JPH0845045A - 磁気ヘッド及びその製造方法 - Google Patents
磁気ヘッド及びその製造方法Info
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- JPH0845045A JPH0845045A JP17845894A JP17845894A JPH0845045A JP H0845045 A JPH0845045 A JP H0845045A JP 17845894 A JP17845894 A JP 17845894A JP 17845894 A JP17845894 A JP 17845894A JP H0845045 A JPH0845045 A JP H0845045A
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- magnetic
- head
- protective film
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 薄膜磁気ヘッドに耐磨耗性と耐食性の両方を
付与する。 【構成】 磁気素子表面を含むスライダー浮上面上に、
ＣＶＤ法でＳｉＮ、ＳｉＯＮ膜、さらにその上にダイヤ
モンド様カーボン（ＤＬＣ）膜を成膜する。成膜をスラ
イダー浮上面の形成（スライダー加工）前に行なうこと
により、スライダー加工中の腐食も防止できる。
付与する。 【構成】 磁気素子表面を含むスライダー浮上面上に、
ＣＶＤ法でＳｉＮ、ＳｉＯＮ膜、さらにその上にダイヤ
モンド様カーボン（ＤＬＣ）膜を成膜する。成膜をスラ
イダー浮上面の形成（スライダー加工）前に行なうこと
により、スライダー加工中の腐食も防止できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気記憶装置の薄膜ヘ
ッド保護膜の構造及びその製造方法に関する。近年の磁
気記憶装置の記憶容量の増加は著しく、ヘッドの主流と
なっている薄膜ヘッドの性能も大きく向上している。
ッド保護膜の構造及びその製造方法に関する。近年の磁
気記憶装置の記憶容量の増加は著しく、ヘッドの主流と
なっている薄膜ヘッドの性能も大きく向上している。
【０００２】この薄膜ヘッドでは、性能向上のため、ヘ
ッド（スライダー）の磁気媒体からの浮上距離の低減が
図られているが、ヘッドと媒体の摩擦に起因するヘッド
（磁気素子）の磨耗障害対策がますます重要になってき
ている。一方、性能向上のため使用される金属材料には
ＦｅＭｎ等の腐食されやすい材料が導入されてきてい
る。それゆえ、磁気素子の磨耗防止のみならず、腐食を
も防止する磁気素子保護層が要求されている。
ッド（スライダー）の磁気媒体からの浮上距離の低減が
図られているが、ヘッドと媒体の摩擦に起因するヘッド
（磁気素子）の磨耗障害対策がますます重要になってき
ている。一方、性能向上のため使用される金属材料には
ＦｅＭｎ等の腐食されやすい材料が導入されてきてい
る。それゆえ、磁気素子の磨耗防止のみならず、腐食を
も防止する磁気素子保護層が要求されている。
【０００３】
【従来の技術】図５は磁気ディスク装置の内部構造の全
容を示す平面図であり、磁気ディスクＤが高速回転して
いる状態で、その半径方向に磁気ヘッド７が移動してシ
ーク動作し、情報の記録／再生が行なわれる。この磁気
ヘッド７の位置で磁気ディスクＤ切断し拡大すると、図
６のようになる。
容を示す平面図であり、磁気ディスクＤが高速回転して
いる状態で、その半径方向に磁気ヘッド７が移動してシ
ーク動作し、情報の記録／再生が行なわれる。この磁気
ヘッド７の位置で磁気ディスクＤ切断し拡大すると、図
６のようになる。
【０００４】薄膜型の磁気ディスクＤにおいて、１はア
ルミニウムやガラスなどの非磁性体からなる基板であ
り、その表面に、機械的強度を上げるためにＮｉＰめっ
き層２を形成した状態で、Ｃｏ合金の水平配向性を高め
るためのＣｒ下地層３を１０００Å程度スパッタ成膜し
てある。そして、ＣｏＣｒＴａまたはＣｏＮｉＣｒなど
の磁性材を５００Å程度スパッタして薄膜磁性膜４を形
成した後、保護膜５としてカーボンなどを３００Å程度
スパッタし、最後にパーフロロポリエーテルなどのよう
