KR101161378B1 - 백색 반사층을 구비한 박막형 태양전지 모듈 및 그 제조방법 - Google Patents
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 32
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 39
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 157
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 78
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims abstract description 26
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 12
- -1 semi-transparent Substances 0.000 claims abstract description 5
- BFMKFCLXZSUVPI-UHFFFAOYSA-N ethyl but-3-enoate Chemical compound CCOC(=O)CC=C BFMKFCLXZSUVPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 claims description 9
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 claims description 9
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 claims description 9
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000000049 pigment Substances 0.000 claims description 7
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 7
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 6
- 239000011888 foil Substances 0.000 claims description 5
- 229910021424 microcrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000003973 paint Substances 0.000 claims description 4
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims description 3
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052755 nonmetal Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 11
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 3
- SKJCKYVIQGBWTN-UHFFFAOYSA-N (4-hydroxyphenyl) methanesulfonate Chemical compound CS(=O)(=O)OC1=CC=C(O)C=C1 SKJCKYVIQGBWTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 3-(oxolan-2-yl)propanoic acid Chemical compound OC(=O)CCC1CCCO1 WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 5-phenyl-2h-tetrazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=NNN=N1 MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FTWRSWRBSVXQPI-UHFFFAOYSA-N alumanylidynearsane;gallanylidynearsane Chemical compound [As]#[Al].[As]#[Ga] FTWRSWRBSVXQPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052980 cadmium sulfide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 2
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241001101998 Galium Species 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910020328 SiSn Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L barium sulfate Chemical compound [Ba+2].[O-]S([O-])(=O)=O TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- HVMJUDPAXRRVQO-UHFFFAOYSA-N copper indium Chemical compound [Cu].[In] HVMJUDPAXRRVQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AQKDYYAZGHBAPR-UHFFFAOYSA-M copper;copper(1+);sulfanide Chemical compound [SH-].[Cu].[Cu+] AQKDYYAZGHBAPR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- XIMIGUBYDJDCKI-UHFFFAOYSA-N diselenium Chemical compound [Se]=[Se] XIMIGUBYDJDCKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000446 fuel Substances 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- HDDJZDZAJXHQIL-UHFFFAOYSA-N gallium;antimony Chemical compound [Ga+3].[Sb] HDDJZDZAJXHQIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XCAUINMIESBTBL-UHFFFAOYSA-N lead(ii) sulfide Chemical compound [Pb]=S XCAUINMIESBTBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- 150000003346 selenoethers Chemical class 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 238000010792 warming Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/0445—PV modules or arrays of single PV cells including thin film solar cells, e.g. single thin film a-Si, CIS or CdTe solar cells
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- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/054—Optical elements directly associated or integrated with the PV cell, e.g. light-reflecting means or light-concentrating means
- H01L31/056—Optical elements directly associated or integrated with the PV cell, e.g. light-reflecting means or light-concentrating means the light-reflecting means being of the back surface reflector [BSR] type
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- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/0445—PV modules or arrays of single PV cells including thin film solar cells, e.g. single thin film a-Si, CIS or CdTe solar cells
- H01L31/046—PV modules composed of a plurality of thin film solar cells deposited on the same substrate
- H01L31/0468—PV modules composed of a plurality of thin film solar cells deposited on the same substrate comprising specific means for obtaining partial light transmission through the module, e.g. partially transparent thin film solar modules for windows
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- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/048—Encapsulation of modules
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- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/054—Optical elements directly associated or integrated with the PV cell, e.g. light-reflecting means or light-concentrating means
- H01L31/0547—Optical elements directly associated or integrated with the PV cell, e.g. light-reflecting means or light-concentrating means comprising light concentrating means of the reflecting type, e.g. parabolic mirrors, concentrators using total internal reflection
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
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Abstract
본 발명은 백색 반사층에 형성되는 간격을 통해 태양광을 반투과시킬 수 있는 백색 반사층을 이용한 박막형 태양전지 모듈 및 그 제조방법에 관한 것이다.
