JPH08147666A - 磁気記録媒体とその製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体とその製造方法Info
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- JPH08147666A JPH08147666A JP27789394A JP27789394A JPH08147666A JP H08147666 A JPH08147666 A JP H08147666A JP 27789394 A JP27789394 A JP 27789394A JP 27789394 A JP27789394 A JP 27789394A JP H08147666 A JPH08147666 A JP H08147666A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 保磁力を下げることなく、媒体ノイズを低減
すること。 【構成】 非磁性基板上にＣｒ下地層及び記録層を６ｍ
Ｔｏｒｒ以下のＡｒ雰囲気下でスパッタして膜厚３００
Å以下に成膜し、その上にＣｒ１２〜１７at％、Ｔａ２
〜５at％、Ｃｏ残部のＣｏＣｒＴａ合金からなる記録層
を成膜する。記録層の保磁力は１６００Oe以上である。
すること。 【構成】 非磁性基板上にＣｒ下地層及び記録層を６ｍ
Ｔｏｒｒ以下のＡｒ雰囲気下でスパッタして膜厚３００
Å以下に成膜し、その上にＣｒ１２〜１７at％、Ｔａ２
〜５at％、Ｃｏ残部のＣｏＣｒＴａ合金からなる記録層
を成膜する。記録層の保磁力は１６００Oe以上である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気ディスク装置に用
いられる磁気記録媒体及びその製造方法に関する。近年
のコンピュータシステムの処理情報量の増大に伴い、磁
気ディスク装置の大容量化、小形化が要求されている。
このため、記録密度の向上、記録ヘッドのＭＲ化等に伴
い、磁気記録媒体の高性能化（低ノイズ化、高保磁力
化）が必要となっている。
いられる磁気記録媒体及びその製造方法に関する。近年
のコンピュータシステムの処理情報量の増大に伴い、磁
気ディスク装置の大容量化、小形化が要求されている。
このため、記録密度の向上、記録ヘッドのＭＲ化等に伴
い、磁気記録媒体の高性能化（低ノイズ化、高保磁力
化）が必要となっている。
【０００２】
【従来の技術】図１は磁気ディスク装置の内部構造の全
容を示す平面図であり、磁気ディスクＤが高速回転して
いる状態で、その半径方向に磁気ヘッド１が移動してシ
ーク動作し、情報の記録／再生が行なわれる。図中、２
はスピンドル、３はサスペンション、４は駆動アーム、
５はボイスコイルモータである。この磁気ヘッド１の位
置で磁気ディスクＤを切断し拡大すると、図２のように
なる。
容を示す平面図であり、磁気ディスクＤが高速回転して
いる状態で、その半径方向に磁気ヘッド１が移動してシ
ーク動作し、情報の記録／再生が行なわれる。図中、２
はスピンドル、３はサスペンション、４は駆動アーム、
５はボイスコイルモータである。この磁気ヘッド１の位
置で磁気ディスクＤを切断し拡大すると、図２のように
なる。
【０００３】薄膜型の磁気ディスクＤにおいて、１１は
アルミニウムやガラスなどの非磁性体からなる基板であ
り、その表面に、機械的強度を上げるためにＮｉＰめっ
き層１２を形成した状態で、Ｃｏ合金の水平配向性を高
めるためのＣｒ下地層１３を１０００Å〜３０００Å程
度スパッタ成膜してある。そして、ＣｏＣｒ系の磁性材
を３００Å〜１０００Å程度スパッタして薄膜磁性膜１
４を形成した後、保護膜１５としてカーボンなどを３０
０Å程度スパッタし、最後にパーフロロポリエーテルな
どのようなフッ素系の潤滑層１６を数十Å程度塗布し
て、完成している。
アルミニウムやガラスなどの非磁性体からなる基板であ
り、その表面に、機械的強度を上げるためにＮｉＰめっ
き層１２を形成した状態で、Ｃｏ合金の水平配向性を高
めるためのＣｒ下地層１３を１０００Å〜３０００Å程
度スパッタ成膜してある。そして、ＣｏＣｒ系の磁性材
を３００Å〜１０００Å程度スパッタして薄膜磁性膜１
