CN101509143A - 半导体薄片及其制备方法 - Google Patents

半导体薄片及其制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN101509143A
CN101509143A CNA2008101895634A CN200810189563A CN101509143A CN 101509143 A CN101509143 A CN 101509143A CN A2008101895634 A CNA2008101895634 A CN A2008101895634A CN 200810189563 A CN200810189563 A CN 200810189563A CN 101509143 A CN101509143 A CN 101509143A
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
silicon powder
silicon
powder layer
layers
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CNA2008101895634A
Other languages
English (en)
Inventor
R·容奇克
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mao Di America limited liability company
Original Assignee
General Electric Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by General Electric Co filed Critical General Electric Co
Publication of CN101509143A publication Critical patent/CN101509143A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/1804—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic Table
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/186—Particular post-treatment for the devices, e.g. annealing, impurity gettering, short-circuit elimination, recrystallisation
    • H01L31/1872—Recrystallisation
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
    • Y10T428/12014—All metal or with adjacent metals having metal particles
    • Y10T428/12028—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, etc.]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Silicon Compounds (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

本发明公开了半导体薄片及其制备方法。提供了一种半导体材料薄片(28)，其包含下表面和上表面。该半导体材料薄片通过下述制备过程形成，包括形成具有下表面(36)和相对的上表面(38)的第一硅粉(34)层(32)，在所述第一层的上表面上放置第二层(40)，其中第二硅粉(42)层具有下表面(44)和相对的上表面(46)并且具有与第一硅粉层基本相同的熔点，以及加热第一和第二硅粉层至少其中之一以引起第一和第二硅粉层其中之一受控的熔化，以及引起第一和第二硅粉层至少其中之一结晶(43)。

