CN102800721A - 建筑整合式光伏面板 - Google Patents

建筑整合式光伏面板 Download PDF

Info

Publication number
CN102800721A
CN102800721A CN2012101673315A CN201210167331A CN102800721A CN 102800721 A CN102800721 A CN 102800721A CN 2012101673315 A CN2012101673315 A CN 2012101673315A CN 201210167331 A CN201210167331 A CN 201210167331A CN 102800721 A CN102800721 A CN 102800721A
Authority
CN
China
Prior art keywords
conductive layer
layer
photovoltaic panel
reflector
building
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN2012101673315A
Other languages
English (en)
Inventor
蔡进耀
林义凯
曾一恒
张志雄
林昆志
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Auria Solar Co Ltd
Original Assignee
Auria Solar Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Auria Solar Co Ltd filed Critical Auria Solar Co Ltd
Publication of CN102800721A publication Critical patent/CN102800721A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0216—Coatings
    • H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/02167—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/036—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes
    • H01L31/0392—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate
    • H01L31/03921—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate including only elements of Group IV of the Periodic Table
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/0445—PV modules or arrays of single PV cells including thin film solar cells, e.g. single thin film a-Si, CIS or CdTe solar cells
    • H01L31/046—PV modules composed of a plurality of thin film solar cells deposited on the same substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/0445—PV modules or arrays of single PV cells including thin film solar cells, e.g. single thin film a-Si, CIS or CdTe solar cells
    • H01L31/046—PV modules composed of a plurality of thin film solar cells deposited on the same substrate
    • H01L31/0463—PV modules composed of a plurality of thin film solar cells deposited on the same substrate characterised by special patterning methods to connect the PV cells in a module, e.g. laser cutting of the conductive or active layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/0445—PV modules or arrays of single PV cells including thin film solar cells, e.g. single thin film a-Si, CIS or CdTe solar cells
    • H01L31/046—PV modules composed of a plurality of thin film solar cells deposited on the same substrate
    • H01L31/0465—PV modules composed of a plurality of thin film solar cells deposited on the same substrate comprising particular structures for the electrical interconnection of adjacent PV cells in the module
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/0445—PV modules or arrays of single PV cells including thin film solar cells, e.g. single thin film a-Si, CIS or CdTe solar cells
    • H01L31/046—PV modules composed of a plurality of thin film solar cells deposited on the same substrate
    • H01L31/0468—PV modules composed of a plurality of thin film solar cells deposited on the same substrate comprising specific means for obtaining partial light transmission through the module, e.g. partially transparent thin film solar modules for windows
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02A—TECHNOLOGIES FOR ADAPTATION TO CLIMATE CHANGE
    • Y02A30/00—Adapting or protecting infrastructure or their operation
    • Y02A30/60—Planning or developing urban green infrastructure
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02B—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
    • Y02B10/00—Integration of renewable energy sources in buildings
    • Y02B10/10—Photovoltaic [PV]
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Sustainable Energy (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

本发明公开了一种建筑整合式光伏（building-integrated photovoltaic;BIPV）面板，在其中一实施例中包含一基材层、一反射层、一第一导电层、一主动层、与一第二导电层。反射层形成于基材层上，第一导电层形成于该基材层上，主动层形成在第一导电层上，且第二导电层形成在主动层上。反射层具有一折射率与一厚度，藉以使BIPV面板的反射率光谱在一可见光谱的一选定波长范围内，对于一入射光具有一最大值。

