CN102737988A - 热处理装置以及热处理方法 - Google Patents

热处理装置以及热处理方法 Download PDF

Info

Publication number
CN102737988A
CN102737988A CN201210093660XA CN201210093660A CN102737988A CN 102737988 A CN102737988 A CN 102737988A CN 201210093660X A CN201210093660X A CN 201210093660XA CN 201210093660 A CN201210093660 A CN 201210093660A CN 102737988 A CN102737988 A CN 102737988A
Authority
CN
China
Prior art keywords
temperature sensor
temperature
container
handled object
container handling
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201210093660XA
Other languages
English (en)
Inventor
吉井弘治
山口达也
王文凌
斋藤孝规
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Publication of CN102737988A publication Critical patent/CN102737988A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67248—Temperature monitoring

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

在装载晶片时准确地推断晶片温度并迅速地对晶片实施热处理的热处理装置以及热处理方法。热处理装置(1)具备：对保持在舟皿(12)的晶片(W)进行处理的处理容器(3)、加热处理容器的加热器(18A)及控制加热器的控制装置(51)。在加热器与处理容器之间设置外部温度传感器(50)，在处理容器内设置内侧温度传感器(81)及内部轮廓温度传感器(82)，在舟皿设置轮廓温度传感器(83)。这些温度传感器与温度预测部(51A)连接，温度预测部选择任意两个温度传感器，如内侧温度传感器及轮廓温度传感器，在将来自所选的温度传感器的检测温度设为T1、T2时，根据T＝T1×(1-α)+T2×α、α＞1求出晶片温度T。

