CN102898782B - 具有高阻隔性的封装材料 - Google Patents
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- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 84
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 title abstract description 12
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 60
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 claims abstract description 60
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 39
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims abstract description 37
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims abstract description 35
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 claims abstract description 32
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 17
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 claims abstract description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 29
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 17
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 17
- 229920005749 polyurethane resin Polymers 0.000 claims description 11
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 claims description 8
- 229920005672 polyolefin resin Polymers 0.000 claims description 7
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 claims description 6
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 claims description 6
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 claims description 6
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 claims description 5
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 claims description 5
- 238000013007 heat curing Methods 0.000 claims description 4
- 238000000016 photochemical curing Methods 0.000 claims description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 9
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 abstract description 9
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 abstract description 9
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 27
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 24
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 21
- -1 phenol aldehyde Chemical class 0.000 description 18
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 16
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 12
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 11
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 11
- 238000011085 pressure filtration Methods 0.000 description 10
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 9
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 9
- 239000000454 talc Substances 0.000 description 8
- 235000012222 talc Nutrition 0.000 description 8
- 229910052623 talc Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000013530 defoamer Substances 0.000 description 7
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- 239000007822 coupling agent Substances 0.000 description 6
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 6
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 6
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 description 6
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 description 6
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 6
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 6
- 229930185605 Bisphenol Natural products 0.000 description 5
- 238000010538 cationic polymerization reaction Methods 0.000 description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 description 5
- 239000003505 polymerization initiator Substances 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N C60 fullerene Chemical compound C12=C3C(C4=C56)=C7C8=C5C5=C9C%10=C6C6=C4C1=C1C4=C6C6=C%10C%10=C9C9=C%11C5=C8C5=C8C7=C3C3=C7C2=C1C1=C2C4=C6C4=C%10C6=C9C9=C%11C5=C5C8=C3C3=C7C1=C1C2=C4C6=C2C9=C5C3=C12 XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 4
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000280 densification Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 238000004736 wide-angle X-ray diffraction Methods 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 3
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 150000002460 imidazoles Chemical class 0.000 description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 3
- 239000007870 radical polymerization initiator Substances 0.000 description 3
- 150000004756 silanes Chemical class 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000002723 alicyclic group Chemical group 0.000 description 2
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 2
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 229910003472 fullerene Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 238000002290 gas chromatography-mass spectrometry Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 description 2
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- WYTZZXDRDKSJID-UHFFFAOYSA-N (3-aminopropyl)triethoxysilane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCN WYTZZXDRDKSJID-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JIYLMVHIGNKLLI-UHFFFAOYSA-N 1-triethoxysilylbut-2-en-1-one Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)C(=O)C=CC JIYLMVHIGNKLLI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000022 2-aminoethyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])N([H])[H] 0.000 description 1
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical compound [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001817 Agar Polymers 0.000 description 1
- KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N Butadiene Chemical class C=CC=C KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005062 Polybutadiene Substances 0.000 description 1
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 1
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 1
- XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N Vinyl acetate Chemical compound CC(=O)OC=C XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000006978 adaptation Effects 0.000 description 1
- 239000008272 agar Substances 0.000 description 1
