CN102859436B - 移除材料及转印图案的方法及系统 - Google Patents

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Abstract

本发明描述了可通过在受控组合物的气体气氛中暴露于来自能量源的真空紫外(VUV)辐射移除基板上的聚合材料。本发明还描述了在进行所述移除后，用另外的蚀刻技术进行纳米压印。

Description

移除材料及转印图案的方法及系统
相关申请的交叉引用
本申请案要求2010年1月27日提交的美国专利申请案序号第61/298734号、2010年1月28日提交的美国专利申请案序号第61/299097号、以及2011年1月26日提交的美国专利申请案序号第13/014508号之优先权，这些专利申请案之全文皆在此并入本案以为参考。
背景技术
纳米制造包括制造具有约100纳米或更小的特征件的很小的结构。一种其中纳米制造已具有相当大的影响之应用为集成电路加工。半导体加工工业持续为更大的生产率且同时可增加在基板上所形成的每单位面积之电路而努力，因此，纳米制造变得愈来愈重要。纳米制造提供更大的工艺控制且同时可持续地降低所形成结构体的最小特征件尺寸。其中纳米制造业经使用的其它研发领域包括生物科技、光学科技、机械系统等。
一种现在被使用的示例性纳米制造技术通称为压印光刻法。示例性的压印光刻法工艺详细描述在许多公开出版物内，诸如美国专利公开第2004/0065976号、美国专利公开第2004/0065252号、以及美国专利第6936194号，这些专利文献全部在此并入本案以为参考资料。
一种揭示在各上述美国专利公开案及专利案内的压印光刻技术包括在可成形(可聚合)层内形成浮雕图案，并将与该浮雕图案相对应的图案转印入下方的基板内。该基板可以与运动平台结合以获得可促进该图案化方法的所需定位。该图案化方法使用模板，其与该基板及施加在该模板与基板之间的可成形液体分隔开。使得该可成形液体固化以形成具有符合接触该可成形液体的所述模板表面形状的图案的硬质层。固化后，使该模板与硬质层分离，使得所述模板与基板分隔开。然后使该基板及固化的层接受另外的方法处置，从而将浮雕图像转印入基板中，该浮雕图像与所述固化层中的图案相一致。
在许多情况下，所述固化的层会在所述基板的一些部分之上形成残留层，该残留层必须在后续的工艺中除去，所述后续加工步骤可包括将该浮雕图像转印入基板内。
发明内容
本发明提供用于移除基板上的固化的可聚合材料并用于将图案转印到硬掩模层或基板上的方法及系统。
在一方面中，所述方法包括在基板的至少一部份上形成具有残留层的图案化层，并定位该基板，以使得具有所述残留层的基板的一部份与提供的真空紫外(VUV)辐射源对齐。在基板的所述部份与真空紫外(VUV)辐射源之间提供包含小于21%的氧气的气体组合物。对所述基板进行真空紫外(VUV)辐射照射以移除该残留层。在一方面中，所述提供的气体组合物包含小于21%的氧气。在其它方面，所述提供的气体组合物包含小于10%的氧气或小于5%的氧气。在又另一方面，所述真空紫外(VUV)辐射封闭在具有暴光孔的室内，并且将所述提供的气体组合物提供给所述室。
在其它方面中，系统包括真空紫外(VUV)辐射源；处置器，所述处置器进行构型设计，用来保持基板，所述处置器定位在与所述真空紫外(VUV)辐射相对的位置，且可以相对于该VUV辐射移动；以及两个或更多个贮器，所述贮器各自进行构型设计，用来保留气体，并且在所述真空紫外(VUV)辐射源和基板之间局部提供所述气体。控制单元连接至所述贮器，并通过编程控制从各贮器所输送的气体量，以便在所述真空紫外(VUV)辐射源与该基板之间提供特定的气体混合物。在另一方面中，该真空紫外(VUV)辐射被封闭在具有暴光孔的室内，且将所述提供的气体组合物提供至该室。在又另一方面中，该暴光孔可以使该室与基板处置器之间流体连通。