４を形成した後、保護膜１５としてカーボンなどを３０
０Å程度スパッタし、最後にパーフロロポリエーテルな
どのようなフッ素系の潤滑層１６を数十Å程度塗布し
て、完成している。
【０００４】この磁気ディスクＤを矢印ａ1 方向に高速
回転させ、風力によって磁気ヘッドスライダ１が微小量
浮上した状態で、ヘッド素子部１８によって、磁気ディ
スクＤに情報の記録／再生を行なう。磁気ヘッドのスラ
イダ１は、ジンバル２０を介してサスペンジョン（スプ
リングアーム）３に取り付けられ、キャリッジ２２の駆
動アーム４でシーク動作が行なわれる。このように、機
構の簡便さから、装置の起動・停止時にはコアスライダ
が浮上せず摺動するＣＳＳ（ＣｏｎｔａｃｔＳｔａｒｔ
Ｓｔｏｐ）方式が普及している。
回転させ、風力によって磁気ヘッドスライダ１が微小量
浮上した状態で、ヘッド素子部１８によって、磁気ディ
スクＤに情報の記録／再生を行なう。磁気ヘッドのスラ
イダ１は、ジンバル２０を介してサスペンジョン（スプ
リングアーム）３に取り付けられ、キャリッジ２２の駆
動アーム４でシーク動作が行なわれる。このように、機
構の簡便さから、装置の起動・停止時にはコアスライダ
が浮上せず摺動するＣＳＳ（ＣｏｎｔａｃｔＳｔａｒｔ
Ｓｔｏｐ）方式が普及している。
【０００５】図３の磁気ヘッドはＭＲ型ヘッドであり、
ヘッド素子部２４が薄膜技術で形成され、かつＡｌ2 Ｏ
3 などの保護膜で覆われている。スライダ１は、摺動面
の左右に浮上レール２５，２６を有しており、そのヘッ
ド素子部２４と反対側に、空気流を取り込む流入斜面２
５ｓ，２６ｓが形成されている。図４に、複合薄膜磁気
ヘッドを使用した場合の説明図を示す。図４（Ａ）は切
截斜面図、図４（Ｂ）は（Ｘ−Ｘで切断した）断面図で
ある。
ヘッド素子部２４が薄膜技術で形成され、かつＡｌ2 Ｏ
3 などの保護膜で覆われている。スライダ１は、摺動面
の左右に浮上レール２５，２６を有しており、そのヘッ
ド素子部２４と反対側に、空気流を取り込む流入斜面２
５ｓ，２６ｓが形成されている。図４に、複合薄膜磁気
ヘッドを使用した場合の説明図を示す。図４（Ａ）は切
截斜面図、図４（Ｂ）は（Ｘ−Ｘで切断した）断面図で
ある。
【０００６】図４（Ａ），（Ｂ）は、電磁変換ヘッド
（記録ヘッド）と磁気抵抗効果型（ＭＲ）ヘッド（再生
ヘッド）の複合薄膜磁気ヘッド４０を示したもので、図
において、磁気抵抗効果型ヘッド（ＭＲヘッド）４１
は、非磁性基板４２上に形成した長方形の磁気抵抗効果
素子（ＭＲ素子）４３と、ＭＲ素子４３の引出し導体層
４４と、上、下磁気シールド層４５ａ，４５ｂとで構成
されている。
（記録ヘッド）と磁気抵抗効果型（ＭＲ）ヘッド（再生
ヘッド）の複合薄膜磁気ヘッド４０を示したもので、図
において、磁気抵抗効果型ヘッド（ＭＲヘッド）４１
は、非磁性基板４２上に形成した長方形の磁気抵抗効果
素子（ＭＲ素子）４３と、ＭＲ素子４３の引出し導体層
４４と、上、下磁気シールド層４５ａ，４５ｂとで構成
されている。
【０００７】引出し導体層４４は、ＭＲ素子４３の長手
方向に対して所定幅で切除されてＭＲ素子４３のＭＲ層
（後述する）の両端に接続されている。ＭＲ素子３３及
び引出し導体層４４は磁気シールド素子層４５ｂとの間
にあって非磁性絶縁層３６で電気的に接続されている。
一方、磁気ディスクＤに情報の記録を行うための電磁変
換型ヘッド（インダクティブヘッド）は、ＭＲヘッド４
１の上磁気シールド素子４５ａを下部磁極（第１磁極）
とし、その上面に順にアルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）を介在し
た記録ギャップを介して熱硬化樹脂からなる層間絶縁層
４９、薄膜コイル導体層（Ｃｕ）５０及び上部磁極５１
を積層し、上部磁極（第２磁極）５１と下部磁極（上磁
気シールド層）４５ａとで形成した記録ギャップ４８に
よって情報の水平記録を行う。また、上部磁極５１上に
は保護絶縁層５２が形成される。これらはスパッタ又は
真空蒸着メッキ法等により形成される。
方向に対して所定幅で切除されてＭＲ素子４３のＭＲ層
（後述する）の両端に接続されている。ＭＲ素子３３及
び引出し導体層４４は磁気シールド素子層４５ｂとの間
