CN102834926A - 使用了硅粉末的太阳能电池单体的制造方法 - Google Patents
使用了硅粉末的太阳能电池单体的制造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN102834926A CN102834926A CN2011800108701A CN201180010870A CN102834926A CN 102834926 A CN102834926 A CN 102834926A CN 2011800108701 A CN2011800108701 A CN 2011800108701A CN 201180010870 A CN201180010870 A CN 201180010870A CN 102834926 A CN102834926 A CN 102834926A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- powder
- layer
- type
- silicon
- battery cell
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 63
- 239000011863 silicon-based powder Substances 0.000 title claims abstract description 55
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 21
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 56
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 56
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 35
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 12
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims abstract description 9
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 12
- 239000011888 foil Substances 0.000 claims description 11
- 230000004927 fusion Effects 0.000 claims description 9
- 239000011856 silicon-based particle Substances 0.000 claims description 7
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 4
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 4
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 claims description 3
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims description 3
- 238000002844 melting Methods 0.000 abstract 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 abstract 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 3
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005030 aluminium foil Substances 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 235000019628 coolness Nutrition 0.000 description 1
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000004093 laser heating Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013081 microcrystal Substances 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 150000003376 silicon Chemical class 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 238000010792 warming Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1804—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic Table
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C24/00—Coating starting from inorganic powder
- C23C24/08—Coating starting from inorganic powder by application of heat or pressure and heat
- C23C24/10—Coating starting from inorganic powder by application of heat or pressure and heat with intermediate formation of a liquid phase in the layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