보다 구체적으로 본 발명의 박막형 태양전지 모듈은 하부 투명 기판 위에 순차로 형성된 하부 투명 전극층, 태양전지층, 및 상부 투명 전극층을 포함하고 소정의 간격으로 이격된 복수 개의 태양전지셀; 상기 태양전지셀들의 상부에 형성된 투명 접착층; 및 상부 투명 기판의 하부면에 상기 태양전지셀들 간의 간격으로 이격되어 상기 태양전지셀들과 대면하도록 상기 투명 접착층 위에 접착된 백색 반사층을 포함한다.
박막형 태양전지, 백색 반사층, 반투과성, 접착층
Description
본 발명은 박막형 태양전지 모듈 및 그 제조방법에 관한 것으로, 특히 백색 반사층에 형성되는 간격을 통해 태양광을 반투과시킬 수 있는 백색 반사층을 구비한 박막형 태양전지 모듈 및 그 제조방법에 관한 것이다.
최근, 에너지 자원 확보와 지구 온난화 극복 등을 위하여 친환경적인 대체 에너지의 개발 및 활용이 활발히 진행되고 있다.
이러한 대체 에너지로는 태양전지, 풍력, 조력, 연료전지 등이 있다.
이 중 태양전지는 태양으로부터 전달되는 빛 에너지를 전기 에너지로 변환하여 에너지를 생산하는 소자로서, 차세대 청정 에너지원으로 각광받고 있는 소자이다.
일반적으로, 종래의 태양전지는 실리콘을 이용하여 형성되며, 도 1에 도시된 바와 같이 투명 기판(10), 하부 전극층(20), 태양전지층(30), 상부 전극층(40), 및 반사층(50)이 순차적으로 적층된 구조를 가진다.
투명 기판(10)은 태양광이 입사될 수 있도록 투명한 유리 등의 재질로 형성되고, 하부 전극층(20) 또한 투명한 도전체로 형성되며, 태양전지층(30)은 비정질 실리콘으로 형성된다.
반사층(50)은 투명 기판(10)을 통해 입사되는 태양광이 손실되지 않고 다시 태양전지층(30)으로 반사되어 광전변환에 사용될 수 있도록 은(Ag) 또는 알루미늄(Al) 등의 금속 물질을 이용하여 박막으로 형성된다.
본 발명의 목적은 태양광을 반투과시킬 수 있는 백색 반사층을 구비한 박막형 태양전지 모듈을 제공함에 있다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제들로 제한되지 않으며 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 실시 예에 따른 박막형 태양전지 모듈은 하부 투명 기판 위에 순차로 형성된 하부 투명 전극층, 태양전지층, 및 상부 투명 전극층을 포함하고 소정의 간격으로 이격된 복수 개의 태양전지셀과, 상부 투명 기판과, 상기 태양전지셀과 상기 투명 기판 사이에 형성되고 소정의 개구부를 가지는 백색 반사층과, 및 상기 하부 기판과 상부 기판을 접착하는 투명 접착층을 포함한다.
본 발명에서 상기 백색 반사층의 개구부는 상기 태양전지셀 사이에 오도록 형성될 수 있으며, 상기 백색 반사층은 상기 상부 투명 기판 상에 형성되거나 혹은 상기 태양전지셀 상부에 형성되는 것일 수 있다.
이러한 본 발명의 태양전지 모듈에 있어서 백색 반사층은 달리 표현하자면, 상기 상부 투명 기판의 하부면에 상기 태양전지셀들 간의 간격으로 이격되어 상기 태양전지셀들과 대면하도록 상기 투명 접착층 위에 접착될 수 있다.
상기 상부 투명 기판은 공지된 기판 중에서 투명한 소재의 물질이면 족할 것이지만, 특히 유리 기판 또는 적어도 하나 이상의 층으로 접합된 투명 고분자 시트일 수 있다. 상기 투명 고분자 시트는 고분자 물질의 투명 시트를 사용할 수 있으며 특별히 제한되지 않을 것이지만 바람직하게는 폴리 에틸렌 테레프탈레이트(Poly Ethylene Terephthalate, PET)로 형성될 수 있다.
