TWI397185B - 薄膜太陽能電池及其製作方法 - Google Patents

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薄膜太陽能電池及其製作方法
本發明係有關一種薄膜太陽能電池及其製作方法，特別是有關於一種至少由具有I-III-VI族化合物形成之第一光吸收層與具有CIAS結構之第二光吸收層堆疊組成之薄膜太陽能電池及其製作方法。
在習知技藝中，一般薄膜太陽能電池至少包含基板、前電極層、光吸收層與背電極層，為了使薄膜太陽能電池達到較佳之光電轉換效益，通常會至少由上光吸收層與下光吸收層之結構所組成，其中上光吸收層具有n型半導體層、i型半導體層(本質層)與p型半導體層形成之n-i-p接合面之非晶矽，下光吸收層具有CIS(銅銦硒)或CIGS(銅銦鎵硒)薄膜結構之多晶矽，例如先前技術之美國專利第6,368,892號已揭露一種薄膜太陽能電池之結構10，如第1圖所示，包含有依序疊層形成之基板11、背電極層12、具有CIS薄膜結構之下光吸收層13、n型導體層14、由p型半導體層151、i型半導體層152與n型半導體層153形成之非晶矽結構之上光吸收層15以及前電極層16，藉由此上下兩組光吸收層之堆疊結構，也就是CIS結構之多晶矽搭配n-i-p接合面之非晶矽，可提升此薄膜太陽能電池10對入射光譜的吸收範圍，然上述習知技藝所揭露的技術，雖可將光吸收能帶範圍增加到1.4eV~1.75eV，但受限於其光吸收層為CIS結構之多晶矽搭配n-i-p接合面之非晶矽的組合，其光吸收能帶範圍無法再增加，並且針對單一光波段的吸收係數仍有所限制，因此，如何找到適合能隙的材料來改善薄膜太陽能電池在全光譜的吸收，進而達到高效率的太陽能電池技術，仍是業界持續努力探究的方向。
為能更進一步改善先前技術的不足之處，本發明提供一種薄膜太陽能電池，至少包含基板、背電極層、第一光吸收層、n型導體層、第二光吸收層與前電極層依序堆疊形成，其中此第一光吸收層係由I-III-VI族化合物所組成且此第一光吸收層具有第一能隙介於0.9與1.2eV之間，而此第二光吸收層具有第一p型半導體薄膜、第二p型半導體薄膜與n型半導體薄膜以形成此第二光吸收層之p-p-n之接合面且此第二光吸收層具有第二能隙介於1.2與2.6eV之間
因此，本發明之主要目的在於提供一種薄膜太陽能電池，藉由第一光吸收層與第二光吸收層使用不同能隙之材料，可使薄膜太陽能電池之吸光能隙範圍提升到1.2eV~2.6eV，藉由可吸收光波段的增加，據此提高薄膜太陽能電之光電轉換效率。
因此，本發明之次要目的在於提供一種薄膜太陽能電池，藉由第二光吸收層之結構具有p-p-n或p-n接合面，能夠將單一光波段的吸收係數提高，特別可有效提高光波段為600~1240nm之光吸收係數至10~100倍。
因此，本發明之再一目的在於提供一種薄膜太陽能電池，藉由第一光吸收層使用之I-III-VI族材料的不同，配合第二光吸收層與第三光吸收層多層次的結構，使得本發明的變化組合更為彈性，可進一步調整其能帶結構，達到更高的光電轉換效率。
因此，本發明之又一目的在於提供一種薄膜太陽能電池之製作方法，其中第一光吸收層係由I-III-VI族化合物形成與第二光吸收層具有CIAS結構共同堆疊形成，大幅提高薄膜太陽能電池的光電轉換較率與發電效率。
因此，本發明之又一目的在於提供一種薄膜太陽能電池之製作方法，使用光吸收係數皆高於a-Si(如p-Si,i-Si,n-Si)之CIS材料，可增加單一光波段的吸收係數，提高整體薄膜太陽能電池的發電效率。
