CN102903519A - 多层陶瓷电子组件 - Google Patents
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Abstract
提供了一种多层陶瓷电子组件，所述多层陶瓷电子组件包括：陶瓷主体，包括介电层；第一内电极层和第二内电极层，形成在所述陶瓷主体内，其中，当介电层的厚度被定义为td并且第一内电极层或第二内电极层的最大厚度和最小厚度分别被定义为tmax和tmin时，满足td≤0.6μm并且(tmax-tmin)/td＜0.30。根据本发明，通过改进内电极层的厚度的均匀性，可以实现能够改进耐受电压特性并且具有优良的可靠性的大容量多层陶瓷电子组件。
Description
本申请要求于2011年7月28日在韩国知识产权局提交的第10-2011-0075083号韩国专利申请的优先权，该申请的公开内容通过引用被包含于此。
技术领域
本发明涉及一种多层陶瓷电子组件，更具体地讲，涉及一种能够改进耐受电压特性并具有优良的可靠性的大容量多层陶瓷电子组件。
背景技术
根据近来电子产品小型化的趋势，对具有小尺寸并且仍然具有大电容的多层陶瓷电子组件的需求已经增加。
因此，已经通过各种方法使介电层和内电极层变薄并且介电层和内电极层日益变得多层。近来，由于介电层变薄，已经制造了具有增加数量的层叠的层的多层陶瓷电子组件。
因为为了实现更大的电容而使介电层和内电极层变薄，所以内电极层的厚度会不均匀或者不能连续地保持内电极层的厚度，因此内电极层会被局部地断开，从而导致在内电极层的连接性方面产生断开。
当内电极层的厚度不均匀时，相邻内电极层的厚部分会彼此靠近，导致击穿电压(BDV)特性劣化。
上述问题导致绝缘特性劣化，使得多层陶瓷电子组件的可靠性劣化。
发明内容
本发明的一方面提供了一种能够具有改进的耐受电压特性和优良的可靠性的大容量多层陶瓷电子组件。
根据本发明的一方面，提供了一种多层陶瓷电子组件，所述多层陶瓷电子组件包括：陶瓷主体，包括介电层；第一内电极层和第二内电极层，形成在所述陶瓷主体内，其中，当介电层的厚度被定义为td并且第一内电极层或第二内电极层的最大厚度和最小厚度分别被定义为tmax和tmin时，满足td≤0.6μm并且(tmax-tmin)/td＜0.30。
可以通过扫描在陶瓷主体的沿宽度(W)方向的中心部分切割的沿着长度-厚度(L-T)方向的截面来测量介电层的厚度。
当第一内电极层或第二内电极层的厚度被定义为te时，可以满足te≤0.6μm。
可以通过扫描在陶瓷主体的沿宽度(W)方向的中心部分切割的沿着长度-厚度(L-T)方向的截面来测量第一内电极层或第二内电极层的厚度。
当在介电层中使用的陶瓷粉末颗粒的平均直径被定义为Dd，并且在第一内电极层和第二内电极层中使用的金属粉末颗粒的平均直径被定义为De时，可以满足0.8≤De/Dd≤1.2。
介电层的厚度与第一内电极层或第二内电极层的厚度的比例(td/te)可以满足1.0≤td/tc≤1.5。
根据本发明的另一方面，提供了一种多层陶瓷电子组件，所述多层陶瓷电子组件包括：陶瓷主体，包括层叠在其中的多个介电层；多个内电极层，形成在所述陶瓷主体中，其中，当多个介电层的平均厚度被定义为td并且从多个内电极层中选择的单个内电极层的最大厚度和最小厚度分别被定义为tmax和tmin时，满足td≤0.6μm并且(tmax-tmin)/td＜0.30。
可以通过扫描在陶瓷主体的沿宽度(W)方向的中心部分切割的沿着长度-厚度(L-T)方向的截面来测量多个介电层的平均厚度。
当从多个内电极层中选择的单个内电极层的平均厚度被定义为te时，可以满足te≤0.6μm。
可以通过扫描在陶瓷主体的沿宽度(W)方向的中心部分切割的沿着长度-厚度(L-T)方向的截面的中心部分来测量从多个内电极层中选择的单个内电极层的平均厚度。
