCA法またはFCVA法によるテトラヘドラル・カーボン(ta−C)膜からなる第二保護層を形成する工程を含む。
【選択図】図1
Description
本発明は磁気記録媒体に係り、さらに詳しくは、情報記録領域がトラック状および/またはドット状の凹凸パターンとして画定されているパターン化磁気記録媒体およびその製造方法に関する。
磁気記録媒体の記録容量は、それに要される磁性体の開発、垂直磁化方式の採用、磁気記録装置の書き込み・読み出し時における磁気ヘッドの低浮上化による磁気ヘッドと磁気記録媒体表面との狭小化等により、著しく増加してきている。
このような磁気記録媒体は、通常、アルミニウムなどの金属基板、ガラス基板、プラスチックフィルム基板などの非磁性基板上に、下地層を介して磁性層および保護層が順次積層された構造を有している。
保護層は、本質的に金属成分からなる磁性層を外部雰囲気から遮断し、その腐食を防止することを目的とし、無機薄膜、非磁性金属膜などが使用されてきたが、磁気ヘッドの低浮上化に伴いさらなる薄膜化が要求され、種々の形態の炭素質膜が、磁気ヘッドとの接触に対する耐破損性、耐摩耗性、保護層上に塗布される潤滑剤の吸着性などに優れることから多用されてきている。
これらの炭素質膜として、グラファイトをターゲットに用いたマグネトロン・スパッタリング法により形成されるグラファイト膜、炭化水素、たとえば、メタン、エタン、プロパン、ブタンなどのアルカン類、エチレン、プロピレンなどのアルケン類、アセチレンなどのアルキン類などを原料に用いたプラズマCVD法により形成したダイヤモンドライクカーボン(DLC)膜、陰極に純グラファイトターゲットを用い、放電によりターゲット上でアークを発生させて炭素プラズマを生成させ、この炭素プラズマを基材上に並べてカーボン膜を形成するFiltered Cathodic Arc(FCA)法、あるいはFiltered Cathodic Vacuum Arc(FCVA)法により形成したテトラヘドラル・カーボン(ta−C)膜などがあり、プラズマCVD法により形成したDLC膜上にta−C膜を重積した二層構造からなる保護層(特許文献1、2など)が提案されている。
次世代の磁気記録媒体として、情報記録領域がトラック状やドット状を有するナノオーダーの凹凸パターンとして画定され、それらの凸部および/または凹部に各種の情報が磁気記録されるディスクリート・トラック・メディア(DTM)やビット・パターン・メディア(BPM)などのパターン化磁気記録媒体(特許文献3、4など)が提案されている。
前記ta−C膜は、バルク硬度が65〜75GPaと、プラズマCVD法により形成されるDLC膜のバルク硬度10〜35GPaに比較して高硬度で緻密な膜であり、磁気記録媒体の保護膜として期待できるが、磁性層上にta−C層の単層を形成しても保護層に求められる所望の特性の全てを満たすことは極めて困難である。
前記特許文献1および2は、平坦な磁性層上に形成される保護層をta−C層/その他の炭素層の二層構造とすることにより、ta−C層形成時のイオン入射に伴う磁気記録層の劣化を防止すること、および保護層とその上に形成される潤滑剤層との密着性を向上させることをそれぞれ提案している。
上記の提案はいずれも二層構造からなる保護層を平坦な磁性層上に形成することを前提としており、次世代磁気記録媒体として検討が進められている、DTMやBPMのような凹凸パターンを有するパターン化磁気記録媒体を用いる磁気記録装置においては、従来のCSS(コンタクト・スタート・ストップ)方式を用いるハードディスク装置などと異なり、磁気ヘッドが磁気記録媒体上に接触したまま摺動して情報の書き込み/読み出しを行う方式が採用されるため、パターン化磁気記録媒体の保護層に適用した場合に生じる課題については検討されていない。
DTMやBPMのような磁性層が凹凸パターンを有するパターン化磁気記録媒体においては、凹凸パターンを有する磁性層の保護層には腐食を防止する十分な耐腐食性とともに、磁気ヘッドの接触による良好な摺動性が要求される。