상기 하부 투명 전극층 및 상기 상부 투명 전극층은 산화아연(ZnO), 산화주석(SnO2) 및 산화인듐주석(ITO) 중 어느 하나 이상의 물질로 이루어진 투과성 전도 산화물층(Transparent Conductive Oxide, TCO)이다.
본 발명에서 상기 태양전지셀은 비정질 실리콘 또는 미세 결정질 실리콘으로 이루어진 적어도 하나 이상의 태양전지층을 포함한다.
본 발명에서 태양전지를 구성하는 각 층의 두께는 필요에 따라 형성될 수 있으며 특별히 제한되지 않지만 바람직하게는 상기 상부 투명 전극층의 두께가 300~3000nm일 수 있다.
본 발명에서 백색 반사층은 600nm 이상 장파장 대역의 광을 반사시키는 안료가 매질에 50~100% 혼합되어 형성된다. 상기 안료와 매질은 당해 분야에서 공지된 물질일 수 있으며 특별히 한정되는 것은 아니다. 다만 바람직하게는 안료와 매질의 굴절률 차이가 1.5~2.0일 수 있다.
상기 백색 반사층은 백색 페인트(white paint), 백색 포일(white foil) 및 에틸 비닐 아세테이트(Ethyl Vinyl Acetate, EVA) 중 어느 하나 이상을 이용하여 형성된다.
본 발명에서 백색 반사층은 상기 투명 접착층과 접촉하는 제1면이 백색이고, 상기 상부 투명기판과 접촉하는 제2면이 상기 제1면과 다른 색상이 될 수 있다.
본 발명에서 복수 개의 상기 태양전지셀들의 간격은 특별히 제한되는 것은 아니지만 바람직하게 0.5~2.0mm의 간격으로 이격될 수 있다. 마찬가지로 태양전지셀과 대면하도록 형성되는 백색 반사층의 간격 역시 태양전지셀의 간격과 동일하거나 유사할 수 있다.
본 발명에서 투명 접착층은 하부 투명 기판 위에 형성된 태양전지셀과 백색 반사층을 포함하는 상부 투명 기판을 접합할 수 있는 공지의 물질로서 투명한 소재가 바람직하다. 특히 에틸 비닐 아세테이트(Ethyl Vinyl Acetate, EVA) 또는 폴리 비닐 부티랄(Poly Vinyl Butyral, PVB)을 사용할 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따른 박막형 태양전지 모듈의 제조방법은 하부 투명 기판 위에 복수 개의 태양전지셀을 소정의 간격으로 이격하여 형성하는 단계와, 상기 태양전지셀들 간의 간격과 동일한 간격으로 이격하여 백색 반사층을 형성하는 단계, 및 상기 백색 반사층이 사이에 오도록 상기 하부 투명 기판과, 상부 투명 기판을 투명 접착층으로 접합하는 단계를 포함한다. 상기 투명 접착층에 의한 접합 단계는 달리 설명하자면, 상기 백색 반사층을 사이에 두고 태양전지셀들이 형성된 하부 투명 기판과 상부 투명 기판을 투명 접착층으로 접합하는 것이다.
이때 상기 백색 반사층은 상기 상부 투명 기판 상에 형성되거나 혹은 상기 투명 접착층 상에 형성될 수 있다.
상기 백색 반사층은 리프트-오프(lift-off)법, 스크린 프린트(screen print)법, 및 잉크젯(inkjet)법 중 어느 하나의 방법으로 형성된다.
본 발명의 다른 실시 예에 따른 박막형 태양전지 모듈의 제조방법은 하부 투명 기판 위에 복수 개의 태양전지셀을 소정의 간격으로 이격하여 형성하는 단계와, 투명 접착층 상부에 상기 태양전지셀들과 대면하도록 상기 태양전지셀들의 간격과 동일한 간격으로 이격하여 백색 반사층을 형성하는 단계, 및 상기 백색 반사층이 형성된 투명 접착층을 매개로 상기 태양전지셀들이 형성된 상기 하부 투명 기판과 상부 투명 기판을 접합하는 단계를 포함한다.
상기 태양전지셀은 비정질 실리콘 또는 미세 결정질 실리콘으로 이루어진 적어도 하나 이상의 태양전지층과, 상기 태양전지층의 상부 및 하부에 형성된 투명 전극층을 포함한다.