にあって非磁性絶縁層３６で電気的に接続されている。
一方、磁気ディスクＤに情報の記録を行うための電磁変
換型ヘッド（インダクティブヘッド）は、ＭＲヘッド４
１の上磁気シールド素子４５ａを下部磁極（第１磁極）
とし、その上面に順にアルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）を介在し
た記録ギャップを介して熱硬化樹脂からなる層間絶縁層
４９、薄膜コイル導体層（Ｃｕ）５０及び上部磁極５１
を積層し、上部磁極（第２磁極）５１と下部磁極（上磁
気シールド層）４５ａとで形成した記録ギャップ４８に
よって情報の水平記録を行う。また、上部磁極５１上に
は保護絶縁層５２が形成される。これらはスパッタ又は
真空蒸着メッキ法等により形成される。
【０００８】図中、６が水素含有炭素（ダイヤモンド様
カーボン）層からなる保護層であり、その上に任意に潤
滑保護層としてフッ素化物層１７が形成され塗布する。
図５、図６は、薄膜磁気ヘッドの製造方法を説明する図
であり、図５は基板上に多数のヘッド素子部をマトリッ
クス状に形成する方法を示し、図６（Ａ），（Ｂ）は１
列のスライダブロックからスライダを１個ずつ分離し仕
上げる方法を示す。
カーボン）層からなる保護層であり、その上に任意に潤
滑保護層としてフッ素化物層１７が形成され塗布する。
図５、図６は、薄膜磁気ヘッドの製造方法を説明する図
であり、図５は基板上に多数のヘッド素子部をマトリッ
クス状に形成する方法を示し、図６（Ａ），（Ｂ）は１
列のスライダブロックからスライダを１個ずつ分離し仕
上げる方法を示す。
【０００９】図５に示すように、フェライトやＡｌ2 Ｏ
3 −ＴｉＣなどの基板１ｗ上に多数のヘッド素子部２４
…をマトリックス状に薄膜技術で一斉に作製した後、最
終的には切断線２８，２９に示す位置から１個ずつ分離
すると、薄膜磁気ヘッドが完成する。しかしながら、作
製順序としては、まず横方向の切断線２８の位置で切断
分離して、ヘッド素子部２４が１列に並んだコアスライ
ダブロック３０を形成する。
3 −ＴｉＣなどの基板１ｗ上に多数のヘッド素子部２４
…をマトリックス状に薄膜技術で一斉に作製した後、最
終的には切断線２８，２９に示す位置から１個ずつ分離
すると、薄膜磁気ヘッドが完成する。しかしながら、作
製順序としては、まず横方向の切断線２８の位置で切断
分離して、ヘッド素子部２４が１列に並んだコアスライ
ダブロック３０を形成する。
【００１０】スライダブロック切りだし後、表面洗浄を
実施し、ＣＶＤ法にて水素含有炭素層を上記磁気ディス
クの場合と同様に成膜した。磁気ヘッドの下地密着層と
して、保護膜形成前にＳｉＣ膜をＣＶＤ法で形成してお
いてもよい。ＣＶＤ装置では、焼結熱処理で作成される
ため不純物が混入し易いスパッタターゲットを使用せ
ず、化学反応で行う為、成膜時に腐食をひき起こす物質
が混入するのを防止できる。
実施し、ＣＶＤ法にて水素含有炭素層を上記磁気ディス
クの場合と同様に成膜した。磁気ヘッドの下地密着層と
して、保護膜形成前にＳｉＣ膜をＣＶＤ法で形成してお
いてもよい。ＣＶＤ装置では、焼結熱処理で作成される
ため不純物が混入し易いスパッタターゲットを使用せ
ず、化学反応で行う為、成膜時に腐食をひき起こす物質
が混入するのを防止できる。
【００１１】こうして製膜されたコアスライダブロック
３０を、１本ずつ研削加工することで、図６（Ａ）に示
すように、浮上レール２５，２６を形成する。すなわ
ち、左右の浮上レール２５，２６間や、隣接するスライ
ダ間の溝を形成する。スライダレールはイオンミルで形
成する。次いで、溝の中心の切断線２９の位置で１個ず
つ切断分離した状態で、図６（Ｂ）のように治具３３に
一定間隔で貼り付け、ゴム定盤３４に貼り付けたラッピ
ングテープ３５に押しつけて移動させ、浮上レール２
５，２６の周縁のエッジを研摩しＲ面取りする。Ｒ面取
りの後、治具３３からはがして、１個ずつ従来どおり図
２のように、スプリングアーム３先端のジンバル２０に
接着固定すると、磁気ディスクＤが高速回転したときの
風力でスライダ７が微小量Ｇだけ浮上した状態で、情報
の記録／再生が行なわれる。
３０を、１本ずつ研削加工することで、図６（Ａ）に示