なフッ素系の潤滑層６を数十Å程度塗布して、完成す
る。
ルミニウムやガラスなどの非磁性体からなる基板であ
り、その表面に、機械的強度を上げるためにＮｉＰめっ
き層２を形成した状態で、Ｃｏ合金の水平配向性を高め
るためのＣｒ下地層３を１０００Å程度スパッタ成膜し
てある。そして、ＣｏＣｒＴａまたはＣｏＮｉＣｒなど
の磁性材を５００Å程度スパッタして薄膜磁性膜４を形
成した後、保護膜５としてカーボンなどを３００Å程度
スパッタし、最後にパーフロロポリエーテルなどのよう
なフッ素系の潤滑層６を数十Å程度塗布して、完成す
る。
【０００５】この磁気ディスクＤを矢印ａ1 方向に高速
回転させ、風力によって磁気ヘッドスライダ７が微小量
浮上した状態で、ヘッド素子部８によって、磁気ディス
クＤに情報の記録／再生を行なう。磁気ヘッドのスライ
ダ７は、ジンバル１０を介してスプリングアーム１１に
取り付けられ、キャリッジ１２の駆動アーム１３でシー
ク動作が行なわれる。このように、機構の簡便さから、
装置の起動・停止時にはコアスライダが浮上せず動する
ＣＳＳ（Ｃｏｔａｃｔ Ｓｔａｒｔ Ｓｔｏｐ）方式が
普及している。
回転させ、風力によって磁気ヘッドスライダ７が微小量
浮上した状態で、ヘッド素子部８によって、磁気ディス
クＤに情報の記録／再生を行なう。磁気ヘッドのスライ
ダ７は、ジンバル１０を介してスプリングアーム１１に
取り付けられ、キャリッジ１２の駆動アーム１３でシー
ク動作が行なわれる。このように、機構の簡便さから、
装置の起動・停止時にはコアスライダが浮上せず動する
ＣＳＳ（Ｃｏｔａｃｔ Ｓｔａｒｔ Ｓｔｏｐ）方式が
普及している。
【０００６】図７は薄膜磁気ヘッドであり、ヘッド素子
部が薄膜技術で形成され、かつＡｌ 2 Ｏ3 などの保護膜
で覆われている。スライダは、動面の左右に浮上レール
を有しており、そのヘッド素子部と反対側に、空気流を
取り込む流入斜面が形成されている。従来の薄膜ヘッド
の場合、浮上面側のスライダ７及びヘッド素子部１４に
磨耗に対してはダイヤモンド様カーボン（ＤＬＣ）膜を
保護層をスパッタ法により形成している。
部が薄膜技術で形成され、かつＡｌ 2 Ｏ3 などの保護膜
で覆われている。スライダは、動面の左右に浮上レール
を有しており、そのヘッド素子部と反対側に、空気流を
取り込む流入斜面が形成されている。従来の薄膜ヘッド
の場合、浮上面側のスライダ７及びヘッド素子部１４に
磨耗に対してはダイヤモンド様カーボン（ＤＬＣ）膜を
保護層をスパッタ法により形成している。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ところが、ＤＬＣは磨
耗耐性に優れているものの、この保護層の構造では、水
分等の腐食を引き起こす物質の、外部からの進入を完全
に防止するのは困難である。したがって、磁気素子材料
の腐食の問題が発生することがあった。この問題は、磁
気記憶装置として完成後は勿論のこと、ヘッド製造（ス
ライダー加工）中も問題が発生する。ヘッド（磁気素
子）の腐食防止対策として、特にスライダー加工工程で
は、加工液、洗浄液に水性液、酸及びアルカリ液の使用
禁止などの制限が必要とされる欠点があった。さらに、
製造工程及び使用環境を含む全ての環境から水分を除外
するのは困難であるため、上記制限下においても腐食に
よる歩留り低下も引き起こされている。
耗耐性に優れているものの、この保護層の構造では、水
分等の腐食を引き起こす物質の、外部からの進入を完全
に防止するのは困難である。したがって、磁気素子材料
の腐食の問題が発生することがあった。この問題は、磁
気記憶装置として完成後は勿論のこと、ヘッド製造（ス
ライダー加工）中も問題が発生する。ヘッド（磁気素
子）の腐食防止対策として、特にスライダー加工工程で
は、加工液、洗浄液に水性液、酸及びアルカリ液の使用
禁止などの制限が必要とされる欠点があった。さらに、
製造工程及び使用環境を含む全ての環境から水分を除外
するのは困難であるため、上記制限下においても腐食に
よる歩留り低下も引き起こされている。
【０００８】ゆえに、ＤＬＣの下地密着層としてＳｉＣ
膜を用い、５０Å〜１００Å成膜した場合、ＤＬＣは２
００〜３００Åと厚く成膜する必要があった。しかし、
保護膜が厚いと、素子と媒体のギャップが大きくなり、