Description

建筑整合式光伏面板
技术领域
本发明关于一种光伏装置，且特别是有关于一种薄膜型建筑整合式光伏（building-integrated photovoltaic;BIPV）面板，且该薄膜型建筑整合式光伏面板可反射可见光谱的一特殊颜色。
背景技术
光伏电池可藉由光伏效应将阳光的能量转换成电力，且光伏电池所组成元件可用于制作光伏模块或太阳能面板。在建筑整合式光伏（building-integratedphotovoltaic;BIPV）技术的应用中，光伏模块被制造成与建筑材料（如窗户、屋顶与外墙材料等）一体成形。在壅塞的都会区域，对于如何将太阳能利用于使建筑物时维持引人注目的外观而言，BIPV技术是一种理想的解决良方。目前可供利用的光伏电池大多由块状材料（诸如结晶硅或多晶硅材料）所组成。在BIPV材料中所包含的块状光伏电池多为非透明材料，因此只限于应用在遮光板、屋顶或外墙等材料。然而，由于BIPV窗户材料必须为透明材质，而且最好能够反射出建筑师与客户在美学偏好方面所欲呈现的（在可见光谱内的）颜色。因此，迄今仍有待开发出新的技术来解决上述种种问题。
发明内容
在一方面，本发明关于一种BIPV面板。在其中一个实施例中，BIPV面板包含一基材层、一反射层、一第一导电层、一主动层与一第二导电层。反射层形成于基材层上，并且具有多个第一窗口以使基材层暴露出多个基材层第一外露部分。
第一导电层形成于反射层与上述多个第一窗口所暴露出上述多个基材层第一外露部分上，具有多个第二窗口以使基材层暴露出多个基材层第二外露部分，且每一上述的第二窗口位于所对应的一个上述的第一窗口内。主动层形成于第一导电层上，具有多个第三窗口以使第一导电层暴露出多个第一导电层第一外露部分，且每一上述的第三窗口位于所对应的一个上述的第一窗口内。第二导电层形成于主动层上，具有多个第四窗口以使第一导电层暴露出多个第一导电层第二外露部分，且每一上述的第四窗口位于所对应的一个上述的第一窗口内。其中，反射层具有一折射率与一厚度，藉以使BIPV面板的反射率光谱在一可见光谱的一选定波长范围内，对于一入射光具有一最大值。
在其中一个实施例中，所述的选定波长范围对应于紫色、深蓝色、浅蓝色、银色、金色、橙色、红色与棕色当中至少一者。
在其中一个实施例中，反射层的折射率介于1.5与6.5之间。
在其中一个实施例中，反射层包含碳化硅（silicon carbide;SiC），且反射层的厚度介于1nm与300nm之间。
在另一个实施例中，反射层包含微晶硅（micro-crystalline silicon;μc-Si），且反射层的厚度介于1nm与600nm之间。
在其中一个实施例中，第一导电层与第二导电层包含一透明导电氧化物（transparent conducting oxide;TCO）或一金属。透明导电氧化物包含氧化锌（zinc oxide;ZnO）、氧化锡（tin oxide;SnO2）、氧化铟（indium tin oxide;ITO）、氧化铝锡（aluminum tin oxide;ATO）、氧化铝锌（aluminum zinc oxide;AZO）、氧化镉铟（cadmium indium oxide;CIO）、氧化镉锌（cadmium zinc oxide;CZO）、氧化镓锌（gallium zinc oxide;GZO）与氧化氟锡（fluorine tin oxide;FTO）当中至少一者。金属包含钼（molybdenum;Mo）、钛（titanium;Ti）、镍（nickel;Ni）、金（gold;Au）、银（silver;Ag）、铬（chromium;Cr）与铜（copper;Cu）当中至少一者。
在其中一个实施例中，主动层更包含至少一光伏层，且光伏层由至少一半导体所形成。其中，所述的半导体包含第IV族元素半导体、第III-V族元素半导体、第II-VI族元素半导体与有机化合物半导体（organic compoundsemiconductors）当中至少一者。
在一方面，本发明关于一种BIPV面板。在其中一个实施例中，BIPV面板包含一基材层、一第一导电层、一主动层、一第二导电层与一反射层。主动层形成于第一导电层上；第二导电层形成于主动层上；且反射层形成于基材层与第一导电层之间，或形成于第二导电层上使第一导电层形成于基材层上。其中，反射层具有一折射率与一厚度，藉以使BIPV面板的反射率光谱在一可见光谱的一选定波长范围内，对于一入射光具有一最大值。
在其中一个实施例中，所述的选定波长范围对应于紫色、深蓝色、浅蓝色、银色、金色、橙色、红色与棕色当中至少一者。
在其中一个实施例中，反射层包含碳化硅（silicon carbide;SiC）或微晶硅（micro-crystalline silicon;μc-Si）。
在另一个实施例中，反射层包含微晶硅（micro-crystalline silicon;μc-Si），且反射层的厚度介于1nm与600nm之间。
在其中一个实施例中，且反射层的厚度介于1nm与600nm之间。
在其中一个实施例中，第一导电层与第二导电层包含一透明导电氧化物（transparent conducting oxide;TCO）或一金属。
在另一方面，本发明关于一种BIPV面板。在其中一个实施例中，BIPV面板包含一基材层、一第一导电层、一主动层、与一第二导电层。第一导电层形成于基材层上；主动层形成于第一导电层上；第二导电层形成于主动层上；其中，第一导电层具有一厚度，藉以使BIPV面板的反射率光谱在一可见光谱所对应的紫色、深蓝色、浅蓝色、银色、金色、橙色、红色与棕色当中至少一者的波长范围内，对于一入射光具有一最大值。
在其中一个实施例中，第一导电层与第二导电层包含一透明导电氧化物（transparent conducting oxide;TCO）或一金属。
在其中一个实施例中，第一导电层的厚度介于1nm与3000nm之间。
在又一方面，本发明关于一种形成BIPV面板的方法。在其中一实施例中，该方法包含以下步骤：首先，在一基材层上沉积出一反射层，并在反射层上刻划出多个第一窗口，藉以使基材层暴露出多个基材层第一外露部分。接着，在反射层上以及在基材层被第一窗口所暴露出的第一外露部分上沉积出一第一导电层，并且在第一导电层上刻划出多个第二窗口，藉以使基材层暴露出多个基材层第二外露部分，并使每一上述的第二窗口位于所对应的一个上述的第一窗口内。
紧接着，在第一导电层上沉积出一主动层，并在主动层上划出多个第三窗口，藉以使第一导电层暴露出多个第一导电层第一外露部分，并使每一上述的第三窗口位于所对应的一个上述的第一窗口内。然后，在主动层上沉积出一第二导电层，并在第二导电层上划出多个第四窗口，藉以使第一导电层暴露出多个第一导电层第二外露部分，并使每一上述的第四窗口位于所对应的一个上述的第一窗口内。其中，反射层具有一折射率与一厚度，藉以使BIPV面板的反射率光谱在一可见光谱的一选定波长范围内，对于一入射光具有一最大值。
在其中一个实施例中，所述的选定波长范围对应于紫色、深蓝色、浅蓝色、银色、金色、橙色、红色与棕色当中至少一者，且反射层包含碳化硅（siliconcarbide;SiC）或微晶硅（micro-crystalline silicon;μc-Si）。
在其中一个实施例中，上述的刻划步骤利用一激光加以实施。