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 1
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 1
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 1
- 229920000180 alkyd Polymers 0.000 description 1
- 150000001343 alkyl silanes Chemical class 0.000 description 1
- 238000003556 assay Methods 0.000 description 1
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 1
- 150000008366 benzophenones Chemical class 0.000 description 1
- 150000001638 boron Chemical class 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000004927 clay Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000001149 cognitive effect Effects 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 150000001993 dienes Chemical class 0.000 description 1
- 235000014113 dietary fatty acids Nutrition 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- ROORDVPLFPIABK-UHFFFAOYSA-N diphenyl carbonate Chemical compound C=1C=CC=CC=1OC(=O)OC1=CC=CC=C1 ROORDVPLFPIABK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XPPKVPWEQAFLFU-UHFFFAOYSA-N diphosphoric acid Chemical compound OP(O)(=O)OP(O)(O)=O XPPKVPWEQAFLFU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 150000002118 epoxides Chemical class 0.000 description 1
- NKSJNEHGWDZZQF-UHFFFAOYSA-N ethenyl(trimethoxy)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C=C NKSJNEHGWDZZQF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001033 ether group Chemical group 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000000194 fatty acid Substances 0.000 description 1
- 229930195729 fatty acid Natural products 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 230000008717 functional decline Effects 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011630 iodine Substances 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 238000012858 packaging process Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 150000002978 peroxides Chemical class 0.000 description 1
- 150000008301 phosphite esters Chemical class 0.000 description 1
- 150000003017 phosphorus Chemical class 0.000 description 1
- 229920003196 poly(1,3-dioxolane) Polymers 0.000 description 1
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 1
- 229920002857 polybutadiene Polymers 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 239000005056 polyisocyanate Substances 0.000 description 1
- 229920001228 polyisocyanate Polymers 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 125000004368 propenyl group Chemical group C(=CC)* 0.000 description 1
- 229940005657 pyrophosphoric acid Drugs 0.000 description 1
- 238000010526 radical polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000012508 resin bead Substances 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 230000009919 sequestration Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 125000003011 styrenyl group Chemical class [H]\C(*)=C(/[H])C1=C([H])C([H])=C([H])C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 150000005846 sugar alcohols Polymers 0.000 description 1
