CN102881579A - 通过边角圆化浮栅提高数据保持力的方法及mos晶体管 - Google Patents

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张�雄
康军
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Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp
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Abstract

本发明提供了一种通过边角圆化浮栅提高数据保持力的方法及MOS晶体管。所述方法包括：第一步骤，用于在硅片表面形成第一栅极氧化物层；第二步骤，用于在所述第一栅极氧化物层上形成浮栅；第三步骤，用于通过各向同性刻蚀对所述浮栅进行刻蚀，从而使得所述浮栅的上边角部被圆化；第四步骤，用于在所述浮栅上形成第二栅极氧化物层；第五步骤，用于在所述第二栅极氧化物层上形成控制栅。在本发明提供的通过边角圆化浮栅提高数据保持力的方法中，由于上边角部通过各向同性刻蚀而被圆化，从而减弱或消除了浮栅的上边角部的局部的电场增强效应，因而不会出现较大的电荷损失，由此降低了造成数据保持失效的可能性。

Description

通过边角圆化浮栅提高数据保持力的方法及MOS晶体管
技术领域
本发明涉及半导体制造工艺，更具体地说，本发明涉及一种通过边角圆化浮栅提高数据保持力的方法以及采用该通过边角圆化浮栅提高数据保持力的方法而制成的MOS晶体管。
背景技术
在EPROM（Erasable Programmable Read-Only Memory，可擦除可编程只读存储器）、EEPROM（Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory，电可擦可编程只读存储器）、Flash（闪存）存储器等都广泛采用了浮栅技术。
采用浮栅技术的MOS晶体管有两个多晶硅形成的栅极,其中一个有电气连接,一般被称为控制栅,也就是一般意义上的栅极;还有一个没有外引线,他被完全包裹在一层二氧化硅介质层里面,是浮空的,所以称之为浮栅。
具体地说，图1示意性地示出了根据现有技术的具有浮栅的栅极结构。
如图1所示，具有浮栅的栅极结构包括第一栅极氧化物层1、布置在第一栅极氧化物层1上的浮栅2、布置在浮栅2上的第二栅极氧化物层3、以及布置在第二栅极氧化物层3上的控制栅4。图2至图4示意性地示出了根据现有技术的具有其他形状的浮栅的栅极结构。
对于图1至图4所示的具有浮栅的栅极结构，由于浮栅2靠近第二栅极氧化物层3的边角部分由于局部的电场增强效应而会出现较大的电荷损失（如图8的箭头所示），由此有可能造成数据保持失效。
因此，希望能够提供一种能够提高数据保持力的技术方案。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是针对现有技术中存在上述缺陷，提供一种能够通过边角圆化浮栅提高数据保持力的方法。
为了实现上述技术目的，根据本发明的第一方面，提供了一种通过边角圆化浮栅提高数据保持力的方法，其包括：第一步骤，用于在硅片表面形成第一栅极氧化物层；第二步骤，用于在所述第一栅极氧化物层上形成浮栅；第三步骤，用于通过各向同性刻蚀对所述浮栅进行刻蚀，从而使得所述浮栅的上边角部被圆化。
优选地，上述通过边角圆化浮栅提高数据保持力的方法还包括：第四步骤，用于在所述浮栅上形成第二栅极氧化物层；第五步骤，用于在所述第二栅极氧化物层上形成控制栅。
优选地，所述浮栅具有矩形截面。
优选地，所述浮栅具有凹槽截面。
优选地，所述浮栅具有山字形截面。
优选地，所述通过边角圆化浮栅提高数据保持力的方法用于制造EPROM、EEPROM、或Flash存储器。
根据本发明的第二方面，还提供了一种采用本发明第一方面所述的通过边角圆化浮栅提高数据保持力的方法而制成的MOS晶体管。
在本发明提供的通过边角圆化浮栅提高数据保持力的方法中，由于上边角部通过各向同性刻蚀而被圆化，从而减弱或消除了浮栅的上边角部的局部的电场增强效应，因而不会出现较大的电荷损失，由此降低了造成数据保持失效的可能性。
附图说明
结合附图，并通过参考下面的详细描述，将会更容易地对本发明有更完整的理解并且更容易地理解其伴随的优点和特征，其中：
图1示意性地示出了根据现有技术的具有浮栅的栅极结构。
图2至图4示意性地示出了根据现有技术的具有其他形状的浮栅的栅极结构。
图5至图7示意性地示出了根据本发明实施例的具有浮栅的栅极结构。
图8示意性地示出了根据现有技术的具有浮栅的栅极结构的局部放大图。
图9示意性地示出了根据本发明实施例的具有浮栅的栅极结构的局部放大图。
需要说明的是，附图用于说明本发明，而非限制本发明。注意，表示结构的附图可能并非按比例绘制。并且，附图中，相同或者类似的元件标有相同或者类似的标号。
具体实施方式
为了使本发明的内容更加清楚和易懂，下面结合具体实施例和附图对本发明的内容进行详细描述。
本发明实施例提供了一种通过边角圆化浮栅提高数据保持力的方法包括：
第一步骤，用于在硅片表面形成第一栅极氧化物层1；
第二步骤，用于在第一栅极氧化物层1上形成浮栅2；
第三步骤，用于通过各向同性刻蚀对浮栅2进行刻蚀，从而使得浮栅2的上边角部被圆化；
第四步骤，用于在浮栅2上形成第二栅极氧化物层3；
第五步骤，用于在第二栅极氧化物层3上形成控制栅4。
对比图2所示的根据现有技术的栅极结构以及图5所示的根据本发明实施例的栅极结构（其中浮栅2具有矩形截面）、图3所示的根据现有技术的栅极结构以及图6所示的根据本发明实施例的栅极结构（其中浮栅2具有凹槽截面）、以及图5所示的根据现有技术的栅极结构以及图7所示的根据本发明实施例的栅极结构（其中浮栅2具有山字形截面），可以看出，对于各种形状的浮栅2，根据本发明实施例的提高数据保持力的方法使得栅极结构的浮栅2的上边角部被圆化。
由此，如图9所示，在本发明实施例提供的通过边角圆化浮栅提高数据保持力的方法中，由于上边角部通过各向同性刻蚀而被圆化，从而减弱或消除了浮栅2的上边角部的局部的电场增强效应，因而不会出现较大的电荷损失（如图9的箭头所示），由此降低了造成数据保持失效的可能性。
优选地，例如，所述通过边角圆化浮栅提高数据保持力的方法可有利地用于制造EPROM、EEPROM、或Flash存储器。
在本发明的另一实施例中，本发明还提供了一种采用上述通过边角圆化浮栅提高数据保持力的方法而制成的MOS晶体管。
此外，需要说明的是，除非特别说明或者指出，否则说明书中的术语“第一”、“第二”、“第三”等描述仅仅用于区分说明书中的各个组件、元素、步骤等，而不是用于表示各个组件、元素、步骤之间的逻辑关系或者顺序关系等。
可以理解的是，虽然本发明已以较佳实施例披露如上，然而上述实施例并非用以限定本发明。对于任何熟悉本领域的技术人员而言，在不脱离本发明技术方案范围情况下，都可利用上述揭示的技术内容对本发明技术方案作出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例。因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化及修饰，均仍属于本发明技术方案保护的范围内。