以上的说明仅为本发明的较佳实施例说明，依据本发明的上述实施例说明而作其它种种的改良及变化，当仍属于本发明的发明精神及界定的专利范围内。
附图说明
图1显示依据本发明第一实施例所提供的一光伏面板的剖面结构图；
图2显示依据本发明不同的实施方式，三种光伏面板对入射光在基材层上的穿透率与反射率光谱图；
图3(a)与图3(b)分别显示依据本发明不同的实施方式，三种光伏面板对光入射至基材层的穿透率光谱与吸收率光谱；
图4(a)至图4(f)显示制造薄膜光伏面板的一列处理程序；
图5显示依据本发明第二实施例所提供的一光伏面板500的剖面结构图；
图6显示在光伏面板的局部位置产生不整齐均匀或断裂的刻划线；
图7显示本发明第三实施例为解决「死区（Dead Zone）」问题所提供的技术方案；
图8(a)至图8(h)显示依据本发明第三实施例所提供的解决「死区（DeadZone）」问题所提供的技术方案来制造光伏面板的一列处理程序；
图9显示利用8(a)至8(h)图的制程所制作出的光伏面板的局部影像；
图10显示可见光谱中的各颜色与波长范围以及频率范围的对应关表；
图11显示依据本发明不同的实施方式，三种光伏面板的光伏与光学性质摘要表；
图12显示依据本发明不同的实施方式，其中二种光伏面板（微晶硅反射层的厚度分别为30nm与50nm）的光伏与光学性质摘要表；以及
图13显示依据本发明不同的实施方式，其它各种（具有不同微晶硅反射层的厚度）光伏面板的光伏与光学性质摘要表。
【主要元件符号说明】
100            光伏面板
110            基材层
120            反射层
130            第一（前）导电层
140            主动层
150            第二（后）导电层
160            背面层
202、204、206  光谱曲线
208、210、212  光谱曲线
214            光谱曲线
302、304、306  光谱曲线
308、310、312  光谱曲线
410            基材层
420            第一（前）导电层
425            第一窗口（或开口）
430            主动层
432            非晶硅层
434            微晶硅层
435            第二窗口（或开口）
440            第二（背）导电层
445            第三窗口（或开口）
462            正电极
464            负电极
500            光伏面板
510            基材层
520            反射层
530    第一（前）导电层
540    主动层
542    非晶硅层
544    微晶硅层
550    第二（后）导电层
560    死区
535    第一窗口
545    第二窗口
555    第三窗口
700    光伏面板
710    基材层
720    反射层
730    第一导电层
740    主动层
750    第二导电层
742    非晶硅层
744    微晶硅层
770    有色窗口（color windows）
760    死区
810    基材层
820    反射层
825    第一窗口（或开口）
830    第一（前）导电层
835    第二窗口（或开口）
840    主动层
842    非晶硅层
844    微晶硅层
845    第三窗口（或开口）
850    第二（背）导电层
855    第四窗口（或开口）
862               正电极
864               负电极
C1、C2、C3、C4、C5光伏电池
C1a、C2a          光伏电池
P1                第一激光刻划
P2                第二激光刻划
P3                第三激光刻划
P4                第四激光刻划
具体实施方式
本发明所采用的具体实施例，将藉由以下的实施例及图式作进一步的说明。然而，本发明可以利用多种形式加以实施，下述实施例所揭露的内容主要提供给所属技术领域中具有通常知识者能够具体理解本发明的技术内容，本发明的专利范围并不局限于下述实施例所揭露的内容。
可以被理解的是，在以下的描述中，每当提及一元件形成在另一元件上时，代表该可直接或间接（在两者之间存在其它元件）形成在所述另一元件上。反之，每当提及一元件直接形成在另一元件上时，则表示在两者之间不存在其它元件。此外，「与/或」的意义可包含所列的一个或多个相关目的任何或所有的组合。
在以下所揭露的内容中，所述的「大约」是指所揭露数值增减20％内的范围，较佳者为所揭露数值增减10％内的范围，更佳者为所揭露数值增减5％内的范围。
在以下所揭露的「基材层」是指一薄型材料层，且薄型材料层的成分可为硅、二氧化硅、氧化铝、蓝宝石、锗、砷化镓（gallium arsenide;GaAs）、硅锗合金、磷化铟（indium phosphide;InP）、塑料、金属等可应用于半导体装置（如光伏电池）者。
以下将结合图式图1至图13，对本发明较佳实施例提出更为具体的说明。依据本发明的目的，在其中一方面，本发明关于一种（薄膜型）建筑整合式光伏面板/装置。
图1显示依据本发明第一实施例所提供的一光伏面板100的剖面结构图。光伏面板100可作为一建筑整合式光伏（building-integrated photovoltaic;BIPV）面板使用，并且具有一基材层110、一反射层120、一第一（前）导电层130、一主动层140、一第二（后）导电层150与一背面层160。反射层120形成于基材层110上，第一导电层130形成于反射层120上，主动层140形成于第一导电层130上，第二导电层150形成于主动层140上，且背面层160形成于第二导电层150上。反射层120具有反射层具有一折射率与一厚度，藉以使BIPV面板的反射率光谱在一可见光谱的一选定波长范围内，对于一入射光具有一最大值。
请一并参阅图10，其显示可见光谱中的各颜色与波长范围以及频率范围的对应关系表。较佳者，反射层的反射率大约介于1.5与6.5之间。图1所示的光伏面板100可作为BIPV面板使用，并且应用于建筑物的窗户、屋顶、墙壁或其它类似建材。藉由选取适当的反射层120的材料及厚度，可使BIPV窗户、屋顶、墙壁或其它类似建材，呈现出建筑师与客户在美学偏好方面所欲呈现的颜色。
对图1所显示的光伏面板100而言，基材层110可为一薄层材料，其组成成份可包含硅、二氧化硅、氧化铝、蓝宝石、锗、砷化镓（gallium arsenide;GaAs）、硅锗合金、磷化铟（indium phosphide;InP）、玻璃、塑料与金属等应用于半导体装置（如光伏电池）的材料。