由於本發明係揭露一種薄膜太陽能電池及其製作方法，其中所利用的太陽能光電轉換原理，已為相關技術領域具有通常知識者所能明瞭，故以下文中之說明，不再作完整描述。同時，以下文中所對照之圖式，係表達與本發明特徵有關之結構示意，並未亦不需要依據實際尺寸完整繪製，盍先敘明。
請參考第2A圖，係根據本發明提出之第一較佳實施例，為一種薄膜太陽能電池之結構，此薄膜太陽能電池：包含基板21、背電極層22、第一光吸收層23、n型導體層24、第二光吸收層25與前電極層26等依序堆疊形成，其中此第一光吸收層23係由I-III-VI族化合物所組成，且此第一光吸收層23具有第一能隙介於0.9與1.2eV之間，而第二光吸收層25係由第一p型半導體薄膜251、第二p型半導體薄膜252與n型半導體薄膜253所組成，據此形成p-p-n接合面之結構，並且第二光吸收層25具有第二能隙介於1.2eV與2.6eV之間，其中第一p型半導體薄膜251與n型半導體薄膜253係選自結晶矽、氫化非晶矽(a-Si:H)、多晶矽(poly Si)、微晶矽(μ-Si)、氫化非晶矽碳(a-SiC:H)或氫化非晶矽鍺(a-SiGe:H)等其中一種，而第二p型半導體膜252係由I-III-VI族化合物所組成。
在上述實施例中，第一光吸收層23之I-III-VI族化合物具有一化學式：Cu(In1-x ,Gax )Se2 ，且X滿足條件：。上述第二光吸收層25之第二p型半導體膜252之I-III-VI族化合物具有一化學式：Cu(In1-x ,Alx )Se2 ，且X滿足條件：。此外，I族元素可以是銅(Cu)，III族元素可以是鋁(Al)、銦(In)或鎵(Ga)，而VI族元素可以是硒(Se)或硫(S)。此外，基板21的材質並不設限，可以是鋼、鐵、鋁、鈮、鈦、鉻、鉍或銻等其中一金屬材質，也可以是其他玻璃材質，如：鈉玻璃(SLG)、鉀玻璃、鋁鎂玻璃、鉛玻璃、硼矽玻璃或石英玻璃等任一種。前電極層26可以是二氧化錫(SnO2 )、氧化銦錫(ITO)、氧化鋅(ZnO)、氧化鋁鋅(AZO)、氧化鎵錫(GZO)或者是氧化銦鋅(IZO)等其中一種，而背電極層22可以是鉬、鋁、銀、鉑、鋅氧化物或是錫氧化物等任一種。
請參考第2B圖，係根據本發明提出之第二較佳實施例，為一種薄膜太陽能電池之結構，此薄膜太陽能電池包含：基板21、背電極層22、第一光吸收層23、n型導體層24、第二光吸收層25與前電極層26，更進一步包含第一緩衝層271與第二緩衝層272，其中第一緩衝層271係位於第二光吸收層25之第一p半導體薄膜251與第二p型半導體薄膜252之間，而第二緩衝層272係位於第二光吸收層25之第二p型半導體薄膜252與n型半導體薄膜253之間，且第一緩衝層271與第二緩衝層272之厚度介於10與5000之間，其材質可以是由矽碳化合物(SiC)、矽鍺化合物(SiGe)或透明導電氧化物(TCO)等其中一種，而本實施例所用之基板21、背電極層22、第一光吸收層23、n型導體層24、第二光吸收層25與前電極層26等材質、組成與能隙，相同於第一實施例所述之。此外，第一緩衝層271與第二緩衝層272之形成方式可以是電漿增强化學氣相沉積法、濺鍍、真空蒸鍍法或化學浴沉積法等任一者。