Description

热处理装置以及热处理方法
本专利申请主张于2011年4月5日提出的日本专利申请2011-083637号的优先权。引用之前的申请的全部公开内容作为本说明书的一部分。
技术领域
本发明涉及对被处理体进行热处理的热处理装置以及热处理方法。
背景技术
在半导体器设备的制造中，为了对被处理体例如半导体晶片实施氧化、扩散、CVD(Chemical Vapor Deposition，化学气象沉积)、退火等热处理而使用各种热处理装置。使用能够一次对多个半导体晶片(以下称为晶片)进行热处理的批量处理式装置作为上述热处理装置，其中公知有立式热处理装置。该立式热处理装置具备热处理炉，该热处理炉用于将载置有多张晶片的保持部从下方搬入(装载)到下部开口的处理容器内，并利用设置在处理容器周围的加热部(加热器)对处理容器内部的晶片进行加热处理。这样的热处理装置具备检测加热器的温度的温度传感器、和检测处理容器内的温度的温度传感器，并基于来自各温度传感器的信号对加热器的输出进行控制，以使晶片或者处理容器内形成设定温度。作为其中一个方法，如专利文献2所示那样，存在利用混合比例调整部按照各个比例对来自温度传感器的检测值与设定值进行插补来控制追随温度的方法。另外，公开了为了测量晶片的温度而在尽量靠近晶片且与芯片同样活动的部分设置温度传感器的情况(专利文献1)。
专利文献1：日本特开平7-273057号公报
专利文献2：日本特开2002-353153号公报
近年来，伴随着半导体的微型化的要求，处理温度的低温度化(100℃～400℃)的要求增多，半导体晶片的温度控制变得更加困难。
在半导体晶片中存在如下问题，在处理容器装载保持件并稳定达到设定温度之前的温度由于半导体晶片的吸收波长的影响，特别是在100～400℃的温度带上述的温度传感器与半导体晶片的温度差变得很大，并且升温以及到达设定温度需要很多时间。
发明内容
本发明是考虑以上方面而完成的，其目的在于提供一种热处理装置以及热处理方法。该热处理装置以及热处理方法能够在装载半导体晶片时迅速且高精度地使被处理体跟随变化为设定温度。
本实施方式是一种热处理装置，其具备：对被处理体进行处理的处理容器；设置于处理容器的外侧并从外侧加热该处理容器的加热部；载置保持被处理体并且搬入到处理容器内或从处理容器内搬出的保持部；用于将保持部搬入到处理容器或从处理容器搬出的保持部搬送部；设置于加热部与处理容器之间并检测加热部的温度的第一温度传感器；固定于处理容器内并检测处理容器内的温度的第二温度传感器；与保持部一起被被搬入到处理容器内或从处理容器内搬出的第三温度传感器；控制向加热部的输出的控制部；以及选择第一温度传感器、第二温度传感器以及第三温度传感器中的任意两个温度传感器并基于来自这两个温度传感器的检测温度预测被处理体温度T的温度预测部。
在上述热处理装置中，温度预测部根据以下公式求出被处理体温度T，
T＝T1×(1-α)+T2×α
α＞1
T1：第一温度传感器、第二温度传感器以及第三温度传感器中任意一个温度传感器的检测温度
T2：第一温度传感器、第二温度传感器以及第三温度传感器中T1以外的任意一个温度传感器的检测温度
α：混合比例。
本实施方式是一种使用了上述记载的热处理装置处理方法，其具备：将被处理体保持在保持部的工序；利用保持部将被处理体搬入到处理容器内的工序；在温度预测部中选择第一温度传感器、第二温度传感器以及第三温度传感器中的任意两个温度传感器，并基于来自这两个温度传感器的检测信号预测被处理体温度的工序；以及基于由温度预测部预测出的被处理体的温度控制加热部的输出的工序。
在上述热处理方法中，温度预测部根据以下公式求出被处理体的温度T，
T＝T1×(1-α)+T2×α
α＞1
T1：第一温度传感器、第二温度传感器以及第三温度传感器中任意一个温度传感器的检测温度
T2：第一温度传感器、第二温度传感器以及第三温度传感器中T1以外的任意一个温度传感器的检测温度
α：混合比例。
本实施方式是一种热处理方法，其还具备将来自预先进行了将保持部放入到处理容器内的工序的第一温度传感器、第二温度传感器以及第三温度传感器的检测温度数据和那时的被处理体位置的检测温度进行比较，从接近被处理体位置的检测温度的组合中选择上述选择的两个温度传感器，并且决定α的工序。
根据以上那样的本发明，即便是在被处理体的吸收波长少且热响应性低的温度带温度传感器的热响应性高于晶片而无法追踪被处理体的温度的情况下，也能够预测被处理体温度并控制加热部的输出，从而迅速且高精度地进行升温或温度稳定的温度控制。
附图说明
图1是示意性地表示本发明所涉及的热处理装置以及热处理方法的实施方式的纵剖视图。
图2是与图1相同的图，是表示装载热处理体时的热处理装置的图。
图3是表示温度预测部的作用的图。
具体实施方式
以下，参照附图对本发明的实施方式进行说明。