- H01L31/068—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
Abstract
本发明提供一种能够由简单的工艺并且以低成本批量生产太阳能电池单体的太阳能电池单体制造方法。准备第一导电型的硅粉末（11），以层状配置所述粉末而形成硅粉末层（11a），通过加热到硅的熔点以上，将所述粉末层熔融，通过进行冷却，形成第一导电型的硅层（11b）；准备第二导电型的硅粉末（12），在所述第一导电型的硅层（11b）上以层状配置所述粉末而形成第二导电型的硅粉末层（12a），通过加热到硅的熔点以上，将所述粉末层熔融，通过进行冷却，形成第二导电型的硅层（12b）。
Description
技术领域
本发明涉及以硅粉末为原料的硅太阳能电池单体的制造方法。
背景技术
以往，作为硅太阳能电池的形式，已知单晶硅型、多晶硅型、微晶硅型、非晶硅型等。它们利用高纯度硅晶片作为半导体基板，或在绝缘性或导电性基板上使用CVD法或蒸镀法等形成硅膜，形成PN结或PIN结。
发明内容
发明所要解决的课题
现在，从防止全球气候变暖的观点等出发，要求太阳能电池的普及，但众所周知，存在太阳能电池的成本的降低的课题。
本发明的目的在于提供一种能够由简单的工艺而且低成本地大批量生产太阳能电池单体的太阳能电池单体制造方法。
为了解决课题的手段
本发明的太阳能电池单体的制造方法的特征在于：准备第一导电型的硅粉末，以层状配置所述粉末而形成硅粉末层，通过加热到硅的熔点以上，将所述粉末层熔融，通过进行冷却，形成第一导电型的硅层；准备第二导电型的硅粉末，将所述粉末以层状配置在所述第一导电型的硅层上而形成第二导电型的硅粉末层，通过加热到硅的熔点以上，将所述粉末层熔融，通过进行冷却，形成第二导电型的硅层。
另外，本发明的太阳能电池单体的制造方法的特征在于：准备第一硅粉末，以层状配置所述粉末而形成硅粉末层，通过施加热和压力，一边对所述粉末层进行压缩一边烧成，构成为第一导电型的硅层；准备第二硅粉末，将所述粉末以层状配置在所述第一导电型的硅层上而形成第二硅粉末层，通过施加热和压力，一边对所述粉末层进行压缩一边烧成，形成为第二导电型的硅层。
按照本发明，能够由硅粉末制造太阳能电池单体。形成第一导电型的硅粉末层，通过加热，将粉末层熔融，通过进行冷却，形成第一导电型的硅层，在该硅层上形成第二导电型的硅粉末层，通过加热，将该粉末层熔融，通过进行冷却，形成第二导电型的硅层，所以，能够连续地由简易的工艺制造具有PN结的太阳能电池单体。另外，也可通过施加热和压力，一边对所述粉末层进行压缩一边烧成。
附图说明
图1为本发明的第一实施例的太阳能电池的制造装置的剖视图。
图2为本发明的第二实施例的太阳能电池的制造装置的剖视图。
具体实施方式
下面，参照图1对本发明的第一实施例进行说明。首先，准备P型硅粉末11及N型硅粉末12。这些粉末11、12的硅粒子为大致球形，具有0.1－10μm左右的粒径，具有太阳能电池级（7N级）的纯度。这些粉末11、12，可由本发明人等的使用了旋转坩埚的高纯度硅的制造方法（日本专利申请2010－35714）等进行批量生产。
P型硅粉末11被收容在储存部21中，N型硅粉末12被收容在储存部22中。在储存部21、22的下侧，透明绝缘箔13和与其接合了的透明电极箔14以一定速度由辊23、24、25、26及耐热金属带27在板35上朝图中的箭头方向输送。在储存部21、22的下侧具有开口21a、22a，从开口21a将P型硅粉末11以层状配置于接合在了透明绝缘箔13上的透明电极箔14上。
在透明电极箔14上以层状配置的P型硅粉末层11a，向图中的箭头方向被输送，在加热器28的正下方被加热，被加热到比硅的熔点（1412℃）更低的600－1350℃。然后，由压延辊29施加压力，一边对加热了的状态的P型硅粉末层11a进行加压一边烧成。通过这样施加热和压力，一边对P型硅粉末层11a进行压缩一边烧成，P型硅粉末层11a成为被加压烧结了的P型硅层11b。在P型硅层11b中，具有0.1－10μm左右的粒径的硅粒子相互地由扩散接合进行接合，形成电气性机械性都牢固的接合状态。
若P型硅层11b在储存部22下移动，则N型硅粉末12被配置在P型硅层11b上，若通过开口22a，则N型硅粉末层12a以层状形成在P型硅层11b上。然后，在加热器30的正下方被加热，被加热到600－1350℃，由压延辊31施加压力。由此，N型硅粉末层12a一边被压缩一边被烧成，成为加压烧结了的N型硅层12b，硅粒子相互地由扩散接合进行接合。同时，也与P型硅层11b的硅粒子由扩散接合进行接合，在两层的界面形成PN结。
在N型硅层12b的上表面侧，配置电极箔（铝箔或铜箔等）15，通过由加热器32加热，与N型硅层12b的上表面接合。由此，在P型硅层11b与N型硅层12b之间形成PN结，两层11b、12b被夹在2层的电极箔13、15之间，连续地形成了固定于透明绝缘箔13上的太阳能电池单体。
因此，通过按适当的尺寸将其切出，能够批量生产太阳能电池板。通过将此太阳能电池板的厚度整体设在40μm以下左右，能够获得轻质而且柔性的太阳能电池板。上述太阳能电池的制造工序优选在真空或Ar等惰性气体气氛下进行。
另外，上述实施例，作为原料使用预先掺杂了的P型硅粉末11及N型硅粉末12。然而，作为原料，也可使用未掺杂的硅粉末，从掺杂剂注入口33、34加入掺杂剂，在加压烧成的过程中掺杂成P型或N型。
另外，也可在P型硅层11b与N型硅层12b之间设置对未掺杂的硅粉末进行了加压烧结的I型硅层，形成为PIN型的接合。
下面，参照图2对本发明的第二实施例进行说明。与第一实施例相同，准备P型硅粉末11及N型硅粉末12，在收容了它们的储存部21、22的下侧以一定速度由辊23、24、25、26及带27在板35上朝图中的箭头方向输送透明绝缘箔13和与其接合了的透明电极箔14。因此，从开口21a在接合在了透明绝缘箔13上的透明电极箔14上以层状形成P型硅粉末层11a，从开口22a在P型硅层11b上以层状形成N型硅粉末层12a。