記録再生効率が低下してしまう欠点がある。また、スパ
ッタ法によるＳｉＣ等の密着層の形成は、スパッタ法が
段差被覆性が十分でないため、磁気素子表面にパーティ
クルの付着があると欠陥が発生し、腐食の原因となる欠
点もある。
膜を用い、５０Å〜１００Å成膜した場合、ＤＬＣは２
００〜３００Åと厚く成膜する必要があった。しかし、
保護膜が厚いと、素子と媒体のギャップが大きくなり、
記録再生効率が低下してしまう欠点がある。また、スパ
ッタ法によるＳｉＣ等の密着層の形成は、スパッタ法が
段差被覆性が十分でないため、磁気素子表面にパーティ
クルの付着があると欠陥が発生し、腐食の原因となる欠
点もある。
【０００９】さらに、製造工程中に腐食が生じたものは
除去可能であるが、ユーザ使用中に生じた場合、記録再
生特性が低下し、使用不可能状態になる問題もある。本
発明は、磁気素子を腐食から保護することにより、完成
品の信頼性向上と製造工程における自由度向上及び歩留
り向上を目的とする。また、本発明は保護層を極力薄く
して記録再生効率（電磁変換効率）を高めることを目的
とする。
除去可能であるが、ユーザ使用中に生じた場合、記録再
生特性が低下し、使用不可能状態になる問題もある。本
発明は、磁気素子を腐食から保護することにより、完成
品の信頼性向上と製造工程における自由度向上及び歩留
り向上を目的とする。また、本発明は保護層を極力薄く
して記録再生効率（電磁変換効率）を高めることを目的
とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、スライダ部と、磁気変換素子を有するヘ
ッド素子部を備え、スライダ部及びヘッド素子部の磁気
変換素子の先端が形成される側に浮上面を有する磁気ヘ
ッドにおいて、ヘッド素子部の浮上面側に磁気変換素子
の腐食を防止する第１の保護膜と、第１の保護膜上に形
成された磁気変換素子の磨耗を防止する第２の保護膜を
有することを特徴とする磁気ヘッド、及び、基板上に磁
気変換素子を形成するステップと、前記磁気変換素子が
形成された前記基板をスライダブロックに切断するステ
ップと、前記スライダブロックの前記磁気変換素子の先
端が形成される浮上面となる側に前記磁気変換素子の腐
食を防止する第１の保護膜を成膜するステップと、前記
第１の保護膜上に磨耗を防止する第２の保護膜を成膜す
るステップと、前記スライダブロックの前記磁気変換素
子の先端が形成される浮上面となる側にスライダレール
を形成するステップと、前記スライダブロックを切断し
て個々のスライダを作成するステップと、を有すること
を特徴とする磁気ヘッドの製造方法を提供する。
に、本発明は、スライダ部と、磁気変換素子を有するヘ
ッド素子部を備え、スライダ部及びヘッド素子部の磁気
変換素子の先端が形成される側に浮上面を有する磁気ヘ
ッドにおいて、ヘッド素子部の浮上面側に磁気変換素子
の腐食を防止する第１の保護膜と、第１の保護膜上に形
成された磁気変換素子の磨耗を防止する第２の保護膜を
有することを特徴とする磁気ヘッド、及び、基板上に磁
気変換素子を形成するステップと、前記磁気変換素子が
形成された前記基板をスライダブロックに切断するステ
ップと、前記スライダブロックの前記磁気変換素子の先
端が形成される浮上面となる側に前記磁気変換素子の腐
食を防止する第１の保護膜を成膜するステップと、前記
第１の保護膜上に磨耗を防止する第２の保護膜を成膜す
るステップと、前記スライダブロックの前記磁気変換素
子の先端が形成される浮上面となる側にスライダレール
を形成するステップと、前記スライダブロックを切断し
て個々のスライダを作成するステップと、を有すること
を特徴とする磁気ヘッドの製造方法を提供する。
【００１１】本発明は、図１（Ａ）（Ｂ）を参照する
と、スライダ部（２１）及び磁気変換素子を有するヘッ
ド素子部（２２）を具備する磁気ヘッドの浮上面側に設
ける保護層を目的別に２層とし、磁気変換素子側（下
層）を腐食防止層（２３）、表層（上層）を磨耗防止層
（２４）で形成する。これにより、表層の磨耗防止層が
媒体との摩擦を抑え、磁極部の磨耗を防止し、浮上動作
を安定化させる。
と、スライダ部（２１）及び磁気変換素子を有するヘッ
ド素子部（２２）を具備する磁気ヘッドの浮上面側に設