본 발명에 따르면, 금속 재질의 반사층 대신 백색 반사층을 사용함으로써 태양전지 모듈이 장기적인 안정성을 가질 수 있게 되고, 제조 비용이 절감될 뿐만 아니라, 백색 반사층이 태양전지셀에 대응되도록 소정 간격으로 이격되어 형성되기 때문에 반투과성의 박막형 태양전지 모듈의 제조가 가능한 효과가 있다.
또한, 본 발명에 따르면, 백색 반사층의 일면에 다양한 그래픽 효과를 부여함으로써, 미적 기능이 향상된 태양전지 모듈을 제공할 수 있다.
상기 목적 외에 본 발명의 다른 목적 및 이점들은 첨부 도면을 참조한 본 발명의 바람직한 실시 예에 대한 설명을 통하여 명백하게 드러나게 될 것이다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시 예에 대하여, 도 2 내지 도 6을 참조하여 상세하게 설명하기로 한다.
이에 앞서, 본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이거나 사전적인 의미로 한정해서 해석되어서는 아니되며, 발명자는 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다. 따라서, 본 명세서에 기재된 실시 예와 도면에 도시된 구성은 본 발명의 가장 바람직한 일 실시 예에 불과할 뿐이고 본 발명의 기술적 사상을 모두 대변하는 것은 아니므로, 본 출원시점에 있어서 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형 예들이 있을 수 있음을 이해하여야 한다.
도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 박막형 태양전지 모듈 구조를 나타내는 단면도이다.
도 2를 참조하면, 본 발명의 실시 예에 따른 박막형 태양전지 모듈은 하부 투명 기판(100), 하부 투명 전극층(200), 태양전지층(300), 상부 투명 전극층(400), 투명 접착층(500), 백색 반사층(600), 및 상부 투명 기판(700)이 순차적으로 적층된 구조를 가진다.
하부 투명 기판(100)은 태양광이 입사될 수 있도록 유리 등의 투명한 재질로 형성된다.
하부 투명 전극층(200) 또한 태양광의 입사를 위해 산화아연(ZnO), 산화주석(SnO2) 또는 산화인듐주석(ITO) 등의 물질을 포함하는 투과성 전도 산화물(Transparent Conductive Oxide, TCO) 등의 투명한 재질을 이용하여 형성되며, 레이저 스크라이빙(laser scribing) 등을 통해 소정 간격마다 분리되도록 형성된다.
태양전지층(300)은 비정질 실리콘으로 형성되는 p층, i층, n층과 미세 결정질 실리콘으로 형성되는 p층, i층, n층이 적층되어 형성될 수 있으며, 적층된 이후 하부 투명 전극층(200)의 이격 위치와 어긋나도록 레이저 스크라이빙 등을 통해 분리된다.
상부 투명 전극층(400)은 하부 투명 전극층(200)과 마찬가지로 TCO 등을 이용하여 300~3000nm의 두께로 형성되며, 태양전지층(300)과 함께 레이저 스크라이빙 등을 통해 패터닝됨으로써 셀 단위로 분리된다. 이때, 분리 간격은 0.5~2.0mm로 형성될 수 있다.
상부 투명 기판(700)은 하부 투명 기판(100)과 같이 유리 등으로 형성될 수 있으며, 다른 실시 예에서, 상부 투명 기판(700)은 적어도 하나 이상의 층으로 접합된 투명 고분자 시트로도 형성 가능하다. 투명 고분자 시트로는 폴리 에틸렌 테레프탈레이트(Poly Ethylene Terephthalate, PET)가 사용될 수 있다. 상부 투명 기판(700)을 PET 시트로 형성하는 경우, 태양전지 모듈이 보다 가벼워지고 제조 비 용이 저렴해지는 장점이 있다.
