JP2011116616A - 回転ルツボ装置を用いた高純度シリコンの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】簡素なプロセスで且つ低コストで太陽電池級の高純度シリコンを製造可能な、高純度シリコンの製造方法を提供する。
【解決手段】有底円筒状の回転可能なルツボ11の円筒部分内壁面に該内壁面を周回する凹部11aを設け、前記ルツボの内部空間には、ノズル15と、前記内壁面と前記ノズルとの間に配置され、両者を加熱するヒータ16とを備え、金属シリコンの溶湯を前記ノズルから高速回転する前記ルツボの底面11bに連続的に注入し、前記溶湯が前記ルツボの底面から前記円筒部分内壁面に沿って上昇し、前記溶湯が遠心力により前記凹部の内部に貯留され、シリコンよりも比重の重い不純物元素が前記凹部11aに遠心分離によりトラップされ、前記不純物元素が除去されたシリコンの溶湯が前記ルツボの円筒部分内壁面上端11cより粉末状となり飛散し、これを冷却し、シリコン粉末Bとして回収する。
【選択図】図1
【解決手段】有底円筒状の回転可能なルツボ11の円筒部分内壁面に該内壁面を周回する凹部11aを設け、前記ルツボの内部空間には、ノズル15と、前記内壁面と前記ノズルとの間に配置され、両者を加熱するヒータ16とを備え、金属シリコンの溶湯を前記ノズルから高速回転する前記ルツボの底面11bに連続的に注入し、前記溶湯が前記ルツボの底面から前記円筒部分内壁面に沿って上昇し、前記溶湯が遠心力により前記凹部の内部に貯留され、シリコンよりも比重の重い不純物元素が前記凹部11aに遠心分離によりトラップされ、前記不純物元素が除去されたシリコンの溶湯が前記ルツボの円筒部分内壁面上端11cより粉末状となり飛散し、これを冷却し、シリコン粉末Bとして回収する。
【選択図】図1
Description
本発明は、金属シリコンを溶解し、回転ルツボ装置を用いて太陽電池級の高純度シリコンを製造する高純度シリコンの製造方法に関する。
従来から太陽電池に用いる高純度シリコンはいわゆるシーメンス法等により製造されている。しかしながら、同法による太陽電池級の高純度シリコンの製造には多大なコストが掛かるという問題がある。そこで、近年の太陽電池の需要増大に伴い、低コストで量産が可能な太陽電池級の高純度シリコンを製造する各種の方法が検討されている。
本発明者等は、金属または合金を球状粉末化する方法として、有底円筒状ルツボを高速回転させ、その底面中央部に金属または合金材料を融点以上に加熱して形成した溶湯を連続的に注入し、ルツボ上端から溶湯を遠心力により放出することで、粒径の揃った金属または合金の球状微粉末を製造する装置を開発している(特許文献1参照)。
本発明は、上述の事情に基づいてなされたもので、簡素なプロセスで且つ低コストで太陽電池級の高純度シリコンを製造可能な、高純度シリコンの製造方法を提供することを目的とする。
本発明の高純度シリコンの製造方法は、有底円筒状の回転可能なルツボの円筒部分内壁面に該内壁面を周回する凹部を設け、前記ルツボの内部空間には、ノズルと、前記ルツボの円筒部分内壁面と前記ノズルとの間に配置され、両者を加熱するヒータとを備え、金属シリコンの溶湯を前記ノズルから高速回転する前記ルツボの底面に連続的に注入し、前記溶湯が前記ルツボの底面から前記円筒部分内壁面に沿って上昇し、前記凹部にシリコンより重い金属がトラップされ、重い金属が除去されたシリコンの溶湯が前記ルツボの円筒部分内壁面上端より粉末状となり飛散し、これを冷却し、粉末状シリコンとして回収する、ことを特徴とする。
本発明によれば、凹部において、シリコンよりも比重の重いAl,Fe,Ti,Cu,・・・の不純物元素はシリコンよりも強い遠心力を受けるため、凹部の内壁面(底面)側に押し付けられ、これら不純物元素よりも比重の軽い、これらの不純物元素を含まないシリコン溶湯のみが凹部を越えて上昇する。すなわち、円筒部分内壁面の凹部によりシリコンよりも比重の重いAl等の不純物元素のすべてが遠心分離によりトラップされ、シリコン溶湯が精錬され、高純度化される。従って、金属シリコンから太陽電池級の高純度シリコンを簡素なプロセスで且つ低コストで製造できる。