ける保護層を目的別に２層とし、磁気変換素子側（下
層）を腐食防止層（２３）、表層（上層）を磨耗防止層
（２４）で形成する。これにより、表層の磨耗防止層が
媒体との摩擦を抑え、磁極部の磨耗を防止し、浮上動作
を安定化させる。
【００１２】図１（Ａ）（Ｂ）において、Ｄは磁気ディ
スク、２５，２６は浮上レール、２５ａ，２６ａは流入
斜面である。磁気素子上に形成される保護層はマスク性
の高い（不純物を透過させにくい）ＳｉＮ，ＳｉＯＮな
どのケイ素窒化物で形成することが好ましい。尚、この
窒化物層は、薄膜で高い品質を保つよう化学気相成長
（ＣＶＤ）法で行う。これにより、この腐食防止層が外
部からの水分、酸（一部の酸は除く）、アルカリの進入
を防止するため、保護層形成以降においては磁気素子の
腐食の発生がなくなる。また、ＣＶＤ法で成膜するため
段差被覆性が高く、磁気素子表面に付着した微小なパー
ティクルを均一に覆うことができるため、パーティクル
起因の保護層の欠陥も減少する。
スク、２５，２６は浮上レール、２５ａ，２６ａは流入
斜面である。磁気素子上に形成される保護層はマスク性
の高い（不純物を透過させにくい）ＳｉＮ，ＳｉＯＮな
どのケイ素窒化物で形成することが好ましい。尚、この
窒化物層は、薄膜で高い品質を保つよう化学気相成長
（ＣＶＤ）法で行う。これにより、この腐食防止層が外
部からの水分、酸（一部の酸は除く）、アルカリの進入
を防止するため、保護層形成以降においては磁気素子の
腐食の発生がなくなる。また、ＣＶＤ法で成膜するため
段差被覆性が高く、磁気素子表面に付着した微小なパー
ティクルを均一に覆うことができるため、パーティクル
起因の保護層の欠陥も減少する。
【００１３】磨耗防止層としてはダイヤモンド様カーボ
ン（ＤＬＣ）膜を用いることが好適である。また、腐食
保護層の形成を磁気素子面形成（削り出し）後〜スライ
ダー加工前に行う場合には、保護層が磁気素子の腐食を
防止するため、保護層無しでは磁気素子を腐食させる
水、酸、アルカリといった薬品の使用が可能となる。た
だし、弗酸や燐酸など、窒化物が溶解する薬品は除かれ
る。
ン（ＤＬＣ）膜を用いることが好適である。また、腐食
保護層の形成を磁気素子面形成（削り出し）後〜スライ
ダー加工前に行う場合には、保護層が磁気素子の腐食を
防止するため、保護層無しでは磁気素子を腐食させる
水、酸、アルカリといった薬品の使用が可能となる。た
だし、弗酸や燐酸など、窒化物が溶解する薬品は除かれ
る。
【００１４】
【実施例】磁気ディスクの回転速度に依存することなく
大きな再生出力が得られる再生専用の磁気抵抗効果型薄
膜ヘッド（以下、ＭＲヘッドと略称する）が注目されて
いる。かかるＭＲヘッドとリング磁極誘導型の薄膜磁気
ヘッドとを一体的に構成した複合薄膜磁気ヘッドを用い
て説明する。
大きな再生出力が得られる再生専用の磁気抵抗効果型薄
膜ヘッド（以下、ＭＲヘッドと略称する）が注目されて
いる。かかるＭＲヘッドとリング磁極誘導型の薄膜磁気
ヘッドとを一体的に構成した複合薄膜磁気ヘッドを用い
て説明する。
【００１５】そこで、図２に、複合薄膜磁気ヘッドを使
用した場合の説明図を示す。図２（Ａ）は切截斜面図、
図２（Ｂ）は（Ｘ−Ｘで切断した）断面図である。図２
（Ａ），（Ｂ）、図１（Ａ），（Ｂ）は、電磁変換ヘッ
ド（記録ヘッド）と磁気抵抗効果型（ＭＲ）ヘッド（再
生ヘッド）の複合薄膜磁気ヘッド３０を示したもので、
図において、磁気抵抗効果型ヘッド（ＭＲヘッド）３１
は、非磁性基板３２上に形成した長方形の磁気抵抗効果
素子（ＭＲ素子）３３と、ＭＲ素子３３の引出し導体層
３４と、上、下磁気シールド層３５ａ，３５ｂとで構成
されている。
用した場合の説明図を示す。図２（Ａ）は切截斜面図、
図２（Ｂ）は（Ｘ−Ｘで切断した）断面図である。図２
（Ａ），（Ｂ）、図１（Ａ），（Ｂ）は、電磁変換ヘッ
ド（記録ヘッド）と磁気抵抗効果型（ＭＲ）ヘッド（再
生ヘッド）の複合薄膜磁気ヘッド３０を示したもので、
図において、磁気抵抗効果型ヘッド（ＭＲヘッド）３１
は、非磁性基板３２上に形成した長方形の磁気抵抗効果
素子（ＭＲ素子）３３と、ＭＲ素子３３の引出し導体層
３４と、上、下磁気シールド層３５ａ，３５ｂとで構成
されている。
【００１６】引出し導体層３４は、ＭＲ素子３３の長手