若P型硅粉末层11a进入加热器41的下方，则粉末层11a被预备加热到1300－1400℃，利用由激光照射装置42进行的激光加热，加热到作为硅的熔点（1420℃）以上的温度的1500℃以上。由此，粉末层11a通过预备加热，温度平缓地上升，气泡等被消除，通过激光照射，超过熔点而熔融，成为液相状态。然后，由液氮或水冷却辊43进行冷却，成为固相的P型硅层11b。在P型硅层11b中，硅形成为单晶或多晶或非晶质。
接下来，在N型硅粉末12的储存部22，在P型硅层11b上以层状形成N型硅粉末层12a。然后，与上述同样地由加热器44进行预备加热，通过激光照射装置45的激光照射，熔融而成为液相状态，通过由冷却辊46冷却，成为固相的N型硅层12b。同时，在P型硅层12a与N型硅层12b的界面形成PN结。
板35在内部具有水冷配管35a和真空吸附配管35b，由该真空吸附配管35b一边吸附绝缘箔13和电极箔14，一边由水冷配管35a中的冷却水对绝缘箔13和电极箔14进行冷却。因此，在与绝缘箔13接合了的电极箔14上形成硅粉末层11a、12a，用激光照射在1500℃以上的温度进行硅粉末层11a、12a的加热，绝缘箔13和电极箔14的温度被保持为冷却水的温度，它们不会损伤。
因此，在N型硅层12b形成后，将电极箔15配置在其上部，通过加热器32进行加热，能够将电极箔15紧密接触地固定在N型硅层12b上，能够由简单的工艺在电极箔14、15之间形成具有P型和N型的硅层11b、12b的太阳能电池单体。
此前对本发明的一实施例进行了说明，但本发明并不限于上述实施方式，在其技术思想的范围内当然也可按各种不同的方式实施。
产业上的利用可能性
本发明为能够由硅粉末制造太阳能电池单体的发明。由此，能够由简单的工艺而且低成本地批量生产太阳能电池单体。
Claims (9)
1.一种太阳能电池单体的制造方法，其特征在于，
准备第一导电型的硅粉末，
以层状配置所述粉末而形成硅粉末层，
通过加热到硅的熔点以上，将所述粉末层熔融，通过进行冷却，形成第一导电型的硅层；
准备第二导电型的硅粉末，
将所述粉末以层状配置在所述第一导电型的硅层上而形成第二导电型的硅粉末层，
通过加热到硅的熔点以上，将所述粉末层熔融，通过进行冷却，形成第二导电型的硅层。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池单体的制造方法，其特征在于，
在与绝缘箔接合了的电极箔上形成所述硅粉末层，
在板内部具有水冷配管和真空吸附配管，一边由该真空吸附配管对所述绝缘箔和所述电极箔进行吸附，一边由所述水冷配管中的冷却水对所述绝缘箔和所述电极箔进行冷却，在所述板上进行所述硅粉末层的加热。
3.根据权利要求1所述的太阳能电池单体的制造方法，其特征在于，所述加热，使用加热器对所述粉末层进行预备加热，再通过激光照射使所述粉末层熔融。
4.一种太阳能电池单体的制造方法，其特征在于，
准备第一硅粉末，
以层状配置所述粉末而形成硅粉末层，
通过施加热和压力，一边对所述粉末层进行压缩一边烧成，形成为第一导电型的硅层；
准备第二硅粉末，
将所述粉末以层状配置在所述第一导电型的硅层上而形成第二硅粉末层，
通过施加热和压力，一边对所述粉末层进行压缩一边烧成，形成为第二导电型的硅层。
5.根据权利要求4所述的太阳能电池单体的制造方法，其特征在于，所述硅粉末的粒子具有0.1－10μm的粒径。
6.根据权利要求4所述的太阳能电池单体的制造方法，其特征在于，所述热，使用加热器产生，将所述粉末层加热到600－1200℃。
7.根据权利要求4所述的太阳能电池单体的制造方法，其特征在于，所述压力，使用压延辊产生，一边对加热了的状态的所述粉末层进行加压一边烧成。
8.根据权利要求4所述的太阳能电池单体的制造方法，其特征在于，所述粉末的硅粒子为预先掺杂成P型或N型的硅粒子。
9.根据权利要求4所述的太阳能电池单体的制造方法，其特征在于，所述粉末的硅粒子是未掺杂的，在添加掺杂剂进行加压烧成的过程中，掺杂成P型或N型。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2010039497 | 2010-02-25 | ||
| JP2010-039497 | 2010-02-25 | ||
| PCT/JP2011/054255 WO2011105538A1 (ja) | 2010-02-25 | 2011-02-25 | シリコン粉末を用いた太陽電池セルの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN102834926A true CN102834926A (zh) | 2012-12-19 |
| CN102834926B CN102834926B (zh) | 2015-07-22 |
Family
ID=44506935
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201180010870.1A Expired - Fee Related CN102834926B (zh) | 2010-02-25 | 2011-02-25 | 使用了硅粉末的太阳能电池单体的制造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8603850B2 (zh) |
| EP (1) | EP2541616B1 (zh) |
| JP (1) | JP5761172B2 (zh) |
| CN (1) | CN102834926B (zh) |
| WO (1) | WO2011105538A1 (zh) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11764315B2 (en) * | 2020-09-16 | 2023-09-19 | Maxeon Solar Pte. Ltd. | Solar cell separation with edge coating |
