JPH07273057A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
- Publication number
- JPH07273057A JPH07273057A JP6139594A JP6139594A JPH07273057A JP H07273057 A JPH07273057 A JP H07273057A JP 6139594 A JP6139594 A JP 6139594A JP 6139594 A JP6139594 A JP 6139594A JP H07273057 A JPH07273057 A JP H07273057A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- protective tube
- wafer
- boat
- quartz
- tube
- Prior art date
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ウェーハ近くの温度を正確に多点測定し、き
め細かな温度制御を行い、ウェーハを再現性良く熱処理
し、歩留りを向上すると共に不純物汚染をなくし、かつ
ウェーハやボートを破損するおそれをなくす。 【構成】 反応管１内に多数のウェーハ２を載置したボ
ート３を挿入し、ボート３の側方に、４個の熱電対１２
Ａ〜１２Ｄを石英製保護管１０に収め、かつ熱電対素線
をセラミック製保護管１３で保護してなる多点測温体９
を設け、多点測温体９の石英製保護管１０にＳｉＣ製保
護管１１を被着してなる。
め細かな温度制御を行い、ウェーハを再現性良く熱処理
し、歩留りを向上すると共に不純物汚染をなくし、かつ
ウェーハやボートを破損するおそれをなくす。 【構成】 反応管１内に多数のウェーハ２を載置したボ
ート３を挿入し、ボート３の側方に、４個の熱電対１２
Ａ〜１２Ｄを石英製保護管１０に収め、かつ熱電対素線
をセラミック製保護管１３で保護してなる多点測温体９
を設け、多点測温体９の石英製保護管１０にＳｉＣ製保
護管１１を被着してなる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は反応管内に多数のウェー
ハを載置したボートを挿入し、ウェーハを加熱処理する
半導体製造装置に関する。
ハを載置したボートを挿入し、ウェーハを加熱処理する
半導体製造装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図３は従来装置の１例の構成を示す断面
図である。従来装置は、反応管１内に多数のウェーハ２
を載置したボート３を挿入し、温度制御されるヒータ４
によりウェーハ２を加熱処理するものである。ヒータ４
の温度制御のための熱電対５は、ヒータ４の複数箇所、
例えば４箇所において断熱材６を貫通し、素線ピース７
で支えられたヒータ素線８の部分で嵌入して取付け、温
度を測定している。
図である。従来装置は、反応管１内に多数のウェーハ２
を載置したボート３を挿入し、温度制御されるヒータ４
によりウェーハ２を加熱処理するものである。ヒータ４
の温度制御のための熱電対５は、ヒータ４の複数箇所、
例えば４箇所において断熱材６を貫通し、素線ピース７
で支えられたヒータ素線８の部分で嵌入して取付け、温
度を測定している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記従来例にあって
は、ヒータ素線８近くの温度は正確に測定できるが、実
際に熱処理しようとしているウェーハ２近くの温度を測
定できないため、ウェーハ２を再現性よく熱処理するこ
とができないという課題があった。
は、ヒータ素線８近くの温度は正確に測定できるが、実
際に熱処理しようとしているウェーハ２近くの温度を測
定できないため、ウェーハ２を再現性よく熱処理するこ
とができないという課題があった。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明装置は、上記の課
題を解決するため、反応管１内に挿入されたボート３の
側方に多点測温体９を設け、この多点測温体９の石英製
保護管１０にＳｉＣ製保護管１１を被着してなる。
題を解決するため、反応管１内に挿入されたボート３の
側方に多点測温体９を設け、この多点測温体９の石英製
保護管１０にＳｉＣ製保護管１１を被着してなる。
【０００５】
【作用】本発明装置は上記ような構成であるから、熱処
理しようとしているウェーハ２近くの温度を多点測温体
９により正確に多点測定することができることにより、
一層きめ細かな温度制御が可能になり、ウェーハ２を再
現性よく熱処理することができることになり、歩留りが
向上し安価に実施できることになる。又、多点測温体９
を石英製保護管１０で保護しただけでは、炉内雰囲気が
高温になるに従い、熱電対の素線から金属イオンが石英
製保護管１０を透過しウェーハ２上に不純物として熱処
理されるが、石英製保護管１０にＳｉＣ製保護管１１を
被着してあるので、そのようなおそれはない。更に炉内
雰囲気が１０５０℃以上の高温になると、石英製保護管
１０が変形して近傍のウェーハ２やボート３に接触しこ
れらを破損するおそれがあるが、ＳｉＣ製保護管１１を
被着することによりそのようなおそれはない。
