KR100833675B1 - 반투명 결정질 실리콘 박막 태양전지 - Google Patents

반투명 결정질 실리콘 박막 태양전지 Download PDF

Info

Publication number
KR100833675B1
KR100833675B1 KR1020070009214A KR20070009214A KR100833675B1 KR 100833675 B1 KR100833675 B1 KR 100833675B1 KR 1020070009214 A KR1020070009214 A KR 1020070009214A KR 20070009214 A KR20070009214 A KR 20070009214A KR 100833675 B1 KR100833675 B1 KR 100833675B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
thin film
solar cell
transparent
transparent electrode
film solar
Prior art date
Application number
KR1020070009214A
Other languages
English (en)
Inventor
이병수
Original Assignee
(주)실리콘화일
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by (주)실리콘화일 filed Critical (주)실리콘화일
Priority to KR1020070009214A priority Critical patent/KR100833675B1/ko
Priority to EP07851691A priority patent/EP2108196A1/en
Priority to PCT/KR2007/006725 priority patent/WO2008093933A1/en
Priority to US12/524,337 priority patent/US20100096008A1/en
Priority to JP2009548140A priority patent/JP2010517313A/ja
Application granted granted Critical
Publication of KR100833675B1 publication Critical patent/KR100833675B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/0445—PV modules or arrays of single PV cells including thin film solar cells, e.g. single thin film a-Si, CIS or CdTe solar cells
    • H01L31/046—PV modules composed of a plurality of thin film solar cells deposited on the same substrate
    • H01L31/0468—PV modules composed of a plurality of thin film solar cells deposited on the same substrate comprising specific means for obtaining partial light transmission through the module, e.g. partially transparent thin film solar modules for windows
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/0445—PV modules or arrays of single PV cells including thin film solar cells, e.g. single thin film a-Si, CIS or CdTe solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0224—Electrodes
    • H01L31/022466—Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. TCO, ITO layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/036—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/0445—PV modules or arrays of single PV cells including thin film solar cells, e.g. single thin film a-Si, CIS or CdTe solar cells
    • H01L31/046—PV modules composed of a plurality of thin film solar cells deposited on the same substrate
    • H01L31/0465—PV modules composed of a plurality of thin film solar cells deposited on the same substrate comprising particular structures for the electrical interconnection of adjacent PV cells in the module
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/05—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02B—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
    • Y02B10/00—Integration of renewable energy sources in buildings
    • Y02B10/10—Photovoltaic [PV]
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy

Abstract

발전영역에 결정질 실리콘 박막을 사용하는 반투명 결정질 실리콘 박막 태양전지에 관하여 개시한다.
본 발명에 따른 반투명 결정질 실리콘 박막 태양전지는 투명기판, 반사방지막, 제1 투명전극, 발전영역, 제2 투명전극 및 절연막을 포함하며 발전영역이 결정질 실리콘 박막으로 이루어져 있는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 반투명 결정질 실리콘 박막 태양전지는 종래의 비정질 박막을 사용하는 반투명 박막 태양전지에 비해 공정이 단순하고, 별도의 장비를 사용하지 않고 결정질 박막의 두께를 조절하여 투과율을 조절할 수 있는 장점이 있다.
태양전지, 반투명, 결정질 실리콘