| CN115224238B (zh) * | 2022-09-20 | 2022-11-29 | 河南锂动电源有限公司 | 一种锂离子电池负极极片及其制作方法和激光碳化装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101509143A (zh) * | 2008-02-14 | 2009-08-19 | 通用电气公司 | 半导体薄片及其制备方法 |
| JP2009246041A (ja) * | 2008-03-28 | 2009-10-22 | Mitsubishi Electric Corp | 太陽電池およびその製造方法 |
| US20090280336A1 (en) * | 2008-05-08 | 2009-11-12 | Ralf Jonczyk | Semiconductor sheets and methods of fabricating the same |
Family Cites Families (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3035563C2 (de) * | 1980-09-20 | 1984-10-11 | Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt | Verfahren zum Herstellen einer polykristallinen Silizium-Solarzelle |
| DE3536743C2 (de) * | 1985-10-15 | 1994-11-10 | Siemens Ag | Verfahren zum Herstellung von großflächigen Siliziumkristallkörpern für Solarzellen |
| JPH06268242A (ja) * | 1993-03-17 | 1994-09-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | シリコン基板の製造方法および結晶質シリコン太陽電池 |
| ATE175625T1 (de) * | 1993-06-11 | 1999-01-15 | Isovolta | Verfahren zur herstellung fotovoltaischer module sowie eine vorrichtung zur durchführung dieses verfahrens |
| DE19652818A1 (de) * | 1996-12-18 | 1998-07-02 | Priesemuth W | Verfahren zum Herstellen einer Solarzelle sowie Solarzelle |
| JP2001516324A (ja) * | 1997-03-04 | 2001-09-25 | アストロパワー，インコーポレイテッド | 柱状結晶粒状多結晶太陽電池基材及び改良された製造方法 |
| JP2001250967A (ja) * | 2000-03-03 | 2001-09-14 | Canon Inc | 光起電力素子及び光起電力素子の製造方法 |
| JP2002151713A (ja) * | 2000-08-29 | 2002-05-24 | Kyocera Corp | 太陽電池素子基板及びその製造方法 |
| JP4140247B2 (ja) * | 2002-03-04 | 2008-08-27 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | シート型β−ＦｅＳｉ２素子 |
| DE10239845C1 (de) * | 2002-08-29 | 2003-12-24 | Day4 Energy Inc | Elektrode für fotovoltaische Zellen, fotovoltaische Zelle und fotovoltaischer Modul |
| US8192648B2 (en) * | 2003-04-14 | 2012-06-05 | S'tile | Method for forming a sintered semiconductor material |
| US8405183B2 (en) * | 2003-04-14 | 2013-03-26 | S'Tile Pole des Eco-Industries | Semiconductor structure |
| US20080305619A1 (en) * | 2007-05-03 | 2008-12-11 | Francesco Lemmi | Method of forming group iv semiconductor junctions using laser processing |
| JP4990738B2 (ja) * | 2007-11-09 | 2012-08-01 | 株式会社ブリヂストン | 太陽電池の製造方法 |
| JP5614922B2 (ja) | 2008-08-01 | 2014-10-29 | キヤノン株式会社 | 撮影装置、ｘ線画像診断装置ならびにそれらの制御方法 |
| JP2010206161A (ja) * | 2009-02-04 | 2010-09-16 | Sony Corp | 成膜方法および半導体装置の製造方法 |
| JP2011116616A (ja) | 2009-10-29 | 2011-06-16 | Sanki Dengyo Kk | 回転ルツボ装置を用いた高純度シリコンの製造方法 |
-
2011
- 2011-02-25 WO PCT/JP2011/054255 patent/WO2011105538A1/ja active Application Filing
- 2011-02-25 EP EP11747494.0A patent/EP2541616B1/en not_active Not-in-force