Description

半导体薄片及其制备方法
关于联邦政府资助的研究与开发的声明
依据合约NO.70NANBB3H3061，美国政府可以拥有本发明中的权利。
技术领域
本发明的领域一般涉及半导体薄片，更准确地说涉及半导体薄片及其制备方法。
背景技术
将半导体材料薄片切割成预定尺寸的晶片是众所周知的。半导体材料所形成的晶片可用于多种用途。例如，至少一些已知的太阳能电力系统采用半导体基片，典型地采用硅制备。在过去十年中太阳能电力系统的使用急剧增长，因此，在过去十年中对半导体晶片的需求也在增长。尽管在此使用“太阳能电力”来表述，但是本领域技术人员可以认识到讨论适用于各种光电材料和系统。
许多不同的制备方法用于由硅原料制备出半导体晶片。例如，至少一些已知的用于太阳能电池的多晶硅晶片的制备是在惰性气氛下将高纯度多晶硅材料熔化后加入掺杂剂，例如磷，硼，镓和/或锑。得到的硅熔体冷却后形成多晶硅锭。然后该硅锭被切割成所需的晶片尺寸。在另一制备方法中，一层颗粒硅施加在带子或者定位装置上。然后硅连同带子或者定位装置经过系列加热以形成硅薄片。然后将该硅薄片从带子或者定位装置移走并通过切片或划片以确定其大小。
这种半导体晶片的成本中重要的部分是未加工的半导体材料本身。例如，在太阳能电力系统的情况中，应用这种系统的一个限制因素可能就是晶片中使用的半导体材料的成本(特别是高等级硅的成本)。制备半导体晶片时可使用各种纯度的硅原料。硅原料的纯度是由硅原料中存在的杂质例如硼、磷、铁、钛以及钨的程度决定的。半导体晶片的一些应用，例如大功率电子设备，比其他应用例如太阳能电力系统对硅原料纯度的要求更高。由于硅原料的成本随着硅原料纯度的提高而增加，所以太阳能电力系统的应用会受到硅成本的限制。
发明内容
一方面，提供了一种制备半导体材料薄片的方法。该方法包括形成至少一种半导体材料的第一硅粉层，其中该第一层具有下表面和相对的上表面。该方法进一步包括在所述第一层的上表面上放置第二层，其中该第二硅粉层具有的熔点与第一硅粉层的熔点基本相同。该方法还包括加热第一和第二硅粉层至少其中之一以引起所述第一和第二硅粉层其中之一受控的熔化，以及使第一和第二硅粉层的至少其中之一结晶。
另一方面，提供了一种制备半导体晶片的方法。该方法包括形成具有下表面和相对的上表面的第一硅粉层。该方法还包括在所述第一层的上表面上放置第二层，其中该第二硅粉层具有下表面和相对的上表面，并且具有与第一硅粉层基本相同的熔点。该方法进一步包括加热第一和第二硅粉层至少其中之一以引起所述第一和第二硅粉层其中之一受控的熔化，以及使第一和第二硅粉层的至少其中之一结晶。
再一方面，提供了包含下表面和上表面的半导体材料薄片。该半导体材料薄片通过下述过程制备，包括形成具有下表面和相对的上表面的第一硅粉层，在所述第一层的上表面上放置第二层，其中第二硅粉层具有下表面和相对的上表面并具有与第一硅粉层基本相同的熔点，以及加热第一和第二硅粉层至少其中之一以引起第一和第二硅粉层其中之一受控的熔化，以及使得第一和第二硅粉层至少其中之一结晶。
附图说明
图1是可用于制备半导体薄片的示例熔炉设备的示意图，并且
图2-6是在使用图1所示设备的后续制备步骤中硅薄片的横剖面示图。
具体实施方式
目前，硅是用于半导体晶片的制备的最常用的半导体材料也称为原料中的一种。因此，如本发明中所使用的术语“半导体”和“半导体材料”指的是硅基元件和硅材料。然而，如本领域技术人员容易认识到的，除了硅材料以外的和/或包括非硅材料的其他半导体材料也能够采用本发明的设备与方法制备。并且，尽管在这里只描述了用于制备硅薄片的硅粉原料的使用，但是在不违背本发明的前提下可以使用硅原料片。
图1是可用于制备硅薄片(未在图1示出)的熔炉设备10的一典型实施例的示意图。熔炉设备10包括受控气氛11，便于防止惰性物质漏出熔炉设备10并且防止污染物进入熔炉设备10。受控气氛11包括上部气氛条件区域12和下部气氛条件区域14。区域12和14可被独立控制并工作在不同的温度。熔炉设备10还包括在上部气氛条件区域12和下部气氛条件区域14之间延伸的表面16。表面16可以是平板、传送带、定位装置和/或任何其他便于本文所述硅片制备的部件。
在一典型实施例中，第一漏斗22在表面16上和任何所需的添加剂一起放置所需量的硅粉，制造出第一层18。第二漏斗24在表面16上放置第二硅粉层，制造出第二层20。可替代地，仅第一漏斗22在表面16上和任何所需的添加剂一起放置所需量的硅粉。
在该典型实施例中，上部气氛条件区域12和下部气氛条件区域14各自都包括热源(未在图1示出)。各热源为各自相应的气氛条件区域12和14提供热能。可以使用使熔炉设备10能够如本文所述地工作的任何热源。做为选择，上部气氛条件区域12和下部气氛条件区域14也可包括吸热器(未示出)。该吸热器有利于从位于区域12和/或14内的物体消除热能。
在区域12和14内对硅层18和20进行热处理。在该典型实施例中，因为可以独立控制上部气氛条件区域12和下部气氛条件区域14，所以硅层18和/或20可以独立进行热处理，因而能够实现如下文详细描述的任何所期望的热分布。
以下描述的方法在熔炉设备10内执行以从硅原料制备硅薄片。气氛条件区域12和14利于更好地控制施加在硅层18和/或20上的热能。在一典型实施例中，在硅层20上施加比硅层18更高的热能。在将硅层18，20的某个或全部熔化后，在向硅层18供给热能的同时从硅层20吸收热能是有利的。在一替代实施例中，施加在硅层18上的热能大小与施加在硅层20上的热能大小基本上相同。熔炉设备10，更准确地说，气氛条件区域12和14，有助于控制对硅层18和/或20施加热能。