- 125000001273 sulfonato group Chemical class [O-]S(*)(=O)=O 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 150000003918 triazines Chemical class 0.000 description 1
- YUYCVXFAYWRXLS-UHFFFAOYSA-N trimethoxysilane Chemical compound CO[SiH](OC)OC YUYCVXFAYWRXLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AAEJUTBYDPCTSK-UHFFFAOYSA-N triphenylsulfanium borate Chemical compound [O-]B([O-])[O-].c1ccc(cc1)[S+](c1ccccc1)c1ccccc1.c1ccc(cc1)[S+](c1ccccc1)c1ccccc1.c1ccc(cc1)[S+](c1ccccc1)c1ccccc1 AAEJUTBYDPCTSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920006337 unsaturated polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000052 vinegar Substances 0.000 description 1
- 235000021419 vinegar Nutrition 0.000 description 1
- 238000009941 weaving Methods 0.000 description 1
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
- C08J3/00—Processes of treating or compounding macromolecular substances
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Abstract
本发明提供可充分地抑制水分和氧气等从外部侵入的有机器件用封装材料组合物以及将该组合物进行交联反应而得到的有机器件用的具有高阻隔性的封装材料。提供在基体聚合物中层叠状地分散含有片状无机化合物而成的有机器件用封装材料组合物以及将该封装材料组合物进行交联反应而得到的有机器件用封装材料。
Description
技术领域
本发明涉及有机器件用封装材料组合物、以及将该组合物进行交联反应而得到的有机器件用的具有高阻隔性的封装材料。
背景技术
近年来,作为利用有机薄膜的器件,例如光传感器、有机存储元件、显示元件、有机晶体管、有机薄膜太阳能电池、有机半导体元件、通信元件等正备受瞩目。例如有机薄膜太阳能电池为通过蒸镀等将有机物质薄膜状地层叠在电极上并利用通过光照射进行发电的原理的有机器件。通过利用有机薄膜,形成比以往的硅系太阳能电池“薄且柔软的”太阳能电池,被期待在更广范围中的应用。另外,有机薄膜太阳能电池通过利用印刷技术等,可以期待生产效率的提高或工艺成本的降低,因此,作为将来有前途的太阳能电池也备受期待。但是,利用有机薄膜的器件存在如下问题:由于水分和氧气等而变质,器件功能下降,由此,寿命下降。因此,需要具有高阻隔性的封装材料。此处,高阻隔性是指充分地抑制水分和氧气等从外部侵入的特性。作为对封装材料赋予高阻隔性的理论解释之一,广泛公知有迂回理论(非专利文献1)。迂回理论为如下理论:通过使填料分散在封装材料的基体成分中,水分或气体迂回穿过填料的间隙(在填料中迂回),因此,每单位时间的透过量变小(图1)。
作为应用了迂回理论的现有技术,例如提出光固化型树脂组合物(专利文献1),所述光固化型树脂组合物可适合用作难以透过水分且耐湿性优异、将有机电致发光元件进行封装的封装剂。该树脂组合物使用了平均粒径超过5μm的片状的无机填料。在使用较大的填料的情况下,如图2所示,填料随机地分散在基体中,抑制水分或气体的透过的作用不充分。需要说明的是,关于填料尺寸,在专利文献1的[0009]段中记载了在平均粒径低于5μm时,耐湿性变得不充分。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2006-291072号公报
非专利文献
非专利文献1:聚合物系纳米复合物从基础到最新开发.工业调查会,(2003)
发明内容
发明要解决的课题
本发明的课题在于提供可充分地抑制水分或氧气等从外部侵入的有机器件用封装材料组合物以及将该组合物进行交联反应而得到的有机器件用的具有高阻隔性的封装材料。
为了解决课题的手段
本发明涉及以下的发明。
1.有机器件用封装材料组合物,其是在基体聚合物中层叠状地分散含有片状无机化合物而成的。
2.有机器件用封装材料,其是将上述1的封装材料组合物进行交联反应而得到的。
3.根据上述2所述的有机器件用封装材料,其中,基体聚合物为环氧树脂、改性环氧树脂、聚氨酯树脂、聚碳酸酯树脂、聚丙烯酸酯树脂、改性烯烃树脂、聚酯树脂。
4.根据上述2所述的有机器件用封装材料,其中,片状无机化合物通过Microtrac法测得的平均粒径为0.5μm以上且低于5μm,长径和厚度之比(长径/厚度)的平均值为1.3~50。
5.根据上述4所述的有机器件用封装材料,其中,上述长径/厚度的平均值为1.3~25。
6.有机器件用封装材料,其为将有机器件用封装材料组合物夹持于平行相对的2张基材中而进行交联反应而得到的封装材料,所述有机器件用封装材料组合物为在基体聚合物中层叠状地分散含有片状无机化合物而成的,其中,在该封装材料膜的X射线衍射图中,确认到起因于封装材料中的片状无机化合物的衍射峰,在衍射峰中,非平行取向率α(Inp/Ip)在0~0.1的范围,所述非平行取向率α(Inp/Ip)是通过使片状无机化合物在与基材平行的方向进行取向的衍射峰的强度之和(Ip)为分母、在未与基材平行的方向进行取向的衍射峰的强度之和(Inp)为分子而得到的。
7.根据上述6所述的有机器件用封装材料,其中,所述α在0.0001~0.1的范围。
8.根据上述6~7中任一项所述的有机器件用封装材料,其中,Ip为可归属于(00c)面的峰的强度之和,Inp为(abc)面(a或者b均不为0)峰的强度之和。
本发明人进行了潜心研究,结果发现,在基体聚合物中分散的片状无机化合物的尺寸及形状在特定的范围,在以一定以上的比率且以片状无机化合物与基材平面平行的方式进行取向的状态下进行分散的情况下,发挥依据迂回理论的良好的高阻隔性,直至完成了本发明。