第一导电层130与第二导电层150由相同或实质不同的材料所形成。在本实施例中，第一导电层130可由透明导电氧化物（transparent conducting oxide;TCO）或一金属形成。其中，透明导电氧化物可包含氧化锌（zinc oxide;ZnO）、氧化锡（tin oxide;SnO2）、氧化铟（indium tin oxide;ITO）、氧化铝锡（aluminumtin oxide;ATO）、氧化铝锌（aluminum zinc oxide;AZO）、氧化镉铟（cadmiumindium oxide;CIO）、氧化镉锌（cadmium zinc oxide;CZO）、氧化镓锌（galliumzinc oxide;GZO）与氧化氟锡（fluorine tin oxide;FTO）当中至少一者；金属可包含钼（molybdenum;Mo）、钛（titanium;Ti）、镍（nickel;Ni）、金（gold;Au）、铜（copper;Cu）、铬（chromium;Cr）与银（silver;Ag）当中至少一者。除以上所述的透明导电氧化物与金属之外，其它透明导电氧化物与金属亦可用以实现本发明。
依据本发明所揭露的内容，可以选择让阳光在第二导电层150或基材层110处入射至光伏面板100，据以选择对应的材料选用方案。若选择让阳光在第二导电层150处入射至光伏面板100，则第二导电层150必须由透明导电材料所形成。反之，若选择让阳光在基材层110处入射至光伏面板100，则基材层110必须由透明材料（如玻璃）所形成；且第二导电层150由透明导电材料所形成。前者有时会被归类为「基材型光伏电池」，后者有时会被归类为「上板型（superstrate-type）光伏电池」。
主动层140可包含至少一光伏层，且光伏层可由至少一半导体所形成。所述的半导体包含第IV族元素半导体、第III-V族元素半导体、第II-VI族元素半导体与有机化合物半导体（organic compound semiconductors）当中至少一者。在本实施例中，主动层140包含一串接接面的堆栈结构。举例而言，所述的堆栈结构可具有一非晶硅（amorphous silicon;a-Si）层与一微晶硅层（micro-crystalline silicon;μc-Si）层。非晶硅层形成于第一导电层130上，且微晶硅层形成于非晶硅层上，藉以定义出一a-Si/μc-Si串接接面。在另一实施例中，堆栈结构可具有一n型掺杂的硫化镉（CdS）层与一p型掺杂的碲化镉（CdTe）层。n型掺杂的硫化镉层形成于第一导电层130上，且p型掺杂的碲化镉层形成于n型掺杂的硫化镉层上，藉以定义出一n:CdS/P:CdTe串接接面。
在另一实施例中，主动层140的光伏层可为在化学周期表中的第IV族元素的半导体薄膜、第III-V族化合物半导体薄膜、第II-VI族化合物半导体薄膜、有机半导体薄膜当中的至少一者。详言之，上述在化学周期表中的第IV族元素的半导体薄膜可为一碳薄膜、一硅薄膜、一锗薄膜、一碳化硅薄膜或一硅锗薄膜，其中每一者皆可为单晶、多晶、非晶与微晶当中的至少一种形式。
举例而言，上述在化学周期表中的第III-V族化合物半导体薄膜可为砷化镓（gallium arsenide;GaAs）薄膜与磷化铟镓（indium gallium phosphide;InGaP）薄膜当中至少一者。上述在化学周期表中的第II-VI族化合物半导体薄膜可为二硒化铜铟（copper indium diselenide;CIS）薄膜、二硒化铜铟镓（copper indiumgallium diselenide;CIGS）薄膜与碲化镉（cadmium telluride;CdTe）薄膜当中至少一者。更进一步来说，上述的有机化合物半导体薄膜可为一种由共轭聚合物提供者与富勒烯衍生物（PCMB）接受者所组成的混合物。
此外，主动层140可为一光电转换结构的PN单层结构，且所述的PN单层结构由P型半导体与N型半导体所组成。或者，主动层140可为一光电转换结构的PIN单层结构，且所述的PIN单层结构由P型半导体、本质层（intrinsiclayer）与N型半导体所组成。然而，本发明并不以此为限。在另一实施例中，主动层可为一串接接面堆栈结构、三接面堆栈结构或多于三层的光电转换薄膜结构。
接下来，将继续详述本实施例的具体实施方式。在其中一种实施方式中，基材层110由厚度约为3.2mm的玻璃所形成；第一导电层130与第二导电层150厚度分别约为1700nm与1450nm的透明导电氧化物薄膜。主动层140包含一非晶硅层与一微晶硅层，且非晶硅层与微晶硅层的总厚度约为1800nm。反射层120由ㄧ折射率约为2.55的碳化硅薄膜所形成。藉由碳化硅薄膜厚度的变化，光伏面板100可被制作来反射出可见光谱中不同的颜色。依据本发明，基材层110、第一导电层130、第二导电层150与主动层140的厚度亦可配合反射层120的厚度而变化性地采用，藉以实现所欲呈现的反射性质。
图2显示依据本发明不同的实施方式，三种光伏面板对入射光在基材层110上的穿透率与反射率光谱图。每一光伏面板100利用碳化硅薄膜作为反射层。在图2中，光谱曲线202、204与206分别对应于碳化硅薄膜的厚度为10nm、15nm与20nm的穿透率光谱；光谱曲线208、210与212分别对应于碳化硅薄膜的厚度为10nm、15nm与20nm的反射率光谱。光谱曲线214为仅单独使用玻璃基材（即未设置反射层）的穿透率光谱。由图2可知，穿透率会随着碳化硅薄膜厚度的增加而降低，反射率则会随着碳化硅薄膜厚度的增加而增加。随着碳化硅薄膜厚度的增加，反射率的最大值往长波长移动。同时，上述三种光伏面板分别呈现出紫色、深蓝色与浅蓝色的外观。
薄膜光伏面板包含非晶硅与微晶硅的串接堆栈层以做为主动层时，所具有的光电转换效率高于非晶硅单接面的主动层。非晶硅与微晶硅的能隙分别约为1.8eV与1.1eV。因为微晶硅的能隙较小的缘故，
具有串接堆栈架构的光伏电池可加强吸收红光波长范围的光线，藉以提升光电转换效率，如此可导致在缺乏反射层时，使光伏面板100呈现深色或黯淡颜色的外观。当一反射层120插设在基材层110与第一导电层130之间时（如图1所示），在维持高光电转换效率之余，光伏面板100仍可具有相当引人注目的外观颜色。
请一并参阅图11，其显示依据本发明不同的实施方式，三种光伏面板的光伏与光学性质摘要表。在图11中，VOC表示开路电压（open-circuit voltage）；ISC代表短路电流（short-circuit current）；PMPP代表最大功率点位置；PStable代表稳定功率；FF代表填充因子；RS代表串联阻抗；RSH代表并联阻抗；Trans.代表穿透率；Refl.代表反射率；（）内的数字代表波长，其单位为nm。
在本发明另一实施例中，反射层120为一折射率为3.5的微晶硅薄膜。图3(a)与图3(b)分别显示依据本发明不同的实施方式，三种光伏面板对光入射至基材层100的穿透率光谱与吸收率光谱。在图3(a)中，光谱曲线302、304与306分别对应于微晶硅反射层的厚度为30nm、40nm与50nm的穿透率光谱；在图3(b)中，光谱曲线308、310与312分别对应于微晶硅反射层的厚度为30nm、40nm与50nm的反射率光谱。由图3(b)中可以看出随着微晶硅反射层厚度的增加，反射率的最大值往长波长移动。当微晶硅反射层的厚度分别为30nm与50nm时，光伏面板分别呈现出银（绿）色与金色的外观。请一并参阅图12，其显示依据本发明不同的实施方式，其中二种光伏面板（微晶硅反射层的厚度分别为30nm与50nm）的光伏与光学性质摘要表。在图12中，各相关参数的说明与图11所描述者相同。
请继续参阅图13，其显示依据本发明不同的实施方式，其它各种（具有不同微晶硅反射层的厚度）光伏面板的光伏与光学性质摘要表。在图13中，各相关参数的说明与图11所描述者相同。