当在介电层中使用的陶瓷粉末颗粒的平均直径被定义为Dd，并且在内电极层中使用的金属粉末颗粒的平均直径被定义为De时，可以满足0.8≤De/Dd≤1.2。
多个介电层的平均厚度与从多个内电极层中选择的单个内电极层的平均厚度的比例(td/te)可以满足1.0≤td/te≤1.5。
根据本发明的另一方面，提供了一种多层陶瓷电子组件，所述多层陶瓷电子组件包括：陶瓷主体，包括层叠在其中的多个介电层；多个内电极层，形成在所述陶瓷主体内，其中，当多个介电层的平均厚度被定义为td并且多个内电极层的最大厚度和最小厚度分别被定义为tmax和tmin时，满足td≤0.6μm并且(tmax-tmin)/td＜0.30。
可以通过扫描在陶瓷主体的沿宽度(W)方向的中心部分切割的沿着长度-厚度(L-T)方向的截面来测量多个介电层的平均厚度。
当多个内电极层的平均厚度被定义为te时，可以满足te≤0.6μm。
可以通过扫描在陶瓷主体的沿宽度(W)方向的中心部分切割的沿着长度-厚度(L-T)方向的截面来测量多个内电极层的平均厚度。
当在介电层中使用的陶瓷粉末颗粒的平均直径被定义为Dd，并且在内电极层中使用的金属粉末颗粒的平均直径被定义为De时，可以满足0.8≤De/Dd≤1.2。
多个介电层的平均厚度与多个内电极层的平均厚度的比例(td/te)可以满足1.0≤td/te≤1.5。
附图说明
从结合附图进行的下面的详细描述，本发明的以上和其它方面、特征和其它优点将变得更容易理解，在附图中：
图1是示意性地示出根据本发明实施例的多层陶瓷电容器的透视图；
图2是沿着图1中的线B-B′截取的剖视图；
图3是示出图2中的部分A中的内电极层和介电层的厚度的放大图。
具体实施方式
现在将参照附图详细描述本发明的实施例。然而，本发明可以以许多不同的形式实施，而不应解释为限于这里阐述的实施例。相反，提供这些实施例，使得本公开将是彻底和完整的，并将把本发明的范围充分传达给本领域技术人员。在附图中，为了清晰起见，会夸大组件的形状和尺寸，将使用相同的标号始终指示相同或相似的组件。
图1是示意性地示出根据本发明实施例的多层陶瓷电容器的透视图。
图2是沿着图1中的线B-B′截取的剖视图。
图3是示出图2中的部分A中的内电极层和介电层的厚度的放大图。
参照图1至图3，根据本发明实施例的多层陶瓷电子组件可以包括陶瓷主体10以及形成在陶瓷主体10内的第一内电极层21和第二内电极层22，陶瓷主体10包括介电层1。当介电层1的平均厚度被定义为td，第一内电极层21或第二内电极层22的最大厚度和最小厚度分别被定义为tmax和tmin时，可以满足td≤0.6μm并且(tmax-tmin)/td＜0.30。
在下文中，将描述根据本发明实施例的多层陶瓷电子组件，具体地为多层陶瓷电容器，但是本发明不限于此。
根据本发明的实施例，只要可以获得足够的电容，则用于形成介电层1的原材料不受具体限制。例如，原材料可以为钛酸钡(BaTiO3)粉末。
作为用于形成介电层1的材料，可以将各种陶瓷添加剂、有机溶剂、增塑剂、粘结剂、分散剂等添加到诸如钛酸钡(BaTiO3)粉末的粉末中，从而达到本发明的目的。
用于形成第一内电极层21和第二内电极层22的材料不受具体限制，并且可以通过使用由例如贵金属材料(诸如，钯(Pd)、钯-银(Pd-Ag)合金等)、镍(Ni)和铜(Cu)中的至少一种制成的导电膏来形成用于形成第一内电极层21和第二内电极层22的材料。
外电极3可以形成在陶瓷主体10的外部，从而形成电容，并且外电极3可以与第一内电极层21和第二内电极层22电连接。
外电极3可以由与内电极层的导电材料相同的导电材料形成，但是不限于此。例如，铜(Cu)、银(Ag)、镍(Ni)等可以用于外电极3。
可以通过涂覆将玻璃料添加在金属粉末中制备的导电膏、然后进行烧结来形成外电极3。