方向に対して所定幅で切除されてＭＲ素子３３のＭＲ層
（後述する）の両端に接続されている。ＭＲ素子３３及
び引出し導体層３４は磁気シールド素子ルド層３５ｂと
の間にあって非磁性絶縁層３６で電気的に接続されてい
る。一方、磁気ディスクＤに情報の記録を行うための電
磁変換型ヘッド（インダクティブヘッド）３７は、ＭＲ
ヘッド３１の上磁気シールド素子３５ａを下部磁極（第
１磁極）とし、その上面に順にアルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）
を介在した記録ギャップを介して熱硬化樹脂からなる層
間絶縁層３９、薄膜コイル導体層（Ｃｕ）４０及び上部
磁極４１を積層し、上部磁極（第２磁極）４１と下部磁
極（上磁気シールド層）３５ａとで形成した記録ギャッ
プ３８によって情報の水平記録を行う。また、上部磁極
４１上には保護絶縁層４２が形成される。これらはスパ
ッタ又は真空蒸着メッキ法等により形成される。
方向に対して所定幅で切除されてＭＲ素子３３のＭＲ層
（後述する）の両端に接続されている。ＭＲ素子３３及
び引出し導体層３４は磁気シールド素子ルド層３５ｂと
の間にあって非磁性絶縁層３６で電気的に接続されてい
る。一方、磁気ディスクＤに情報の記録を行うための電
磁変換型ヘッド（インダクティブヘッド）３７は、ＭＲ
ヘッド３１の上磁気シールド素子３５ａを下部磁極（第
１磁極）とし、その上面に順にアルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）
を介在した記録ギャップを介して熱硬化樹脂からなる層
間絶縁層３９、薄膜コイル導体層（Ｃｕ）４０及び上部
磁極４１を積層し、上部磁極（第２磁極）４１と下部磁
極（上磁気シールド層）３５ａとで形成した記録ギャッ
プ３８によって情報の水平記録を行う。また、上部磁極
４１上には保護絶縁層４２が形成される。これらはスパ
ッタ又は真空蒸着メッキ法等により形成される。
【００１７】２３，２４の層が磁極保護層である。保護
層２３は腐食防止層、保護層２４は磨耗防止及び摩擦軽
減層である。保護層２３はＣＶＤ法によりシリコン窒化
物（ＳｉＮ，ＳｉＯＮ等）で形成され、保護層２４はＤ
ＬＣで形成される。ただし、磁気素子保護層２３，２４
は、実際の厚みが他の寸法より極端に小さいため、厚み
を誇張してある。
層２３は腐食防止層、保護層２４は磨耗防止及び摩擦軽
減層である。保護層２３はＣＶＤ法によりシリコン窒化
物（ＳｉＮ，ＳｉＯＮ等）で形成され、保護層２４はＤ
ＬＣで形成される。ただし、磁気素子保護層２３，２４
は、実際の厚みが他の寸法より極端に小さいため、厚み
を誇張してある。
【００１８】図３、図４は図１（Ａ）（Ｂ）に例示する
ような薄膜磁気ヘッドの製造方法を説明する図であり、
図３は基板上に多数のヘッド素子部をマトリックス状に
形成する方法を示し、図４（Ａ），（Ｂ）は１列のスラ
イダブロックからスライダを１個ずつ分離し仕上げる方
法を示す。図３に示すように、フェライトやＡｌ
2 Ｏ3 ，ＴｉＣなどの基板７ｗ上に多数のヘッド素子部
１４…をマトリックス状に薄膜技術で一斉に作製した
後、最終的には切断線１８，１９に示す位置から１個ず
つ分離すると、図１（Ｂ）のような薄膜磁気ヘッドが完
成する。しかしながら、作製順序としては、まず横方向
の切断線１８の位置で切断分離して、ヘッド素子部１４
が１列に並んだコアスライダブロック２０を形成する。
ような薄膜磁気ヘッドの製造方法を説明する図であり、
図３は基板上に多数のヘッド素子部をマトリックス状に
形成する方法を示し、図４（Ａ），（Ｂ）は１列のスラ
イダブロックからスライダを１個ずつ分離し仕上げる方
法を示す。図３に示すように、フェライトやＡｌ
2 Ｏ3 ，ＴｉＣなどの基板７ｗ上に多数のヘッド素子部
１４…をマトリックス状に薄膜技術で一斉に作製した
後、最終的には切断線１８，１９に示す位置から１個ず
つ分離すると、図１（Ｂ）のような薄膜磁気ヘッドが完
成する。しかしながら、作製順序としては、まず横方向
の切断線１８の位置で切断分離して、ヘッド素子部１４
が１列に並んだコアスライダブロック２０を形成する。
【００１９】スライダブロック切りだし後、表面洗浄を
実施し、ＣＶＤ法にてＳｉＮを１００Å、ＤＬＣ膜を１