以下、本発明の一実施例について、図1乃至図3を参照して説明する。なお、各図中、同一または相当する部材または要素には、同一の符号を付して説明する。
図1および図2に示す回転ルツボ装置は、円筒部分内壁面に該内壁面を周回する凹部11aを設けた有底円筒状のルツボ11と、このルツボ11を高速回転させる回転台12を含む駆動装置を備える。駆動装置はモータと増速器とからなり、回転台12に接続し、ルツボ11の径が200mmφ程度の場合は毎分10000−20000回転程度で高速回転させる。ルツボ11はカーボン等で形成され、溶湯シリコンを収容し、その外周面および底面は断熱材13により被覆され、また冷却フィン14を備え、これらが一体として回転する。
ルツボ11の内部空間には、溶湯シリコンAをルツボ11の底面11bの中央部に注入するノズル15と、ルツボ11の内面とノズル15との間に配置され、両者を加熱するヒータ16とを備える。ヒータ16は誘導加熱コイルまたは抵抗加熱ヒータであり、溶湯シリコンをその融点(1412℃)以上の1450℃−1650℃程度の温度に保持する。ノズル15とヒータ16とは、連結具17により昇降装置に接続され、これらを昇降させ、ルツボ11の内部空間に挿脱する昇降装置を備える。
次に、この回転ルツボ装置の動作について説明する。まず、純度99%程度の金属シリコンを脱ボロン処理(0.3ppm以下)および脱リン処理(0.1ppm以下)したものを準備する。そして、シリコンの融点以上の温度に加熱して溶湯Aとし、この溶湯Aをノズル15の貯留部15aに貯留し、ノズル部15bから高速回転するルツボ11の底面11bの中央部に連続的に注湯する。
ルツボ底面11bの中央部に注湯された溶湯は、遠心力によってルツボ底面11bの円筒部分内壁面まで移動したあと、連続的に注湯される溶湯によって徐々にルツボ内壁面での溶融厚みを増大させながら強い遠心力を受けながらルツボ内壁面を液膜状態で上昇する。そして、ルツボ内壁面の凹部11aに到達すると、遠心力によりこの凹部11aの内部に貯留され、凹部11aが一杯になると、溢れた溶湯はさらにルツボ内壁面を液膜状態で上昇する。
この凹部11aにおいて、シリコンよりも比重の重いAl,Fe,Ti,Cu,・・・の不純物元素はシリコンよりも強い遠心力を受けるため、凹部11aの内壁面(底面)側に押し付けられ、遠心力により分離されて、シリコンよりも比重の重い不純物元素を含まないシリコン溶湯のみが凹部11aを越えて上昇する。すなわち、凹部11aにより不純物元素が遠心分離によりトラップされ、シリコンの溶湯が精錬される。従って、凹部11aの深さおよび遠心力の強さ(回転速度)を調整することで、凹部11aを通過する溶湯の不純物濃度の調整が可能である。
そして、液膜状態の溶湯はルツボ11の開口上端11cに達した瞬間、遠心力から開放されて蓄積されているエネルギーによって不活性ガス雰囲気中に高速飛散し、ArガスもしくはN2ガス等の不活性ガスとの急激な摩擦衝突に伴って粉砕され、微細粒子化する。ルツボ開口上端11cでは、遠心力で蓄積された溶湯の運動エネルギーが一気に開放されるため、ルツボ開口上端からの飛散時の速度分布は、きわめて狭い範囲であり、その結果、得られるシリコン粒子Bは原理的に非常に揃ったサイズ分布が、また、極めて高い心円度の球形状が得られる。
次に、凹部11aに貯留した不純物元素の回収について説明する。まず、ノズル15からのシリコンの溶湯の注入を中止し、ノズル15およびヒータ16を昇降装置により引き上げ、退避させる。そして、ルツボ11の回転を停止すると、凹部11aにトラップされたシリコン溶湯に遠心力が作用しなくなり、シリコン溶湯はルツボ11の底部に降りてきて底部に溜まる。図2に示すように、取り出し棒19をルツボ11の底面に降ろし、加熱を停止すると、シリコン溶湯が冷却し固化した固形物Cとして取り出し棒19に固定される。そこで、取り出し棒19を引き上げることで、凹部11aにトラップされた不純物濃度の高いシリコン溶湯を固形物Cとして回収して除去することができる。