Description

반투명 결정질 실리콘 박막 태양전지{Semitransparent crystalline thin film solar cell}
도 1은 종래의 반투명 박막 태양전지 구조를 나타내는 도면이다.
도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 반투명 결정질 실리콘 박막 태양전지의 구조를 나타내는 도면이다.
본 발명은 태양전지에 관한 것으로, 더 상세하게는 종래의 비투과성 박막 태양전지와 동일한 구조를 사용하면서 발전영역에 결정질 실리콘 박막을 사용함으로써 제조방법을 간단하게 하고 공정시간을 줄인 반투명 결정질 실리콘 박막 태양전지에 관한 것이다.
반투명의 태양전지는 주로 건물의 창이나 지붕의 소재로 사용되며, 미관과 에너지의 획득을 동시에 만족할 수 있는 시스템의 핵심 소재로 많은 개발과 적용이 이루어지고 있다. 즉, 외부의 빛을 일정부분 투과하여 외부의 상황을 건물의 내부에서 확인할 수 있고(See-through), 투과되지 않은 빛의 일정부분은 태양 발전에 이용하는 것이다.
도 1은 종래의 반투명 박막 태양전지의 구조를 나타내는 도면이다.
도 1을 참고하면 종래의 반투명 박막 태양전지는 투명의 유리기판(110)에 반사방지막(120)을 형성하고, 반사방지막(120) 위에 제1 투명전극(131, 132)과 태양전지(141, 142)를 설치하고, 그 위에 제2 투명전극(151, 152)을 설치한다. 또한 필요에 따라 각 셀과 전극사이의 절연을 위하여 절연막(161, 162)을 형성할 수 있다. 위와 같은 구조는 박막 태양전지의 일반적인 구조이며, 일반 박막 태양전지의 반투명화를 위해서는 두 투명전극이 접속되는 영역(180)과 발전이 이루어지는 영역(171, 172)의 비율을 조절함으로써 빛의 투과율을 조절하는 방법을 사용한다.
예를 들어서 10%의 투과율이 요구되는 경우, 투명영역(180)과 불투명 영역(171, 172)의 비율을 1:9의 간격으로 조절하는 방법을 사용한다. 이 경우에 있어서 투과된 빛을 통하여 사물을 인지할 수 있도록 하기 위해서는 투명영역(180)들의 간격은 조밀하여야 한다. 따라서 대부분의 경우 투명영역의 간격은 수 mm 이하의 간격으로 설치된다. 이러한 조밀한 투명영역의 간격은 미세한 pattern의 형성이 필요하므로 반투명 태양전지의 제조 시간과 제조 가격을 상승시키는 중요한 요인이 된다.
레이저 선침(laser scriber)을 사용하여 pattern을 형성하는 경우, 1mm의 간격으로 투명영역과 불투명 영역이 설치되는 경우, 1m 길이의 반투명 태양전지를 제작하기 위해서는 1000번 이상의 레이저 선침(laser scriber)을 사용한 라인의 형성이 필요하다. 이것은 보통의 불투명 박막 태양전지에서의 셀과 셀 사이의 간격이 1cm 이하이며 1m 길이의 태양전지를 제작하기 위해서 약 100번 정도의 레이저 선 침(laser scriber)을 이용한 라인의 형성이 필요한 것과 비교하면 불투명 박막태양전지의 제조에 필요한 레이저 선침(laser scriber)의 약 10배 이상의 장비나 공정시간이 요구되는 문제가 있다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 비투과성 박막 태양전지의 구조와 동일한 구조를 사용하면서 발전영역에 결정질 실리콘 박막을 사용함으로써 제조방법을 단순하게 하고 공정시간을 줄인 반투명 결정질 실리콘 박막 태양전지를 제공하는데 있다.