在各方面中，可以提供140-190纳米波长的真空紫外(VUV)辐射。在其它方面中，可提供具有约172纳米之峰值强度及约15纳米FWHM的光谱带宽的真空紫外(VUV)辐射。
另外的方面包括在材料移除后，转印图案。在一方面中，使用用来移除部份的所述硬掩模的分批工艺步骤将图案转印至所述硬掩模。在另一方面中，该分批工艺使用氢氟酸。在其它方面中，可移除该图案化层，且使用可移除部份所述基板的分批工艺步骤以将所述图索转印至所述基板。在其中该基板为硅且该硬掩模为氧化硅的另外方面中，氢氧化钾可用于该分批工艺中。
可以以不同于上述之方式合并文中所述之各方面及实施方式。通过以下详细描述、附图和权利要求书，可以明白地了解其它方面、特征及优点。
附图简要说明
因此可详细地了解本发明之特征及优点，可参考附图中所阐明的实施例而更详细描述本发明该等实施例。然而值得注意的是，该等附图仅阐明本发明之典型实施例，且因此不被视为对其范围的限制，因为本发明容许其它同样有效的实施例。
图1显示光刻系统的简化侧视图。
图2显示图1所示的基板（其上具有图案化的层）的简化侧视图。
图3显示根据本发明用来除去固化的可聚合材料的示例性系统的方框图。
图4显示用来除去固化的可聚合材料的示例性方法的流程图。
图5显示在暴露于辐射之前，40纳米半节距的抗蚀剂特征件的原子力显微图（AFM）轮廓。
图6显示通过在空气中暴露于辐射(VUV)而移除残留层的速率的图。
图7显示在空气中暴露于辐射(VUV)30秒后，40纳米半节距抗蚀剂特征件的AFM轮廓。
图8显示在空气中暴露于辐射(VUV)60秒后，40纳米半节距抗蚀剂特征件的AFM轮廓。
图9显示在减少氧气的环境中暴露于辐射(VUV)而移除残留层的速率的图。
图10显示在减少氧气的环境中暴露于辐射(VUV)30秒之后，40纳米半节距抗蚀剂特征件的AFM轮廓。
图11显示在减少氧气的环境中暴露于辐射(VUV)60秒之后，40纳米半节距抗蚀剂特征件的AFM轮廓。
图12-17显示根据本发明的示例性纳米图案化方法的简化侧视圆。
图18-23为通过图12-17所述的纳米图案化方法形成的结构的黑白显微照片。
具体实施方式
参见附图，特别是参见图1，图中显示用来在基板12上形成浮雕图案的光刻系统10。基板12可以与基板夹盘14连接。如图所示，基板夹盘14为真空夹盘。然而，基板夹盘14可以是任何夹盘，其包括但不限于真空、销型、槽沟型、静电、电磁、及/或其它种类。示例性的夹盘描述在美国专利第6873087号中，该专利在此并入本案以为参考。
基板12及基板夹盘14可进一步被平台16而支撑。平台16可提供沿着x、y及z轴进行的平移及/或旋转运动。平台16、基板12、及基板夹盘14亦可定位在底座(图中未显示)上。
模板18与基板12分隔开。模板18可包括具有第一侧及第二侧的主体，且其中一侧具有从其自身朝向基板12延伸的平顶台(mesa)20。平顶台20之上具有图案化表面。而且，平顶台20可称为模具。或者，模板18可在不使用平顶台20的情况下形成。
可由以下材料形成模板18及/或模具20，所述材料包括，但不限于熔凝硅石、石英、硅、有机聚合物、硅氧烷聚合物、硼硅酸盐玻璃、氟碳聚合物、金属、硬化蓝宝石、及/或其它材料。如图所示，图案化表面22包括由多个分隔的凹部24及/或突出部26界定的特征件，但是本发明的实施方式并不限于此等构形(例如平坦表面)。图案化表面22可界定任何原始图案，所述原始图案能形成将要在基板12上形成的图案的基础。
模板18可以与夹盘28结合。夹盘28可设计成以下形式，但不限于此：真空、销型、槽型、静电、电磁、及/或其它类似夹盘类型。示例性夹盘进一步描述在美国专利第6873087号中，其在此并入本案以为参考。此外，夹盘28可以与压印头30结合，因此夹盘28及/或压印头30可构型设计成能促进模板18的移动。