在本发明另一方面，提供一种用以作为BIPV面板的薄膜光伏面板的一系列有关于沉积与刻划的制造步骤。请参阅图4(a)至图4(f)，其显示制造薄膜光伏面板的一系列处理程序。其中，第一步骤如图4(a)所示，其是在一基材层410上沉积出一第一（前）导电层420。第二步骤如图4(b)所示，其利用一第一激光刻划P1将第一导电层420刻划出多个第一窗口（或开口）425，藉以将第一导电层420分割成多个分离的电池。
第三步骤如图4(c)所示，其是在第一导电层420上沉积出一主动层430。举例而言，主动层430可包含一非晶硅层432与一微晶硅层434，非晶硅层432可形成于第一导电层420上，且微晶硅层434可形成于非晶硅层432上。第四步骤如图4(d)所示，其利用一第二激光刻划P2将主动层430刻划出多个第二窗口（或开口）435。第五步骤如图4(e)所示，其在主动层430上沉积出第二（背）导电层440。第六步骤如图4(f)所示，其利用一第三激光刻划P3将第二导电层440刻划出多个第三窗口（或开口）445，藉以形成多个光伏电池C1、C2、C3、C4与C5。最后，在第一个光伏电池C1与最后一个光伏电池C5的第二导电层440上分别形成一正电极462与一负电极464。
上述的多个第二窗口435允许每一个光伏电池（C1至C4）的第二导电层440分别电性连接于下一个光伏电池（C2至C5）的第一导电层420。藉由以上的制造步骤，可使光伏面板上的光伏电池C1至C5彼此串联电性连接。
图5显示依据本发明第二实施例所提供的一光伏面板500的剖面结构图。光伏面板500可作为一建筑整合式光伏（building-integrated photovoltaic;BIPV）面板使用，并且具有多个光伏电池，各光伏电池包含一基材层510、一反射层520、一第一（前）导电层530、一主动层540与一第二（后）导电层550。反射层520形成于基材层510上；第一导电层530形成于反射层520上；主动层540形成于第一导电层530上；且第二导电层550形成于主动层540上。
在其中一个制造过程中，是与上述的第一实施例相似，其是先在基材层510上沉积出反射层520。接下来，第一导电层530、主动层540与第二导电层550依序被沉积出，并且利用激光加以刻划。其中，主动层540包含一非晶硅层542与一微晶硅层544。第一激光刻划P1、第二激光刻划P2与第三激光刻划P3分别刻划出多个第一窗口535、第二窗口545与第三窗口555。如图5所示，因为有反射层520存在，在反射层520的一死区（Dead Zone）560处，用以形成第一激光刻划P1至第三激光刻划P3时所使用的部分激光束会被反射层520所反射，或因此而消散（如图5中的虚箭头线所示）。
为了完全移除刻划所产生的多余材料，用以形成第一激光刻划P1至第三激光刻划P3所使用的激光束的波长必须依据所欲刻划的材料来选用。以常用于形成第一导电层530的氧化锌（ZnO）为例，其所使用的用以形成第一激光刻划P1的激光束的波长通常为355nm。如图2与图3所示，此波长的激光束大部分会被反射层所反射。反射层520也具有吸收用以形成第二激光刻划P2与第三激光刻划P3所使用的激光束的倾向。这种反射层520反射与吸收激光束的情况，将会导致在光伏面板的某些位置产生不整齐均匀或断裂的刻划线（如图6所显示的光伏面板的局部影像所示）。
图7显示本发明第三实施例为解决「死区（Dead Zone）」问题所提供的技术方案。一光伏面板700包含一基材层710、一反射层720、一第一导电层730、一主动层740与一第二导电层750，其中主动层740包含一非晶硅层742与一微晶硅层744。上述结构至少形成两个光伏电池C1a与C2a。同时，光伏面板700的结构与图5所示的光伏面板500的结构相似，两者之间只存在一个差异，其差异是预先对光伏模块700的反射层720加以图案化，藉以形成多个有色窗口（color windows）770。每一个有色窗口770的宽度大于所对应的死区760的宽度，并且涵盖所对应的死区760，藉此可使用以形成第一激光刻划P1至第三激光刻划P3所使用的激光束不至于被反射层720所反射。藉此，刻划线将会比较整齐均匀。
图8(a)至图8(h)显示依据本发明第三实施例所提供的解决「死区（DeadZone）」问题所提供的技术方案来制造光伏面板的一列处理程序。其中，第一步骤如图8(a)所示，其是在一基材层810上沉积出一反射层820。第二步骤如图8(b)所示，其是利用一第一激光刻划P1将反射层820刻划出多个第一窗口（或开口）825以作为「有色窗口」，藉以使基材层810暴露出多个基材层第一外露部分。第三步骤如图8(c)所示，其是在反射层820上以及在基材层810被第一窗口825所暴露出基材层第一外露部分上沉积出一第一（前）导电层830。
第四步骤如图8(d)所示，其是利用一第二激光刻划P2将第一导电层830刻划出多个第二窗口（或开口）835，藉以使基材层810暴露出多个基材层第二外露部分，藉以将第一导电层830分割为多个分离的电池。每一个第二窗口835位于所对应的第一窗口825内，藉以使用以形成第二激光刻划P2所使用的激光束不至于被反射层820所反射。第五步骤如图8(e)所示，其是在第一导电层830上沉积出一主动层840。举例而言，主动层840可包含一非晶硅层842与一微晶硅层844，非晶硅层842可形成于第一导电层830上，且微晶硅844可形成于非晶硅层842上
第六步骤如图8(f)所示，其是利用一第三激光刻划P3将主动层840刻划出多个第三窗口（或开口）845，藉以使第一导电层830暴露出多个第一导电层第一外露部分。每一个第三窗口845位于所对应的第一窗口825内，藉以使用以形成第三激光刻划P3所使用的激光束不至于被反射层820所反射。第七步骤如图8(g)所示，其在主动层840上沉积出一第二（背）导电层850。8步骤如8(h)图所示，其利用一第四激光刻划P4将第二导电层850刻划出多个第四窗口（或开口）855，藉以使第一导电层830暴露出多个第一导电层第二外露部分，至此可形成多个光伏电池，在8(h)图中，形成四个光伏电池C1、C2、C3与C4。每一个第四窗口855位于所对应的第一窗口825内，藉以使用以形成第四激光刻划P4所使用的激光束不至于被反射层820所反射。
最后，在第一个光伏电池C1与最后一个光伏电池C4的第二导电层850上分别形成一正电极862与一负电极864。上述的多个第四窗口855允许每一个光伏电池（C1至C3）的第二导电层850分别电性连接于下一个光伏电池（C2至C4）的第一导电层830。藉由以上的制造步骤，可使光伏面板上的光伏电池C1至C4彼此串联电性连接。
图9显示利用图8(a)至图8(h)的制程所制作出的光伏面板的局部影像。如图9所示，利用第二激光刻划P2、第三激光刻划P3与第四激光刻划P4所形成的刻划线都相当整齐均匀。综合以上所述，本发明所提供的（薄膜）BIPV面板可反射可见光谱中的特定颜色。
藉由上述的本发明实施例可知，本发明确具产业上的利用价值。以上的实施例说明，仅为本发明的较佳实施例说明，举凡所属技术领域中具有通常知识者当可依据本发明的上述实施例说明而作其它种种的改良及变化。然而这些依据本发明实施例所作的种种改良及变化，当仍属于本发明的发明精神及界定的权利要求保护范围内。