すように、浮上レール２５，２６を形成する。すなわ
ち、左右の浮上レール２５，２６間や、隣接するスライ
ダ間の溝を形成する。スライダレールはイオンミルで形
成する。次いで、溝の中心の切断線２９の位置で１個ず
つ切断分離した状態で、図６（Ｂ）のように治具３３に
一定間隔で貼り付け、ゴム定盤３４に貼り付けたラッピ
ングテープ３５に押しつけて移動させ、浮上レール２
５，２６の周縁のエッジを研摩しＲ面取りする。Ｒ面取
りの後、治具３３からはがして、１個ずつ従来どおり図
２のように、スプリングアーム３先端のジンバル２０に
接着固定すると、磁気ディスクＤが高速回転したときの
風力でスライダ７が微小量Ｇだけ浮上した状態で、情報
の記録／再生が行なわれる。
【００１２】図７は従来の薄膜型の磁気ディスクの製造
方法を工程順に示す断面図であり、本発明の出願人が先
に出願した特願平３−３３６４９５号においても開示さ
れている。工程（１）において、１１はアルミニウムな
どの非磁性体からなるドーナツ状の基板であり、作製し
ようとする磁気ディスクと同じサイズに形成されてい
る。例えば、２．５インチの小径磁気ディスクを製造す
る場合は、非磁性円板１１も２．５インチのものを用い
る。
方法を工程順に示す断面図であり、本発明の出願人が先
に出願した特願平３−３３６４９５号においても開示さ
れている。工程（１）において、１１はアルミニウムな
どの非磁性体からなるドーナツ状の基板であり、作製し
ようとする磁気ディスクと同じサイズに形成されてい
る。例えば、２．５インチの小径磁気ディスクを製造す
る場合は、非磁性円板１１も２．５インチのものを用い
る。
【００１３】そして、工程（２）において、非磁性円板
１１の両面に、ＮｉＰメッキ下地層１２を形成し、その
上に工程（３）において、回転している非磁性基板の板
面に研摩テープを押し当てて、円周方向に微細なテクス
チャーＴを形成する。次に、工程（４）において、テク
スチャーＴの上に、Ｃｏ合金の水平配向性を高めるため
のＣｒ下地層３を１０００Å〜３０００Å程度成膜し、
その上に工程（５）において、例えばＣｏ合金などから
成る磁性膜１４が３００Å〜１０００Å程度成膜され
る。この磁性膜１４の上に、工程（６）のように、保護
膜として水素含有炭素膜１５を３００Å程度形成し、最
後にフッ素系の潤滑層１６が塗布される。Ｃｒ層１３、
薄膜型の磁性膜１４およびカーボン膜１５は、スパッタ
などの薄膜技術で成膜される。
１１の両面に、ＮｉＰメッキ下地層１２を形成し、その
上に工程（３）において、回転している非磁性基板の板
面に研摩テープを押し当てて、円周方向に微細なテクス
チャーＴを形成する。次に、工程（４）において、テク
スチャーＴの上に、Ｃｏ合金の水平配向性を高めるため
のＣｒ下地層３を１０００Å〜３０００Å程度成膜し、
その上に工程（５）において、例えばＣｏ合金などから
成る磁性膜１４が３００Å〜１０００Å程度成膜され
る。この磁性膜１４の上に、工程（６）のように、保護
膜として水素含有炭素膜１５を３００Å程度形成し、最
後にフッ素系の潤滑層１６が塗布される。Ｃｒ層１３、
薄膜型の磁性膜１４およびカーボン膜１５は、スパッタ
などの薄膜技術で成膜される。
【００１４】工程（３）で形成したテクスチャーＴは、
情報を記録／再生する際の電磁変換特性が向上するよう
に、磁気異方性を付与するためのものである。また、テ
クスチャーＴに沿ってカーボン膜１５も凹凸となるた
め、潤滑剤で磁気ヘッドが磁気ディスク面に吸着される
のを抑制でき、かつ磁気ヘッドと磁気ディスク面との間
の摩擦を小さくすることができる。
情報を記録／再生する際の電磁変換特性が向上するよう
に、磁気異方性を付与するためのものである。また、テ
クスチャーＴに沿ってカーボン膜１５も凹凸となるた
め、潤滑剤で磁気ヘッドが磁気ディスク面に吸着される
のを抑制でき、かつ磁気ヘッドと磁気ディスク面との間
の摩擦を小さくすることができる。
【００１５】上記の如く、従来の磁気記録媒体は、Ｎｉ
−Ｐメッキ処理を施したアルミニウム基板或いはガラス
基板上に数千Å程度の下地層（Ｃｒ）、数百Åの記録層
及びカーボン保護層が順次形成された構造となってい
る。しかしながら、近年、高硬度保護膜としてダイヤモ