凹凸パターンを有する磁性層の保護層として、高硬度で摺動性に優れたta−C層の単層をFCA法やFCVA法により形成する場合、炭素プラズマの直進性が高いために、凹凸に沿った均一な成膜が難しく、膜の付きにくい箇所から腐食が進行し保護層として機能しない。また、ta−C膜は、DLC膜に比較して垂直方向の力が作用した場合に割れやすく、割れた部分からも磁性層の腐食が進行する。
さらに、パターン化磁気記録媒体を開示した特許文献3および4のいずれにも、磁性層にナノオーダーの凹凸パターンを形成する具体的な方法は記載されていない。
本発明は、情報記録領域がトラック状および/またはドット上の凹凸パターンとして画定され、前記凹凸パターンに対応した凹凸パターンを有する磁性層を腐食から防止するとともに、磁気ヘッドとの摺動性に優れたパターン化磁気記録媒体、およびその製造方法を提供することを目的とする。
本発明者等は、上記目的を達成すべく鋭意研究した結果、ナノインプリント法を用いることにより、情報記録領域を画定する所望のナノオーダーの凹凸パターンに対応した凹凸パターンを有する磁性層を容易に形成できること、形成された凹凸パターンを有する磁性層上に、CVD法によりDLC膜からなる保護層を形成し、該DLC膜上にFCA法によりDLC膜よりも高硬度のta−C膜を形成することにより、凹凸パターンを有する磁性層の十分な耐腐食性とともに、磁気ヘッドの良好な摺動性が得られることを見出し、本発明を完成した。
本発明のパターン化磁気記録媒体は、情報記録領域がトラック状および/またはドット状の凹凸パターンとして画定されている磁気記録媒体であって、基体、該基体上に配置された下地層、該下地層上に配置された前記情報記録領域に対応した凹凸パターンを有する磁性層、該凹凸パターンを有する磁性層を被覆する第一保護層、および該第一保護層の凸部パターンの少なくとも頂部に第二保護層、を含み、前記第二保護層がFCA法またはFCVA法により形成されるテトラヘドラル・カーボン(ta−C)膜からなることを特徴とする。
前記情報記録領域は、前記凹凸パターンを有する磁性層の少なくとも凸部パターンに画定され、また凸部パターンおよび凹部パターンの双方に画定されていてもよい。
前記第一保護層は、好ましくはプラズマCVD法により形成される無機質膜または炭素質膜であり、さらに好ましくは、プラズマCVD法により形成されるダイヤモンドライクカーボン(DLC)膜である。
本発明のパターン化磁気記録媒体の製造方法は、基体上に配置された下地層上に情報記録領域を画定するトラック状および/またはドット状の凹凸パターンに対応した凹凸パターンを有する磁性層を形成する工程、および前記凹凸パターンを有する磁性層上に第一保護層を形成する工程、および前記第一保護層の凹凸パターンの少なくとも凸部の頂部にta−C膜からなる第二保護層を形成する工程を含み、前記凹凸パターンを有する磁性層の形成工程は、下地層または磁性層もしくは仮保護層上に光硬化性エッチングレジストのエッチングパターンを形成する工程、および該エッチングパターンに沿って下地層または磁性層もしくは仮保護層および磁性層をエッチングして下地層または磁性層に凹凸パターンを形成する工程を含み、前記第一保護層の形成工程が、プラズマCVD法により無機膜または炭素質膜を形成する工程からなり、ta−C膜からなる第二保護層の形成工程がFCA法またはFCVA法からなることを特徴とする。
前記下地層または磁性層もしくは仮保護層上に光硬化性エッチングレジストのエッチングパターンを形成する工程として、下地層または磁性層もしくは仮保護層上に光硬化性エッチングレジストを塗布する工程、および前記レジストの塗布膜に所望の凹凸パターンを有する石英モールドを押圧し該石英モールドを介して紫外線を照射して前記レジストを硬化させてエッチングパターンを形成する工程、を含み、前記石英モールドがナノオーダーの凹凸パターンを有しているナノインプリント法が好適である。
第一保護層の形成工程は、プラズマCVD法によるダイヤモンドライクカーボン(DLC)膜の形成工程からなることが好ましい。