Claims (7)

1.一种通过边角圆化浮栅提高数据保持力的方法，其特征在于包括：
第一步骤，用于在硅片表面形成第一栅极氧化物层；
第二步骤，用于在所述第一栅极氧化物层上形成浮栅；
第三步骤，用于通过各向同性刻蚀对所述浮栅进行刻蚀，从而使得所述浮栅的上边角部被圆化。
2.根据权利要求1所述的通过边角圆化浮栅提高数据保持力的方法，其特征在于还包括：
第四步骤，用于在所述浮栅上形成第二栅极氧化物层；
第五步骤，用于在所述第二栅极氧化物层上形成控制栅。
3.根据权利要求1或2所述的通过边角圆化浮栅提高数据保持力的方法，其特征在于，所述浮栅具有矩形截面。
4.根据权利要求1或2所述的通过边角圆化浮栅提高数据保持力的方法，其特征在于，所述浮栅具有凹槽截面。
5.根据权利要求1或2所述的通过边角圆化浮栅提高数据保持力的方法，其特征在于，所述浮栅具有山字形截面。
6.根据权利要求1或2所述的通过边角圆化浮栅提高数据保持力的方法，其特征在于，所述通过边角圆化浮栅提高数据保持力的方法用于制造EPROM、EEPROM、或Flash存储器。
7.一种采用根据权利要求1至6之一所述的通过边角圆化浮栅提高数据保持力的方法而制成的MOS晶体管。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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