参照图2和图3，在根据本发明实施例的多层陶瓷电子组件中，介电层1的平均厚度td可以为0.6μm或更小。
在本发明的实施例中，介电层1的厚度可以指设置在第一内电极层21和第二内电极层22之间的介电层1的平均厚度。
介电层1的平均厚度可以通过利用扫描电子显微镜(SEM)扫描沿着陶瓷主体10的长度方向的截面来测量，如图2中所示。
例如，如图2中所示，可以如下获得介电层1的平均厚度：在从通过利用扫描电子显微镜(SEM)扫描沿着陶瓷主体10的宽度(W)方向的中心部分截取的沿长度-厚度(L-T)方向的截面获得的图像提取的单个介电层中，测量沿着长度方向的30个等距点处的厚度；然后计算平均厚度值。
可以在电容形成部分中测量30个等距点处的厚度，电容形成部分参照第一内电极层21和第二内电极22彼此叠置的区域。
在形成介电层1的过程中使用的陶瓷粉末颗粒的平均直径不受具体限制，为了实现本发明的目的可以控制陶瓷粉末颗粒的平均直径，例如控制为400nm或更小。
然而，当如上所述使用平均厚度td为0.6μm或更小的超薄介电层1时，第一内电极层21和第二内电极层22的厚度的不均匀性会导致在介电层1内在第一内电极层21和第二内电极层22之间的频繁的短路。
因为为了实现大的电容而使第一内电极层21和第二内电极22变薄，所以第一内电极层21和第二内电极22的厚度更加不均匀，从而会更加频繁地出现上述问题。
另外，由于薄膜介电层1形成在第一内电极层21和第二内电极层22之间，所以第一内电极层21和第二内电极层22的厚度不均匀性导致第一内电极层21和第二内电极层22之间的距离变短，从而击穿电压(BVD)特性劣化。
因此，根据本发明的实施例，可以通过满足(tmax-tmin)/td＜0.30来解决上述问题，其中，介电层1的平均厚度被定义为td，第一内电极层21或第二内电极层22的最大厚度和最小厚度分别被定义为tmax和tmin。
具体地讲，当(tmax-tmin)/td的值在0.30以下时，内电极层2的厚度的不均匀性可以被最小化，从而防止短路和击穿电压(BVD)特性劣化。
由于这个原因，即使在应用平均厚度(td)为0.6μm或更小的超薄膜介电层1的情况下，也可以实现具有改进的耐受电压特性和优良的可靠性的大容量多层陶瓷电子组件。
第一内电极层21或第二内电极层22的最大厚度tmax和最小厚度tmin不受具体限制，但是例如可以从通过测量沿着单个内电极层的长度方向的所有截面的厚度获得的值来确定。
另外，可以从通过在沿着单个内电极层的长度方向的30个均匀分开的截面中的每个截面中测量厚度(例如，测量其中的中心截面的厚度)获得的值来确定最大厚度tmax和最小厚度tmin。
具体地讲，可以利用扫描电子显微镜(SEM)测量通过扫描在陶瓷主体10的宽度(W)方向的中心部分切割的沿着长度-厚度(L-T)方向的截面而获得的图像中提取的内电极层的厚度。
当内电极层2的最大厚度tmax和最小厚度tmin之间的差与介电层1的平均厚度td(0.6μm或更小)的比例低于0.30时，可以改进耐受电压特性。
如果(tmax-tmin)/td的值是0.30或大于0.30，则内电极层的最大厚度和最小厚度之间的差变大，因此会频繁出现短路，从而劣化耐受电压特性。
同时，为了减小第一内电极层21或第二内电极层22的最大厚度tmax和最小厚度tmin之间的差，可以改变金属粉末颗粒的尺寸或量，并且可以控制将要加入到用于内电极层的导电膏中的有机材料和陶瓷材料的量。
另外，在利用导电膏形成内电极层的印刷工艺中，可以控制内电极层的厚度。
此外，可以通过在烧结工艺过程中调节升温速率和烧结气氛来控制内电极层的最大厚度tmax和最小厚度tmin之间的差。
根据本发明的实施例，为了减小内电极层的最大厚度tmax和最小厚度tmin之间的差，可以控制在用于形成内电极层的导电膏中添加的有机材料的量。