本発明のパターン化磁気記録媒体は、第一保護層上に摺動性に優れたta−C膜からなる第二保護層を有することにより、情報の書き込み/読み出し時に、磁気ヘッドが磁気記録媒体と接触したまま摺動可能であり、磁気ヘッドと磁性層の間隔は、実質的に磁性層上の第一保護層厚さと第二保護層厚さの合計厚さにまで短縮される結果、大きな記録容量が達成でき、情報記録領域として画定されたトラック状および/またはドット状の凹凸パターンの一つ一つに、通常の情報はもちろん、磁気記録媒体の固有情報、たとえば、管理者情報、情報の種類、情報の読み出し番号などの操作性情報などの情報を登録できる利点を有する。
また、凹凸パターンとして形成された磁性層を含む情報記録領域はその立上部まで、被覆性に優れた第一保護層で被覆されることにより、良好な耐蝕性が得られ、さらに磁気ヘッドと接触する第一保護層の凸部パターンの頂部にta−C膜からなる第二保護層が配置されていることにより、極めて良好な磁気ヘッドの摺動性が得られる。
また、パターン化磁気記録媒体の製造方法においては、ナノインプリント法を用いることにより、所望のナノオーダーの凹凸パターンを有する磁性層を含む情報記録領域を容易に画定することができる。
本明細書において、「パターン化磁気記録媒体」は、基体上に磁性層を含む情報記録領域がトラック状および/またはドット状を有するナノオーダーの凹凸パターンとして配置され、前記凹凸パターンの凸部および/または凹部が情報記録領域として画定されている磁気記録媒体である。
本発明のパターン化磁気記録媒体を、その一実施態様を示す図1に基づいて説明する。図1において、パターン化磁気記録媒体は、基体1、該基体1上の下地層2、該下地層2上にトラック状および/またはドット状を有するナノオーダーの凹凸パターンとして配置された磁性層3、該磁性層3の凹凸パターンの全体を被覆する第一保護層4、および凹凸パターンの頂部および底部を被覆するテトラヘドラル・カーボン(ta−C)膜からなる第二保護層5で構成される。
本発明において、基体1は、通常の磁気記録媒体に使用されている各種の基体、たとえばガラス基板、セラミック基板、プラスチック基板、非磁性金属基板などの各種基板や、非磁性金属ドラムなどである。
下地層2は、非磁性ないし軟磁性材料、たとえば、Co、CoNi系合金などの垂直磁気異方性を有する材料やパーマロイなどの軟磁性材料などからなり、平坦な表面を有するか、または磁性層3に対応したナノオーダーの凹凸パターンを表面に有する。
磁性層3は、Co、Cr、Ni、Ptおよびそれらを含む合金などの磁性金属を含む層からなり、情報記録領域を画定するトラック状および/またはドット状の凹凸パターンに対応した凸部パターンおよび凹部パターンの幅がそれぞれ100nm以下、好ましくは10nm〜60nm、深さが50nm以下、好ましくは10nm〜40nmのナノオーダーの凹凸パターンを有する。磁性層3は、凹凸パターンの少なくとも凸部パターンに配置されるが、凸部パターンと凹部パターンの双方に配置されていてもよい。
第一保護層4は、膜厚が5nm以下、好ましくは2.5nm〜3.5nmの、比較的に低硬度で被覆性に優れたSiO2などの金属酸化物膜、金属窒化物膜等の無機膜、グラファイト膜、ダイヤモンドライクカーボン(DLC)膜などの炭素質膜からなる。特に好ましくは、プラズマCVD法により形成される膜厚が1〜3nmのDLC膜からなる。
一方、ta−C膜からなる第二保護層5は、FCA法またはFCVA法により形成される膜厚が2.5nm以下、好ましくは、1nm以下、最も好ましくは、0.3〜0.7nmの極めて高い硬度を有する炭素質膜であり、凹凸パターンを有する第一保護膜層の少なくとも凸部パターンの頂部に配置される。
前記第一保護層4は、基板1上に配置された凹凸パターンを被覆して磁性層3および下地層2に含まれる金属成分の腐食を防止し、一方、第一保護層4の凹凸パターンの少なくとも凸部パターンの頂部に配置された第二保護層(ta−C膜)5は、それに接触して摺動する磁気ヘッドに対する摺動性を向上させる。