백색 반사층(600)은 600nm 이상 장파장 대역의 반사를 향상시킬 수 있는 안료가 매질에 혼합된 물질로 형성되며, 예컨대 백색 페인트, 백색 포일(foil), 에틸 비닐 아세테이트(Ethyl Vinyl Acetate, EVA) 포일 등이 백색 반사층(600)으로 사용 가능하다. 이때, 안료로는 매질과의 굴절률 차이가 1.5~2.0 사이의 물질이 사용되며, 매질에 50~100%가 혼합된다. 예컨대, 안료로는 산화티탄(TiO2), 황산바륨(BaSO4) 등과 같은 산화물과, 질화물, 탄화물 등이 사용 가능하다.
이와 같은 백색 반사층(600)에 의해, 태양전지층(300)에서 광전변환되지 못한 장파장의 태양광이 다시 태양전지층(300)으로 반사되어 광전변환될 수 있게 된다.
백색 반사층(600)에서 태양광이 입사되는 부분은 백색으로 형성되어야 하지만, 그 반대 부분, 즉 상부 투명 기판(700)과 맞닿는 부분은 다른 색으로도 형성 가능하다. 따라서, 본 발명에 따르면, 백색 반사층(600) 중 상부 투명 기판(700)과 접촉되는 면에 글자 또는 그림 등의 다양한 그래픽 효과를 부여할 수 있어, 미관상으로도 뛰어난 태양전지 모듈을 제공할 수 있게 된다.
이러한 백색 반사층(600)은 리프트-오프(lift-off)법, 스크린 프린트(screen print)법 또는 잉크젯(inkjet)법 등을 이용하여, 태양전지셀의 간격에 대응되도록 0.5~2.0mm의 간격마다 분리되도록 형성된다.
투명 접착층(500)은 태양전지셀이 형성된 하부 투명 기판(100)과 백색 반사 층(600)이 형성된 상부 투명 기판(700)을 합착시키며, 이러한 투명 접착층(500)으로는 EVA 또는 폴리 비닐 부티랄(Poly Vinyl Butyral, PVB) 등이 사용될 수 있다.
이와 같이 본 발명의 태양전지 모듈은 금속 재질의 반사층 대신 백색 반사층(600)을 사용함으로써 외부 환경에 노출되더라도 장기적인 안정성을 가지고, 그 제조 과정에 있어서도 고가의 금속 증착용 진공 장비가 필요치 않아 제조 비용이 절감된다. 또한, 백색 반사층(600)이 금속 재질에 비해 강한 접착력을 가지기 때문에, 본 발명의 태양전지 모듈은 더욱 장기적인 안정성을 가질 수 있다. 뿐만 아니라, 본 발명에 따르면 백색 반사층(600)에 태양전지셀 단위마다 간격을 형성하기 때문에, 태양전지 모듈에 백색 반사층(600)을 사용하면서도 반투과성 모듈을 제조할 수 있게 된다. 본 발명에 따른 태양전지 모듈의 광 투과율은 태양전지셀의 간격에 따라 결정되며, 태양전지셀의 간격은 태양전지 모듈의 특성에 맞게 설정 가능하다. 한편, 본 발명에 따르면 백색 반사층(600) 중에서 상부 투명 기판(700)과 접촉되는 부분의 색상을 다양하게 형성하는 경우, 미적 효과가 상승하는 장점이 있다.
도 3a 내지 도 6은 도 2에 도시된 본 발명의 실시 예에 따른 박막형 태양전지 모듈의 제조방법을 나타내는 도면이다.
이 중, 도 3a 내지 도 3f는 하부 투명 기판(100)에 태양전지셀이 형성되는 과정을 나타내는 단면도이다.
먼저, 도 3a와 같이 하부 투명 기판(100) 위에 하부 투명 전극층(200)이 증 착되고, 도 3b와 같이 레이저 스크라이빙법 등을 통해 투명 전극층(200)이 셀 단위로 분리된다. 이때, 하부 투명 전극층(200)으로는 TCO 등이 사용 가능하며, 각 셀의 분리 간격은 0.5~2.0mm가 되도록 형성된다.
다음으로, 도 3c와 같이 하부 투명 전극층(200)이 형성된 하부 투명 기판(100) 위에 태양전지층(300)이 형성된다.