Claims (13)

1.一种建筑整合式光伏面板，包括：
一基材层；
一反射层，形成于该基材层上，并且具有多个第一窗口以使该基材层暴露出多个基材层第一外露部分；
一第一导电层，形成于该反射层与该些第一窗口所暴露出该些基材层第一外露部分上，具有多个第二窗口以使该基材层暴露出多个基材层第二外露部分，且每一上述的第二窗口位于所对应的一个上述的第一窗口内；
一主动层，形成于该第一导电层上，具有多个第三窗口以使该第一导电层暴露出多个第一导电层第一外露部分，且每一上述的第三窗口位于所对应的一个上述的第一窗口内；以及
一第二导电层，形成于该主动层上，具有多个第四窗口以使该第一导电层暴露出多个第一导电层第二外露部分，且每一上述的第四窗口位于所对应的一个上述的第一窗口内；
其中，该反射层具有一折射率与一厚度，藉以使该建筑整合式光伏面板的反射率光谱在一可见光谱的一选定波长范围内，对于一入射光具有一最大值，且该反射层包含微晶硅。
2.如权利要求1所述的建筑整合式光伏面板，其特征在于，该选定波长范围对应于紫色、深蓝色、浅蓝色、银色、金色、橙色、红色与棕色当中至少一者。
3.如权利要求1所述的建筑整合式光伏面板，其特征在于，该反射层的折射率介于1.5与6.5之间。
4.如权利要求1所述的建筑整合式光伏面板，其特征在于，该厚度介于1nm与600nm之间。
5.如权利要求1所述的建筑整合式光伏面板，其特征在于，该第一导电层与该第二导电层包含一透明导电氧化物或一金属。
6.如权利要求5所述的建筑整合式光伏面板，其特征在于，该透明导电氧化物包含氧化锌、氧化锡、氧化铟、氧化铝锡、氧化铝锌、氧化镉铟、氧化镉锌、氧化镓锌与氧化氟锡当中至少一者。
7.如权利要求5所述的建筑整合式光伏面板，其特征在于，该金属包含钼、钛、镍、金、银、铬与铜当中至少一者。
8.如权利要求1所述的建筑整合式光伏面板，其特征在于，该主动层更包含至少一光伏层，且该光伏层由至少一半导体所形成。
9.如权利要求8所述的建筑整合式光伏面板，其特征在于，该半导体包含第IV族元素半导体、第III-V族元素半导体、第II-VI族元素半导体与有机化合物半导体当中的至少一者。
10.一种建筑整合式光伏面板，包含：
一基材层；
一第一导电层；
一主动层，形成于该第一导电层上；
一第二导电层，形成于该主动层上；以及
一反射层，形成于该基材层与该第一导电层之间，或形成于该第二导电层上使该第一导电层形成于该基材层上；
其中，该反射层具有一折射率与一厚度，藉以使该BIPV面板的反射率光谱在一可见光谱的一选定波长范围内，对于一入射光具有一最大值，且该反射层包含微晶硅。
11.如权利要求10所述的建筑整合式光伏面板，其特征在于，该选定波长范围对应于紫色、深蓝色、浅蓝色、银色、金色、橙色、红色与棕色当中至少一者。
12.如权利要求10所述的建筑整合式光伏面板，其特征在于，该厚度介于1nm与600nm之间。
13.如权利要求10所述的建筑整合式光伏面板，其特征在于，该第一导电层与该第二导电层包含一透明导电氧化物或一金属。
CN2012101673315A 2011-05-27 2012-05-25 建筑整合式光伏面板 Pending CN102800721A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US13/118,110 US8088990B1 (en) 2011-05-27 2011-05-27 Color building-integrated photovoltaic (BIPV) panel
US13/118,110 2011-05-27