請參考第3A圖，係根據本發明進一步所提出之第三較佳實施例，為一種薄膜太陽能電池之結構，此薄膜太陽能電池包含基板31、背電極層32、第一光吸收層33、n型導體層34、第二光吸收層35、第三光吸收層37與前電極層36等依序堆疊形成，其中此第一光吸收層33係由I-III-VI族化合物所組成，且此第一光吸收層33具有第一能隙介於0.9eV與1.2eV之間，而第二光吸收層35具有第二能隙為1.2eV，第三光吸收層37具有介於1.2eV與2.6eV之間的第三能隙，其中第二光吸收層35之結構與材質相同於第三光吸收層37，分別係由第一p型半導體薄膜351、371、第二p型半導體薄膜352、372與n型半導體薄膜353、373所組成，據此形成具有p-p-n接合面之結構。此外，第一光吸收層33與第二光吸收層35等所用之組成材質、結構與能隙，相同於第一實施例所述之第一光吸收層23與第二光吸收層25。
另外，請參考第3B圖，係根據本發明提出之第四較佳實施例，為一種薄膜太陽能電池之結構，此薄膜太陽能電池包含：基板31、背電極層32、第一光吸收層33、n型導體層34、第二光吸收層35、第三光吸收層37與前電極層36等，且可進一步包含第一、第二、第三及第四緩衝層381、382、383、384，其中第一緩衝層381位在第二光吸收層35之第一p型半導體薄膜351與第二p型半導體薄膜352之間，第三緩衝層383位在第三光吸收層37之第一p型半導體薄膜371與第二p型半導體薄膜372之間，而第二緩衝層382位在第二光吸收層35之第二p型半導體薄膜352與n型半導體薄膜353之間，第四緩衝層384則位在第三光吸收層37之第二p型半導體薄膜372與n型半導體薄膜373之間，且這四種緩衝層381、382、383、384之厚度係介於10與5000之間。而此薄膜太陽能電池30之基板31、背電極層32、第一光吸收層33、n型導體層34、第二光吸收層35、前電極層36與第三光吸收層37的組成材質、結構與能隙，皆相同如第三較佳實施例所述之，而第一、第二、第三及第四緩衝層381、382、383、384之組成結構與形成方式則相同於第二較佳實施例所述之第一緩衝層271或第二緩衝層272。
本發明再提出第五較佳實施例，請參考第4A圖，為一種薄膜太陽能電池40之結構，此薄膜太陽能電池40包含基板41、背電極層42、第一光吸收層43、n型導體層44、第二光吸收層45與前電極層46依序堆疊形成，其中第一光吸收層43係由I-III-VI族化合物所組成，且此第一光吸收層43具有第一能隙介於0.9與1.2eV之間，而第二光吸收層45係由一P型半導體膜451與n型半導體薄膜452所組成，據此形成p-n接合面結構，且第二光吸收層45具有第二能隙介於1.2eV與2.6eV之間，其中p型半導體膜451係由I-III-VI族化合物所組成而n型半導體薄膜452可選自結晶矽、氫化非晶矽(a-Si:H)、多晶矽(poly Si)、微晶矽(μ-Si)、氫化非晶矽碳(a-SiC:H)或氫化非晶矽鍺(a-SiGe:H)等其中一種。此外，基板41、背電極層42、第一光吸收層43、n型導體層44以及前電極層46等組成材質、結構與能隙係相同於第一較佳實施例所述之。
接著，請再參考第4B圖，係根據本發明提出之第六較佳實施例，為一種薄膜太陽能電池之結構，此薄膜太陽能電池包含基板41、背電極層42、第一光吸收層43、n型導體層44、第二光吸收層45與前電極層46，且可進一步包含一緩衝層47，此緩衝層47位於第二光吸收層45之P型半導體膜451與n型半導體薄膜452之間，在此要特別說明的是，在此較佳實施例中，具有p-n接合面之光吸收層可以不只一層，可根據實際狀況調整以達到最佳光電轉換較率，而在基板41、背電極層42、第一光吸收層43、n型導體層44、第二光吸收層45與前電極層46之組成材質、結構與能隙皆相同如第五較佳實施例所述，而緩衝層47之組成結構與形成方式則相同於第二較佳實施例所述之第一緩衝層271。