このようにして、例えば1日1回10分程度回転ルツボ装置の運転を停止し、不純物濃度の高いシリコン溶湯を回収して除去し、運転を再開することで、回転ルツボ装置の連続的な運転が可能である。運転時に得られるシリコン粒子Bはシリコンよりも比重の重いAl,Fe,Ti,Cu,等の不純物元素が取り除かれたものであるので、太陽電池級の高純度シリコン粉末が得られる。
次に、この回転ルツボ装置を用いた高純度シリコンの製造方法について、図3を参照して説明する。この装置は、容器1の内部に溶融炉2を備え、原料追装装置3から溶融対象の脱ボロン処理と脱リン処理を終えた純度99%程度の金属シリコンを溶融炉2に装填し、加熱して溶湯Aを形成する。そして、溶湯Aを保持炉(タンディッシュ)4に移し、ノズル13より有底円筒状ルツボ11の底面に注湯する。ルツボ11は、上述したように凹部11aを備え、駆動機構により高速回転させる。容器1の内部はArガスもしくはN2ガス等の不活性ガス雰囲気とすることが好ましい。
これにより、上述したように、凹部11aによりシリコンより重い不純物元素が遠心分離によりトラップされ、シリコン溶湯が精錬され、太陽電池級の高純度のシリコン粉末Bが生成される。シリコン粉末Bは容器1の内周面に沿って落下し、運搬用の容器6に貯留される。
ルツボ11内部ではシリコン溶湯を1450℃−1650℃程度の高温に維持し、該溶湯がボロンまたはリンを含むガス中に100m/s−400m/sの速度で突入し、1−0.1μmの微細液滴に粉砕される時は未だ溶湯であり、その間にボロンまたはリンが溶湯と反応することで、ボロンまたはリンがシリコン液滴にドープされる。従って、生成されるシリコン粉末BをP型またはN型にドーピングしたものとすることができる。なお、シリコン液滴はその後冷えて固まり球状となるため、必要以上にドープされることはない。また、シリコン粉末BのP型またはN型へのドーピングはシリコン溶湯にドーパントを添加することで行うようにしてもよい。
これまで本発明の一実施例について説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されず、その技術的思想の範囲内において種々異なる形態にて実施されてよいことは言うまでもない。
本発明は、金属シリコンの溶湯を遠心分離により精錬し、太陽電池級の高純度シリコン粉末を生成することができるので、太陽電池級の高純度シリコンの製造に好適に利用可能である。
Claims (4)
- 有底円筒状の回転可能なルツボの円筒部分内壁面に該内壁面を周回する凹部を設け、
前記ルツボの内部空間には、ノズルと、前記ルツボの円筒部分内壁面と前記ノズルとの間に配置され、両者を加熱するヒータとを備え、
金属シリコンの溶湯を前記ノズルから高速回転する前記ルツボの底面に連続的に注入し、
前記溶湯が前記ルツボの底面から前記円筒部分内壁面に沿って上昇し、前記溶湯が遠心力により前記凹部の内部に貯留され、
シリコンよりも比重の重い不純物元素が前記凹部に遠心分離によりトラップされ、前記不純物元素が除去されたシリコンの溶湯が前記ルツボの円筒部分内壁面上端より粉末状となり飛散し、
これを冷却し、シリコン粉末として回収する、高純度シリコンの製造方法。 - 前記ルツボの底面へのシリコンの溶湯の注入を中止し、前記ルツボの回転を停止し、
前記凹部にトラップされたシリコンの溶湯を前記ルツボの底面に溜め、
取り出し棒を前記ルツボの底面に降ろし、シリコンの溶湯が冷却し固化した状態で前記取り出し棒を引き上げ、
前記凹部にトラップされた不純物濃度の高いシリコンの溶湯を固形物として除去する、請求項1に記載の高純度シリコンの製造方法。 - 前記シリコン粉末をP型またはN型にドーピングする、請求項1に記載の高純度シリコンの製造方法。
- 前記金属シリコンの溶湯は、脱ボロン処理と脱リン処理とを終えたものである、請求項1に記載の高純度シリコンの製造方法。
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