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN102800721A true CN102800721A (zh) 2012-11-28

Family

ID=45374581

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2012101673315A Pending CN102800721A (zh) 2011-05-27 2012-05-25 建筑整合式光伏面板

Country Status (3)

Country Link
US (2) US8088990B1 (zh)
EP (1) EP2490260A3 (zh)
CN (1) CN102800721A (zh)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8511006B2 (en) * 2009-07-02 2013-08-20 Owens Corning Intellectual Capital, Llc Building-integrated solar-panel roof element systems
US8782972B2 (en) 2011-07-14 2014-07-22 Owens Corning Intellectual Capital, Llc Solar roofing system
US20130019933A1 (en) * 2011-07-19 2013-01-24 Shui-Yang Lien See-through thin film solar cells and method of manufacturing the same
JP5886603B2 (ja) * 2011-11-11 2016-03-16 株式会社ディスコ 光デバイスウエーハの加工方法
US20140360576A1 (en) * 2012-01-25 2014-12-11 Lucintech, Inc. Intrinsically Semitransparent Solar Cell And Method Of Controlling Transmitted Color Spectrum
KR20130115825A (ko) * 2012-04-13 2013-10-22 한국전자통신연구원 양방향 색구현 박막 실리콘 태양전지
US9099481B2 (en) 2013-03-15 2015-08-04 Semiconductor Components Industries, Llc Methods of laser marking semiconductor substrates
US20150007864A1 (en) * 2013-07-08 2015-01-08 The Boeing Company Adhesive Bonded Solar Cell Assembly
CN113646913A (zh) * 2020-03-10 2021-11-12 株式会社东芝 光电变换器件
CN111576759B (zh) * 2020-05-27 2021-08-27 绍兴曹娥江新能源开发有限公司 一种bipv支架组件及其安装方法
LU500158B1 (en) 2021-05-12 2022-11-16 Univ Luxembourg Color patterned solar cell and corresponding production method

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6365823B1 (en) * 1997-06-20 2002-04-02 Kaneka Corporation Solar cell module and manufacturing method thereof
US20090242021A1 (en) * 2008-03-31 2009-10-01 Noribachi Llc Solar cell with colorization layer
WO2010080446A2 (en) * 2008-12-19 2010-07-15 Applied Materials, Inc. Microcrystalline silicon alloys for thin film and wafer based solar applications
TW201034213A (en) * 2008-10-20 2010-09-16 Idemitsu Kosan Co Photovoltaic element and method of manufacturing the same
CN101964368A (zh) * 2009-07-21 2011-02-02 深圳市宇光高科新能源技术有限公司 一种叠层太阳能电池及其制造方法
EP2315262A2 (en) * 2008-08-11 2011-04-27 TG Solar Corporation Solar cell and method for manufacturing same