在本发明中,为了得到抑制水分和氧气等气体透过的封装材料,在基体聚合物中配合片状无机化合物及根据需要配合添加剂。该片状无机化合物优选通过Microtrac法测得的平均粒径为0.5μm以上且低于5μm,优选长径和厚度之比(长径/厚度)的平均值为1.3~50。将通过混合这些配合原料而得到的封装材料组合物夹持于平行相对的2张基材中进行交联反应,由此可得到大部分的片状无机化合物在与基材平面平行的方向进行取向的状态下进行分散的封装材料。
发明效果
根据本发明,可得到抑制水分和氧气等的透过的效果优异的有机器件用的高阻隔性的封装材料,可实现器件的长寿命化或封装宽度降低。
具体实施方式
在本发明中,作为基体聚合物,只要为与片状无机化合物的亲和性良好的基体聚合物即可,可例示环氧树脂、改性环氧树脂、聚氨酯树脂、聚碳酸酯树脂、聚丙烯酸酯树脂、改性烯烃树脂、聚酯树脂等。
作为环氧树脂,可例示:双酚A型、双酚F型、酚醛型、脂环型、缩水甘油胺型、氢化双酚A型等环氧树脂等。另外,作为改性环氧树脂,可例示:丙烯酸改性环氧树脂、聚丁二烯系改性环氧树脂、接枝改性环氧树脂、甲硅烷基化聚环氧树脂等。环氧树脂优选与固化促进剂、光自由基聚合引发剂等一起使用。
作为聚氨酯树脂,可例示:多元醇系聚氨酯树脂、多异氰酸酯系聚氨酯树脂、聚醚系聚氨酯树脂、聚酯系聚氨酯树脂、聚碳酸酯系聚氨酯树脂等。
作为聚碳酸酯树脂,可例示:聚改性双酚碳酸酯树脂、聚碳酸二苯酯树脂、聚酯碳酸酯树脂、接枝化聚碳酸酯树脂、将金属原子进行螯合化而成的聚碳酸酯树脂等。
作为聚丙烯酸酯树脂,可例示:聚乙二醇系多官能丙烯酸酯树脂、环氧改性丙烯酸酯树脂、聚氨酯改性丙烯酸酯树脂、甲硅烷基化丙烯酸酯树脂、改性醚链丙烯酸酯树脂、改性脂肪族丙烯酸酯树脂等。
作为改性烯烃树脂,可例示:环氧改性烯烃树脂、丙烯酸酯改性烯烃树脂、甲硅烷基化烯烃树脂、乙烯系聚合物、丙烯系聚合物、改性丁二烯系聚合物、改性苯乙烯系聚合物、还有各系统的共聚物等。
作为聚酯树脂,可例示:不饱和聚酯树脂、醇酸树脂、聚对苯二甲酸乙二醇酯以及改性聚酯树脂等。
作为片状无机化合物,可例示:粘土、云母、滑石、硅酸盐化合物等。
优选片状无机化合物通过Microtrac法测定的平均粒径为0.5μm以上且低于5μm,进一步优选1.5μm~4.8μm,特别优选2μm~4.5μm。Microtrac法使用了大塚电子制DLS-6000。优选长径和厚度之比(长径/厚度)的平均值为1.3~50,进一步优选为1.5~25,特别优选为2~20。
在片状无机化合物的平均粒径低于0.5μm的情况下,存在粒子进行二次凝聚的问题,在5μm以上的情况下,存在难以成为层叠状的问题。另外,在长径/厚度的平均值低于1.3的情况下,存在无机化合物不能说是片状而是在封装材料膜中在方向一致的状态下变得不能均匀分散的问题,在长径/厚度的平均值超过50的情况下,存在加工性变差的问题。
本发明的封装材料具有特征在于分散在基体聚合物中的片状无机化合物的分散状态,具体而言,其特征在于,如图3所示,大部分的片状无机化合物在与平行相对的2张基材平行的方向进行取向,且分散成层叠状(堆积)。
在图2中也示出未与基材平行的片状无机化合物,但这样的未与基材平行的片状无机化合物的比例变大时,层叠状态变得不明确,片状无机化合物和片状无机化合物的间隙变大或者变多,使水分或氧气等充分迂回的功能受损。
对在与基材平行的方向进行取向的片状无机化合物而言,在封装材料的X射线衍射图中,呈现出可从衍射角θ归属于(00c)面(c为自然数)的峰。在此,在将可归属于(00c)面的全部的峰的衍射强度之和设为Ip、将可归属于(abc)面(a或者b均不为0)的全部的峰即起因于不与基材平行的片状无机化合物的全部的峰的衍射强度之和设为Inp的情况下,只要两者之比(非平行取向率α=Inp/Ip)为0≤α≤0.1,则可以发挥水分和氧气等要透过封装材料中时进行迂回的功能。
c为自然数、为正(plus)的整数,不含0(zero),通常为1~20,优选为1~12。
在a的值为0的情况下,是指全部的片状无机化合物在与基材平行的方向进行取向(Inp=0)。
对在与基材平行的方向进行取向的片状无机化合物的分散状态而言,不需要如图4所示以中心线与基材垂直的方式进行层叠,可以如图5所示中心线在可称得上片状无机化合物重叠(层叠状)的程度下倾斜,也可以如图6所示混合存在图4和图5所示的状态。
对于Ip、Inp,进一步详细地进行说明。图7表示片状无机化合物粉末(未配合在封装材料中的原料粉末)的X射线衍射图,图8表示以往的封装材料(比较例1)的X射线衍射图,图9表示本发明的封装材料(实施例2)的X射线衍射图。均使用滑石作为片状无机化合物,对确认到峰的衍射角2θ和结晶面的关系而言,2θ=9.4°对应于(002)面,18.9°对应于(004)面,28.5°对应于(006)面,36.3°对应于(132)面。
在图7中也确认到许多上述(002)、(004)、(006)、(132)面以外的衍射峰,表示片状无机化合物未在特定的方向取向。在图8中,与图7相比,(00c)面以外的衍射峰比图7减少,表示片状无机化合物在与基材平行的方向取向。在图8中,在2θ=36.3°的位置确认到与(132)面对应的峰,成为表示来自其未与基材平行的结晶面的最大的衍射强度的峰。在图9中,与(132)面对应的位置的峰几乎消失,相对地确认到与(00c)面对应的峰强度比图7或图8都大。即,可判断本发明的封装材料中的片状无机化合物几乎全部在与基材平行的方向进行取向。
在本发明中,片状无机化合物的配合比例优选相对于100重量份基体聚合物为20~100重量份,进一步优选为40~80重量份。
片状无机化合物的配合量如果少于20重量份,则不足以为可发挥迂回作用的量,超过100重量份时,相对地基体聚合物的比例变少,基材密合性等基体聚合物应发挥的特性不足。
在本发明的基体聚合物中还可配合引发剂、偶联剂、相容剂、消泡剂等添加剂。
作为引发剂,可例示:过氧化物系引发剂、羧酸系引发剂、二苯甲酮系引发剂、硼盐系引发剂、磷系引发剂、三嗪系引发剂、磺酸盐系引发剂、咪唑系引发剂等。
作为偶联剂,可例示:γ-氨基丙基三乙氧基硅烷、N-β(氨基乙基)γ-氨基丙基三甲氧基硅烷、N-苯基-γ-氨基丙基三甲氧基硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷、甲基丙烯酰基三乙氧基硅烷、巯基三甲氧基硅烷、环氧改性硅烷、氨基甲酸酯改性硅烷、胺系钛酸酯偶联剂、亚磷酸酯系钛酸酯偶联剂、焦磷酸系钛酸酯偶联剂、羧酸系钛酸酯偶联剂等。
作为相容剂,可例示:脂肪族二烯聚合物系相容剂、聚烯烃系相容剂、脂环型二烯系相容剂、亚乙烯系相容剂、混合醋酸乙烯酯和丙烯醇的相容剂等。
作为消泡剂,可例示:丙烯酸系消泡剂、低粘度有机硅系消泡剂、醇系消泡剂、脂肪酸酯系消泡剂、聚醚系消泡剂等。
这些添加剂的配合比例优选相对于100重量份基体聚合物为0.1~20重量份。特别优选相对于100重量份基体聚合物为0.2~15重量份。
在本发明中,在基体聚合物中配合片状无机化合物及根据需要配合添加剂,使用珠磨机、均相混合机、球磨机、三辊机、捏合机等将其进行混合。优选使用球磨机、三辊机、捏合机等进行混合,由此可更简便且均匀地分散片状无机化合物。