상세히 하면, 플라즈마 향상 화학 기상 증착(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition, PECVD) 등의 증착 방법을 통해 p층, i층, n층으로 구성된 비정질 실리콘 반도체층과, p층, i층, n층으로 구성된 미세 결정질 실리콘 반도체층이 증착되어 태양전지층(300)이 형성된다. 그러나, 반드시 이에 제한되지 않으며, 비정질 실리콘 반도체층이나 미세 결정질 실리콘 반도체층에서 선택된 복수 개의 태양전지층으로 구성될 수 있다.
태양전지층(300)으로는 상술한 비정질 실리콘과 미세 결정질 실리콘 외에도, 빛 에너지를 전기 에너지로 바꿀 수 있는 물질이면 모두 사용 가능하다. 예컨대, 단결정질 실리콘, 폴리 실리콘, 비정질 SiC, 비정질 SiN, 비정질 SiGe, 비정질 SiSn, 갈륨비소(GaAs), 알루미늄갈륨비소(AlGaAs), 인듐인(InP), 갈륨인(GaP), CIGS(Copper Indium Galium Selenide), 텔루르화카드뮴(CdTe), 황화카드뮴(CdS), 황화구리(Cu2S), 텔루르화아연(ZnTe), 황화납(PbS), 카파인듐다이셀레나이드(CuInSe2, CIS), 갈륨안티모니(GaSb) 및 이를 이용한 화합물들 중 적어도 어느 하나 이상의 물질을 통해 태양전지층(300)이 형성될 수 있다.
이후, 태양전지층(300)은 도 3d와 같이 레이저 스크라이빙 공정 등을 통해 셀 단위로 분리된다.
다음으로, 도 3e와 같이 태양전지층(300)까지 형성된 하부 투명 기판(100) 위에 상부 투명 전극층(400)이 증착된다.
상세히 하면, 스퍼터링(sputtering) 또는 금속 유기 화학 기상 증착(Metal Organic Chemical Vapor Deposition, MOCVD) 등의 증착 방법을 통해 상부 투명 전극층(400)이 증착된다. 이때, 상부 투명 전극층(400)은 태양전지층(300)에 형성된 간격을 통해 하부 투명 전극층(200)과 전기적으로 접속되도록 형성되며, 상부 투명 전극층(400)으로는 TCO 등이 사용 가능하고, 그 두께는 300~3000nm가 되도록 형성된다.
이후, 상부 투명 전극층(400)과 태양전지층(300)이 도 3f와 같이 레이저 등을 통해 셀 단위로 분리됨으로써, 하부 투명 기판(100) 위에 태양전지셀들의 형성이 완료된다.
도 4a 및 도 4b는 상부 투명 기판(700)에 백색 반사층(600)이 증착되고, 하부 투명 기판(100)과 합착되는 과정을 나타내는 단면도이다.
먼저 도 4a를 참조하면, 상부 투명 기판(700)의 일면(하부면)에 백색 반사층(600)이 형성된다. 일 실시 예에서, 백색 반사층(600)은 리프트-오프법을 이용하여 형성될 수 있다. 즉, 수성 잉크를 이용해 셀 분리선을 긋고, 스프레이법이나 롤링법 등을 이용하여 백색 반사층(600)을 증착한 이후, 수성 잉크 부분을 제거함으로써 분리된 셀을 형성할 수 있다. 다른 실시 예에서, 백색 반사층(600)은 스크 린 프린트법 또는 잉크젯법 등을 이용하여 분리된 셀 형태로 상부 투명 기판(700)에 증착될 수 있다. 백색 반사층(600)의 각 셀은 상술한 바와 같이 0.5~2.0mm의 간격으로 이격될 수 있다.
이때, 상부 투명 기판(700)은 유리 등의 재질로도 형성될 수 있고, PET 시트 등의 투명 고분자 시트 형태로도 형성될 수 있다.
이와 같은 과정을 통해 상부 투명 기판(700)에 백색 반사층(600)이 형성된 후, 도 4b에 도시된 바와 같이 투명 접착층(500)을 이용하여 상부 투명 기판(700)과 하부 투명 기판(100)을 합착시킴으로써 도 6에 도시된 바와 같은 태양전지 모듈이 완성된다.