系统10可进一步包括流体分配系统32。可使用流体分配系统32将可成形材料34(例如可聚合材料)沉积在基板12上。可使用以下技术：诸如液滴分配法、旋涂法、浸涂法、化学气相沉积法(CVD)、物理气相沉积法(PVD)、薄膜沉积法、厚膜沉积法、及/或其它的方法将可成形材料34定位在基板12上。根据设计考虑，可在模具22与基板12之间界定所需体积之前及/或之后，将可成形材料34设置在基板12上。可成形材料34可以是能使用在生物领域、太阳能电池工业、电池工业、及/或需要功能性纳米颗粒的其它工业的功能性纳米颗粒。例如可成形材料34可包合如美国专利第7157036号及美国专利公开案第2005/0187339号所述的单体混合物，这两件专利皆在此并入本案以为参考。或者，可成形材料34可包括，但不限于:生物材料(例如PEG)、太阳能电池材料(例如N-型、P-型材料)、及/或其它的材料。
参考图1及图2，系统10可进一步包括沿着路径42与直接能量40连接的能量源38。压印头30及平台16可设计成可将模板18及基板12定位在与路径42重迭的位置上。可通过处理器54来调节系统10，所述处理器54与平台16、压印头30、流体分配系统32、及/或能源38相互联系，并且可根据存储器56内储存的电脑可读程序进行操作。
压印头30、平台16中的任一者或两者可改变模具20与基板12之间的距离，以界定其间将要被可成形材料34填充的所需体积。例如压印头30可对模板18施加作用力，使得模具20接触可成形材料34。在该所需体积被可成形材料34填满后，能源38产生能量40，例如产生紫外辐射，使得可成形材料34以符合基板12表面44的形状和图案化表面22形状的方式固化及/或交联，在基板12上限定图案化层46。图案化层46可包含残留层48、以及多个特征件，在图中显示为突出部50及凹部52，其中突出部50具有厚度t1，而残留层具有厚度t2。
上述系统及方法可进一步用于美国专利第6932934号、美国专利第7077992号、美国专利第7179396号、及美国专利第7396475号中所示的压印光刻法及系统内，这些专利案之全文在此并入本案以为参考。
在如上述该压印法进行期间，可减小模板18与基板12之间的距离，且可聚合材料34流动以符合模板18及基板12的构形。当模板18与基板在彼此间的最小距离以内时，它们之间的流动通道可能非常窄，因此会降低可聚合材料34的流量。可使用技术以增加流速。例如，可聚合材料34可包括采用低粘度材料(例如具有小于约10厘泊的粘度的材料)。通过使用低粘土材料，模板18与基板12间的流动通道可以是25纳米或更小。
该流动通道的厚度直接形成残留层48。因此，残留48通常包括非零厚度t2。然而，有许多应用可自图案化层46移除残留层48，因此基板12可接近特征件50与52之间。
用于从图案化层46移除残留层48的最常用方法包括基于等离子体的蚀刻法。此等方法可对固化的可聚合材料34进行定向(即主要为垂直方向)蚀刻，因此可在对特征件50及52的侧向尺寸具最小改变的情况下移除残留层48。然而，基于等离子体的蚀刻法由于下述因素可能不适合所有应用，所述因素包括高成本、低产量、以及需要减压环境。
类似地，在纳米图案化应用(特别是诸如包括太阳能电话及/或光子晶体阵列等的光生伏打装置的形成)中，成本会成为制造的一个驱动因素。通常来说，就纳米图案而言，使用干蚀刻设备及方法转印该图案。然而，这些方法很昂贵且产率低。例如反应性离子蚀刻器(RIE)、离子研磨等、及诸如此类的方法通常利用气相，因此必须花费时间降至真空压力，然后使该压力再回到常压。
设备中的大型装置部件使用大型真空泵，所述大型真空泵需要专门的工艺气体并利用定制电源，这会增加成本及规模成比例缩放能力。该等器具通常受限于基板尺寸，因此仅可蚀刻具有特定大小之基板。例如许多RIE器具可加工8"的圆形基本或更小的基板，但不能处理较大尺寸或正方形的基板。器具亦限于基板的连续加工(亦即每次加工一个)。虽然已说明某些干式工艺(例如在下游灰化器/本体抗蚀剂剥离灰化器中进行抗蚀剂剥离)的分批加工步骤，但是图案转印方法是在具有特殊电极构形的经特别设计的蚀刻室内进行。这些室对表面污染非常敏感且需要定期维护，因此会提高制造成本。