習知技術的光吸收層係由CIS結構(意即I-III-VI族化合物)之多晶矽搭配n-i-p接合面之非晶矽，然相較於本發明所提出之上述實施例之光吸收層之結構與組成，也就是由CIS結構之多晶矽搭配具有p-p-n或是p-n接合面之光吸收層，使得本發明之吸光能隙範圍可以從習知的1.4eV~1.75eV提升到1.2eV~2.6eV，不僅可調幅範圍更大，可吸收的光波段也越廣泛，因此光電轉換效率亦可提高，且就材料的特性而言，特別在常用全光波段(500nm~1240nm)量測下，CIS系列之材料之光吸收係數皆高於a-Si(如p-Si,i-Si,n-Si)系列之材料，而p-CIAS即屬於CIS同系列之材料，因此本發明提出具有p-p-n或p-n接合面之光吸收層，能夠將單一光波段的吸收係數提高，以600~1240nm之光波段為例，本發明的光吸收係數可比習知技術之p-i-n結構之光吸收層高出10倍~100倍，並且，藉由I-III-VI族系列材料的使用彈性，本發明的變化組合較更為多樣化，進一步調整其能隙結構，達到更高的光電轉換效率。
此外，本發明再提出第七較佳實施例，為一種薄膜太陽能電池之製作方法，包含有
(1)提供一基板；
(2)形成一背電極層在基板上，其形成的方式不拘，以濺鍍方式為較佳；
(3)形成一第一光吸收層在背電極層上，其形成的方式不拘，可以使用濺鍍法或者真空蒸鍍法等方式；
(4)形成一n型導體層在第一光吸收層上，其中可以使用電漿增强化學氣相沉積法(PECVD)、濺鍍法、真空蒸鍍法或是化學浴沉積法(CBD)等其中一種方式；
(5)形成一第二光吸收層之第一p型半導體薄膜在n型導體層上，而形成的方式以電漿增强化學氣相沉積法為較佳；
(6)形成一第二光吸收層之第二p型半導體薄膜在第二光吸收層之第一p型半導體薄膜上，其中以濺鍍法或真空蒸鍍法為較佳；
(7)形成一第二光吸收層之n型半導體薄膜在第二光吸收層之第二p型半導體薄膜上，其中以濺鍍法或者金屬有機化學蒸氣沉積法(MOCVD)為較佳；以及
(8)形成一前電極層在第二光吸收層之n型半導體薄膜上。
上述之薄膜太陽能電池的製作方法，其所使用的材料與結構、以及所達到的功效皆如第一較佳實施例所述。
以上所述僅為本發明之較佳實施例，並非用以限定本發明之權利範圍；同時以上的描述，對於相關技術領域之專門人士應可明瞭及實施，因此其他未脫離本發明所揭示之精神下所完成的等效改變或修飾，均應包含在申請專利範圍中。
10(先前技術)．．．薄膜太陽能電池
11(先前技術)、21、31、41．．．基板
12(先前技術)、22、32、42．．．背電極層
13(先前技術)．．．下光吸收層
14(先前技術)、24、34、44．．．n型導體層
15(先前技術)．．．上光吸收層
151(先前技術)．．．p型半導體層
152(先前技術)．．．i型半導體層
153(先前技術)．．．n型半導體層
16(先前技術)、26、36、46．．．前電極層
23、33、43．．．第一光吸收層
25、35、45．．．第二光吸收層
37．．．第三光吸收層
251、351、371．．．第一p型半導體薄膜
252、352、372．．．第二p型半導體薄膜
253、353、373、452．．．n型半導體薄膜
451．．．p型半導體膜
271、381．．．第一緩衝層
272、382．．．第二緩衝層
383．．．第三緩衝層