００Å成膜した。ＳｉＮ，ＤＬＣはそれぞれの反応炉を
有し、ロードロックで連結しているＣＶＤ装置で連続し
て実施した。膜成長条件を下記に示す。
実施し、ＣＶＤ法にてＳｉＮを１００Å、ＤＬＣ膜を１
００Å成膜した。ＳｉＮ，ＤＬＣはそれぞれの反応炉を
有し、ロードロックで連結しているＣＶＤ装置で連続し
て実施した。膜成長条件を下記に示す。
【００２０】 表１ ─────────────────────────────────── 原料 流量 温度 圧力 マイクロ RF出力 CVD法 ガス 波出力 ─────────────────────────────────── SiN SiH4 200sccm 250℃ 300mTorr ── 300W PLASMA NH3 250sccm -CVD N2 800sccm ─────────────────────────────────── DLC C2H4 150sccm 60℃ 5mTorr 200W 150W ECR-CVD ─────────────────────────────────── ＣＶＤ装置では、焼結熱処理で作成されるため不純物が
混入し易いスパッタターゲットを使用せず、化学反応で
行う為、成膜時に腐食をひき起こす物質が混入するのを
防止できる。
混入し易いスパッタターゲットを使用せず、化学反応で
行う為、成膜時に腐食をひき起こす物質が混入するのを
防止できる。
【００２１】そして、ＳｉＮを腐食防止膜として使用す
ることにより、歩留りが従来に比べ５〜１０％程度向上
した。耐腐食性はＳｉＮ膜で、耐摩耗性はＤＬＣ膜で、
それぞれ解決できるので、それらの各効果のでる３０〜
５０％程度減少した薄い膜厚にすることができる。こう
して製膜されたコアスライダブロック２０を、１本ずつ
研削加工することで、図４（Ａ）に示すように、浮上レ
ール２５，２６を形成する。すなわち、左右の浮上レー
ル２５，２６間の２７ａや、隣接するスライダ間の溝２
２を形成する。スライダレールはイオンミルで形成す
る。次いで、溝２７ｂの中心の切断線１９の位置で１個
ずつ切断分離した状態で、図４（Ｂ）のように治具２８
に一定間隔で貼り付け、ゴム定盤２９ａに貼り付けたラ
ッピングテープ２９ｂに押しつけて移動させ、浮上レー
ル２５，２６の周縁のエッジを研摩しＲ面取りする。Ｒ
面取りの後、治具２８からはがして、１個ずつ従来どお
り図６のように、スプリングアーム１１先端のジンバル
１０に接着固定すると、磁気ディスクＤが高速回転した
ときの風力でスライダ７が微小量Ｇだけ浮上した状態
で、情報の記録／再生が行なわれる。
ることにより、歩留りが従来に比べ５〜１０％程度向上
した。耐腐食性はＳｉＮ膜で、耐摩耗性はＤＬＣ膜で、
それぞれ解決できるので、それらの各効果のでる３０〜
５０％程度減少した薄い膜厚にすることができる。こう
して製膜されたコアスライダブロック２０を、１本ずつ
研削加工することで、図４（Ａ）に示すように、浮上レ
ール２５，２６を形成する。すなわち、左右の浮上レー
ル２５，２６間の２７ａや、隣接するスライダ間の溝２
２を形成する。スライダレールはイオンミルで形成す
る。次いで、溝２７ｂの中心の切断線１９の位置で１個
ずつ切断分離した状態で、図４（Ｂ）のように治具２８
に一定間隔で貼り付け、ゴム定盤２９ａに貼り付けたラ
ッピングテープ２９ｂに押しつけて移動させ、浮上レー
ル２５，２６の周縁のエッジを研摩しＲ面取りする。Ｒ
面取りの後、治具２８からはがして、１個ずつ従来どお
り図６のように、スプリングアーム１１先端のジンバル
１０に接着固定すると、磁気ディスクＤが高速回転した
ときの風力でスライダ７が微小量Ｇだけ浮上した状態
で、情報の記録／再生が行なわれる。
【００２２】上述の実施例ではＳｉＮを腐食防止層に用
いたが、材料ガスにＯ2 またはＮ2Ｏを加えてＳｉＯＮ
を成膜しても良い。ＳｉＮ又はＳｉＯＮ膜の厚みは特に
限定されないが、一般的に２０〜３００Å、好ましくは
１００Å程度であり、ダイヤモンド様カーボン膜の厚み
は一般的に５０〜５００Å、好ましくは１００Å程度で
ある。
いたが、材料ガスにＯ2 またはＮ2Ｏを加えてＳｉＯＮ
を成膜しても良い。ＳｉＮ又はＳｉＯＮ膜の厚みは特に
限定されないが、一般的に２０〜３００Å、好ましくは