文中描述用于移除固化的可聚合材料34的替代性移除系统及技术。例如文中所述的系统及技术可用于自图案化层46移除残留层48。与等离子体蚀刻技术相比，文中所述的移除技术可得到较高产率及减少的成本，且不需要减压加工环境。此外，文中所述的移除技术适用于移除通过非压印法而形成的下方的有机层。文中亦描述特别可用于纳米图案化应用的蚀刻技术，与上述方法比较，该蚀刻技术针对降低成本、增加产率并提供简单的按比率制作的图案转印工艺步骤。所述蚀刻技术可单独采用或与上述材料移除技术一起使用。
图3显示用于移除困化的可聚合材料34的示例性系统60。系统60可包括辐射源62。辐射源62可包括具有太阳光谱的真空紫外(VUV)区域。例如辐射源62可包含一系列约140纳米至190纳米波长。在一个实施方式中，可使用Xe准分子激光器介电势垒放电灯提供辐射。该灯具有在约172纳米的峰值强度，且光谱带宽为约15纳米FWHM。在残留层48表面的辐射强度约为5至150mW/cm2。
辐射源62可被封闭在室64内。气体组合物可存在于室64内。该特定气体组合物或混合物的组成可取决于具体的基板。例如如文中进一步所述，虽然减少氧气的环境可改良总材料移除作用，但是在某些应用中必须维持一定百分率的氧气，例如在移出基板氟碳化合物的时候就是如此。例如在一个实施方式中，该气体组合物可以由至少90%的氮气及小于10%的氧气所组成。在另一个实施方式中，该气体组合物可以由95%的氮气及小于5%的氧气所组成。
可使用图3所示的已连接至贮器68a及68b的第一亚系统控制器或控制单元66控制该气体组合物或混合物。第一亚系统控制器66可以使气体自贮器68a及68b流至室64，可以程控方式控制来自各个贮器递输送的气体量，从而将特定气体组合物或混合物送至室64。
可使用第二亚系统控制器或控制单元70控制辐射源62的辐射输出量。例如可使用改变辐射源62之强度的第二亚系统控制器70来调节残留层之移除速率。
系统60可包括一基板处置器72。基板处置器72可利用室64的暴光孔74对基板12进行扫描。可通过第三亚系统控制器76控制基板处置器72的移动。例如可使用能改变修饰基板处置器72的线速度的第三亚系统控制器76调节基板12上的固化的可聚合材料34的移除速率。
在一个实施方式中，基板处置器72可包括基板夹盘和线性制动器。基板夹盘及线性制动器构建成用来对室64的暴光孔74下方的基板进行扫描。在另一实施方式中，基板处置器72可包括多个能对在室64的暴光孔74下方的基板12进行制动的旋转辊。
应该注意的是，第一亚系统66、第二亚系统70及/或第三亚系统76可彼此一体化。或者，第一亚系统66、第二亚系统70、及/或第三亚系统76可以是独立的系统。
图4显示了用于从基板12上的图案化层46移除残留层的示例性方法100。在步骤102中，可使用图1和图2所示的系统及方法在基板12上形成具有残留层48及特征件50与52的图案化层46。在步骤104中，亚系统控制器76可将基板12定位在与室64的孔74对齐的位置。在步骤106中，亚系统控制器66可提供室64内的气体环境。在步骤108中，亚系统70可经由室64的孔74而将辐射(例如VUV辐射)提供至基板12。例如亚系统70可控制辐射源62以提供具有约172纳米的峰值强度且具有约15纳米FWHM光谱带宽的真空紫外辐射。