上記本発明のパターン化磁気記録媒体は、基体1上に情報記録領域を画定するトラック状および/またはドット状の凹凸パターンに対応したナノオーダーの凹凸パターンを有する磁性層3を形成し、形成された凹凸パターン上に第一保護層4とta−C膜からなる第二保護層5とを形成することにより製造する。
ナノオーダーの凹凸パターンを有する磁性層3は、基体1上に下地層2および磁性層3もしくは磁性層3上にさらに仮保護層4aを形成した後、磁性層3もしくは仮保護層4aおよび磁性層3をエッチングする方法、もしくは、基体1上に形成した下地層3をエッチングして下地層3にナノオーダーの凹凸パターンを形成した後、該下地層3上に磁性層3を形成する方法により製造される。前者は、凸部パターンのみにまたは凸部パターンと凹部パターンの双方に磁性層3が配置されたパターン化磁気記録媒体の製造に、また、後者は、凸部パターンと凹部パターンの双方に磁性層3が配置されたパターン化磁気記録媒体の製造に好適である。
ナノオーダーの凹凸パターンを有する下地層2または磁性層3は、図5に示すように、下地層2または磁性層3もしくは仮保護層4a上に、光硬化性エッチングレジストを塗布し、該レジスト塗膜に所望の凹凸パターンが形成された石英モールドを押圧し、該石英モールドを介して紫外線を照射してレジスト塗膜を硬化させてエッチングパターンを形成し、該エッチングパターンに沿って下地層2または磁性層3を所望の深さにエッチングするナノインプリント法により製造することができる。
上記の方法において、基体1上への下地層2、該下地層2上への磁性層3および該磁性層3上への仮保護層4aの形成方法には特に制限はなく、従来の磁気記録媒体の製造に採用されている公知の方法を採用することができる。
次いで、上記で得られた凹凸パターンを有する磁性層上に、第一保護層4を形成し、その少なくとも凸部パターンの頂部にta−C膜からなる第二保護層5を形成する。
第一保護層4の形成方法には特に制限はなく公知の種々の方法を採用できるが、凹凸パターン上に均一な膜の形成が可能なプラズマCVD法の採用が好ましい。一方、ta−C膜からなる第二保護層5の形成には、FCA法またはFCVA法が採用される。
本発明を、実施例および比較例によりさらに詳細に説明する。
(実施例1)
(試料1)
ガラス基板1上に、Cr、Ti、Coの少なくとも一種類を含む材料からなる膜厚が30nmの下地層2をスパッタリング法により形成し、この下地層2上にCo−Cr−Pt合金からなる膜厚が10nmの磁性層3をスパッタリング法により形成した。更に磁性層3上にカーボンからなる膜厚が4nmの仮保護層4aをプラズマCVD法により形成した。
(試料1)
ガラス基板1上に、Cr、Ti、Coの少なくとも一種類を含む材料からなる膜厚が30nmの下地層2をスパッタリング法により形成し、この下地層2上にCo−Cr−Pt合金からなる膜厚が10nmの磁性層3をスパッタリング法により形成した。更に磁性層3上にカーボンからなる膜厚が4nmの仮保護層4aをプラズマCVD法により形成した。
得られた仮保護層4a上に、スピンコーターを用いてUV硬化性エッチングレジスト(商品名:PAK-01、東洋合成(株)製)をスピンコートで40nm厚さに塗布し、80℃で溶剤除去して得られた塗膜の表面に、トラック状に凹凸パターンが形成されている石英モールドを0.1MPaの圧力で押圧し、該石英モールドを介して紫外線を照射してエッチングレジストを硬化させた後、石英モールドを取り外して、磁性層3上にライン幅60nm、ライン厚さ40nm、ライン間隔40nmのトラック状のエッチング用のパターンを形成した。
得られたエッチングパターンの凹凸膜厚差と材質によるエッチング速度の差を利用して仮保護層4aおよび磁性層3をエッチングした。エッチングはアルゴンイオンを加速電圧500V、イオンビーム電流200mA、ガス圧力2.0×10-2Paの条件で照射し、凸部の仮保護層4aを除去するまで加工した。テーパー角度を調整するため、基板を3°傾け、回転速度2〜5rpmで回転させた。これにより、磁性層3にライン幅60nm、溝幅40nm、溝深さ10nm、テーパー角度60°のトラック状の凹凸パターンを形成した。