在图1中，立式热处理装置1具备立式热处理炉2，立式热处理炉2能够一次收容多片被处理体(例如半导体晶片w，以下记为晶片w)并对它们实施氧化、扩散、减压CVD等热处理。该热处理炉2在内周面设置有发热电阻器(以下记为加热器)3，并具备与加热器3形成空间4并且收纳晶片w对其进行热处理的处理容器5。此处，加热器3作为加热晶片w的加热器发挥作用。
另外，上述空间4沿着纵向划分成多个单位区域，例如10个单位区域A1、A2、A3、A4、A5、A6、A7、A8、A9、A10(以下记为A1～A10)。而且加热器3构成为能够与这10个单位区域A1～A10分别对应地控制输出，并设置有测定与单位区域A1～A10对应的温度的加热器温度传感器(第一温度传感器)Ao1～Ao10。
热处理炉2支承于底板6，在该底板6形成有用于将处理容器5从下方向上方插入的开口部7。
处理容器5在下部经由歧管8支承于底板6，并且从歧管8通过喷射器51向处理容器5供给处理气体。气体喷射器与未图示的气体供给源连接。另外，供给至处理容器5的处理气体、吹扫气体通过排气口52而与具备可进行减压控制的真空泵的未图示的排气系统连接。
另外，在歧管的下部具有封闭炉口53的盖体9，盖体9设置为可通过升降机构10升降移动。在该盖体9的上部载置有保温部11，在该保温部11的上部具有在上下方向隔开规定的间隔搭载多片晶片w的保持部(以下记为舟皿)12。舟皿12通过升降机构10进行下降移动，从而将晶片w从处理容器5搬出(卸载)到未图示的装载区域，在更换了晶片w后，通过升降机构10进行上升移动，从而将晶片w搬入(装载)到处理容器5内。
在盖体9还可以设置有使舟皿12绕其轴心旋转的旋转机构13。
可以在热处理炉2中设置隔热件21、用于迅速冷却处理容器5的冷却气体的流路22、从流路22向空间4喷出冷却气体的喷出孔23、以及用于将冷却气体从空间4排出的排气口24。该情况下，在排气口24的前端设置有未图示的热交换器以及鼓风机，还设置有向流路22供给冷却气体的鼓风机。
设置有用于检测处理容器5内的各单位区域A1～A10的温度的处理容器内温度传感器(第二温度传感器)Ai1～Ai10。
还设置有与晶片w一起被装载/卸载的活动温度传感器(第三温度传感器)Ap1～Ap10。
然而，以往将信号通过来自上述的加热器温度传感器Ao1～Ao10和处理容器内温度传感器Ai1～Ai10的检测信号线31、32而导入控制部35。而且将在控制部35中通过PID控制、模型控制计算出的结果输送到加热器输出部36，从而控制该加热器输出部36从加热器输出线37经由加热器端子38向各加热器3的输出。
但是，该方法无法充分地追踪低温度区域100℃～400℃的晶片w的温度变化，因此在本发明中通过检测信号线33取得活动温度传感器Ap1～Ap10的检测温度数据，再通过检测信号线31、32取得分别来自加热器温度传感器Ao1～Ao10和处理容器内温度传感器Ai1～Ai10的检测温度数据，并在温度预测部34利用后述的计算公式进行计算。而且，从装载时的装载区域起由温度预测部34预测晶片w在处理容器5内的温度变化，并将预测出的结果送到控制部35，从而控制每一个加热器3的输出。
接下来，利用图3对装载晶片w时的温度预测部34的作用进行说明。
此处，图3是表示温度预测部34的作用的图，在横轴示出了装载晶片w时的时间(分)，在纵轴示出了温度。
每一个温度传感器的动作表现为将室温的舟皿装载于稳定在200℃的处理容器内并再次稳定在200℃时的温度变化。关于此时的各温度传感器的变化，由图3可知加热器温度传感器、处理容器内温度传感器以及活动温度传感器均与晶片温度相差很多。并且所有温度传感器的温度都比晶片w的温度高，从而可知使用以往的0～100％的混合比例时很难预测晶片w的温度。
此处，利用下面的计算公式计算合成信号，
T＝T1×(1-α)+T2×α
α＞1
T1：第一温度传感器、第二温度传感器以及第三温度传感器中任意一个温度传感器的检测温度
T2：第一温度传感器、第二温度传感器以及第三温度传感器中T1以外的任意一个温度传感器的检测温度
α：混合比例。
作为算出的合成信号的例子，可知在将T1设为活动温度传感器、将T2设为处理容器内温度传感器、将α设为1.8时，合成信号非常良好地与晶片温度的变化同步。该温度传感器的选择受到装置的温度传感器的位置的影响，另外，由于温度传感器的构成取决于各装置的构成，所以需要预先取得图3那样的温度数据并找出最佳值。
如图3所示，从装载晶片到温度稳定在200℃需要90分钟，十分花费时间。根据该计算出的预测晶片温度进行加热器的控制，从而能够实现在达到温度稳定之前缩短30％～50％的时间。根据以上所述，特别是在装置内的温度传感器与被处理体的温度差较大时能够有效地利用本发明，对于硅晶片在吸收波长少的低温度区域(100℃～400℃)的升温以及温度稳定方面，本发明也能够高精度且迅速地进行控制。
虽然在本实施方式中使用单位区域A1～A10进行了说明，但也可分割成几个而不只局限于分割成10个的情况，此外，虽然在实施方式中均等地进行了分割，但不限于此，也可以将温度变化大的炉口部分割成窄的区域。另外，也可以使用另行安装于强制性排气的冷却气体的排气口、保温部区域的温度传感器。