图2-6是在制造硅薄片28的制备后续阶段中，半导体材料例如硅原料的横剖面示意图。更准确地说，图2是由不同硅粉组成的第一层32和第二层40的横剖面示意图。在该典型实施例中，向表面16(在图1示出)上放置一定量的硅粉34，制备出第一层32。一旦放置后，第一层32包括底表面36和上表面38。随后，在第一层的上表面38上放置第二量的硅粉42，制备出第二层40。一旦放置后，第二层40包括底表面44和上表面46。做为选择，薄片28可以包括放置在第一层32和/或第二层40上的附加硅层。
在该典型实施例中，层32的厚度T1基本上等于层40的厚度T2。在另一实施例中，T2与T1为不同厚度。做为选择，层32和40可以各自具有任意适当的厚度以利于薄片28的制备。
在该典型实施例中，第一硅粉34和第二硅粉42是不同等级的硅。例如，第一硅粉34是含有高量级杂质的太阳能等级的硅粉。特别地，硅粉34含有高百分比的硼和/或磷。更准确地说，硅粉34中硼的浓度为以重量计大于约百万分之(ppm)0.5。在一替换实施例中，硅粉34中硼的浓度范围在以重量计大约1ppm到大约8ppm之间。硅粉34中磷的浓度范围在以重量计大约1ppm到大约25ppm之间。替代地，硅粉34可以包含使得硅薄片28能如本文所述地制备的任意浓度的杂质。
第二硅粉42由含有低量级杂质的太阳能等级的硅粉组成。特别地，硅粉42中含有低量级的硼。更准确地说，硅粉42中含有低于以重量计大约十亿分之100的硼。与硅粉34中硼和/或磷的浓度相比，硅粉42中硼的浓度较低，确保了与第一层32相比第二层40具有较高的纯度。
在该典型实施例中，硅粉34和42具有基本上相同的熔点。更准确地说，在该典型实施例中，硅粉34和42各自的熔点都是大约1415℃。通过气氛条件区域12将第二层40熔化成液态并且随着第一层32被液化而开始再结晶，具体如下所述。在一替换实施例中，使用单独的气氛条件区域12或14将粉末34和42基本上同时熔化。
图3是其中施加热能50的制备后续阶段期间的第一层32和第二层40的横剖面示意图。在该典型实施例中，在熔炉设备10(如图1所示)中加热和/或冷却第一层32和第二层40。在该典型实施例中，在区域12中提供热能50给第二层的上表面46使第二粉末42熔化。特别地，当区域12的温度接近或超过大约1415℃时硅粉42开始液化。当第二粉末42开始熔化时，液化的第二粉末42至少部分渗入到第一层32的一部分中，形成中间层45。
图4是在制备的后续阶段期间第一层32和第二层40的薄片的横剖面示意图。如图4所示，在一预定时间之后停止热能50对上表面46的施加，并且将热能50施加于下表面36。当将热能50自上表面46吸取时，第二粉末42开始再结晶43。替代地，在一预定时间之后停止热能50对上表面46的施加并且热能50也不施加于下表面36。
图5是在制备的后续阶段期间第一层32和第二层40的横剖面示意图，在该期间第二层40继续晶化。特别地在这个制备阶段中，与第一粉末34熔化成液态同时地，从第二粉末42熔化得到的液化硅继续再结晶。随着第一粉末34熔化，存在于第一粉末34中的杂质被结合到其中，这样以至于仅有微量残留在第二层40固化后的部分中。这有效地防止了缓慢扩散元素例如硼掺入到第二层40中，从而第二层40保持了相对低量级的硼并且第一层32保持了较高硼浓度。
图6是在制备的后续阶段期间硅薄片28的横剖面示意图。特别地在这个制备阶段期间，在一预定时间之后停止热能对下表面36的施加。结晶化从上表面38向下表面36继续，并且杂质继续向下表面36沉淀。特别地，杂质层52在表面46之下形成。一旦第一层32的结晶化完成，薄片28自熔炉设备10中移出并且通过中间层45形成单体。
以上所述的工艺和设备使得能够由具有基本相同的熔点的多层硅粉形成硅薄片。特别地，硅薄片是由散布在含有高量级杂质的太阳能等级的硅粉上的含有低量级杂质的太阳能等级的硅粉制备的。在一实施例中，该杂质是硼和/或磷。
当施加热能时，顶层最先熔化，部分渗入到底层并且然后再结晶。在顶层熔化以后，顶层的结晶化发生。随着顶层固化，在顶层之内的杂质向底层分离，有效减少了在第一硅层的顶部的杂质。另外，存在于第一层32未熔化部分中的具有低扩散常数的杂质未在第二层40再结晶时渗入其中。给底层施加热能导致底层液化。当顶层开始再结晶并且底层熔化时，杂质被进一步向底层的底部分离。当底层熔化之后，底层出现结晶化。该工艺向底层的底部分离原来存在于顶层和底层的杂质。利用此处所描述的方法采用多于一层制备的硅片使得较高百分比的不纯硅原料能够得到利用，与将不纯材料与纯净材料均匀混合相比对太阳能电池的性能没有不利影响。
以上描述的方法和设备提供了一种有成本效益的以及可靠的方法，以便于由低成本的硅粉原料生产出薄的硅片。特别地，半导体薄片可以由多个硅层制备，其中各层是由具有不同浓度的杂质例如硼和/或磷的硅粉制备。
以上详细描述了利用两种化学成分不同的粉末层同时扩展并熔化以形成硅薄片的工艺和设备的典型实施例。工艺和设备并不局限于此处描述的具体实施例，而宁可说是，工艺步骤和设备部件可独立使用并且与此处所描述的其他步骤和部件分离开。
虽然该发明采用各种具体实施例描述，但是本领域技术人员可以认识到本发明在不脱离权利要求的精神和范围内作些许更动也可实现。
部件列表
 