室64内的气体环境类型可大大地增加残留层48移除后残留的特征件50及52的品质。例如图5显示在暴露于辐射之前，用原子力显微镜测得的示例性抗蚀刻剂特征件50及52的轮廓。一旦图案化层46在空气环境(约79%氮气及21%氧气)内暴露于辐射(例如VUV辐射)，如图6所示，残留层48可以以约19纳米/分钟的速率移除。然而，图案化层46的特征件50及52可严重地降解，因此，如图7和图8(图7是在空气中曝光30秒，而图8是在空气中暴光60秒)中所示，在空气中曝光60秒后，该图案几乎完全降解。
在富含氮气的环境中提供该曝光法(其中与空气有关的有效氧气量减少)的时候，残留层48之移除可以与空气环境内所发现的结果基本类似，然而，如图9-11所示，在该方法进行期间可基本上保持特征件50及52的质量。例如增加该空气环境以提供约98%的氮气及小于2%的氧气可显著提高该图案的质量，可移除残留层48，同时基本保持所需的结构。详细来说，如图11所示，甚至在该富含氮气的环境内曝光60秒后，仍可基本上保持图案的质量。
虽然图中显示系统60具有贮器68a及68b，用来将气体组合物提供给室64，但是应当了解，可以通过其它的方式在辐射源和基板之间提供气体组合物。例如贮器进行构型设计，用来将气体组合物局部地递送至与该辐射源对齐的基板的部份，从而在辐射源与基板之间提供气体组合物。
图12-17显示了一种示例性的纳米图案化方法。一般而言，可如上述将可聚合材料34图案化以得到具有最小厚度t2的残留层48的图案化层46。可通过再受控组成的气体环境内进行VUV加工而移除残留层48，由此使得基板12的表面或硬掩模层60曝光，具体取决于设计考虑(例如硬掩模层60是否用于该设计内)。可使用图案化层46的特征件50和52使该基板12的表面或硬屏蔽60图案化。然后可将该图案转印入基板12内。
参考图12，可以将任选的硬掩模层60设置在基板12上。在一个实施方式中，硬掩模层60可以是基板12本身具有的(例如本身固有的硅上的氧化物)。在另一实施方式中，可通过沉积技术施加硬掩模层60，所述沉积技术包括，但不限于溅射、化学气相沉积法、蒸发等。通常来说，硬掩模层60很薄。例如，硬掩模层60可小于约20纳米。硬掩模层60可以由在后续蚀刻步骤期间能显示选择性的材料形成。例如硬掩模层60可以由以下材料形成，所述材料包括，但不限于：热氧化物(例如氧化硅)、金属等。应该注意，可将黏着层施加至硬掩模层60上。示例性的黏着层进一步描述在美国专利案序号第11/187407号、美国专利案序号第11/187406号、及美国专利案序号11/734542号中，这些专利案之全文全部在此并入本案以为参考。黏着层可以使硬掩模层60与图案化层46之间得到增加的黏着性。
参见图12和13，可使用图l及图2所述的系统和方法将可聚合材料34沉积在硬掩模层60上并利用可形成图案化层46的模板18将其图案化。模板18可用于大面积压印(例如宽度大于约6")。在一个实施方式中，模板18的特征件24和26可以是柱型特征件。应该注意的是在图案转印过程中，具有柱型特征件的模板18的应用可以使在基板12内转印的图案具有不同于柱型特征件的特征件。然而，如文中进一步所述，此等不规则性会增加光的衍射并改良捕获效率。通过模板18的图案、基板12及/或硬掩模层60的材料、及蚀刻化学品的选择，可在基板12内转印及/或是制造多种结构件。
参见图13和图14，可使用文中先前所述的真空紫外(VUV)系统和方法移除残留层48以暴露硬掩模层60或基板12的表面。所述系统和方法可提供各向异性或定向的蚀刻，且可处理较大面积及/或多个基板12，因此可进一步降低加工成本。所述系统及方法可特别适于光生伏打装置，如前文所述，其对成本非常敏感，且其亦比其它纳米图案化应用对可能由于对VUV辐射过度曝光所导致的图案缺陷及/或降解更具耐受性。虽然并非较佳，但是亦可使用以下技术移除残留层48，所述技术包括但不限于:分批加工法，诸如氧气灰化器、抗蚀剂剥离器、UV臭氧源等。