Claims (5)

1.一种热处理装置，其特征在于，具备：
对被处理体进行处理的处理容器；
设置于处理容器的外侧并从外侧加热该处理容器的加热部；
保持部，该保持部载置保持被处理体，并且能够搬入到处理容器内或从处理容器内搬出；
保持部搬送部，该保持部搬送部用于将保持部搬入到处理容器或从处理容器搬出；
第一温度传感器，该第一温度传感器设置于加热部与处理容器之间，并检测加热部的温度；
第二温度传感器，该第二温度传感器固定于处理容器内，并检测处理容器内的温度；
第三温度传感器，该第三温度传感器与保持部一起被搬入到处理容器内或从处理容器内搬出；
控制对加热部的输出的控制部；以及
温度预测部，该温度预测部选择第一温度传感器、第二温度传感器以及第三温度传感器中的任意两个温度传感器，并基于来自这两个温度传感器的检测温度预测被处理体温度T。
2.根据权利要求1所述的热处理装置，其特征在于，
温度预测部根据以下公式求出被处理体温度T，
T＝T1×(1-α)+T2×α
其中，α＞1，
T1：第一温度传感器、第二温度传感器以及第三温度传感器中任意一个温度传感器的检测温度，
T2：第一温度传感器、第二温度传感器以及第三温度传感器中T1以外的任意一个温度传感器的检测温度，
α：混合比例。
3.一种热处理方法，是使用权利要求1所述的热处理装置的热处理方法，其特征在于，具备：
将被处理体保持在保持部的工序；
利用保持部将被处理体搬入到处理容器内的工序；
在温度预测部中选择第一温度传感器、第二温度传感器以及第三温度传感器中的任意两个温度传感器，并基于来自这两个温度传感器的检测信号预测被处理体的温度的工序；以及
基于由温度预测部预测出的被处理体的温度控制加热部的输出的工序。
4.根据权利要求3所述的热处理方法，其特征在于，
温度预测部根据以下公式求出被处理体温度T，
T＝T1×(1-α)+T2×α
其中，α＞1，
T1：第一温度传感器、第二温度传感器以及第三温度传感器中任意一个温度传感器的检测温度，
T2：第一温度传感器、第二温度传感器以及第三温度传感器中T1以外的任意一个温度传感器的检测温度，
α：混合比例。
5.根据权利要求3所述的热处理方法，其特征在于，
还具备下述工序：对来自预先进行了将保持部搬入到处理容器内的工序后的第一温度传感器、第二温度传感器以及第三温度传感器的检测温度数据和此时的被处理体的检测温度进行比较，从接近被处理体的检测温度的组合中选择上述选择的两个温度传感器，并且决定α。
CN201210093660XA 2011-04-05 2012-03-31 热处理装置以及热处理方法 Pending CN102737988A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011-083637 2011-04-05
JP2011083637A JP5642612B2 (ja) 2011-04-05 2011-04-05 熱処理装置および熱処理方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN102737988A true CN102737988A (zh) 2012-10-17

Family

ID=46966378

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201210093660XA Pending CN102737988A (zh) 2011-04-05 2012-03-31 热处理装置以及热处理方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US9324591B2 (zh)
JP (1) JP5642612B2 (zh)
KR (1) KR101482039B1 (zh)
CN (1) CN102737988A (zh)
TW (1) TWI497627B (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103792971A (zh) * 2014-02-20 2014-05-14 北京七星华创电子股份有限公司 一种用于半导体热处理设备的温度控制等效方法
CN104630735A (zh) * 2013-11-06 2015-05-20 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 温度监控装置及等离子体加工设备
WO2022111519A1 (zh) * 2020-11-27 2022-06-02 北京北方华创微电子装备有限公司 半导体热处理设备的承载装置及半导体热处理设备

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10760976B2 (en) * 2018-04-12 2020-09-01 Mattson Technology, Inc. Thermal imaging of heat sources in thermal processing systems
CN111322873B (zh) * 2018-12-13 2021-08-10 株洲弗拉德科技有限公司 一种用于立体型高温连续热处理生产系统的装料装置
JP2022066876A (ja) * 2020-10-19 2022-05-02 東京エレクトロン株式会社 ボート搬入方法及び熱処理装置