凹凸パターンが形成された磁性層3上に、プラズマCVD法によりエチレンガスを原料とし、基板温度150℃、ガス圧力0.1〜0.7Paの条件下で2.0nmのDLC膜を成膜し、凹凸パターンを有する磁性層3を被覆する第一保護層4を形成した。
次いで、前記第一保護層4上に、FCA装置を用い、膜厚が0.5nmのta−C膜5を成膜し、ta−C膜からなる第二保護層5が、第一保護層の凸部パターンの頂部および凹部パターンの底部に形成された本発明のパターン化磁気記録媒体(試料1)を得た。
(比較試料1)
前記試料1の調製工程中、第一保護層4の形成工程を省略し、磁性層3上に、FCA装置を用い、膜厚が2.5nmのta−C膜を直接形成した以外は、試料1の調製と同様に処理し、比較用のパターン化磁気記録媒体(比較試料1)を得た。
前記試料1の調製工程中、第一保護層4の形成工程を省略し、磁性層3上に、FCA装置を用い、膜厚が2.5nmのta−C膜を直接形成した以外は、試料1の調製と同様に処理し、比較用のパターン化磁気記録媒体(比較試料1)を得た。
(比較試料2)
試料1の調製に用いた凹凸パターン形成前の磁性層3上に、プラズマCVD法を用いて試料1と同一条件で膜厚が2.0nmのDLC膜を形成し、その上にFCA装置を用いて膜厚が0.5nmのta−C膜を成膜し、比較用の磁気記録媒体(比較試料2)を得た。
試料1の調製に用いた凹凸パターン形成前の磁性層3上に、プラズマCVD法を用いて試料1と同一条件で膜厚が2.0nmのDLC膜を形成し、その上にFCA装置を用いて膜厚が0.5nmのta−C膜を成膜し、比較用の磁気記録媒体(比較試料2)を得た。
(比較試料3)
試料1の調製に用いた凹凸パターン形成前の磁性層3上に、FCA装置を用いて膜厚が2.5nmのta−C膜を直接成膜し、比較用の磁気記録媒体(比較試料3)を得た。
試料1の調製に用いた凹凸パターン形成前の磁性層3上に、FCA装置を用いて膜厚が2.5nmのta−C膜を直接成膜し、比較用の磁気記録媒体(比較試料3)を得た。
(金属溶出試験1)
80℃、90%RHの環境に100hr放置した試料1および比較試料1を、20mm×20mmの角試料に切り出して周囲をシリコン樹脂で封止して保護層形成面以外からの金属溶出を防止した後、20℃の1wt%Na2SO4水溶液に30分間浸漬し、溶液の浸漬電位を測定して水溶液中に溶出した金属量を分析した。図2に試験結果を示す。図2は試料1の溶出金属量を1としたときの比較試料1の溶出金属量を示す。
80℃、90%RHの環境に100hr放置した試料1および比較試料1を、20mm×20mmの角試料に切り出して周囲をシリコン樹脂で封止して保護層形成面以外からの金属溶出を防止した後、20℃の1wt%Na2SO4水溶液に30分間浸漬し、溶液の浸漬電位を測定して水溶液中に溶出した金属量を分析した。図2に試験結果を示す。図2は試料1の溶出金属量を1としたときの比較試料1の溶出金属量を示す。
図2は、試料1において、凹凸パターンを有する磁性層3上のCVD法によるDLC膜が凹凸パターンを有する磁性層からの金属溶出を防止する保護層として十分に機能することを示す。
一方、凹凸パターンを有する磁性層3上にFCA法により形成されたta−C膜の単層(比較試料1)は、イオンの直進性が高く、凸部パターンの頂部および凹部パターンの底部に選択的に形成され、凹凸パターンの立上部にはほとんど形成されないことから、この凹凸パターンの立上部から金属が溶出し、磁性層からの金属溶出を防止する保護層として機能しないことを示す。
(摺動試験)
回転速度1.0m/secで回転している比較試料2および3の媒体の表面に、2.0mmφのアルチック球を荷重5.0gfで1分間押し当てた後、試料表面にレーザ光を照射して反射光を観測し、表面に発生したスクラッチ数を計測した。測定結果を図3に示す。
回転速度1.0m/secで回転している比較試料2および3の媒体の表面に、2.0mmφのアルチック球を荷重5.0gfで1分間押し当てた後、試料表面にレーザ光を照射して反射光を観測し、表面に発生したスクラッチ数を計測した。測定結果を図3に示す。