도 5a 및 도 5b는 도 4a 및 도 4b와는 다른 실시 예로서, 백색 반사층(600)이 도 4a 및 도 4b의 실시 예에서는 상부 투명 기판(700)에 형성되었던 것에 반해, 투명 접착층(500) 위에 형성되는 예를 나타내는 단면도이다.
먼저 도 5a를 참조하면, 투명 접착층(500) 위에 스크린 프린트법 또는 잉크젯법 등을 이용하여 분리된 셀 형태의 백색 반사층(600)이 증착되고, 이후 도 5b에 도시된 바와 같이 백색 반사층(600)이 형성된 투명 접착층(500)을 이용하여, 상부 투명 기판(700)과 하부 투명 기판(100)이 서로 합착됨으로써 도 6에 도시된 바와 같은 태양전지 모듈이 완성된다.
도 1은 종래 태양전지의 구조를 나타내는 단면도.
도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 박막형 태양전지 모듈 구조를 나타내는 단면도.
도 3a 내지 도 3f는 하부 투명 기판에 태양전지셀이 형성되는 과정을 나타내는 단면도.
도 4a 및 도 4b는 상부 투명 기판과 하부 투명 기판의 합착 과정에 대한 일 실시 예를 나타내는 단면도.
도 5a 및 도 5b는 상부 투명 기판과 하부 투명 기판의 합착 과정에 대한 다른 실시 예를 나타내는 단면도.
도 6은 완성된 박막형 태양전지 모듈 구조를 나타내는 단면도.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 간단한 설명>
10 : 투명 기판 20 : 하부 전극층
30, 300 : 태양전지층 40 : 상부 전극층
50 : 반사층 100 : 하부 투명 기판
200 : 하부 투명 전극층 300 : 태양전지층
400 : 상부 투명 전극층 500 : 투명 접착층
600 : 백색 반사층 700 : 상부 투명 기판
Claims (18)
- 하부 투명 기판 및 상부 투명 기판;상기 하부 투명 기판 및 상기 상부 투명 기판 사이에서 상기 하부 투명 기판 쪽에 위치하며, 이웃한 것끼리 간격을 두고 서로 이격되는 복수 개의 태양전지셀;상기 하부 투명 기판 및 상기 상부 투명 기판 사이에서 상기 상부 투명 기판 쪽에 위치하는 비금속 재질의 백색 반사층; 및상기 태양전지셀과 상기 백색 반사층 사이에서 이들을 접착하는 투명 접착층을 포함하고,상기 태양전지셀은 상기 하부 투명 기판 위에 차례로 형성되는 하부 투명 전극층, 태양전지층, 상부 투명 전극층을 포함하고,상기 백색 반사층은, 상기 복수 개의 태양전지셀 사이의 상기 간격에 대응하는 개구부를 구비하는 박막형 태양전지 모듈.
- 제 1항에 있어서,상기 백색 반사층의 상기 개구부는 상기 복수 개의 태양전지셀의 상기 태양전지층 사이에 대응하도록 형성된 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지 모듈.
- 삭제
- 삭제
- 제 1항에 있어서,상기 상부 투명 기판은 유리 기판 또는 투명 고분자 시트인 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지 모듈.
- 제 5항에 있어서,상기 투명 고분자 시트는 폴리 에틸렌 테레프탈레이트(Poly Ethylene Terephthalate, PET)로 형성된 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지 모듈.
- 제 1항에 있어서,상기 하부 투명 전극층 및 상기 상부 투명 전극층은 산화아연(ZnO), 산화주석(SnO2) 및 산화인듐주석(ITO) 중 어느 하나 이상의 물질로 이루어진 투과성 전도 산화물층(Transparent Conductive Oxide, TCO)인 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지 모듈.
- 제 1항에 있어서,상기 태양전지셀은 비정질 실리콘 또는 미세 결정질 실리콘으로 이루어진 적어도 하나 이상의 태양전지층을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지 모 듈.
- 제 1항에 있어서,상기 상부 투명 전극층의 두께는 300~3000nm인 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지 모듈.