384．．．第四緩衝層
47．．．緩衝層
第1圖為一剖面圖示意圖，為先前技術之薄膜太陽電池結構。
第2A圖為一剖面示意圖，係根據本發明提出之第一較佳實施例，為一種薄膜太陽能電池結構。
第2B圖為一剖面示意圖，係根據本發明提出之第二較佳實施例，為一種薄膜太陽能電池結構。
第3A圖為一剖面示意圖，係根據本發明提出之第三較佳實施例，為一種薄膜太陽能電池結構。
第3B圖為一剖面示意圖，係根據本發明提出之第四較佳實施例，為一種薄膜太陽能電池結構。
第4A圖為一剖面示意圖，係根據本發明提出之第五較佳實施例，為一種薄膜太陽能電池結構。
第4B圖為一剖面示意圖，係根據本發明提出之第六較佳實施例，為一種薄膜太陽能電池結構。
21．．．基板
22．．．背電極
23．．．第一光吸收層
24．．．N型導體層
25．．．第二光吸收層
251．．．第一p型半導體薄膜
252．．．第二p型半導體薄膜
253．．．n型半導體薄膜
26．．．前電極層層

Claims (37)

  1. 一種薄膜太陽能電池，至少由基板、背電極層、第一光吸收層、n型導體層、第二光吸收層與前電極層依序堆疊形成，其特徵在於：該第一光吸收層係由I-III-VI族化合物所組成且該第一光吸收層具有第一能隙介於0.9eV與1.2eV之間，而該第二光吸收層具有第一p型半導體薄膜、第二p型半導體薄膜與n型半導體薄膜以形成該第二光吸收層之p-p-n之接合面且該第二光吸收層具有第二能隙介於1.2eV與2.6eV之間。
  2. 依據申請專利範圍第1項所述之薄膜太陽能電池，其中該第二P型半導體薄膜為一I-III-VI族化合物。
  3. 依據申請專利範圍第2項所述之薄膜太陽能電池，其中該I族元素係為銅(Cu)，該III族元素選自於由鋁(Al)、銦(In)與鎵(Ga)所構成之群組，而該VI族元素選自於由硒(Se)與硫(S)所構成之群組。
  4. 依據申請專利範圍第2項所述之薄膜太陽能電池，其中該I-III-VI族化合物具有一化學式：Cu(In1-x ,Alx )Se2 ，且X滿足條件：。
  5. 依據申請專利範圍第1項所述之薄膜太陽能電池，其中該第一p型半導體薄膜選自於由結晶矽、氫化非晶矽(a-Si:H)、多晶矽(poly Si)、微晶矽(μ-Si)、氫化非晶矽碳(a-SiC:H)與氫化非晶矽鍺(a-SiGe:H)所構成之群組。
  6. 依據申請專利範圍第1項所述之薄膜太陽能電池，其中該n型半導體薄膜選自於由結晶矽、氫化非晶矽(a-Si:H)、多晶矽(poly Si)、微晶矽(μ-Si)、氫化非晶矽碳(a-SiC:H)與氫化非晶矽鍺(a-SiGe:H)所構成之群組。
  7. 依據申請專利範圍第1項所述之薄膜太陽能電池，其中該前電極層選自於由二氧化錫(SnO2)、氧化銦錫(ITO)、氧化鋅(ZnO)、氧化鋁鋅(AZO)、氧化鎵錫(GZO)及氧化銦鋅(IZO)所構成之群組。
  8. 依據申請專利範圍第1項所述之薄膜太陽能電池，其中該n型導體層選自於由矽碳化合物(SiC)、矽鍺化合物(SiGe)、透明導電氧化物(TCO)、硫化鎘(CdS)與非晶矽(a-Si)所構成之群組。
  9. 依據申請專利範圍第8項所述之薄膜太陽能電池，其中該矽鍺化合物具有一化學式：Si1-x Gex ，且X滿足條件：。
  10. 依據申請專利範圍第1項所述之薄膜太陽能電池，其中該背電極層選自於由鉬、鋁、銀、鉑、鋅氧化物與錫氧化物所構成之群組。
  11. 依據申請專利範圍第1項所述之薄膜太陽能電池，其中該基板選自於由鋼、鐵、鋁、鈮、鈦、鉻、鉍與銻所構成之群組。