ンドライクカーボン膜（ＤＬＣ）の開発が進められてい
る。
−Ｐメッキ処理を施したアルミニウム基板或いはガラス
基板上に数千Å程度の下地層（Ｃｒ）、数百Åの記録層
及びカーボン保護層が順次形成された構造となってい
る。しかしながら、近年、高硬度保護膜としてダイヤモ
ンドライクカーボン膜（ＤＬＣ）の開発が進められてい
る。
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】上記の磁気記録媒体で
は、磁気特性（保磁力）を向上させるため該下地層のＣ
ｒ膜厚が厚く形成することが必要である。このことで、
下地層の結晶粒が粒成長し、それに伴い記録層の粒成長
が促進される。このため、磁気特性の向上は図れるもの
の、記録再生特性は必ずしも向上するものではない。す
なわち、結晶粒の粒成長は記録再生特性における分解能
（Ｄ50）の低下、あるいは媒体ノイズの増加を引き起こ
す原因となる。
は、磁気特性（保磁力）を向上させるため該下地層のＣ
ｒ膜厚が厚く形成することが必要である。このことで、
下地層の結晶粒が粒成長し、それに伴い記録層の粒成長
が促進される。このため、磁気特性の向上は図れるもの
の、記録再生特性は必ずしも向上するものではない。す
なわち、結晶粒の粒成長は記録再生特性における分解能
（Ｄ50）の低下、あるいは媒体ノイズの増加を引き起こ
す原因となる。
【００１７】本発明は、上記の問題点を鑑み、記録層の
粒成長を抑制し、且つ保磁力の向上と媒体ノイズの低減
を図ることを目的としたものである。
粒成長を抑制し、且つ保磁力の向上と媒体ノイズの低減
を図ることを目的としたものである。
【００１８】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するために、非磁性基板上に下地層、さらに記録層を有
する磁気記録媒体において、前記下地層がＣｒ層であ
り、その膜厚が３００Å以下であり、前記記録層がＣｒ
１２〜１７at％、Ｔａ２〜５at％、Ｃｏ残部のＣｏＣｒ
Ｔａ合金層であり、その保磁力が１６００Oe以上である
ことを特徴とする磁気記録媒体、及び、非磁性基板上に
Ｃｒからなる下地層、その上にＣｏＣｒＴａ合金からな
る記録層を形成した磁気記録媒体の製造方法において、
前記Ｃｒ下地層及び前記記録層を６ｍＴｏｒｒ未満のア
ルゴン雰囲気下でスパッタ成膜し、膜厚を３００Å以下
とすると共に、前記ＣｏＣｒＴａ記録層をＣｒ１２〜１
７at％、Ｔａ２〜５at％、Ｃｏ残部の組成とすることを
特徴とする磁気記録媒体の製造方法を提供する。
するために、非磁性基板上に下地層、さらに記録層を有
する磁気記録媒体において、前記下地層がＣｒ層であ
り、その膜厚が３００Å以下であり、前記記録層がＣｒ
１２〜１７at％、Ｔａ２〜５at％、Ｃｏ残部のＣｏＣｒ
Ｔａ合金層であり、その保磁力が１６００Oe以上である
ことを特徴とする磁気記録媒体、及び、非磁性基板上に
Ｃｒからなる下地層、その上にＣｏＣｒＴａ合金からな
る記録層を形成した磁気記録媒体の製造方法において、
前記Ｃｒ下地層及び前記記録層を６ｍＴｏｒｒ未満のア
ルゴン雰囲気下でスパッタ成膜し、膜厚を３００Å以下
とすると共に、前記ＣｏＣｒＴａ記録層をＣｒ１２〜１
７at％、Ｔａ２〜５at％、Ｃｏ残部の組成とすることを
特徴とする磁気記録媒体の製造方法を提供する。
【００１９】非磁性基板表面には通常テクスチャー加工
を行う。下地層としてのＣｏ層及び記録層の成膜はＡｒ
雰囲気中のスパッタ法で行なう。このときＡｒ圧力を６
ｍＴｏｒｒ未満、より好ましくは５ｍＴｏｒｒ以下とす
ると共に、膜厚を３００Å以下、より好ましくは１５０
〜２５０Åとする。Ａｒ圧力が６ｍＴｏｒｒ以上になる
とＣｏＣｒＴａ記録層の保磁力が低下する。また、Ｃｒ
下地膜の膜厚が３００Åを越えると記録媒体の特性（分
解能、媒体ノイズ）が低下する。
を行う。下地層としてのＣｏ層及び記録層の成膜はＡｒ
雰囲気中のスパッタ法で行なう。このときＡｒ圧力を６
ｍＴｏｒｒ未満、より好ましくは５ｍＴｏｒｒ以下とす
ると共に、膜厚を３００Å以下、より好ましくは１５０
〜２５０Åとする。Ａｒ圧力が６ｍＴｏｒｒ以上になる
とＣｏＣｒＴａ記録層の保磁力が低下する。また、Ｃｒ
下地膜の膜厚が３００Åを越えると記録媒体の特性（分