通过上述方法将基体聚合物、片状无机化合物、上述的添加剂混合后,为了使应封装部的间隔为一定,可以进一步混合玻璃珠状、玻璃棒状、树脂珠状等的隔离物(spacer)。在混合隔离物的情况下,为了不使隔离物变形或被破坏,优选使用不施加强剪切力的混合方法。
本发明的封装材料可对上述的封装材料组合物进行交联反应而得到。作为交联反应,可例示热固化反应及/或光固化反应等。热固化的条件可例示70℃×2hr+130℃×4hr或80℃×2hr或80℃×24hr。光固化的条件可例示1~20J/cm2的条件。
附图说明
图1是被广泛认知的封装材料中的水分或气体的迂回理论的模型图;
图2是无机填料在树脂基体中随机地分散、水分或气体几乎未迂回的状态的模型图;
图3是本发明的无机填料排列成致密的层叠状态的模型图;
图4是本发明的无机填料的中心线垂直地排列成致密的层叠状态的模型图;
图5是本发明的无机填料的中心线稍倾斜地排列成致密的层叠状态的模型图;
图6是混合本发明的无机填料的中心线垂直的情况和倾斜的情况排列成致密的层叠状态的模型图;
图7表示片状无机化合物粉末的广角X射线衍射图例;
图8表示比较例1的封装材料的广角X射线衍射图例;
图9表示实施例2的封装材料的广角X射线衍射图例;
图10是有机薄膜太阳能电池的器件结构的概略图。
实施例
以下,通过实施例对本发明进行进一步详细说明,但并不限定于这些实施例。
用于本发明的实验的有机器件通过以下的工艺制作。
如图10所示,在有机薄膜太阳能电池的基板上预先涂布透明电极材料ITO(IndiumTinOxide)薄膜,再进行蚀刻,由此完成电极配置。在电极上通过旋涂装置涂布导电性材料聚(3,4-乙烯二氧噻吩)(PEDOT)及聚苯乙烯磺酸(PSS),再进行120℃、20分钟热处理。在其上通过真空蒸镀依次涂布作为P型半导体材料的酞菁锌(ZnPc)、酞菁锌(ZnPc)和富勒烯(C60)混合而成的纳米结构层、以及作为n型半导体材料的富勒烯(C60)。
最后,以LiF和Al作为阴极,按照该顺序通过真空蒸镀进行涂布。通过荫罩控制蒸镀部位。
在填充氮气的手套箱中将涂布有封装材料的封盖和基板粘在一起并进行压接,最后通过紫外线照射和热处理完成封装工序。需要说明的是,作为器件封装用隔离物,本例示使用玻璃珠隔离物。
实施例1
将100重量份作为基体聚合物的双酚A型环氧树脂(jER828、三菱化学制)、50重量份片状无机化合物(云母、平均粒径4.5μm、长径/厚度为25)、5重量份添加剂(碘系光阳离子聚合引发剂)、10重量份添加剂(长链烷基硅烷偶联剂)进行混合,利用三辊机进行混炼分散,进行加压过滤,将2重量份器件封装用隔离物进行混合、分散,得到本发明的封装材料组合物。
使用分配器将该组合物在上述器件的欲封装处涂布,贴合帽部后,使用紫外线灯进行10J/cm2紫外线照射,再在80℃×1hr的条件下进行热处理,从而进行器件的封装。
实施例2
通过捏合机将100重量份作为基体聚合物的双酚F型环氧树脂(jER807、三菱化学制)、60重量份片状无机化合物(滑石、平均粒径3μm、长径/厚度为20)、10重量份添加剂(锑(Sb)系光阳离子聚合引发剂)、6重量份添加剂(环氧改性硅烷偶联剂)进行混炼分散,进行加压过滤,将2重量份器件封装用隔离物进行混合、分散,得到本发明的封装材料组合物。在与上述实施例1同样的条件下进行有机器件的封装。
实施例3
通过捏合机将100重量份作为基体聚合物的丙烯酸改性环氧树脂(フタルキッドW795、日立化成制)、55重量份片状无机化合物(二氧化硅、平均粒径2μm、长径/厚度为5)、5重量份添加剂(咪唑系固化引发剂)、10重量份添加剂(环氧改性硅烷偶联剂)进行混炼分散,进行加压过滤,将2重量份器件封装用隔离物进行混合分散,得到本发明的封装材料组合物。
使用丝网印刷装置将该组合物涂布在欲封装器件处,贴合帽部后,在70℃×2hr+130℃×4hr的条件下进行热固化,进行器件的封装。
实施例4
通过球磨机将100重量份作为基体聚合物的双酚F型环氧树脂(jER807、三菱化学制)、60重量份片状无机化合物(滑石、平均粒径2.5μm、长径/厚度为15)、5重量份锑系光阳离子聚合引发剂、8重量份环氧改性硅烷偶联剂进行混炼分散,进行加压过滤,将2重量份器件封装用隔离物进行混合、分散,得到本发明的封装材料组合物。在与上述实施例1同样的条件下进行有机器件的封装。
实施例5
通过捏合机将100重量份作为基体聚合物的丙烯酸酯型聚氨酯树脂(V-4006、DIC制)、65重量份片状无机化合物(滑石、平均粒径3μm、长径/厚度为2)、5重量份烷基苯酮系光自由基聚合引发剂、13重量份环氧改性硅烷偶联剂进行混炼分散,进行加压过滤,将2重量份器件封装用隔离物进行混合、分散,得到本发明的封装材料组合物。在与上述实施例1同样的条件下进行有机器件的封装。
比较例1
通过捏合机将100重量份作为基体聚合物的双酚F型环氧树脂(jER807、三菱化学制)、40重量份片状无机化合物(滑石、平均粒径10μm、长径/厚度为100)、5重量份添加剂(锑(Sb)系光阳离子聚合引发剂)、15重量份添加剂(环氧改性硅烷偶联剂)进行混炼分散,进行加压过滤,将2重量份器件封装用隔离物进行混合、分散,得到封装材料组合物。在与上述实施例1同样的条件下进行有机器件的封装。
比较例2
通过均相混合机将100重量份作为基体聚合物的双酚A型环氧树脂(jER828、三菱化学制)、55重量份片状无机化合物(云母、平均粒径50μm、长径/厚度为20)、5重量份添加剂(锑(Sb)系光阳离子聚合引发剂)、20重量份添加剂(环氧改性硅烷偶联剂)进行混炼分散,进行加压过滤,将2重量份器件封装用隔离物进行混合、分散,得到封装材料组合物。在与上述实施例1同样的条件下进行有机器件的封装。
比较例3
通过三辊机将100重量份作为基体聚合物的双酚A型环氧树脂(jER828、三菱化学制)、50重量份片状无机化合物(滑石、平均粒径22.5μm、长径/厚度为80)、3重量份添加剂(三苯基锍硼酸盐)、10重量份添加剂(环氧改性硅烷偶联剂)进行混炼、分散,进行加压过滤,将2重量份器件封装用隔离物进行混合、分散,得到封装材料组合物。在与上述实施例1同样的条件下进行有机器件的封装。
比较例4
通过球磨机将100重量份作为基体聚合物的丙烯酸酯型聚氨酯树脂(V-4006、DIC制)、60重量份片状无机化合物(滑石、平均粒径30μm、长径/厚度为20)、5重量份添加剂(烷基苯酮系光自由基聚合引发剂)、12重量份添加剂(环氧改性硅烷偶联剂)进行混炼分散,进行加压过滤,将2重量份器件封装用隔离物进行混合、分散,得到封装材料组合物。在与上述实施例1同样的条件下进行有机器件的封装。
比较例5
通过球磨机将100重量份作为基体聚合物的双酚F型环氧树脂(jER807、三菱化学制)、50重量份片状无机化合物(二氧化硅、平均粒径15μm、长径/厚度为50)、10重量份添加剂(咪唑系固化引发剂)、10重量份添加剂(环氧改性硅烷偶联剂)进行混炼分散,进行加压过滤,将2重量份器件封装用隔离物进行混合、分散,得到封装材料组合物。在与上述实施例3同样的条件下进行有机器件的封装。