상기의 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 반투명 결정질 실리콘 박막 태양전지는 투명 기판상에 형성된 반사방지막, 상기 반사 방지막 상에 형성된 제1 투명전극, 상기 제1 투명전극상에 형성된 발전영역, 상기 발전영역상에 형성된 제2 투명전극 및 상기 제1 투명전극, 발전영역 및 제2 투명전극간의 절연을 위한 절연막을 포함하고, 상기 발전영역은 결정질 실리콘 박막으로 이루어진 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 반투명 결정질 실리콘 박막 태양전지는 태양전지의 소자로 결정질 실리콘 박막을 사용한다. 결정질 박막 실리콘은 일반적인 박막 태양전지에서 사용되는 비정질 실리콘에 비하여 낮은 광흡수 특성을 나타낸다. 2.2eV의 에너지를 갖는 적색(Red) 빛의 경우 흡수계수는 단결정 실리콘이 6x103/cm인데 비하여 비정질 실리콘의 경우 4x104/cm이며, 2.6eV를 갖는 녹색(Green)의 빛에 대하여는 단결정 실리콘의 흡수계수는 3x104/cm인데 반하여 비정질 실리콘의 흡수계수는 2x105/cm의 값을 갖는다.
빛이 굴절률이 n1이고 일정한 흡수계수 a를 갖는 매질을 길이 L만큼 지나서 n2의 굴절률을 갖는 매질에 입사하는 경우, 투과율은 대략 다음과 같이 수학식 1로 표현된다.
Figure 112007008942352-pat00001
위의 식을 사용하여 적색(Red)인 빛에 대하여 계산하면, 1um의 두께를 갖는 비정질 박막과 SnO로 이루어진 층에서 투과되는 빛은 약 8%인데 비하여 결정질 박막 1um의 두께와 SnO로 이루어진 층의 투과율은 약 50%에 달한다. 본 발명은 결정질 실리콘의 상기와 같은 성질을 이용한 것이다.
이하 도면을 참고하여 본 발명의 기술적 특징을 상세히 설명하기로 한다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 반투명 결정질 실리콘 박막 태양전지의 구조를 나타내는 도면이다.
도 2에 도시된 바와 같이 본 발명에 따른 반투명 결정질 실리콘 박막 태양전지는 투명 기판(210)위에 반사 방지막(220)이 형성되고, 상기의 반사 방지막 위에 제1 투명전극(231, 232)이 형성되고, 상기 제1 투명전극(231, 232) 위에 결정질 태 양전지 영역(241, 242)과 제2 투명전극(251. 252)이 형성된다. 또한 셀과 전극과의 절연을 위하여 절연막(261, 262)이 형성된다. 일반적으로 투명전극은 높은 전기저항을 가지므로 접촉저항을 낮추기 위하여 전도체층(270)을 설치하는 것이 바람직하다. 위와 같은 구조에서 투명기판(210)으로부터 투과된 빛은 반사방지막(220)을 통과하여 결정질 태양전지 영역(241, 242)으로 입사하며, 입사된 빛은 결정질 실리콘 층인 결정질 태양전지 영역(241, 242)에서 일정부분 투과되고 나머지는 제2 투명전극(251, 252)을 통하여 완전히 투과된다.
따라서 상기의 구조에서 빛의 반투과가 일어나는 지역(281, 282)은 태양전지의 영역과 일치하게 된다. 따라서 도 1과 같은 일반적인 반투명의 태양전지에 비하여 셀과 셀 사이의 간격을 넓게 만들 수 있으며, 전도체층(270)을 전체에 덮는 경우에는 불투명 박막 태양전지로 사용이 가능하다. 따라서 별도의 레이저 선침(laser scriber)등에 의한 pattern의 형성 등이 필요 없이 불투명 박막 태양전지와 동일한 구조를 사용하여 반투명의 박막 태양전지를 제조할 수 있다. 또한 결정질 박막의 두께를 조절함으로써 빛의 투과율을 조절하는 것이 가능하다.
이상으로, 본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 등록청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.
본 발명에 따른 반투명 결정질 실리콘 박막 태양전지는 결정질 실리콘 박막을 사용하여 투과율을 높이는 방식을 사용하므로 비정질 박막을 사용하여 반투명의 박막 태양전지를 만드는 공정에 비하여 단순하고, 불투명의 태양전지를 제작하는 방법과 동일한 공정을 사용하므로 별도의 장비 등이 필요하지 않으며, 결정질 박막의 두께를 조절하여 투과율을 조절할 수 있으므로 비정질 박막에서와 같이 투과율에 따른 공정의 변화가 필요없다는 장점이 있다.