具体地讲，添加在导电膏中的添加剂的示例可以包括粘结剂树脂、无机材料、溶剂等。有机材料不受具体限制，例如，在存在溶剂的情况下，有机材料可以使用萜品醇。
可以控制添加的有机材料中的溶剂的量，以调节导电膏的粘度。因此，可以将低粘度的导电膏涂覆在介电层1上，以减小内电极层的厚度的差异。
另外，当第一内电极层或第二内电极层的平均厚度被定义为te时，可以满足te≤0.6μm。
第一内电极层或第二内电极层的平均厚度不受具体限制，然而，例如，第一内电极层或第二内电极层的平均厚度可以指沿着陶瓷主体10的宽度(W)方向的中心部分切割的沿着长度-厚度(L-T)方向的截面中的内电极层的平均厚度。
根据本发明的实施例，通过满足(tmax-tmin)/td＜0.30并且te≤0.6μm，可以实现一种能够改进耐受电压特性并且具有优良的可靠性的大容量多层陶瓷电子组件。
将第一内电极层或第二内电极层的平均厚度控制到0.6μm或更小的方法不受具体限制，例如，可以通过改变金属粉末颗粒的尺寸或量或者改变用于内电极层的导电膏中的溶剂或粘结剂树脂的含量来执行将第一内电极层或第二内电极层的平均厚度控制到0.6μm或更小的方法。
另外，为了实现本发明的目标，可以控制金属粉末颗粒的尺寸，金属粉末颗粒的尺寸可以为0.05μm至0.4μm，但是不具体地限于此。
同时，当在介电层中使用的陶瓷粉末颗粒的平均直径被定义为Dd并且在内电极层中使用的金属粉末颗粒的平均直径被定义为De时，可以满足0.8≤De/Dd≤1.2。
通过将金属粉末颗粒的平均直径与陶瓷粉末颗粒的平均直径的比例控制为大于等于0.8并且小于等于1.2，即使对多层陶瓷电子组件使用薄膜介电层和内电极层，也可以实现具有优良可靠性的多层陶瓷电子组件。
在上述范围内，当比例De/Dd小于等于0.8或者大于等于1.2时，在内电极层中使用的金属粉末颗粒的平均直径与在介电层中使用的陶瓷粉末颗粒的平均直径之间的差太大。这样会导致电容和可靠性劣化方面的问题。
另外，介电层的平均厚度与第一内电极层或第二内电极层的平均厚度的比例(td/te)可以满足1.0≤td/te≤1.5。
通过将介电层的平均厚度与第一内电极层或第二内电极层的平均厚度的比例(td/te)控制为大于等于1.0并且小于等于1.5，即使在对多层陶瓷电子组件使用薄膜介电层和内电极层的情况下，也可以实现具有优良的可靠性的多层陶瓷电子组件。
在上述范围内，如果比例td/te小于1.0，则在形成电容的过程中会出现问题，如果上述比例大于1.5，则绝缘性质会劣化，因此在多层陶瓷电子组件的可靠性方面会出现问题。
同时，根据本发明另一实施例的多层陶瓷电子组件可以包括陶瓷主体10以及形成在陶瓷主体10中的多个内电极层21和22，陶瓷主体10包括层叠在其中的多个介电层1。当多个介电层1的平均厚度被定义为td并且从多个内电极层21和22选择的单个内电极层的最大厚度和最小厚度分别被定义为tmax和tmin时，满足td≤0.6μm和(tmax-tmin)/td＜0.30。
由于除了介电层以及第一内电极层和第二内电极层层叠多层之外，根据本实施例的多层陶瓷电子组件与根据前面实施例的多层陶瓷电子组件基本相同，所以将省略彼此重复的描述。
介电层的平均厚度可以指沿着陶瓷主体的宽度(W)方向的中心部分切割的沿长度-厚度(L-T)方向的截面的中心部分中的介电层的平均厚度。
另外，用于获得平均厚度值的这种测量过程的介电层的数量不受限制。当对例如10个层或更多个介电层广泛地执行测量过程并测量它们的平均值时，可以进一步概括介电层的平均厚度。
这里，第一内电极层21或第二内电极层22的最大厚度tmax和最小厚度tmin指在多个内电极层2和多个介电层1交替层叠的陶瓷主体10中在单个内电极层2中测量的厚度中的最大厚度和最小厚度。