例如可使用氧气灰化器(120W，25sccmO2、60秒)移除残留层48。参见图14和15，可将基板12的表面、或硬掩模层60图案化。例如可使用分批工艺步骤(例如湿法化学暴露)将硬掩模层60图案化，该分批工艺步骤包括，但不限于：用于移除氧化硅的氢氟酸(缓冲氧化物蚀刻、用于铬的图案化的硝酸铈铵等等。在一个实施方式中，根据硬掩模层60的厚度(目标约10纳米)，于使用6:1:2(NH4F/HF/DIW)的浓度在20℃的条件下使用缓冲氧化物蚀刻剂对硬掩模层60进行15”至20”的加工。
参考图15和图16，可通过一下技术移出图案化层46，所述技术包括，但不限于：超音波处理、兆频超音波冲洗(megasonic rinsing)等。在一个实施方式中，通过快速泵抽去离子水冲洗、及约10分钟的超音去离子水冲洗而移除图案化层46。
图案化层46移除后，如图17所示，可将通过留下的硬掩模层60得到的图案转印至基板12。可使用湿法化学暴露法(其中该化学品对基板12的本体材料具选择性)将该图案转印入基板12内。例如，若硬掩模层60由氧化硅形成，则可使用氢氧化钾蚀刻硅(例如于50℃下使用45%的KOH溶液，费时约45”)。
上述方法的改变可改变特征件形成。例如图18显示包括不规则、随机地在柱间地区域进行蚀刻而转印的柱状图案。本不规则性是由于图16和17园中所示的湿法化学暴露前的不完全氧化物移除造成的。然而，所形成的结构体可提供增加的光衍射及改进的俘获效果，可用来增加太阳能效率。
图19显示包括棱锥形结构体的转印的柱状图案。棱锥形结构体的形成是由于使用很轻的残留层48移除方法，因此可移除与柱相邻的薄残留层48，同时如图20所示，在硬掩模层60移除之前，可以使柱之间的薄残留层48维持完整。可通过使得基板12暴露于湿法蚀刻化学剂(例如KOH)的时间延长，从而进一步修饰该棱锥形结构体。通过延长时间除去柱之间的剩余的残留层48的中间部分，可以形成图21所示的结构。例如可通过使用<100>硅的基板12(其表示100晶面与111品面的选择性蚀刻)，形成所述结构体。
作为图12-21所示工艺的替代做法，可以用另外的技术（例如RIE）限定硬掩模层60。例如，可以首先采用氧气灰分清除浮渣工艺，然后进行CF4/O2RIE，从而形成硬掩模层60。图22显示了使用该工艺在基板12上形成的示例性的干蚀刻氧化物凸块。然后使得基板12通过另外的湿法蚀刻液，以使得基板12的表面图案化。例如，如图23所示，通过湿法蚀刻（例如KOH），可以形成纳米棱锥形结构。

Claims (24)

1.一种用于移除基板上的固化的可聚合材料的系统，所述系统包括:
(a)真空紫外(VUV)辐射源；
(b)基板处置器，所述基板处置器构型设计用来保持基板，所述处置器定位在与所述真空紫外(VUV)辐射源相对的位置，且可以相对于该真空紫外(VUV)辐射源移动；
(c)两个或更多个贮器，所述贮器各自构型设计用来保留气体，并在所述真空紫外(VUV)辐射源与所述基板之间局部性地提供所述气体；及
(d)控制单元，所述控制单元与所述两个或更多个贮器相连，所述控制单元通过编程控制从各个贮器输送的气体的量，从而在所述真空紫外(VUV)辐射源与所述基板之间提供特定的小于21体积％的氧气的气体混合物，
所述系统通过在真空紫外辐射源与基板之间提供特定的包含小于21体积％的氧气的气体混合物，使用真空紫外辐射源照射基板，从而从基板上移除固化的可聚合物材料。
2.如权利要求1所述的系统，所述系统进一步包括室，所述室封闭所述真空紫外(VUV)辐射源，所述室具有定位在与所述基板处置器相对的位置的曝光孔，所述贮器与所述室流体连通。
3.如权利要求2所述的系统，其特征在于，所述曝光孔允许所述室与所述基板处置器之间的流体连通。
4.如权利要求1-3中的任一项所述的系统，其特征在于，所述辐射源提供波长介于140至190纳米的辐射。
5.如权利要求1-3中的任一项所述的系统，其特征在于，所述辐射源提供具有以下性质的辐射：所述辐射的峰值强度约在172纳米、光谱带宽约为15纳米FWHM。