- 제 1항에 있어서,상기 백색 반사층은 600nm 이상 장파장 대역의 광을 반사시키는 안료가 매질에 50~100% 혼합되어 형성된 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지 모듈.
- 제 10항에 있어서,상기 안료와 상기 매질의 굴절률 차이는 1.5~2.0인 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지 모듈.
- 제 1항에 있어서,상기 백색 반사층은 백색 페인트(white paint), 백색 포일(white foil) 및 에틸 비닐 아세테이트(Ethyl Vinyl Acetate, EVA) 중 어느 하나 이상을 이용하여 형성된 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지 모듈.
- 제 1항에 있어서,상기 백색 반사층은 상기 투명 접착층과 접촉하는 제1면이 백색이고, 상기 상부 투명기판과 접촉하는 제2면이 상기 제1면과 다른 색상인 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지 모듈.
- 제 1항에 있어서,상기 태양전지셀은 0.5~2.0mm의 간격으로 이격된 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지 모듈.
- 제 1항에 있어서,상기 투명 접착층은 에틸 비닐 아세테이트(Ethyl Vinyl Acetate, EVA) 또는 폴리 비닐 부티랄(Poly Vinyl Butyral, PVB)인 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지 모듈.
- 하부 투명 기판 위에 이웃한 것끼리 간격을 두고 서로 이격되는 복수 개의 태양전지셀을 형성하는 단계;상기 태양전지셀에 대향하도록 백색 반사층을 위치시키는 단계; 및상기 태양전지셀과 상기 백색 반사층 사이에 투명 접착층이 위치하도록 하여 상기 태양전지셀과 상기 백색 반사층을 접합하는 단계를 포함하고,상기 태양전지셀은 상기 하부 투명 기판 위에 차례로 형성되는 하부 투명 전극층, 태양전지층, 상부 투명 전극층을 포함하고,상기 백색 반사층은, 상기 복수 개의 태양전지셀 사이의 상기 간격에 대응하는 개구부를 구비하는 박막형 태양전지 모듈의 제조방법.
- 제 16항에 있어서,상기 태양전지셀에 대향하도록 상기 백색 반사층을 위치시키는 단계에서, 상기 백색 반사층은 상부 투명 기판 또는 투명 접착층 상에 형성된 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지 모듈의 제조방법.
- 제 16항에 있어서,상기 백색 반사층은 리프트-오프(lift-off)법, 스크린 프린트(screen print)법, 및 잉크젯(inkjet)법 중 어느 하나의 방법으로 형성되는 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지 모듈의 제조방법.
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
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Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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KR1020080088906A KR101161378B1 (ko) | 2008-09-09 | 2008-09-09 | 백색 반사층을 구비한 박막형 태양전지 모듈 및 그 제조방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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KR20100030116A KR20100030116A (ko) | 2010-03-18 |
KR101161378B1 true KR101161378B1 (ko) | 2012-07-02 |
Family
ID=41798169
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020080088906A KR101161378B1 (ko) | 2008-09-09 | 2008-09-09 | 백색 반사층을 구비한 박막형 태양전지 모듈 및 그 제조방법 |
Country Status (5)
Country | Link |
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US (1) | US20100059103A1 (ko) |
EP (1) | EP2340566A4 (ko) |
KR (1) | KR101161378B1 (ko) |
CN (1) | CN102144301B (ko) |
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- 2009-09-08 US US12/555,325 patent/US20100059103A1/en not_active Abandoned
- 2009-09-09 WO PCT/KR2009/005093 patent/WO2010030107A2/en active Application Filing
- 2009-09-09 EP EP09813229.3A patent/EP2340566A4/en not_active Withdrawn
- 2009-09-09 CN CN2009801344278A patent/CN102144301B/zh not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Publication date |
---|---|
WO2010030107A3 (en) | 2010-06-24 |
WO2010030107A2 (en) | 2010-03-18 |
US20100059103A1 (en) | 2010-03-11 |
CN102144301B (zh) | 2013-08-21 |
EP2340566A2 (en) | 2011-07-06 |
KR20100030116A (ko) | 2010-03-18 |
EP2340566A4 (en) | 2013-06-19 |
CN102144301A (zh) | 2011-08-03 |
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