理しようとしているウェーハ２近くの温度を多点測温体
９により正確に多点測定することができることにより、
一層きめ細かな温度制御が可能になり、ウェーハ２を再
現性よく熱処理することができることになり、歩留りが
向上し安価に実施できることになる。又、多点測温体９
を石英製保護管１０で保護しただけでは、炉内雰囲気が
高温になるに従い、熱電対の素線から金属イオンが石英
製保護管１０を透過しウェーハ２上に不純物として熱処
理されるが、石英製保護管１０にＳｉＣ製保護管１１を
被着してあるので、そのようなおそれはない。更に炉内
雰囲気が１０５０℃以上の高温になると、石英製保護管
１０が変形して近傍のウェーハ２やボート３に接触しこ
れらを破損するおそれがあるが、ＳｉＣ製保護管１１を
被着することによりそのようなおそれはない。
【０００６】
【実施例】図１（Ａ）は本発明装置の１実施例の構成を
示す断面図、図１（Ｂ）は本発明における多点測温体の
１例の取付け状態を示す断面図である。本実施例は、多
数のウェーハ２を載置したボート３をキャップ１４に載
せ、このキャップ１４を上下動機構１７に固定されたア
ーム１６上のシールキャップ１５に載せ、このシールキ
ャップ１５上のボート３を上下動機構１７により反応管
１内に挿入し、温度制御されるヒータ４によりウェーハ
２を加熱処理する半導体製造装置において、ボート３の
側方に、例えば４個の熱電対１２Ａ〜１２Ｄを石英製保
護管１０に収め、かつ熱電対素線を多数のセラミック製
保護管１３で保護してなる多点測温体９を設け、多点測
温体９の石英製保護管１０にＳｉＣ製保護管１１を被着
すると共にＳｉＣ製保護管１１のシール部１８側をシー
ルキャップ１５に貫通して取付けてなる。１９は補償導
線である。
示す断面図、図１（Ｂ）は本発明における多点測温体の
１例の取付け状態を示す断面図である。本実施例は、多
数のウェーハ２を載置したボート３をキャップ１４に載
せ、このキャップ１４を上下動機構１７に固定されたア
ーム１６上のシールキャップ１５に載せ、このシールキ
ャップ１５上のボート３を上下動機構１７により反応管
１内に挿入し、温度制御されるヒータ４によりウェーハ
２を加熱処理する半導体製造装置において、ボート３の
側方に、例えば４個の熱電対１２Ａ〜１２Ｄを石英製保
護管１０に収め、かつ熱電対素線を多数のセラミック製
保護管１３で保護してなる多点測温体９を設け、多点測
温体９の石英製保護管１０にＳｉＣ製保護管１１を被着
すると共にＳｉＣ製保護管１１のシール部１８側をシー
ルキャップ１５に貫通して取付けてなる。１９は補償導
線である。
【０００７】本実施例は上記のような構成であるから、
熱処理しようとしているウェーハ２近くの温度を多点測
温体９の４個の熱電対１２Ａ〜１２Ｄにより正確に多点
測定することができることにより、一層きめ細かな温度
制御が可能になり、ウェーハ２を再現性よく熱処理する
ことができることになり、歩留りが向上し安価に実施で
きることになる。又、多点測温体９を石英製保護管１０
で保護しただけでは、炉内雰囲気が高温になるに従い、
熱電対１２Ａ〜１２Ｄの素線から金属イオンが石英製保
護管１０を透過しウェーハ２上に不純物として熱処理さ
れるが、石英製保護管１０にＳｉＣ製保護管１１を被着
してあるので、そのようなおそれはない。即ち、ＳｉＣ
は耐高温特性に優れており、又、不純物イオンをトラッ
プする特性を持っているため、ウェーハ２への不純物汚
染を防止することができる。従って、デバイスの性能を
向上でき、多点測温体９を高温減圧下で使用できること
になる。更に炉内雰囲気が１０５０℃以上の高温になる
と、石英製保護管１０が変形して近傍のウェーハ２やボ
ート３に接触しこれらを破損するおそれがあるが、Ｓｉ
Ｃ製保護管１１を被着することによりそのようなおそれ
はない。
熱処理しようとしているウェーハ２近くの温度を多点測
温体９の４個の熱電対１２Ａ〜１２Ｄにより正確に多点
測定することができることにより、一層きめ細かな温度
制御が可能になり、ウェーハ２を再現性よく熱処理する
ことができることになり、歩留りが向上し安価に実施で
きることになる。又、多点測温体９を石英製保護管１０
で保護しただけでは、炉内雰囲気が高温になるに従い、
熱電対１２Ａ〜１２Ｄの素線から金属イオンが石英製保
護管１０を透過しウェーハ２上に不純物として熱処理さ
れるが、石英製保護管１０にＳｉＣ製保護管１１を被着
してあるので、そのようなおそれはない。即ち、ＳｉＣ
は耐高温特性に優れており、又、不純物イオンをトラッ
プする特性を持っているため、ウェーハ２への不純物汚
染を防止することができる。従って、デバイスの性能を
向上でき、多点測温体９を高温減圧下で使用できること
になる。更に炉内雰囲気が１０５０℃以上の高温になる
と、石英製保護管１０が変形して近傍のウェーハ２やボ
ート３に接触しこれらを破損するおそれがあるが、Ｓｉ
Ｃ製保護管１１を被着することによりそのようなおそれ
はない。
【０００８】又、高温による熱膨張、収縮の繰り返しに
よる熱電対１２Ａ〜１２Ｄの素線同士の短絡や切断を起
こすおそれがあるが、素線をセラミック製保護管１３で
保護することにより熱膨張時の素線同士の短絡を防止で
き、保護管１３を多数個に分割することにより素線の自
由度を大きくすることで熱収縮時の切断を防止すること
ができることになる。又、図２に示すように熱電対の２