具体地讲，如果在单个内电极层中测量内电极层2的最大厚度和最小厚度，则最大厚度和最小厚度在内电极层中的位置不受具体限制。例如，可以从通过测量位于层叠的内电极层2的中心部分中的一个内电极层的所有截面获得的值来确定最大厚度和最小厚度。
另外，可以从通过在沿着一个内电极层2的长度方向的30个平均分开的截面中的每个截面中测量厚度(例如，测量其中的中心截面的厚度)获得的值来确定最大厚度和最小厚度。
当从多个内电极层选择的单个内电极层的平均厚度被定义为te时，可以满足te≤0.6μm。
从多个内电极层选择的单个内电极层的平均厚度不受具体限制，但是，例如，所述单个内电极层的平均厚度可以指沿着陶瓷主体10的宽度(W)方向的中心部分切割的沿长度-厚度(L-T)方向的截面的中心部分中的内电极层的平均厚度。
多个介电层的平均厚度与从多个内电极层中选择的一个内电极层的平均厚度的比例(td/te)可以满足1.0≤td/te≤1.5。
根据本发明另一实施例的多层陶瓷电子组件可以包括陶瓷主体10以及形成在陶瓷主体10内的多个内电极层21和22，陶瓷主体10包括层叠在其中的多个介电层1。当多个介电层1的平均厚度被定义为td，并且多个第一内电极层21和第二内电极22的最大厚度和最小厚度分别被定义为tmax和tmin时，满足td≤0.6μm并且(tmax-tmin)/td＜0.30。
由于除了介电层以及第一内电极层和第二内电极层层叠为多层之外，根据本实施例的多层陶瓷电子组件与根据前述实施例的多层陶瓷电子组件相同，因此将省略彼此重复的描述。
多个第一内电极层21或第二内电极层22的最大厚度tmax和最小厚度tmin可以分别被定义为通过测量多个内电极层的最大厚度和最小厚度得到的值的平均。
另外，对内电极层的数量没有限制，只要提供多个内电极层即可。例如，最大值和最小值可以被分别定义为在位于中心部分中的一个内电极层以及与该内电极层相邻的至少一个内电极层中测量的最大厚度和最小厚度的平均值。
另外，最大值和最小值可以分别被定义为在全部多个内电极层中测量的最大厚度和最小厚度的平均值。
用于测量多个内电极层的最大厚度tmax和最小厚度tmin的相应的内电极层的位置不受具体限制，例如，可以由在相应的内电极层的所有截面中测量的值来确定最大厚度tmax和最小厚度tmin。
另外，可以从通过在沿着每个内电极层的长度方向的30个平均分开的截面中的每个截面中测量厚度(例如，测量其中的中心截面的厚度)得到的值来确定最大厚度tmax和最小厚度tmin。
多个介电层1的平均厚度可以为在沿着陶瓷主体10的宽度(W)方向的中心部分中截取的沿长度-厚度(L-T)方向的截面中的介电层1的平均厚度。
当多个内电极层的平均厚度被定义为te时，可以满足te≤0.6μm。
多个内电极层的平均厚度可以为在沿着陶瓷主体的宽度(W)方向的中心部分中截取的沿长度-厚度(L-T)方向的截面中的内电极层的平均厚度。
对内电极层的数量没有限制，只要提供多个内电极层即可。例如，最大值和最小值可以被分别定义为在位于中心部分的内电极层和与该内电极层相邻的至少一个内电极层中测量的厚度的平均值。
另外，用于测量多个内电极层的平均厚度的位置不受具体限制，平均厚度可以被确定为通过在每个内电极层的沿其长度方向的30个均匀分开的截面中的每个截面中测量厚度(例如，测量其中的中心截面的厚度)而获得的值的平均。
当在介电层中使用的陶瓷粉末颗粒的平均直径被定义为Dd，并且在内电极层中使用的金属粉末颗粒的平均直径被定义为De时，可以满足0.8≤De/Dd≤1.2。
多个介电层的平均厚度与多个内电极层的平均厚度的比例(td/te)可以满足1.0≤te/te≤1.5。
在下文中，将参照示例详细描述本发明，但是本发明不限于此。
为了根据内电极层的平均厚度以及内电极层的最大厚度和最小厚度之间的差来确定多层陶瓷电容器的可靠性是否得到提高而执行测试，其中，采用平均厚度为0.6μm或更小的介电层。
如下制造每个多层陶瓷电容器。