评价方法1
封装材料固化物的广角X射线衍射测定通过Rigaku制Smartlab装置来进行。计算用软件使用Rigaku公司“综合粉末X射线解析软件PDXL”并将在2θ=3~90°的范围内出现的在与基材平行的方向进行取向的衍射峰的强度值和设为Ip、将在相同范围内出现的在未与基材平行的方向进行取向的衍射峰的强度之和设为Inp。
评价方法2
寿命试验
在60℃、90%RH的环境条件下,进行封装了的有机薄膜太阳能电池的耐久性试验。
一边进行耐久性试验一边对有机薄膜太阳能电池器件照射紫外光,由此拍摄太阳能电池器件的荧光发光状态。未发光处被称为暗点,将该暗点数(或从器件的边缘进入的距离)作为器件寿命评价的根据。实际上对实施例和比较例的暗点数(或自器件边缘的进入距离)进行测定,对器件劣化速度进行评价。
在暗点数到达总元件数的10%时,定义为有机薄膜太阳能电池的寿命,将至此所花费的时间作为耐久性试验的结果。
评价方法3
脱气(outgas)的测定在110℃下使用GC/MS(使TurboMatrix40的顶空与株式会社パーキンエルマージャパン制Clarus500的GC/MS一致)进行。将得到的数据变更为甲苯换算值。
评价方法4
水分透过率测定使用杯法水分测定装置来进行。测定方法依据JISZ0208,测定条件为40℃、90%RH。
评价方法5
在对粘合强度进行评价时,首先在基材和封盖材之间涂布封装材料组合物,通过与上述实施例1同样的方法封装器件。
用夹具夹住封装的器件基材和封盖材,使用(岛津制作所制AG-500NI)进行同轴拉伸试验,将该试验中得到的拉伸强度作为粘合强度。
将通过各实施例和比较例的X射线衍射得到的取向状态、特性和结果示于表1。
表1
工业上的可利用性
根据本发明,可以提供容易抑制水分和氧气等气体透过的具有高阻隔性,适用于有机器件封装的封装材料。该封装材料不仅可应用于有机薄膜太阳能电池、显示元件等有机器件,还应用于对阻隔性要求高的半导体器件,可期待活跃在更加广泛的领域中。
Claims (11)
1.有机器件用封装材料组合物,其是在基体聚合物中层叠状地分散含有片状无机化合物而成的,所述片状无机化合物通过Microtrac法测得的平均粒径为0.5μm以上且低于5μm,长径和厚度之比(长径/厚度)的平均值为1.3~50。
2.有机器件用封装材料,其是将权利要求1的封装材料组合物进行交联反应而得到的。
3.根据权利要求2所述的有机器件用封装材料,其中,基体聚合物为环氧树脂、改性环氧树脂、聚氨酯树脂、聚碳酸酯树脂、聚丙烯酸酯树脂、改性烯烃树脂、聚酯树脂。
4.根据权利要求2所述的有机器件用封装材料,其中,所述长径/厚度的平均值为1.3~25。
5.有机器件用封装材料,其为将有机器件用封装材料组合物夹持于平行相对的2张基材中而进行交联反应而得到的封装材料,所述有机器件用封装材料组合物为在基体聚合物中层叠状地分散含有片状无机化合物而成的,所述片状无机化合物通过Microtrac法测定的平均粒径为0.5μm以上且低于5μm,长径和厚度之比(长径/厚度)的平均值为1.3~50,
其中,在该封装材料膜的X射线衍射图中,确认到起因于封装材料中的片状无机化合物的衍射峰,在衍射峰中,非平行取向率α(Inp/Ip)在0~0.1的范围,所述非平行取向率α(Inp/Ip)是通过使片状无机化合物在与基材平行的方向进行取向的衍射峰的强度之和(Ip)为分母、在未与基材平行的方向进行取向的衍射峰的强度之和(Inp)为分子而得到的。
6.根据权利要求5所述的有机器件用封装材料,其中,所述α在0.0001~0.1的范围。
7.根据权利要求5~6中任一项所述的有机器件用封装材料,其中,Ip为可归属于(00c)面的峰的强度之和,Inp为(abc)面峰的强度之和,a或者b均不为0。
8.有机器件用封装材料,其是通过热固化或光固化将权利要求1的封装材料组合物进行交联反应而得到的。
9.有机器件用封装材料组合物,其是在基体聚合物中层叠状地分散含有片状无机化合物而成的,所述片状无机化合物通过Microtrac法测定的平均粒径为1μm以上且低于5μm,长径和厚度之比(长径/厚度)的平均值为1.3~50。
10.有机器件用封装材料,其为将封装材料组合物进行交联反应而得到的封装材料、为将所述封装材料组合物夹持于平行相对的2张基材中而进行交联反应而得到的封装材料,所述封装材料组合物为在基体聚合物中层叠状地分散含有片状无机化合物而成的,所述片状无机化合物通过Microtrac法测得的平均粒径为0.5μm以上且低于5μm、长径和厚度之比(长径/厚度)的平均值为1.3~50,
其中,在该封装材料膜的X射线衍射图中,确认到起因于封装材料中的片状无机化合物的衍射峰,在衍射峰中,非平行取向率α(Inp/Ip)在0~0.1的范围,所述非平行取向率α(Inp/Ip)是通过使片状无机化合物在与基材平行的方向进行取向的衍射峰的强度之和(Ip)为分母、在未与基材平行的方向进行取向的衍射峰的强度之和(Inp)为分子而得到的。
11.根据权利要求10所述的有机器件用封装材料,其中,Ip为可归属于(00c)面的峰的强度之和,Inp为(abc)面峰的强度之和,a或者b均不为0。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011165809A JP5906550B2 (ja) | 2011-07-28 | 2011-07-28 | ハイバリア性を有する封止材 |
JP2011-165809 | 2011-07-28 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN102898782A CN102898782A (zh) | 2013-01-30 |
CN102898782B true CN102898782B (zh) | 2016-07-13 |
Family
ID=47571287
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201210264188.1A Active CN102898782B (zh) | 2011-07-28 | 2012-07-27 | 具有高阻隔性的封装材料 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5906550B2 (zh) |
KR (1) | KR101668140B1 (zh) |
CN (1) | CN102898782B (zh) |
TW (1) | TWI496826B (zh) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104051357B (zh) | 2013-03-15 | 2017-04-12 | 财团法人工业技术研究院 | 环境敏感电子装置以及其封装方法 |