6.一种用于移除基板上的固化的可聚合材料的方法，所述方法包括以下步骤:
(a)在基板的至少一部分上形成具有残留层的图案化层；
(b)提供真空紫外(VUV)辐射源；
(c)定位所述基板，使得所述具有残留层的基板的所述一部分与所述真空紫外(VUV)辐射源对齐；以及
(d)在所述基板的所述一部分与所述真空紫外(VUV)辐射源之间提供包含小于21体积％的氧气的气体组合物；
(e)使用真空紫外(VUV)辐射来照射所述基板，由此从所述基板的所述一部分移除所述残留层。
7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述提供的真空紫外(VUV)辐射源被封闭在室内，所述室具有曝光孔，所述基板定位步骤进一步包括将所述基板的一部分定位在与所述曝光孔对齐的位置。
8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述方法还包括提供所述气体组合物至所述室。
9.如权利要求6-8中任一项所述的方法，其特征在于，所述真空紫外(VUV)辐射以140至190纳米的波长提供。
10.如权利要求6-8中任一项所述的方法，其特征在于，所述提供的真空紫外(VUV)辐射源具有以下性质：峰值强度在大约172纳米，光谱带宽为大约15纳米FWHM。
11.如权利要求6-8中任一项所述的方法，其特征在于，所述提供的气体组合物含有小于10体积％的氧气。
12.如权利要求6-8中任一项所述的方法，其特征在于，所述提供的气体组合物含有小于5体积％的氧气。
13.一种用于在硬掩模层或基板上转印图案的方法，所述方法包括以下步骤:
(a)在基板上形成硬掩模；
(b)在所述硬掩模的至少一部分上形成具有残留层的图案化的层；
(c)提供真空紫外(VUV)辐射源；
(d)定位所述基板，使得所述具有残留层的硬掩模的所述一部分与所述真空紫外(VUV)辐射源对齐；
(e)在所述硬掩模的所述一部分与所述真空紫外(VUV)辐射源之间提供包含小于21体积％的氧气的气体组合物；
(f)用真空紫外(VUV)辐射照射所述基板，从而从所述硬掩模的所述一部分移除所述残留层；以及
(e)使用用来移除所述硬掩模的一些部分的分批工艺步骤，将所述图案转印至该所述硬掩模。
14.如权利要求13所述的方法，其特征在于，所述提供的真空紫外(VUV)辐射源被封闭在室内，所述室具有曝光孔，所述基板定位步骤还包括将所述硬掩模的一部分定位在与所述曝光孔对齐的位置。
15.如权利要求14所述的方法，所述方法进一步包括将所述气体组合物提供至所述室。
16.如权利要求13-15中任一项所述的方法，其特征在于，所述真空紫外(VUV)辐射以介于140至190纳米的波长提供。
17.如权利要求13-15中任一项所述的方法，其特征在于，所述真空紫外(VUV)辐射源以大约172纳米之尖峰强度及约15纳米FWHM的光谱带宽提供。
18.如权利要求13-15中任一项所述的方法，其特征在于，所述提供的气体组合物含有小于10体积％的氧气。
19.如权利要求13-15中任一项所述的方法，其特征在于，所述提供的惰性气体组合物包含小于5体积％的氧气。
20.如权利要求13-15中任一项所述的方法，其特征在于，所述分批工艺步骤使用氢氟酸。
21.如权利要求13-15中任一项所述的方法，其特征在于，所述方法还包括移除所述图案化层的步骤。
22.如权利要求21所述的方法，其特征在于，所述方法进一步包括通过使用分批工艺步骤除去所述基板的一些部分，将所述图案转印至所述基板。
23.如权利要求22所述的方法，其特征在于，所述分批工艺步骤选择性地蚀刻所述基板。
24.如权利要求23所述的方法，其特征在于，所述基板是硅，所述硬掩模是氧化硅，将氢氧化钾用于所述分批工艺步骤。
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