１００Å程度であり、ダイヤモンド様カーボン膜の厚み
は一般的に５０〜５００Å、好ましくは１００Å程度で
ある。
【００２３】また、腐食防止層の形成はプラズマＣＶＤ
以外に、成膜温度の低減が可能な電子サイクロトロンＣ
ＶＤ（ＥＣＲ−ＣＶＤ）、光ＣＶＤでも良い。磨耗防止
層の形成は、腐食防止層と同一装置、また、連続成膜で
なくてもよい。また、各層の密着性、製造プロセスとの
整合性のため、他の層、例えばＳｉＣ，Ｓｉを腐食保護
層の上または下に設けて３層以上の構造にしてもよい。
以外に、成膜温度の低減が可能な電子サイクロトロンＣ
ＶＤ（ＥＣＲ−ＣＶＤ）、光ＣＶＤでも良い。磨耗防止
層の形成は、腐食防止層と同一装置、また、連続成膜で
なくてもよい。また、各層の密着性、製造プロセスとの
整合性のため、他の層、例えばＳｉＣ，Ｓｉを腐食保護
層の上または下に設けて３層以上の構造にしてもよい。
【００２４】
【発明の効果】以上説明した通り、本発明によれば、腐
食保護層形成以降では磁極の腐食が無くなるため、製造
工程における歩留りの向上、及び磁気記憶装置としての
磁気素子の記録再生効率の信頼性向上の効果がある。ま
た、本発明によれば、保護層を薄くできるので、磁気ヘ
ッドの電子変換素子から媒体の磁性層までのギャップを
小さくすることができる。
食保護層形成以降では磁極の腐食が無くなるため、製造
工程における歩留りの向上、及び磁気記憶装置としての
磁気素子の記録再生効率の信頼性向上の効果がある。ま
た、本発明によれば、保護層を薄くできるので、磁気ヘ
ッドの電子変換素子から媒体の磁性層までのギャップを
小さくすることができる。
【図１】本発明の磁気ヘッドの断面図及び斜視図であ
る。
る。
【図２】薄膜磁気ヘッドの説明図である。
【図３】薄膜磁気ヘッドの製造方法を示す。
【図４】スライダブロックの説明図である。
【図５】磁気ディスク装置の全容を示す。
【図６】従来の薄膜磁気ディスクの断面構造を示す。
【図７】従来の磁気ヘッドを示す。
２１…スライダ部 ２２…ヘッド素子部 ２３…第１保護層 ２４…第２保護層（ＤＬＣ） ２５，２６…浮上レール
Claims (6)
- 【請求項１】 スライダ部と、磁気変換素子を有するヘ
ッド素子部を備え、前記スライダ部及び前記ヘッド素子
部の前記磁気変換素子の先端が形成される側に浮上面を
有する磁気ヘッドにおいて、 前記ヘッド素子部の浮上面側に前記磁気変換素子の腐食
を防止する第１の保護膜と、前記第１の保護膜上に形成
された前記磁気変換素子の磨耗を防止する第２の保護膜
を有することを特徴とする磁気ヘッド。 - 【請求項２】 さらに、前記スライダ部の浮上面側に前
記第１の保護膜と、前記第２の保護膜を有することを特
徴とする請求項１記載の磁気ヘッド。 - 【請求項３】 前記第１の保護膜は、シリコン窒化膜又
はシリコン酸窒化膜であることを特徴とする請求項１又
は請求項２記載の磁気ヘッド。 - 【請求項４】 前記第２の保護膜は、ダイヤモンド状カ
ーボンであることを特徴とする請求項１又は請求項２又
は請求項３記載の磁気ヘッド。 - 【請求項５】 基板上に磁気変換素子を形成するステッ
プと、 前記磁気変換素子が形成された前記基板をスライダブロ
ックに切断するステップと、 前記スライダブロックの前記磁気変換素子の先端が形成
される浮上面となる側に前記磁気変換素子の腐食を防止
する第１の保護膜を成膜するステップと、 前記第１の保護膜上に磨耗を防止する第２の保護膜を成
膜するステップと、 前記スライダブロックの前記磁気変換素子の先端が形成
される浮上面となる側にスライダレールを形成するステ
ップと、 前記スライダブロックを切断して個々のスライダを作成
するステップと、を有することを特徴とする磁気ヘッド
の製造方法。 - 【請求項６】 前記第１の保護膜は、ＣＶＤ製法により
成膜することを特徴とする請求項５記載の磁気ヘッドの
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17845894A JPH0845045A (ja) | 1994-07-29 | 1994-07-29 | 磁気ヘッド及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17845894A JPH0845045A (ja) | 1994-07-29 | 1994-07-29 | 磁気ヘッド及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0845045A true JPH0845045A (ja) | 1996-02-16 |