首先，在载体膜上涂覆包括诸如钛酸钡(BaTiO3)等并且平均颗粒直径为0.1μm的粉末的浆料，并且将其进行干燥，以制备厚度为1μm或0.9μm的多个陶瓷生片，从而形成介电层1。
然后，制备用于内电极层的平均镍颗粒尺寸为0.08μm至0.12μm的导电膏。
通过丝网印刷方法将用于内电极层的导电膏涂覆在生片上，从而形成内电极层，并且将所得的结构以190层至250层的量进行层叠，以制造层叠件。
顺序执行层叠件压缩和切割工艺以制造具有0603标准尺寸的芯片，并且将芯片在1050℃至1200℃的温度下、0.1％或更低的H2的还原气氛下烧结。
最后，执行外电极形成工艺、镀覆工艺等来制造多层陶瓷电容器。
根据介电层1的平均厚度不同地制造多层陶瓷电容器样品。作为观察多层陶瓷电容器的截面的结果，内电极层的平均厚度为0.45μm至0.60μm，介电层的平均厚度为0.55μm至0.65μm。
从利用扫描电子显微镜(SEM)通过扫描沿着多层陶瓷电容器的宽度(W)方向的中心部分截取的沿长度-厚度(L-T)方向的截面获得的图像来测量介电层的平均厚度、内电极层的平均厚度以及内电极层的最大厚度和最小厚度。
通过在沿着长度-厚度(L-T)方向的截面的中心部分中测量10个介电层的厚度来确定介电层的平均厚度，在相应的介电层的沿着长度方向的30个平均分开的截面中的中心截面中测量所述厚度。
也通过在沿着长度-厚度(L-T)方向的截面的中心部分中测量10个内电极层的厚度来确定内电极层的平均厚度、最大厚度和最小厚度，在相应的内电极层的沿着长度方向的30个平均分开的截面中的中心截面中测量所述厚度。
下面的表1示出了根据介电层的平均厚度、内电极层的平均厚度以及内电极层的最大厚度和最小厚度的差与介电层的平均厚度的比例的加速寿命、击穿电压(BDV)和可靠性特性。
[表1]
参照表1，样品1至样品3的介电层均具有0.6μm或更小的平均厚度。在这些情况下，如果内电极层的最大厚度和最小厚度之间的差与介电层的平均厚度的比例(tmax-tmin)/td偏离本发明的数值范围，则在高温加速寿命测试和可靠性测试方面会出现问题。
同时，样品4至样品6的介电层均具有0.6μm以上的平均厚度。在这些情况下，即使在内电极层的最大厚度和最小厚度之间的差与介电层的平均厚度的比例(tmax-tmin)/td偏离本发明的数值范围的情况下，在高温加速寿命测试中也示出了良好的结果。
因此，可以看出，当烧结之后介电层1的平均厚度td为0.6μm或更小时，根据本发明实施例的多层陶瓷电子组件在高温加速寿命和可靠性方面具有改进的效果。
下面的表2示出了在介电层的平均厚度为0.6μm或更小的情况下，根据内电极层的平均厚度、内电极层的最大厚度和最小厚度以及内电极层的最大厚度和最小厚度之间的差与介电层的平均厚度的比例的加速寿命、击穿电压(BDV)和可靠性特性。
[表2]
在表2中，当以10V/sec的速率施加DC电压时，估计击穿电压(BDV)特性。高温加速寿命测试中的NG率表示为，基于200个相应的样品，在135℃下施加9.45V的DC电压，绝缘电阻在48小时内降低到104Ω或更低的样品数量的百分比。
如上在表2中看出，当内电极层的最大厚度和最小厚度之间的差与介电层的平均厚度的比例低于0.30时，在改善耐受电压和可靠性特性的同时，加速寿命延长。
如上所述，根据本发明的实施例，可以通过改善内电极层厚度的均匀性来实现能够改进耐受电压特性并且具有优良的可靠性的大容量多层陶瓷电子组件。
尽管已经结合实施例示出和描述了本发明，但是本领域技术人员将清楚的是，在不脱离由权利要求限定的本发明的精神和范围的情况下，可以进行修改和变化。
Claims (18)
1.一种多层陶瓷电子组件，所述多层陶瓷电子组件包括：
陶瓷主体，包括介电层；
第一内电极层和第二内电极层，形成在所述陶瓷主体内，