- 2011-02-25 JP JP2012501876A patent/JP5761172B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2011-02-25 CN CN201180010870.1A patent/CN102834926B/zh not_active Expired - Fee Related
-
2012
- 2012-08-22 US US13/591,628 patent/US8603850B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101509143A (zh) * | 2008-02-14 | 2009-08-19 | 通用电气公司 | 半导体薄片及其制备方法 |
| JP2009246041A (ja) * | 2008-03-28 | 2009-10-22 | Mitsubishi Electric Corp | 太陽電池およびその製造方法 |
| US20090280336A1 (en) * | 2008-05-08 | 2009-11-12 | Ralf Jonczyk | Semiconductor sheets and methods of fabricating the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPWO2011105538A1 (ja) | 2013-06-20 |
| EP2541616A4 (en) | 2014-01-29 |
| JP5761172B2 (ja) | 2015-08-12 |
| EP2541616A1 (en) | 2013-01-02 |
| CN102834926B (zh) | 2015-07-22 |
| EP2541616B1 (en) | 2016-05-04 |
| WO2011105538A1 (ja) | 2011-09-01 |
| US8603850B2 (en) | 2013-12-10 |
| US20130045559A1 (en) | 2013-02-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US10153386B2 (en) | Photovaltaic device conducting layer | |
| CN103985676B (zh) | 复合晶片及其制造方法 | |
| US20170133535A1 (en) | Solar cell interconnection | |
| CN102473767A (zh) | 带有布线板的太阳能电池单元、太阳能电池模块以及带有布线板的太阳能电池单元的制造方法 | |
| US9493358B2 (en) | Photovoltaic module including integrated photovoltaic cells | |
| US8420515B2 (en) | Method of producing a solar cell | |
| TW201904915A (zh) | 熱電轉換材料、熱電轉換元件、熱電轉換模組及熱電轉換材料之製造方法 | |
| CN102834926A (zh) | 使用了硅粉末的太阳能电池单体的制造方法 | |
| WO2009019903A1 (ja) | チップヒューズ及びその製造方法 | |
| TW201135813A (en) | Process for producing doped silicon layers, silicon layers obtainable by the process and use thereof | |
| Shin et al. | Thermomechanical-stress-free interconnection of solar cells using a liquid metal | |
| JP4693492B2 (ja) | 光電変換装置およびそれを用いた光発電装置 | |
| TWI506807B (zh) | 太陽能電池製造方法 | |
| TW202143514A (zh) | 熱電變換體、熱電變換模組、及熱電變換體之製造方法 | |
| JP4869196B2 (ja) | 回転式拡散装置および光電変換装置の製造方法 | |
| JP2010016132A (ja) | 熱電変換モジュールおよびその製造方法 | |
| Adachi et al. | Development of Innovative application films for silicon solar cells using a copper–phosphorus alloy by an atmospheric sintering process | |
| Kajitani et al. | Fabrication of multilayer-type Mn-Si thermoelectric device | |
| US9741881B2 (en) | Photovoltaic module including integrated photovoltaic cells | |
| JP2012151413A (ja) | 半導体粒子の製造方法 | |
| Liang et al. | A Study on the Preparation Method of Thermoelectric Power Generation Module | |
| JP4869195B2 (ja) | 光電変換装置の製造方法 | |
| CN117712204A (zh) | 一种低氧硅片及其制备方法 | |
| JP4869194B2 (ja) | 結晶シリコン粒子の製造方法および光電変換装置の製造方法 | |
| CN101714586A (zh) | 一种本征隔离结构太阳能电池及其制造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20150722 Termination date: 20170225 |