本の素線にそれぞれ異なる長さの保護管１３を用いるこ
とで、分割部の隙間の位置を合わなくすることができ、
短絡による誤動作を防止できることになる。
よる熱電対１２Ａ〜１２Ｄの素線同士の短絡や切断を起
こすおそれがあるが、素線をセラミック製保護管１３で
保護することにより熱膨張時の素線同士の短絡を防止で
き、保護管１３を多数個に分割することにより素線の自
由度を大きくすることで熱収縮時の切断を防止すること
ができることになる。又、図２に示すように熱電対の２
本の素線にそれぞれ異なる長さの保護管１３を用いるこ
とで、分割部の隙間の位置を合わなくすることができ、
短絡による誤動作を防止できることになる。
【０００９】
【発明の効果】上述のように本発明によれば、反応管内
に挿入されたボートの側方に多点測温体を設けたので、
熱処理しようとしているウェーハ近くの温度を多点測温
体により正確に多点測定することができることにより一
層きめ細かな温度制御が可能になり、ウェーハを再現性
よく熱処理することができ、歩留りを向上でき、安価に
実施することができる。
に挿入されたボートの側方に多点測温体を設けたので、
熱処理しようとしているウェーハ近くの温度を多点測温
体により正確に多点測定することができることにより一
層きめ細かな温度制御が可能になり、ウェーハを再現性
よく熱処理することができ、歩留りを向上でき、安価に
実施することができる。
【図１】（Ａ）は本発明装置の１実施例の構成を示す断
面図、（Ｂ）は本発明における多点測温体の１例の取付
け状態を示す断面図である。
面図、（Ｂ）は本発明における多点測温体の１例の取付
け状態を示す断面図である。
【図２】本発明における多点測温体の他例を示す断面図
である。
である。
【図３】従来装置の１例の構成を示す断面図である。
１ 反応管 ２ ウェーハ ３ ボート ４ ヒータ ５ 熱電対 ６ 断熱材 ７ 素線ピース ８ ヒータ素線 ９ 多点測温体 １０ 石英製保護管 １１ ＳｉＣ製保護管 １２Ａ〜１２Ｄ 熱電対 １３ セラミック製保護管 １４ キャップ １５ シールキャップ １６ アーム １７ 上下動機構
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 開発 秀樹 東京都中野区東中野三丁目14番20号 国際 電気株式会社内 (72)発明者 池田 和人 東京都中野区東中野三丁目14番20号 国際 電気株式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】 反応管内に挿入されたボートの側方に多
点測温体を設けたことを特徴とする半導体製造装置。 - 【請求項２】 多点測温体の石英製保護管にＳｉＣ製保
護管を被着してなる請求項１の半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6139594A JPH07273057A (ja) | 1994-03-30 | 1994-03-30 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6139594A JPH07273057A (ja) | 1994-03-30 | 1994-03-30 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07273057A true JPH07273057A (ja) | 1995-10-20 |
Family
ID=13169932
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6139594A Pending JPH07273057A (ja) | 1994-03-30 | 1994-03-30 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07273057A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001208616A (ja) * | 2000-01-28 | 2001-08-03 | Ohkura Electric Co Ltd | 温度検出素子 |
| US9324591B2 (en) | 2011-04-05 | 2016-04-26 | Tokyo Electron Limited | Heat treatment apparatus and heat treatment method |
-
1994
- 1994-03-30 JP JP6139594A patent/JPH07273057A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001208616A (ja) * | 2000-01-28 | 2001-08-03 | Ohkura Electric Co Ltd | 温度検出素子 |
| US9324591B2 (en) | 2011-04-05 | 2016-04-26 | Tokyo Electron Limited | Heat treatment apparatus and heat treatment method |
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