Family Cites Families (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4663495A (en) 1985-06-04 1987-05-05 Atlantic Richfield Company Transparent photovoltaic module
JP2974485B2 (ja) 1992-02-05 1999-11-10 キヤノン株式会社 光起電力素子の製造法
JPH1146006A (ja) 1997-07-25 1999-02-16 Canon Inc 光起電力素子およびその製造方法
US5994641A (en) 1998-04-24 1999-11-30 Ase Americas, Inc. Solar module having reflector between cells
US6380480B1 (en) * 1999-05-18 2002-04-30 Nippon Sheet Glass Co., Ltd Photoelectric conversion device and substrate for photoelectric conversion device
JP3717372B2 (ja) 2000-05-15 2005-11-16 シャープ株式会社 太陽電池モジュール
JP2004508729A (ja) 2000-09-08 2004-03-18 アクゾ　ノーベル　ナムローゼ　フェンノートシャップ 着色された太陽電池ユニット
US6660930B1 (en) 2002-06-12 2003-12-09 Rwe Schott Solar, Inc. Solar cell modules with improved backskin
JP2006013403A (ja) 2004-06-29 2006-01-12 Sanyo Electric Co Ltd 太陽電池、太陽電池モジュール、その製造方法およびその修復方法
KR100833675B1 (ko) * 2007-01-30 2008-05-29 (주)실리콘화일 반투명 결정질 실리콘 박막 태양전지
KR100819350B1 (ko) * 2007-01-30 2008-04-07 (주)실리콘화일 열 산화막을 사용한 결정질 실리콘 박막 태양전지
US20080241356A1 (en) * 2007-04-02 2008-10-02 Jianming Fu Photovoltaic devices manufactured using crystalline silicon thin films on glass
US20090078316A1 (en) 2007-09-24 2009-03-26 Qualcomm Incorporated Interferometric photovoltaic cell
US8058549B2 (en) 2007-10-19 2011-11-15 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Photovoltaic devices with integrated color interferometric film stacks
EP2215664A1 (en) 2007-11-06 2010-08-11 Ming-Liang Shiao Photovoltaic roofing elements and roofs using them
US20090293955A1 (en) 2007-11-07 2009-12-03 Qualcomm Incorporated Photovoltaics with interferometric masks
JP2011507306A (ja) 2007-12-17 2011-03-03 クォルコム・メムズ・テクノロジーズ・インコーポレーテッド 干渉裏側マスクを有する光起電力装置
KR20100109924A (ko) 2007-12-21 2010-10-11 퀄컴 엠이엠스 테크놀로지스, 인크. 다중접합 광기전력 전지
US20100037948A1 (en) * 2008-08-14 2010-02-18 Integrated Digital Technologies, Inc. Solar cells provided with color modulation and method for fabricating the same
US20100096011A1 (en) 2008-10-16 2010-04-22 Qualcomm Mems Technologies, Inc. High efficiency interferometric color filters for photovoltaic modules
WO2010044901A1 (en) 2008-10-16 2010-04-22 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Monolithic imod color enhanced photovoltaic cell
TW201021229A (en) * 2008-11-21 2010-06-01 Ind Tech Res Inst Solar cell having reflective structure
US20100154887A1 (en) 2008-12-19 2010-06-24 Bullen M James photovoltaic system
TWI344219B (en) 2009-02-13 2011-06-21 Ind Tech Res Inst Photosensitive electrochromic device
TWI469365B (zh) * 2009-04-01 2015-01-11 Gintech Energy Corp 高效率彩色太陽能電池及其製造方法
US20100263721A1 (en) * 2009-04-20 2010-10-21 Electronics And Telecommunications Research Institute Transparent solar cell
TWI395809B (zh) 2009-09-11 2013-05-11 Ind Tech Res Inst 多色系太陽光電電變色裝置
TW201248879A (en) * 2011-05-18 2012-12-01 Auria Solar Co Ltd Solar cell module and method of fabricating the same

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6365823B1 (en) * 1997-06-20 2002-04-02 Kaneka Corporation Solar cell module and manufacturing method thereof
US20090242021A1 (en) * 2008-03-31 2009-10-01 Noribachi Llc Solar cell with colorization layer
EP2315262A2 (en) * 2008-08-11 2011-04-27 TG Solar Corporation Solar cell and method for manufacturing same
TW201034213A (en) * 2008-10-20 2010-09-16 Idemitsu Kosan Co Photovoltaic element and method of manufacturing the same
WO2010080446A2 (en) * 2008-12-19 2010-07-15 Applied Materials, Inc. Microcrystalline silicon alloys for thin film and wafer based solar applications
CN101964368A (zh) * 2009-07-21 2011-02-02 深圳市宇光高科新能源技术有限公司 一种叠层太阳能电池及其制造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20120204936A1 (en) 2012-08-16
EP2490260A3 (en) 2013-09-25
EP2490260A2 (en) 2012-08-22
US8088990B1 (en) 2012-01-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102800721A (zh) 建筑整合式光伏面板
KR101858570B1 (ko) 창호형 박막 태양전지 및 이의 제조방법
CN109004053A (zh) 双面受光的晶体硅/薄膜硅异质结太阳电池及制作方法
US20120204939A1 (en) Structure and Method for High Efficiency CIS/CIGS-based Tandem Photovoltaic Module
CN101499492B (zh) 透明型太阳能电池模块
EP2752885A1 (en) Thin film solar cell and manufacturing method therefor
CN106784040A (zh) 一种cigs基薄膜太阳能电池及其制备方法
KR101161378B1 (ko) 백색 반사층을 구비한 박막형 태양전지 모듈 및 그 제조방법
CN207282509U (zh) 双面受光的晶体硅/薄膜硅异质结太阳电池
TWI382545B (zh) 具有能帶梯度光吸收層的薄膜疊層太陽能電池
CN102097514B (zh) 太阳能电池
CN106847941B (zh) 一种碲化镉薄膜太阳能电池及其制备方法
TW201508935A (zh) 光伏裝置及成型光伏裝置之方法
CN202268357U (zh) 一种薄膜太阳能电池
Lin et al. Progress and Perspectives of Solar Cells: A Critical Review
US20110048493A1 (en) Solar cell
KR20190103706A (ko) 정공전달층이 삽입된 고효율 양면 투광형 칼코파이라이트계 태양전지와 그 제조방법 및 이를 적용한 건물일체형태양광발전모듈과 탠덤태양전지
JP2014042083A (ja) 太陽電池
CN102270691A (zh) 一种薄膜太阳能电池
JP2017059656A (ja) 光電変換素子および太陽電池
US11495708B2 (en) Method of fabricating see-through thin film solar cell
CN101866969B (zh) 太阳电池
KR20090034079A (ko) 이셀렌화몰리브덴층을 포함하는 태양전지 및 그의 제조방법
CN103597606B (zh) 太阳能电池及其制造方法
TWI397185B (zh) 薄膜太陽能電池及其製作方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20121128