  12. 依據申請專利範圍第1項所述之薄膜太陽能電池，其中該基板選自於由鈉玻璃、鉀玻璃、鋁鎂玻璃、鉛玻璃、硼矽玻璃與石英玻璃所構成之群組。
  13. 依據申請專利範圍第1項所述之薄膜太陽能電池，其中在該第一光吸收層之I-III-VI族化合物之I族元素係為銅(Cu)，該III族元素選自於由鋁(Al)、銦(In)與鎵(Ga)所構成之群組，而該VI族元素選自於由硒(Se)與硫(S)所構成之群組。
  14. 依據申請專利範圍第1項所述之薄膜太陽能電池，其中該第一光吸收層之I-III-VI族化合物具有一化學式：Cu(In1-x ,Gax )Se2 ，且X滿足條件：。
  15. 依據申請專利範圍第1項所述之薄膜太陽能電池，更進一步包含第一緩衝層與第二緩衝層，其中該第一緩衝層係位於該第一p型半導體薄膜與該第二p型半導體薄膜之間，而該第二緩衝層係位於該第二p型半導體薄膜與n型半導體薄膜之間，且該第一緩衝層與第二緩衝層之厚度介於10與5000之間。
  16. 依據申請專利範圍第15項所述之薄膜太陽能電池，其中該第一緩衝層與該第二緩衝層分別選自於由矽碳化合物(SiC)、矽鍺化合物(SiGe)與透明導電氧化物(TCO)所構成之群組。
  17. 依據申請專利範圍第15項所述之薄膜太陽能電池，其中該第一緩衝層與該第二緩衝層之形成方式係選自於由電漿增强化學氣相沉積法、濺鍍、真空蒸鍍法與化學浴沉積法等所構成之群組。
  18. 一種薄膜太陽能電池，至少由基板、背電極層、第一光吸收層、n型導體層、第二光吸收層、第三光吸收層與前電極層依序堆疊形成，其特徵在於：該第一光吸收層係由I-III-VI族化合物所組成且該第一光吸收層具有第一能隙介於0.9eV與1.2eV之間，而該第二光吸收層與該第三光吸收層分別具有第一p型半導體薄膜、第二p型半導體薄膜與n型半導體薄膜，其中該第二光吸收層具有第二能隙為1.2eV，而該第三光吸收層具有第三能隙介於1.2eV與2.6eV之間，且該薄膜太陽能電池具有申請專利範圍第1到14項其中任一項之特徵。
  19. 依據申請專利範圍第18項所述之薄膜太陽能電池，更進一步包含第一緩衝層與第三緩衝層，其中該第一緩衝層位在該第二光吸收層之第一p型半導體薄膜與第二p型半導體薄膜之間，該第三緩衝層位在該第三光吸收層之第一p型半導體薄膜與第二p型半導體薄膜之間，且該第一緩衝層與第三緩衝層之厚度分別介於10與5000之間。
  20. 依據申請專利範圍第18項所述之薄膜太陽能電池，更進一步包含第二緩衝層與第四緩衝層，其中該第二緩衝層位在該第二光吸收層之第二p型半導體薄膜與n型半導體薄膜之間，該第四緩衝層位在該第三光吸收層之第二p型半導體薄膜與n型半導體薄膜之間，且該第二緩衝層與第四緩衝層之厚度分別介於10與5000之間。
  21. 依據申請專利範圍第19或20項所述之薄膜太陽能電池，其中該第一緩衝層、該第二緩衝層、該第三緩衝層與該第四緩衝層分別選自於由矽碳化合物(SiC)、矽鍺化合物(SiGe)與透明導電氧化物(TCO)所構成之群組。
  22. 依據申請專利範圍第21項所述之薄膜太陽能電池，其中該第一緩衝層、該第二緩衝層、該第三緩衝層與該第四緩衝層之形成方式係選自於由電漿增强化學氣相沉積法、濺鍍、真空蒸鍍法與化學浴沉積法等所構成之群組。