Claims (4)

  1. 실리콘 박막 태양전지에 있어서,
    투명 기판상에 형성된 반사방지막;
    상기 반사 방지막 상에 형성된 제1 투명전극;
    상기 제1 투명전극상에 형성된 발전영역;
    상기 발전영역상에 형성된 제2 투명전극; 및
    상기 제1 투명전극, 발전영역 및 제2 투명전극간의 절연을 위한 절연막을 포함하고,
    상기 발전영역은 결정질 실리콘 박막으로 이루어진 것을 특징으로 하는 반투명 결정질 실리콘 박막 태양전지.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 발전영역은 결정질 실리콘 박막의 두께를 조절하여 투과율을 조절하는 것을 특징으로 하는 반투명 결정질 실리콘 박막 태양전지.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 제2 투명전극과 인접 셀의 제1 투명전극을 전기적으로 연결시키는 전도체층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반투명 실리콘 박막 태양전지.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 전도체층의 크기를 조절함으로써 투과율을 조절할 수 있는 것을 특징으로 하는 반투명 실리콘 박막 태양전지.
KR1020070009214A 2007-01-30 2007-01-30 반투명 결정질 실리콘 박막 태양전지 KR100833675B1 (ko)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020070009214A KR100833675B1 (ko) 2007-01-30 2007-01-30 반투명 결정질 실리콘 박막 태양전지
EP07851691A EP2108196A1 (en) 2007-01-30 2007-12-21 Semitransparent crystalline silicon thin film solar cell
PCT/KR2007/006725 WO2008093933A1 (en) 2007-01-30 2007-12-21 Semitransparent crystalline silicon thin film solar cell
US12/524,337 US20100096008A1 (en) 2007-01-30 2007-12-21 Semitransparent crystalline silicon thin film solar cell
JP2009548140A JP2010517313A (ja) 2007-01-30 2007-12-21 半透明結晶質シリコン薄膜太陽電池

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020070009214A KR100833675B1 (ko) 2007-01-30 2007-01-30 반투명 결정질 실리콘 박막 태양전지

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR100833675B1 true KR100833675B1 (ko) 2008-05-29

Family

ID=39665674

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020070009214A KR100833675B1 (ko) 2007-01-30 2007-01-30 반투명 결정질 실리콘 박막 태양전지

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20100096008A1 (ko)
EP (1) EP2108196A1 (ko)
JP (1) JP2010517313A (ko)
KR (1) KR100833675B1 (ko)
WO (1) WO2008093933A1 (ko)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20100072956A (ko) * 2008-12-22 2010-07-01 엘지이노텍 주식회사 태양전지 및 이의 제조방법
KR101173992B1 (ko) 2009-07-31 2012-08-16 주식회사 효성 Ｔｃｏ층을 이용한 태양전지의 전극 형성방법 및 그 태양전지
KR101457573B1 (ko) * 2008-06-02 2014-11-03 주성엔지니어링(주) 박막형 태양전지 및 그 제조방법
KR101457010B1 (ko) * 2014-06-27 2014-11-07 주성엔지니어링(주) 박막형 태양전지 및 그 제조방법
WO2018088632A1 (ko) * 2016-11-08 2018-05-17 고려대학교 산학협력단 페로브스카이트 태양전지 모듈 및 이의 제조방법

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPWO2009131212A1 (ja) * 2008-04-25 2011-08-25 株式会社アルバック 太陽電池
US8088990B1 (en) * 2011-05-27 2012-01-03 Auria Solar Co., Ltd. Color building-integrated photovoltaic (BIPV) panel
WO2014188092A1 (fr) 2013-05-23 2014-11-27 Sunpartner Technologies Mono cellule photovoltaïque semi-transparente en couches minces

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20060100174A (ko) * 2005-03-16 2006-09-20 한국과학기술원 집적형 박막 태양전지 및 그 제조 방법