解能、媒体ノイズ）が低下する。
【００２０】また、記録層はＣｏＣｒＴａ合金とし、か
つＣｒ１２〜１７at％、Ｔａ２〜５at％、Ｃｏ残部とす
ることにより、下地Ｃｒ層の膜厚を３００Å以下に薄く
しても記録層の保磁力を１６００Oe以上、さらには１９
００Oe以上あるいは２０００Oe以上にすることができ
る。Ｃｒ及びＴａがこの範囲にないと保磁力が出なくな
り、磁気特性（Ｈｃ，Ｂｓ，Ｓ等）が低下する。好まし
い組成はＣｒ１２〜１４at％、Ｔａ２〜５at％、Ｃｏ残
部である。
つＣｒ１２〜１７at％、Ｔａ２〜５at％、Ｃｏ残部とす
ることにより、下地Ｃｒ層の膜厚を３００Å以下に薄く
しても記録層の保磁力を１６００Oe以上、さらには１９
００Oe以上あるいは２０００Oe以上にすることができ
る。Ｃｒ及びＴａがこの範囲にないと保磁力が出なくな
り、磁気特性（Ｈｃ，Ｂｓ，Ｓ等）が低下する。好まし
い組成はＣｒ１２〜１４at％、Ｔａ２〜５at％、Ｃｏ残
部である。
【００２１】記録層の成膜は常法（スパッタ法など）に
よることができる。記録層の膜厚は仕様により異なる為
特に限定できないが、一般に１００〜８００Å、であ
る。但し、記録層が薄すぎたり、厚すぎると保磁力が低
下する。記録層上には、通常、カーボン系保護層、さら
にその上に潤滑剤層が設けられる。
よることができる。記録層の膜厚は仕様により異なる為
特に限定できないが、一般に１００〜８００Å、であ
る。但し、記録層が薄すぎたり、厚すぎると保磁力が低
下する。記録層上には、通常、カーボン系保護層、さら
にその上に潤滑剤層が設けられる。
【００２２】
【作用】本発明では、下地層のＣｒ膜厚を３００Å以下
で形成することにより、上部に形成された記録層の媒体
ノイズを低減させることが可能である（図９参照）。ま
た、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ系合金の組成の成膜条件を最適化
することで、保磁力（Ｈｃ）の低下なくＣｒ膜厚が薄く
ても高保磁力化が可能である（図１０、図１１参照）。
これは、Ｃｒ層の薄膜化が、上部にエピタキシャル成長
する記録層の磁気的孤立性を増大し、また記録層の組成
及び成膜条件を最適化することでＣｒ層との整合性が改
善されることに起因するものと考えられる。そのため、
下地層をより薄くすることで保磁力（Ｈｃ）の低下なし
に結晶粒の粒成長が抑制される。
で形成することにより、上部に形成された記録層の媒体
ノイズを低減させることが可能である（図９参照）。ま
た、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ系合金の組成の成膜条件を最適化
することで、保磁力（Ｈｃ）の低下なくＣｒ膜厚が薄く
ても高保磁力化が可能である（図１０、図１１参照）。
これは、Ｃｒ層の薄膜化が、上部にエピタキシャル成長
する記録層の磁気的孤立性を増大し、また記録層の組成
及び成膜条件を最適化することでＣｒ層との整合性が改
善されることに起因するものと考えられる。そのため、
下地層をより薄くすることで保磁力（Ｈｃ）の低下なし
に結晶粒の粒成長が抑制される。
【００２３】このことにより、高保磁力を有し、且つ微
細結晶からなる記録層が容易に得られ、記録再生特性に
優れた磁気記録媒体が実現できる。
細結晶からなる記録層が容易に得られ、記録再生特性に
優れた磁気記録媒体が実現できる。
【００２４】
【実施例】本発明を実施例を基に、詳細に説明する。図
８に、本発明の実施例の磁気記録媒体の断面構造図を示
す。Ｎｉ−Ｐメッキ１２を施したアルミ基板１１にテー
プ研摩法でテクスチャー処理を行い（表面粗さ４０〜８
０Å程度）、その上に下地層１３として純Ｃｒターゲッ
トを用い、スパッタリング法により、Ｃｒ層を形成し
た。更に、その上部に記録層１４としてＣｏ−Ｃｒ−Ｔ
ａ系合金を同スパッタリング法により形成した。
８に、本発明の実施例の磁気記録媒体の断面構造図を示
す。Ｎｉ−Ｐメッキ１２を施したアルミ基板１１にテー
プ研摩法でテクスチャー処理を行い（表面粗さ４０〜８
０Å程度）、その上に下地層１３として純Ｃｒターゲッ
トを用い、スパッタリング法により、Ｃｒ層を形成し