Family
ID=16048877
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17845894A Pending JPH0845045A (ja) | 1994-07-29 | 1994-07-29 | 磁気ヘッド及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0845045A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998012696A1 (fr) * | 1996-09-20 | 1998-03-26 | Hitachi, Ltd. | Coulisseau de tete magnetique et son procede de production |
| US6038101A (en) * | 1997-03-14 | 2000-03-14 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magnetic head and method of manufacturing magnetic head |
| US6556389B1 (en) * | 1998-06-04 | 2003-04-29 | Seagate Technology, L.L.C. | Method for thermally isolating a magnetoresistive element from thermal asperities |
| JP2008192288A (ja) * | 2007-02-05 | 2008-08-21 | Shinka Jitsugyo Kk | 磁気記録再生ヘッド、磁気記録媒体、およびそれらの製造方法 |
| JP2013033585A (ja) * | 2011-08-02 | 2013-02-14 | Hgst Netherlands B V | 軟質中間膜を備えた空気ベアリング面オーバーコートおよびその製造方法 |
-
1994
- 1994-07-29 JP JP17845894A patent/JPH0845045A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998012696A1 (fr) * | 1996-09-20 | 1998-03-26 | Hitachi, Ltd. | Coulisseau de tete magnetique et son procede de production |
| US6038101A (en) * | 1997-03-14 | 2000-03-14 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magnetic head and method of manufacturing magnetic head |
| US6556389B1 (en) * | 1998-06-04 | 2003-04-29 | Seagate Technology, L.L.C. | Method for thermally isolating a magnetoresistive element from thermal asperities |
| JP2008192288A (ja) * | 2007-02-05 | 2008-08-21 | Shinka Jitsugyo Kk | 磁気記録再生ヘッド、磁気記録媒体、およびそれらの製造方法 |
| JP2013033585A (ja) * | 2011-08-02 | 2013-02-14 | Hgst Netherlands B V | 軟質中間膜を備えた空気ベアリング面オーバーコートおよびその製造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20030715 |