  23. 一種薄膜太陽能電池，至少由基板、背電極層、第一光吸收層、n型導體層、第二光吸收層與前電極層依序堆疊形成，其特徵在於：該第一光吸收層係由I-III-VI族化合物所組成，且該第一光吸收層具有第一能隙介於0.9eV與1.2eV之間，而該第二光吸收層具有一p型半導體薄膜與n型半導體薄膜以形成該第二光吸收層之p-n之接合面，且該第二光吸收層具有第二能隙介於1.2eV與2.6eV之間，且該薄膜太陽能電池具有申請專利範圍第6到14項其中任一項之特徵。
  24. 依據申請專利範圍第23項所述之薄膜太陽能電池，其中該P型半導體薄膜為一I-III-VI族化合物。
  25. 依據申請專利範圍第24項所述之薄膜太陽能電池，其中該I族元素係為銅(Cu)，該III族元素選自於由鋁(Al)、銦(In)與鎵(Ga)所構成之群組，而該VI族元素選自於由硒(Se)與硫(S)所構成之群組。
  26. 依據申請專利範圍第24項所述之薄膜太陽能電池，其中該I-III-VI族化合物具有一化學式：Cu(In1-x ,Alx )Se2 ，且X滿足條件：。
  27. 依據申請專利範圍第23項所述之薄膜太陽能電池，更進一步包含一緩衝層，其中該緩衝層係位於該p型半導體薄膜與該n型半導體薄膜之間，且該緩衝層之厚度介於10與5000之間。
  28. 依據申請專利範圍第27項所述之薄膜太陽能電池，其中該緩衝層係選自於由矽碳化合物(SiC)、矽鍺化合物(SiGe)與透明導電氧化物(TCO)所構成之群組。
  29. 依據申請專利範圍第28項所述之薄膜太陽能電池，其中該緩衝層之形成方式係選自於由電漿增强化學氣相沉積法、濺鍍、真空蒸鍍法與化學浴沉積法等所構成之群組。
  30. 一種薄膜太陽能電池之製作方法，包含有提供一基板；形成一背電極層在該基板上；形成一第一光吸收層在該背電極層上；形成一n型導體層在該第一光吸收層上；形成一第二光吸收層之第一p型半導體薄膜在該n型導體層上；形成一第二光吸收層之第二p型半導體薄膜在該第二光吸收層之第一p型半導體薄膜上；形成一第二光吸收層之n型半導體薄膜在該第二光吸收層之第二p型半導體薄膜上；以及形成一前電極在該第二光吸收層之n型半導體薄膜上。
  31. 依據申請專利範圍第30項所述之薄膜太陽能電池之製作方法，其中該背電極層係以濺鍍法形成在該基板上。
  32. 依據申請專利範圍第30項所述之薄膜太陽能電池之製作方法，其中該第一光吸收層形成在該背電極層之方式係選自於由濺鍍法與真空蒸鍍法所構成之群組。
  33. 依據申請專利範圍第30項所述之薄膜太陽能電池之製作方法，其中該n型導體層形成在該第一光吸收層之方式係選自於由電漿增强化學氣相沉積法、濺鍍法、真空蒸鍍法與化學浴沉積法所構成之群組。
  34. 依據申請專利範圍第30項所述之薄膜太陽能電池之製作方法，其中該第二光吸收層之第一p型半導體薄膜係以電漿增强化學氣相沉積法沉積在該n型導體層上。
  35. 依據申請專利範圍第30項所述之薄膜太陽能電池之製作方法，其中該第二光吸收層之第二p型半導體薄膜形成在該第二光吸收層之第一p型半導體薄膜之方式係選自於由濺鍍法與真空蒸鍍法所構成之群組。
  36. 依據申請專利範圍第30項所述之薄膜太陽能電池之製作方法，其中該第二光吸收層之第一p型半導體薄膜係以電漿增强化學氣相沉積法形成在該第二光吸收層之n型半導體薄膜上。
  37. 依據申請專利範圍第30項所述之薄膜太陽能電池之製作方法，其中該前電極形成在該第二光吸收層之n型半導體薄膜之方式係選自於由濺鍍法與金屬有機化學蒸氣沉積法所構成之群組。
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