図3は、平板上のDLC膜上に形成されたta−C膜(比較試料2)よりも、平板上に直接形成されたta−C膜の単層(比較試料3)の方が、破損され難いことを示す。
(金属溶出試験2)
回転速度1.0m/secで回転している試料1、比較試料2および比較試料3の媒体の表面に、2.0mmφのアルチック球を荷重5.0gfで1分間押し当てることを100回繰り返す摺動試験を行い、保護層に垂直方向の力を繰り返して掛けた。
回転速度1.0m/secで回転している試料1、比較試料2および比較試料3の媒体の表面に、2.0mmφのアルチック球を荷重5.0gfで1分間押し当てることを100回繰り返す摺動試験を行い、保護層に垂直方向の力を繰り返して掛けた。
上記摺動試験後の各試料を、80℃、90%RHの環境下に100hr放置した後、20mm×20mmの各試料に切り出し、周囲をシリコン樹脂で封止し、保護層面以外からの金属溶出を防止した後、20℃の1wt%Na2SO4水溶液に30分間浸漬し、溶液の浸漬電位を測定して水溶液中に溶出した金属量を分析した。図4に試験結果を示す。図4は試料1の溶出金属量を1としたときの比較試料2および比較試料3の溶出金属量を示す。
図4は、試料1は、磁性層3が凹凸パターンを有するに拘らず、平板状の磁性層3上にDLC膜およびta−C膜を形成した比較試料2とほぼ同等の磁性層からの金属溶出を防止する機能を有することを示し、一方、平板状の磁性層3上にta−C膜の単層を形成した比較試料3では、摺動試験により発生したta−C膜にスクラッチが、磁性層の保護機能を損なうことを示す。
(実施例2)
実施例1の試料1の製造において、磁性膜3の厚さを20nmとし、磁性膜3のエッチング深さを10nmとした以外は、試料1と同様に処理し、磁性層にライン幅60nm、溝幅40nm、溝深さ10nmのトラック状の凹凸パターンを有し、凸部パターン、凸部パターン以下の下層および凹部パターンの底部に磁性層3が存在する、DLC膜からなる第一保護層およびta−C膜からなる第二保護層を有するパターン化磁気記録媒体を製造した。得られたパターン化磁気記録媒体の摺動試験後の金属溶出試験において、前記実施例1の試料1と同様の結果が得られた。
実施例1の試料1の製造において、磁性膜3の厚さを20nmとし、磁性膜3のエッチング深さを10nmとした以外は、試料1と同様に処理し、磁性層にライン幅60nm、溝幅40nm、溝深さ10nmのトラック状の凹凸パターンを有し、凸部パターン、凸部パターン以下の下層および凹部パターンの底部に磁性層3が存在する、DLC膜からなる第一保護層およびta−C膜からなる第二保護層を有するパターン化磁気記録媒体を製造した。得られたパターン化磁気記録媒体の摺動試験後の金属溶出試験において、前記実施例1の試料1と同様の結果が得られた。
(実施例3)
基板1上にCr、Ti、Coの少なくとも一種類を含む材料からなる膜厚さが70nmの下地層2を形成した後、下地層3上にUV硬化性エッチングレジストを塗布し、エッチングレジストの塗膜にトラック状の凹凸パターンが形成された石英モールドを押し当て、この石英モールドを通して紫外線を照射してエッチングレジストを硬化させ、パターン幅が60nm、パターン間隔が40nmのエッチングパターンを形成した後、該エッチングパターンに沿って下地層3をエッチングし、下地層3にパターン幅60nm、パターン間隔40nm、パターン深さ10nmの凹凸パターンを形成した。
基板1上にCr、Ti、Coの少なくとも一種類を含む材料からなる膜厚さが70nmの下地層2を形成した後、下地層3上にUV硬化性エッチングレジストを塗布し、エッチングレジストの塗膜にトラック状の凹凸パターンが形成された石英モールドを押し当て、この石英モールドを通して紫外線を照射してエッチングレジストを硬化させ、パターン幅が60nm、パターン間隔が40nmのエッチングパターンを形成した後、該エッチングパターンに沿って下地層3をエッチングし、下地層3にパターン幅60nm、パターン間隔40nm、パターン深さ10nmの凹凸パターンを形成した。