10 熔炉设备
11 受控气氛
12 上部气氛条件区域
14 下部气氛条件区域
16 表面
18 第一硅层
20 第二硅层
22 第一漏斗
24 第二漏斗
28 硅片
32 第一层
34 第一硅粉
36 下表面
38 上表面
40 第二层
42 第二硅粉
43 粉末再结晶
44 底表面
45 中间层
46 上表面
50 热能
52 杂质层

Claims (8)

1.一种半导体材料薄片(28)，包括下表面和上表面，上述半导体材料薄片的制备过程包括：
形成具有下表面(36)和相对的上表面(38)的第一硅粉(34)层(32)；
在所述第一层的上表面上放置第二层(40)，其中第二硅粉(42)层具有下表面(44)和相对的上表面(46)并且具有与第一硅粉层基本相同的熔点；以及
加热第一和第二硅粉层至少其中之一，以引起第一和第二硅粉层其中之一受控的熔化，以及引起第一和第二硅粉层至少其中之一结晶(43)。
2.根据权利要求1所述的薄片，其中包括形成所述第一硅粉层的制备过程进一步包括形成具有浓度为以重量计大于约百万分之0.5的硼与浓度范围在以重量计大约1ppm到大约25ppm之间的磷的第一硅粉层。
3.根据权利要求1所述的薄片，其中包括形成所述第二硅粉层的制备过程进一步包括用基本没有杂质的硅粉形成第二层。
4.根据权利要求1所述的薄片，其中包括加热第一和第二层至少其中之一的制备过程包括对所述第二硅粉层上表面的加热以使第二硅粉层熔化。
5.一种半导体材料薄片的制备方法，该方法包括：
形成第一硅粉层，其中该第一层具有下表面和相对的上表面；
在该第一层的上表面上放置第二层，其中第二硅粉层的熔点与第一硅粉层的熔点基本相同；以及
加热第一和第二硅粉层至少其中之一，以引起第一和第二硅粉层其中之一受控的熔化，以及引起第一和第二硅粉层至少其中之一结晶。
6.根据权利要求5所述的方法，其中形成第一硅粉层进一步包括形成具有浓度为以重量计大于约百万分之0.5的硼与浓度范围在以重量计大约1ppm到大约25ppm之间的磷的第一硅粉层。
7.根据权利要求5所述的方法，其中加热第一和第二层至少其中之一包括对第二硅粉层上表面加热以使第二硅粉层熔化。
8.根据权利要求5所述的方法，其中加热第一和第二层至少其中之一进一步包括以与加热第二硅粉层上表面的温度基本上相同的温度加热第一硅粉层的下表面。
CNA2008101895634A 2008-02-14 2008-12-12 半导体薄片及其制备方法 Pending CN101509143A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US12/031318 2008-02-14
US12/031,318 US20090208770A1 (en) 2008-02-14 2008-02-14 Semiconductor sheets and methods for fabricating the same