JP6699171B2 (ja) * | 2013-10-02 | 2020-05-27 | 株式会社村田製作所 | 電池、電解質、電池パック、電子機器、電動車両、蓄電装置および電力システム |
CN104637886B (zh) | 2013-11-12 | 2017-09-22 | 财团法人工业技术研究院 | 折叠式封装结构 |
CN105754273B (zh) * | 2016-03-11 | 2018-04-20 | 安徽金兑新材料科技有限公司 | 一种阻隔水汽的聚合纳米薄膜及其制备方法 |
CN105802179B (zh) * | 2016-05-06 | 2017-04-05 | 辽宁大禹防水科技发展有限公司 | 一种用于防水卷材的高强树脂胎基及其制备方法 |
EP3552821B1 (en) * | 2016-12-09 | 2023-01-11 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Gas barrier film |
CN109988413A (zh) * | 2017-12-29 | 2019-07-09 | 深圳光启尖端技术有限责任公司 | 一种气体阻隔材料及其制备方法 |
CN114990753A (zh) * | 2022-06-17 | 2022-09-02 | 烟台经纬智能科技有限公司 | 一种发光变色纤维及其一步成型制备方法 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6916527B2 (en) * | 2001-01-18 | 2005-07-12 | Matsushita Electric Works, Ltd. | Resin moldings |
JP4906195B2 (ja) * | 2001-04-13 | 2012-03-28 | 白石工業株式会社 | 板状炭酸カルシウムを含む含塩素高分子化合物組成物 |
JP2003041019A (ja) * | 2001-07-26 | 2003-02-13 | Toray Ind Inc | 熱可塑性樹脂フィルム |
JP2004179275A (ja) * | 2002-11-26 | 2004-06-24 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 半導体装置 |
JP4526776B2 (ja) * | 2003-04-02 | 2010-08-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置及び電子機器 |
JP2006056969A (ja) * | 2004-08-19 | 2006-03-02 | Nippon Steel Chem Co Ltd | エポキシ樹脂組成物およびその硬化物 |
JP2006249343A (ja) * | 2005-03-14 | 2006-09-21 | Mitsui Chemicals Inc | エポキシ樹脂組成物および半導体素子収納用パッケージ |
JP2006291072A (ja) * | 2005-04-12 | 2006-10-26 | Sekisui Chem Co Ltd | 光硬化型樹脂組成物、有機エレクトロルミネッセンス素子用接着剤、有機エレクトロルミネッセンス表示素子、及び、有機エレクトロルミネッセンス表示素子の製造方法 |
JP2008095001A (ja) * | 2006-10-13 | 2008-04-24 | Nippon Electric Glass Co Ltd | 封止用組成物 |
JP4780041B2 (ja) * | 2007-06-07 | 2011-09-28 | 住友ベークライト株式会社 | 半導体用樹脂ペースト及び半導体装置 |
JP5258723B2 (ja) * | 2008-09-24 | 2013-08-07 | 積水化学工業株式会社 | 電子部品用接着剤及び電子部品積層体 |
JP5332464B2 (ja) * | 2008-09-30 | 2013-11-06 | 住友ベークライト株式会社 | 樹脂組成物および樹脂組成物を使用して作製した半導体装置 |
KR101712216B1 (ko) * | 2008-12-10 | 2017-03-03 | 스미토모 베이클리트 컴퍼니 리미티드 | 반도체 봉지용 수지 조성물, 반도체 장치의 제조 방법 및 반도체 장치 |
US9136195B2 (en) * | 2009-07-17 | 2015-09-15 | Tyco Electronics Corporation | Oxygen barrier compositions and related methods |
-
2011
- 2011-07-28 JP JP2011165809A patent/JP5906550B2/ja active Active
-
2012
- 2012-07-24 KR KR1020120080355A patent/KR101668140B1/ko active IP Right Grant
- 2012-07-27 TW TW101127164A patent/TWI496826B/zh active
- 2012-07-27 CN CN201210264188.1A patent/CN102898782B/zh active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR101668140B1 (ko) | 2016-10-20 |
KR20130014375A (ko) | 2013-02-07 |
JP5906550B2 (ja) | 2016-04-20 |
CN102898782A (zh) | 2013-01-30 |
JP2013028722A (ja) | 2013-02-07 |
TWI496826B (zh) | 2015-08-21 |
TW201313805A (zh) | 2013-04-01 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
REG | Reference to a national code |
Ref country code: HK Ref legal event code: DE Ref document number: 1181063 Country of ref document: HK |
|
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
REG | Reference to a national code |
Ref country code: HK Ref legal event code: WD Ref document number: 1181063 Country of ref document: HK |