上記凹凸パターンの形成された下地層3上に、Co−Cr−Pt合金からなる磁性層3を10nm厚さに蒸着した後、実施例1の試料1の製造と同様に処理して、凹凸パターンを有する磁性層3上にDLC膜およびta−C膜を形成し、凸部パターンおよび凹部パターンの底部に磁性層3が存在するパターン化磁気記録媒体を製造した。得られたパターン化磁気記録媒体の摺動試験後の金属溶出試験において、前記実施例1の試料1と同様の結果が得られた。
1 基体
2 下地層
3 磁性層
4 第一保護層
4a 仮保護層
5 第二保護層(ta−C膜)
2 下地層
3 磁性層
4 第一保護層
4a 仮保護層
5 第二保護層(ta−C膜)
Claims (8)
- 情報記録領域がトラック状および/またはドット状の凹凸パターンとして画定されている磁気記録媒体であって、基体、該基体上に配置された下地層、該下地層上に配置された前記情報記録領域に対応した凹凸パターンを有する磁性層、該凹凸パターンを有する磁性層を被覆する第一保護層、および該第一保護層の凸部パターンの少なくとも頂部に第二保護層、を含み、前記第二保護層がFCA法またはFCVA法により形成されるテトラヘドラル・カーボン(ta−C)膜からなることを特徴とするパターン化磁気記録媒体。
- 前記情報記録領域が、前記凹凸パターンを有する磁性層の少なくとも凸部パターンに画定されている請求項1に記載のパターン化磁気記録媒体。
- 前記情報記録領域が、前記凹凸パターンを有する磁性層の凸部パターンおよび凹部パターンの双方に画定されている請求項1または2に記載のパターン化磁気記録媒体。
- 前記第一保護層が、CVD法により形成された無機膜または炭素質膜からなることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載のパターン化磁気記録媒体。
- 前記第一保護層が、CVD法により形成されたダイヤモンドライクカーボン(DLC)膜からなることを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項に記載のパターン化磁気記録媒体。
- 基体上に配置された下地層上に情報記録領域を画定するトラック状および/またはドット状の凹凸パターンに対応した凹凸パターンを有する磁性層を形成する工程、および前記凹凸パターンを有する磁性層上に第一保護層を形成する工程、および前記第一保護層の少なくとも凸部パターンの頂部にta−C膜からなる第二保護層を形成する工程を含み、
前記凹凸パターンを有する磁性層の形成工程は、下地層または磁性層もしくは仮護層上に光硬化性エッチングレジストのエッチングパターンを形成する工程、および該エッチングパターンに沿って下地層または磁性層もしくは仮保護層および磁性層をエッチングして下地層または磁性層に凹凸パターンを形成する工程を含み、
前記第一保護層の形成工程が、プラズマCVD法により無機膜または炭素質膜を形成する工程からなり、ta−C膜からなる第二保護層の形成工程がFCA法またはFCVA法からなることを特徴とするパターン化磁気記録媒体の製造方法。 - 前記下地層または磁性層もしくは仮保護層上に光硬化性エッチングレジストのエッチングパターンを形成する工程が、下地層または磁性層もしくは仮保護層上に光硬化性エッチングレジストを塗布する工程、および前記レジストの塗布膜に所望の凹凸パターンを有する石英モールドを押圧し該石英モールドを介して紫外線を照射して前記レジストを硬化させてエッチングパターンを形成する工程、を含み、前記石英モールドがナノオーダーの凹凸パターンを有しているナノインプリント法であることを特徴とする請求項5に記載のパターン化磁気記録媒体の製造方法。
- 前記第一保護層の形成工程が、プラズマCVD法によるダイヤモンドライクカーボン(DLC)膜の形成工程であることを特徴とする請求項5に記載のパターン化磁気記録媒体の製造方法。
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