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN101509143A true CN101509143A (zh) 2009-08-19

Family

ID=40298695

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNA2008101895634A Pending CN101509143A (zh) 2008-02-14 2008-12-12 半导体薄片及其制备方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20090208770A1 (zh)
EP (1) EP2091090A2 (zh)
CN (1) CN101509143A (zh)
AU (1) AU2008258140A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102834926A (zh) * 2010-02-25 2012-12-19 产机电业株式会社 使用了硅粉末的太阳能电池单体的制造方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6207891B1 (en) * 1997-03-04 2001-03-27 Astropower, Inc. Columnar-grained polycrystalline solar cell substrate
US20050176218A1 (en) * 2002-07-31 2005-08-11 Ge Energy (Usa) Llc Method and apparatus for manufacturing net shape semiconductor wafers

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US115486A (en) * 1871-05-30 George lauded
US5273616A (en) * 1980-04-10 1993-12-28 Massachusetts Institute Of Technology Method of producing sheets of crystalline material and devices made therefrom
US5217564A (en) * 1980-04-10 1993-06-08 Massachusetts Institute Of Technology Method of producing sheets of crystalline material and devices made therefrom
US5328549A (en) * 1980-04-10 1994-07-12 Massachusetts Institute Of Technology Method of producing sheets of crystalline material and devices made therefrom
US5588994A (en) * 1980-04-10 1996-12-31 Massachusetts Institute Of Technology Method of producing sheets of crystalline material and devices made therefrom
WO1981002948A1 (en) * 1980-04-10 1981-10-15 Massachusetts Inst Technology Methods of producing sheets of crystalline material and devices made therefrom
US5362682A (en) * 1980-04-10 1994-11-08 Massachusetts Institute Of Technology Method of producing sheets of crystalline material and devices made therefrom
US4650541A (en) * 1984-09-12 1987-03-17 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Apparatus and method for the horizontal, crucible-free growth of silicon sheet crystals
US4721688A (en) * 1986-09-18 1988-01-26 Mobil Solar Energy Corporation Method of growing crystals
EP0452122B1 (en) * 1990-04-13 1996-09-11 Kawasaki Steel Corporation Method of producing grain oriented silicon steel sheets having less iron loss
DE60030279T2 (de) * 1999-03-17 2007-08-30 Mitsubishi Cable Industries, Ltd. Halbleiterbasis, ihre herstellungsmethode und halbleiterkristallherstellungsmethode
JP3656821B2 (ja) * 1999-09-14 2005-06-08 シャープ株式会社 多結晶シリコンシートの製造装置及び製造方法
JP4121697B2 (ja) * 1999-12-27 2008-07-23 シャープ株式会社 結晶シートの製造方法およびその製造装置
JP3650727B2 (ja) * 2000-08-10 2005-05-25 Ｈｏｙａ株式会社 炭化珪素製造方法
FR2827592B1 (fr) * 2001-07-23 2003-08-22 Invensil Silicium metallurgique de haute purete et procede d'elaboration
JP2005035013A (ja) * 2003-07-15 2005-02-10 Brother Ind Ltd 液体移送装置の製造方法
US7294197B1 (en) * 2003-08-13 2007-11-13 Nicholas Gralenski Formation of a silicon sheet by cold surface casting
US7202143B1 (en) * 2003-10-23 2007-04-10 The Board Of Trustees Of The University Of Arkansas Low temperature production of large-grain polycrystalline semiconductors
US7572334B2 (en) * 2006-01-03 2009-08-11 Applied Materials, Inc. Apparatus for fabricating large-surface area polycrystalline silicon sheets for solar cell application