た。更に、その上部に記録層１４としてＣｏ−Ｃｒ−Ｔ
ａ系合金を同スパッタリング法により形成した。
【００２５】ここで、下地層のスパッタパワーを０．３
〜２kW、雰囲気ガスをＡｒ、ガス圧を２〜１０ｍＴｏｒ
ｒの範囲内で変更し、基板温度２４０℃程度の条件にし
て成膜し、かつＣｒ層の膜厚を１８０〜１０００Åの範
囲で変えた。また、記録層（Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ合金）は
スパッタパワー０．５kW、ガス圧２〜１０ｍＴｏｒｒ、
基板温度２４０℃、ＤＣバイアス−３００Ｖの条件で成
膜した。記録層の膜厚は３００Åとした。Ｃｏ−Ｃｒ−
Ｔａ合金の組成はＣｏ82Ｃｒ 13Ｔａ5 ，Ｃｏ86Ｃｒ12Ｔ
ａ2 ，Ｃｏ78Ｃｒ17Ｔａ5 ，等とした。
〜２kW、雰囲気ガスをＡｒ、ガス圧を２〜１０ｍＴｏｒ
ｒの範囲内で変更し、基板温度２４０℃程度の条件にし
て成膜し、かつＣｒ層の膜厚を１８０〜１０００Åの範
囲で変えた。また、記録層（Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ合金）は
スパッタパワー０．５kW、ガス圧２〜１０ｍＴｏｒｒ、
基板温度２４０℃、ＤＣバイアス−３００Ｖの条件で成
膜した。記録層の膜厚は３００Åとした。Ｃｏ−Ｃｒ−
Ｔａ合金の組成はＣｏ82Ｃｒ 13Ｔａ5 ，Ｃｏ86Ｃｒ12Ｔ
ａ2 ，Ｃｏ78Ｃｒ17Ｔａ5 ，等とした。
【００２６】尚、非磁性基板としてガラス、セラミック
ス等の基板を用いてもよく、必要に応じ図８の如く記録
層１４上部に保護層１５及び潤滑層１６を設けた構造に
する。図９は下地Ｃｒ層の膜厚を変えた場合の記録媒体
の媒体ノイズの変化を示す。なお、Ｃｒ下地層の成膜Ａ
ｒ圧力は５ｍＴｏｒｒ、記録層はＣｏ82Ｃｒ13Ｔａ5合
金である。下地Ｃｒ層の膜厚の減少と共に媒体ノイズが
減少することが認められる。
ス等の基板を用いてもよく、必要に応じ図８の如く記録
層１４上部に保護層１５及び潤滑層１６を設けた構造に
する。図９は下地Ｃｒ層の膜厚を変えた場合の記録媒体
の媒体ノイズの変化を示す。なお、Ｃｒ下地層の成膜Ａ
ｒ圧力は５ｍＴｏｒｒ、記録層はＣｏ82Ｃｒ13Ｔａ5合
金である。下地Ｃｒ層の膜厚の減少と共に媒体ノイズが
減少することが認められる。
【００２７】図１０は下地Ｃｒ層の膜厚を変えた場合の
記録層の保磁力の変化を示す。なお、Ｃｒ下地層は５ｍ
ＴｏｒｒのＡｒ雰囲気下で成膜した。下地Ｃｒ層の膜厚
を小さくしても本発明の組成範囲のＣｏＣｒＴａ合金記
録層を用いれば、Ｃｒ下地層の膜厚が２５０Å以下で
も、十分に１６００Oe以上、好ましくは１９００〜２０
００Oe以上の保磁力Ｈｃが得られることがわかる。
記録層の保磁力の変化を示す。なお、Ｃｒ下地層は５ｍ
ＴｏｒｒのＡｒ雰囲気下で成膜した。下地Ｃｒ層の膜厚
を小さくしても本発明の組成範囲のＣｏＣｒＴａ合金記
録層を用いれば、Ｃｒ下地層の膜厚が２５０Å以下で
も、十分に１６００Oe以上、好ましくは１９００〜２０
００Oe以上の保磁力Ｈｃが得られることがわかる。
【００２８】図１１は下地Ｃｒ層のスパッタ条件として
Ａｒ圧力を変えたときの記録層の保磁力の変化を示す。
なお下地Ｃｒ層の膜厚は２５０Å、記録層はＣｏ78Ｃｒ
17Ｔａ5 合金とした。Ａｒ圧力を小さくすることにより
記録層の保磁力が増大することがわかる。
Ａｒ圧力を変えたときの記録層の保磁力の変化を示す。
なお下地Ｃｒ層の膜厚は２５０Å、記録層はＣｏ78Ｃｒ
17Ｔａ5 合金とした。Ａｒ圧力を小さくすることにより
記録層の保磁力が増大することがわかる。
【００２９】
【発明の効果】以上に説明したように、下地Ｃｒ層及び
記録層を６ｍＴｏｒｒ以下のＡｒ雰囲気下のスパッタ法
で３００Å以下のＣｒ膜厚に形成することにより、媒体
ノイズを低減させることが可能である。また、記録層
（Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ系）の組成を最適化することで保磁
力の低下なく高保磁力化させることが可能である。その
ため、下地層の膜厚をより有効に低減することができ、
それに伴い保磁力の低下なしに結晶粒の粒成長を抑制す
ることができる。