其中，当介电层的厚度被定义为td并且第一内电极层或第二内电极层的最大厚度和最小厚度分别被定义为tmax和tmin时，满足td≤0.6μm并且(tmax-tmin)/td＜0.30。
2.根据权利要求1所述的多层陶瓷电子组件，其中，通过扫描在陶瓷主体的沿宽度方向的中心部分切割的沿着长度-厚度方向的截面来测量介电层的厚度。
3.根据权利要求1所述的多层陶瓷电子组件，其中，当第一内电极层或第二内电极层的厚度被定义为te时，满足te≤0.6μm。
4.根据权利要求3所述的多层陶瓷电子组件，其中，通过扫描在陶瓷主体的沿宽度方向的中心部分切割的沿着长度-厚度方向的截面来测量第一内电极层或第二内电极层的厚度。
5.根据权利要求3所述的多层陶瓷电子组件，其中，介电层的厚度与第一内电极层或第二内电极层的厚度的比例td/te满足1.0≤td/te≤1.5。
6.根据权利要求1所述的多层陶瓷电子组件，其中，当在介电层中使用的陶瓷粉末颗粒的平均直径被定义为Dd，并且在第一内电极层和第二内电极层中使用的金属粉末颗粒的平均直径被定义为De时，满足0.8≤De/Dd≤1.2。
7.一种多层陶瓷电子组件，所述多层陶瓷电子组件包括：
陶瓷主体，包括层叠在其中的多个介电层；
多个内电极层，形成在所述陶瓷主体内，
其中，当多个介电层的平均厚度被定义为td并且从多个内电极层中选择的单个内电极层的最大厚度和最小厚度分别被定义为tmax和tmin时，满足td≤0.6μm并且(tmax-tmin)/td＜0.30。
8.根据权利要求7所述的多层陶瓷电子组件，其中，通过扫描在陶瓷主体的沿宽度方向的中心部分切割的沿着长度-厚度方向的截面来测量多个介电层的平均厚度。
9.根据权利要求7所述的多层陶瓷电子组件，其中，当从多个内电极层中选择的单个内电极层的平均厚度被定义为te时，满足te≤0.6μm。
10.根据权利要求9所述的多层陶瓷电子组件，其中，通过扫描在陶瓷主体的沿宽度方向的中心部分切割的沿着长度-厚度方向的截面的中心部分来测量从多个内电极层中选择的单个内电极层的平均厚度。
11.根据权利要求9所述的多层陶瓷电子组件，其中，多个介电层的平均厚度与从多个内电极层中选择的单个内电极层的平均厚度的比例td/te满足1.0≤td/te≤1.5。
12.根据权利要求7所述的多层陶瓷电子组件，其中，当在介电层中使用的陶瓷粉末颗粒的平均直径被定义为Dd，并且在内电极层中使用的金属粉末颗粒的平均直径被定义为De时，满足0.8≤De/Dd≤1.2。
13.一种多层陶瓷电子组件，所述多层陶瓷电子组件包括：
陶瓷主体，包括层叠在其中的多个介电层；
多个内电极层，形成在所述陶瓷主体内，
其中，当多个介电层的平均厚度被定义为td并且多个内电极层的最大厚度和最小厚度分别被定义为tmax和tmin时，满足td≤0.6μm并且(tmax-tmin)/td＜0.30。
14.根据权利要求13所述的多层陶瓷电子组件，其中，通过扫描在陶瓷主体的沿宽度方向的中心部分切割的沿着长度-厚度方向的截面来测量多个介电层的平均厚度。
15.根据权利要求13所述的多层陶瓷电子组件，其中，当多个内电极层的平均厚度被定义为te时，满足te≤0.6μm。
16.根据权利要求15所述的多层陶瓷电子组件，其中，通过扫描在陶瓷主体的沿宽度方向的中心部分切割的沿着长度-厚度方向的截面来测量多个内电极层的平均厚度。
17.根据权利要求13所述的多层陶瓷电子组件，其中，当在介电层中使用的陶瓷粉末颗粒的平均直径被定义为Dd，并且在内电极层中使用的金属粉末颗粒的平均直径被定义为De时，满足0.8≤De/Dd≤1.2。
18.根据权利要求15所述的多层陶瓷电子组件，其中，多个介电层的平均厚度与多个内电极层的平均厚度的比例td/te满足1.0≤td/te≤1.5。
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