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6207891B1 (en) * 1997-03-04 2001-03-27 Astropower, Inc. Columnar-grained polycrystalline solar cell substrate
US20050176218A1 (en) * 2002-07-31 2005-08-11 Ge Energy (Usa) Llc Method and apparatus for manufacturing net shape semiconductor wafers

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102834926A (zh) * 2010-02-25 2012-12-19 产机电业株式会社 使用了硅粉末的太阳能电池单体的制造方法
CN102834926B (zh) * 2010-02-25 2015-07-22 产机电业株式会社 使用了硅粉末的太阳能电池单体的制造方法

Also Published As

Publication number Publication date
EP2091090A2 (en) 2009-08-19
US20090208770A1 (en) 2009-08-20
AU2008258140A1 (en) 2009-09-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
AU667130B2 (en) Improved columnar-grained polycrystalline solar cell and process of manufacture
AU739048B2 (en) Columnar-grained polycrystalline solar cell substrate and improved method of manufacture
CN101755075A (zh) 从籽晶制造浇铸硅的方法和装置
EP2173660B1 (en) Method for controlling resistivity in ingots made of compensated feedstock silicon
KR101505939B1 (ko) 태양 전지를 제조하기 위한 게르마늄 강화 실리콘 재료
EP3721478B1 (en) Monocrystalline germanium wafers, method for preparing the same, method for preparing ingots and use of monocrystalline wafers
CN102776560B (zh) 多晶硅锭及其制备方法和多晶硅片
CN107484431A (zh) 半导体基板的制造方法以及半导体基板
US20150191846A1 (en) System and method of growing silicon ingots from seeds in a crucible and manufacture of seeds used therein
CN107523858A (zh) 一种籽晶铺设方法、类单晶硅锭的铸造方法及类单晶硅片
US7569462B2 (en) Directional crystallization of silicon sheets using rapid thermal processing
CN104846437A (zh) 电阻率分布均匀的掺镓晶体硅及其制备方法
USRE36156E (en) Columnar-grained polycrystalline solar cell and process of manufacture
Kutsukake et al. Characterization of silicon ingots: Mono-like versus high-performance multicrystalline
US20100148403A1 (en) Systems and Methods For Manufacturing Cast Silicon
CN101509143A (zh) 半导体薄片及其制备方法
US20090280336A1 (en) Semiconductor sheets and methods of fabricating the same
CN104711675B (zh) 磷砷锑共掺杂的n型重掺直拉硅单晶及其硅外延片
CN106191992A (zh) 多晶硅锭的制造方法
CN103924294A (zh) 一种多晶硅及其制备方法
US9437692B2 (en) Production and distribution of dilute species in semiconducting materials
Machida Si wafer technology for power devices: A review and future directions
CN107825606A (zh) 多晶硅片及其制备方法
KR20110087411A (ko) 단결정 성장용 앰플 및 이를 포함하는 단결정 성장장치
TWI458863B (zh) Silicon casting casting, silicon casting method, silicon material and solar cell manufacturing method

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
ASS Succession or assignment of patent right

Owner name: MOTECH AMERICAN CO., LTD.

Free format text: FORMER OWNER: GENERAL ELECTRIC COMPANY

Effective date: 20100612

C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
COR Change of bibliographic data

Free format text: CORRECT: ADDRESS; FROM: NEW YORK, USA TO: DELAWARE, USA

TA01 Transfer of patent application right

Effective date of registration: 20100612

Address after: Delaware

Applicant after: Mao Di America limited liability company

Address before: American New York

Applicant before: General Electric Company

C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20090819