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03145121A (ja) * 1989-10-31 1991-06-20 Toshiba Corp 半導体熱処理用温度制御装置
JP3156110B2 (ja) * 1993-07-19 2001-04-16 東京エレクトロン株式会社 熱処理炉の温度制御方法
JPH07273057A (ja) 1994-03-30 1995-10-20 Kokusai Electric Co Ltd 半導体製造装置
JPH097965A (ja) * 1995-06-22 1997-01-10 Kokusai Electric Co Ltd 半導体製造装置の温度制御装置
JP3380668B2 (ja) * 1996-01-23 2003-02-24 東京エレクトロン株式会社 温度調整方法、温度調整装置及び熱処理装置
JP4357715B2 (ja) 2000-07-24 2009-11-04 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置の温度校正方法
KR100720775B1 (ko) * 2000-07-25 2007-05-22 동경 엘렉트론 주식회사 열처리조건의 결정방법
JP3784337B2 (ja) 2001-03-05 2006-06-07 東京エレクトロン株式会社 熱処理方法及び熱処理装置
JP2002334844A (ja) * 2001-03-05 2002-11-22 Tokyo Electron Ltd 熱処理装置及び熱処理方法
KR100864117B1 (ko) 2001-03-05 2008-10-16 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 열처리방법 및 열처리장치
JP4158386B2 (ja) * 2002-02-28 2008-10-01 東京エレクトロン株式会社 冷却装置及びこれを用いた熱処理装置
JP4285759B2 (ja) 2003-07-28 2009-06-24 株式会社日立国際電気 基板処理装置及び基板処理方法
JP4994724B2 (ja) * 2006-07-07 2012-08-08 株式会社東芝 成膜装置及び成膜方法
JP5040213B2 (ja) 2006-08-15 2012-10-03 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置、熱処理方法及び記憶媒体
US20080173238A1 (en) * 2006-12-12 2008-07-24 Hitachi Kokusai Electric Inc. Substrate processing apparatus, method of manufacturing semiconductor device, and reaction vessel
JP4553266B2 (ja) * 2007-04-13 2010-09-29 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置、制御定数の自動調整方法及び記憶媒体
US20090095422A1 (en) * 2007-09-06 2009-04-16 Hitachi Kokusai Electric Inc. Semiconductor manufacturing apparatus and substrate processing method
JP5010414B2 (ja) * 2007-09-26 2012-08-29 東京エレクトロン株式会社 基板処理システム，基板処理装置の制御方法，およびプログラム
JP5534384B2 (ja) * 2007-12-27 2014-06-25 株式会社Ｉｈｉ 多室型熱処理装置及び温度制御方法
JP5217663B2 (ja) * 2008-06-11 2013-06-19 東京エレクトロン株式会社 被処理体の熱処理装置及び熱処理方法

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104630735A (zh) * 2013-11-06 2015-05-20 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 温度监控装置及等离子体加工设备
CN104630735B (zh) * 2013-11-06 2017-12-19 北京北方华创微电子装备有限公司 温度监控装置及等离子体加工设备
CN103792971A (zh) * 2014-02-20 2014-05-14 北京七星华创电子股份有限公司 一种用于半导体热处理设备的温度控制等效方法
CN103792971B (zh) * 2014-02-20 2017-03-01 北京七星华创电子股份有限公司 一种用于半导体热处理设备的温度控制等效方法
WO2022111519A1 (zh) * 2020-11-27 2022-06-02 北京北方华创微电子装备有限公司 半导体热处理设备的承载装置及半导体热处理设备

Also Published As

Publication number Publication date
TW201308469A (zh) 2013-02-16
JP5642612B2 (ja) 2014-12-17
US9324591B2 (en) 2016-04-26
KR20120113665A (ko) 2012-10-15
US20120258415A1 (en) 2012-10-11
JP2012222036A (ja) 2012-11-12
KR101482039B1 (ko) 2015-01-13
TWI497627B (zh) 2015-08-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI632632B (zh) Substrate processing apparatus, manufacturing method of semiconductor device, and recording medium
US8835811B2 (en) Thermal processing apparatus and method of controlling the same
KR102287466B1 (ko) 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 프로그램
US9587884B2 (en) Insulation structure and method of manufacturing semiconductor device
CN102737988A (zh) 热处理装置以及热处理方法
US9255736B2 (en) Vertical-type heat treatment apparatus
US20170278699A1 (en) Control device, substrate processing system, substrate processing method, and program
JP6944990B2 (ja) 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム
KR102192092B1 (ko) 쿨링 유닛, 단열 구조체, 기판 처리 장치 및 반도체 장치의 제조 방법
JP6752291B2 (ja) 基板処理装置、クーリングユニット及び断熱構造体並びに半導体装置の製造方法
US20210313205A1 (en) Substrate Processing Apparatus, Method of Manufacturing Semiconductor Device and Heater
US20190189490A1 (en) Substrate processing apparatus and recording medium
KR20070070085A (ko) 성막 장치, 그 운전 방법 및 상기 방법의 실행을 위한 기억매체
KR101509286B1 (ko) 종형 열처리 장치
CN102646615B (zh) 热处理装置及热处理装置的温度测量方法
US20170271218A1 (en) Control device, substrate processing system, substrate processing method, and program
JP2013161857A (ja) 熱処理装置及び熱処理装置の制御方法
JP2012174764A (ja) 基板処理装置及び半導体装置の製造方法
US20220119951A1 (en) Substrate processing apparatus, method of processing substrate, method of manufacturing semiconductor device and recording medium
US20230257883A1 (en) Substrate processing apparatus, recording medium, and method of manufacturing semiconductor device
KR20230009302A (ko) 성막 방법 및 열처리 장치

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20121017