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4200472A (en) * 1978-06-05 1980-04-29 The Regents Of The University Of California Solar power system and high efficiency photovoltaic cells used therein
US4948436A (en) * 1988-02-05 1990-08-14 Siemens Aktiengesellschaft Thin-film solar cell arrangement
JPH02218174A (ja) * 1989-02-17 1990-08-30 Mitsubishi Electric Corp 光電変換半導体装置
US5792280A (en) * 1994-05-09 1998-08-11 Sandia Corporation Method for fabricating silicon cells
JP3174486B2 (ja) * 1995-09-08 2001-06-11 シャープ株式会社 太陽電池およびその製造方法
DE10152707B4 (de) * 2001-10-19 2004-08-26 Rwe Schott Solar Gmbh Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20060100174A (ko) * 2005-03-16 2006-09-20 한국과학기술원 집적형 박막 태양전지 및 그 제조 방법

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101457573B1 (ko) * 2008-06-02 2014-11-03 주성엔지니어링(주) 박막형 태양전지 및 그 제조방법
KR20100072956A (ko) * 2008-12-22 2010-07-01 엘지이노텍 주식회사 태양전지 및 이의 제조방법
KR101583822B1 (ko) 2008-12-22 2016-01-08 엘지이노텍 주식회사 태양전지 및 이의 제조방법
KR101173992B1 (ko) 2009-07-31 2012-08-16 주식회사 효성 Ｔｃｏ층을 이용한 태양전지의 전극 형성방법 및 그 태양전지
KR101457010B1 (ko) * 2014-06-27 2014-11-07 주성엔지니어링(주) 박막형 태양전지 및 그 제조방법
WO2018088632A1 (ko) * 2016-11-08 2018-05-17 고려대학교 산학협력단 페로브스카이트 태양전지 모듈 및 이의 제조방법

Also Published As

Publication number Publication date
EP2108196A1 (en) 2009-10-14
WO2008093933A1 (en) 2008-08-07
JP2010517313A (ja) 2010-05-20
US20100096008A1 (en) 2010-04-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100833675B1 (ko) 반투명 결정질 실리콘 박막 태양전지
EP2341555B1 (en) Front electrode including pyrolytic transparent conductive coating on textured glass substrate for use in photovoltaic device and method of making same
US6822157B2 (en) Thin film solar battery module
US7026542B2 (en) Cover glass for a solar battery, a method for producing the cover glass and a solar battery module using the cover glass
KR101000057B1 (ko) 다층 투명전도층을 구비한 태양전지 이의 제조방법
WO2023077346A1 (en) Solar module and method for producing the same
JP2009117463A (ja) 薄膜光電変換装置
US20090277500A1 (en) Transparent solar cell module
CN113782622B (zh) 一种薄膜太阳能电池板及其制造方法
JP2008294264A (ja) 透光性薄膜太陽電池の製造方法及び、透光性薄膜太陽電池。
KR101934949B1 (ko) 전기변색부가 삽입된 태양 전지 및 이의 제조방법
JPH08167726A (ja) 薄膜光電変換素子
US20150364626A1 (en) Transparent electrode and solar cell including the same
CN201440423U (zh) 薄膜光伏器件
CN104600142A (zh) 光伏组件
CN204289486U (zh) 光伏组件
CN201282149Y (zh) 太阳能光伏模板和包括该模板的光伏玻璃窗
KR101155058B1 (ko) 태양전지 커버유리
KR100972115B1 (ko) 플렉시블 박막형 태양전지 및 그 제조방법
CN116830031A (zh) 制造电致变色设备的方法、电致变色设备和绝缘玻璃状体
CN112133772A (zh) 太阳能电池及其制备方法
KR102225487B1 (ko) 투명 전극 및 이를 이용한 태양전지
KR20100073836A (ko) 박막형 태양전지
JP2001257375A (ja) 薄膜太陽電池及び薄膜太陽電池モジュール群
KR101134594B1 (ko) 태양전지 커버유리

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20110516

Year of fee payment: 4

LAPS Lapse due to unpaid annual fee