記録層を６ｍＴｏｒｒ以下のＡｒ雰囲気下のスパッタ法
で３００Å以下のＣｒ膜厚に形成することにより、媒体
ノイズを低減させることが可能である。また、記録層
（Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ系）の組成を最適化することで保磁
力の低下なく高保磁力化させることが可能である。その
ため、下地層の膜厚をより有効に低減することができ、
それに伴い保磁力の低下なしに結晶粒の粒成長を抑制す
ることができる。
【図１】磁気ディスク装置の全容を示す。
【図２】磁気ディスク上の磁気ヘッドを示す。
【図３】磁気ヘッドの全容を示す。
【図４】（Ａ）（Ｂ）は複合磁気ヘッドの内容構造を示
す。
す。
【図５】薄膜磁気ヘッドの量産方法を示す。
【図６】（Ａ）（Ｂ）はスライダブロックの製造を示
す。
す。
【図７】（１）〜（６）は磁気ディスクの製造工程を示
す。
す。
【図８】実施例の磁気記録媒体を示す。
【図９】下地層の膜厚に対する媒体ノイズの変化を示
す。
す。
【図１０】下地層の膜厚に対する記録層の保磁力の変化
を示す。
を示す。
【図１１】下地層のスパッタＡｒ圧力に対する記録層の
保磁力の変化を示す。
保磁力の変化を示す。
１１…アルミ基板 １２…ＮｉＰメッキ層 １３…下地Ｃｒ層 １４…ＣｏＣｒＴａ合金記録層 １５…保護層 １６…潤滑剤層
Claims (2)
- 【請求項１】 非磁性基板上に下地層、さらに記録層を
有する磁気記録媒体において、前記下地層がＣｒ層であ
り、その膜厚が３００Å以下であり、前記記録層がＣｒ
１２〜１７at％、Ｔａ２〜５at％、Ｃｏ残部のＣｏＣｒ
Ｔａ合金層であり、その保磁力が１６００Oe以上である
ことを特徴とする磁気記録媒体。 - 【請求項２】 非磁性基板上にＣｒからなる下地層、そ
の上にＣｏＣｒＴａ合金からなる記録層を形成した磁気
記録媒体の製造方法において、前記Ｃｒ下地層および前
記記録層を６ｍＴｏｒｒ未満のアルゴン雰囲気下でスパ
ッタ成膜し、膜厚を３００Å以下とすると共に、前記Ｃ
ｏＣｒＴａ記録層をＣｒ１２〜１７at％、Ｔａ２〜５at
％、Ｃｏ残部の組成とすることを特徴とする磁気記録媒
体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27789394A JPH08147666A (ja) | 1994-11-11 | 1994-11-11 | 磁気記録媒体とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27789394A JPH08147666A (ja) | 1994-11-11 | 1994-11-11 | 磁気記録媒体とその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08147666A true JPH08147666A (ja) | 1996-06-07 |
Family
ID=17589762
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27789394A Withdrawn JPH08147666A (ja) | 1994-11-11 | 1994-11-11 | 磁気記録媒体とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08147666A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19990057732A (ko) * | 1997-12-30 | 1999-07-15 | 윤종용 | 하드 디스크 텍스츄어링 방법 |
-
1994
- 1994-11-11 JP JP27789394A patent/JPH08147666A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19990057732A (ko) * | 1997-12-30 | 1999-07-15 | 윤종용 | 하드 디스크 텍스츄어링 방법 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20020115 |