CN102703987A - 基于多晶硅中金属杂质去除的低温磷吸杂扩散工艺 - Google Patents

基于多晶硅中金属杂质去除的低温磷吸杂扩散工艺 Download PDF

Info

Publication number
CN102703987A
CN102703987A CN2012101877079A CN201210187707A CN102703987A CN 102703987 A CN102703987 A CN 102703987A CN 2012101877079 A CN2012101877079 A CN 2012101877079A CN 201210187707 A CN201210187707 A CN 201210187707A CN 102703987 A CN102703987 A CN 102703987A
Authority
CN
China
Prior art keywords
temperature
boiler tube
diffusion
silicon chip
low temperature
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN2012101877079A
Other languages
English (en)
Other versions
CN102703987B (zh
Inventor
姜丽丽
路忠林
盛雯婷
张凤鸣
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Baoding Tianwei Group Co Ltd
Tianwei New Energy Holdings Co Ltd
Original Assignee
Baoding Tianwei Group Co Ltd
Tianwei New Energy Holdings Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Baoding Tianwei Group Co Ltd, Tianwei New Energy Holdings Co Ltd filed Critical Baoding Tianwei Group Co Ltd
Priority to CN201210187707.9A priority Critical patent/CN102703987B/zh
Publication of CN102703987A publication Critical patent/CN102703987A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN102703987B publication Critical patent/CN102703987B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

本发明公开了一种基于多晶硅中金属杂质去除的低温磷吸杂扩散工艺，主要包括以下步骤：（1）进舟；（2）升温稳定；（3）第一步沉积；（4）第二步沉积；（5）推进；（6）吸杂；（7）低温再次推进；（8）降温退火出舟。本发明通过太阳能行业生产过程中多晶硅扩散工艺的创新来实现低少子寿命B类多晶硅片中金属离子的去除和硅片晶体结构的改善，提高地少子寿命B类片所产出的太阳能电池光电转换效率，使得此类硅片少子寿命平均值不低于12μs，并且使该类硅片生产的电池效率比使用产线正常工艺生所产生电池的电池效率高0.2%。

Description

基于多晶硅中金属杂质去除的低温磷吸杂扩散工艺
技术领域
本发明涉及到多晶硅扩散工艺，特别是涉及到一种基于多晶硅中金属杂质去除的低温磷吸杂扩散工艺。 
背景技术
 铸造多晶硅因其较高的性价比已成为太阳电池最重要的原材料。但与单晶硅相比，其具有较高密度的结构缺陷以及高含量的杂质含量，特别是Fe、Cu和Ni等重金属杂质，在禁带中部产生能级，起复合中心和陷阱作用，使少数载流子的寿命降低，从而导致太阳电池效率的降低。 
铸造多晶硅在生产过程中，由于铸造工艺过程的限制，整个硅锭的顶部和底部部分较硅锭其他部分具有更多的结构缺陷和更高含量的金属杂质，在硅片分选后，形成一类硅片体少子寿命小于1.2μs的B级品，行业内称该类硅片为低少子寿命B类片。此类硅片由于本身具有高密度的结构缺陷和高含量金属杂质而造成所产出的太阳能电池光电转换效率较低，一般情况下不能得到有效的利用。 
发明内容
本发明的目的即在于克服现在技术的不足，提供一种基于多晶硅中金属杂质去除的低温磷吸杂扩散工艺，解决现有工艺铸造的多晶硅因为杂质含量过高，使得少数载流子的寿命降低，从而导致太阳电池效率的降低的缺点。 
多晶硅太阳电池在生产过程中主要包括制绒、扩散、边结刻蚀、镀减反膜及丝印等工艺过程，其中扩散作为PN制备工序，直接决定了太阳电池的光电作用，是太阳电池生产过程中的关键技术和核心内容。与此同时，由于磷扩散过程也具有一定杂质吸除的能力，其主要机理是利用磷原子与硅原子的结构差异将其扩散到硅片表面引起失配位错因而形成应力吸杂中心。所以，通过磷扩散工艺的创新和改进，来吸除低少子寿命B类硅片中的金属杂质的同时对其晶体结构进行改善，从而提高此类硅片的利用率，提高其产出的太阳能电池光电转换效率的研究是行业内重要的研究方向。 
本发明是通过以下技术方案来实现的：基于多晶硅中金属杂质去除的低温磷吸杂扩散工艺，包括以下步骤： 
（1）进舟：启动扩散炉，待炉管内温度达到780-800℃时，将待处理的硅片放入炉管内；
（2）升温稳定：关闭炉门后，将炉管内温度升温稳定在780-800℃，炉内气氛为氮气气氛，流量为5~15L/min；
（3）第一步沉积：在780-800℃的温度下，向炉管内通入500~1000sccmN2携带的POCl3,时间为10~20min，完成低温下恒定表面浓度扩散；
（4）第二步沉积：将炉管内温度升高到820~835℃，在升温过程中持续通入500~1000sccmN2携带的POCl3,时间为10~25min，完成变温下恒定表面浓度扩散；
（5）推进：将炉管内温度保持在820~835℃下6~12min，此时停止磷源的通入，但通入500~1000sccm的O2，完成恒定磷源总量推进；
（6）吸杂：将炉管内温度降至800~810℃，并保持20min，此时通入500~1000sccm N2携带POCl3；
（7）低温再次推进：将炉管内温度降低至780-800℃，并保持40~60min，此时通入100~500sccm的O2，完成低温再次推进；
（8）降温退火出舟：将炉管内温度降至565-585℃，并保持60min后，进行低温退火过程，然后取出扩散硅片。
步骤（1）中所述的待处理硅片放置在石英舟上，然后和石英舟一起进入炉管内。 
所述的步骤（3）之前还有一个氧化步骤，即780-800℃的温度下，向炉管内通入O2，时间为10~20min，在硅片表面形成一层氧化膜，起到保护硅片表面和增加扩散均匀性的目的。 
上述的步骤（5）、步骤（6）和步骤（7）中的炉内氮气流量保持在6~10L/min。 
本发明的有益效果是：从热力学和材料学研究出发，利用杂质原子与硅原子的结构差异，通过高浓度磷扩散，在硅片表面形成适配位错，进而形成强有力的应力吸杂中心。同时，高浓度磷扩散还会同时产生费米能级效应和增加固溶度效应，从而实现对硅片中杂质的吸除作用；其次，通过改变扩散工艺的温度曲线，使得多晶硅片在扩散工艺过程中经历梯度温度变化，从而实现多晶硅片的类似退火过程，使晶界、位错或其他的晶体微结构缺陷得到相应改善，达到进一步提高硅片质量的目的；最后，在综合考虑磷扩散浓度及扩散速度情况下，通过计算某种类金属杂质在某恒定温度下的扩散速度和扩散长度，与前述高浓度磷吸杂作用结合，对工艺温度和时间进行优化和改善，从而实现针对某种金属离子的高效吸杂作用，同时保证生产太阳电池所要求的方阻值。具体的优点是：（1）对少子寿命B类硅片实现大规模利用和生产；（2）扩散后，此类硅片少子寿命平均值不低于12μs；（3）扩散后，此类硅片中Fe杂质含量减少；（4）通过使用研究所得扩散工艺，使该类硅片生产的电池效率比使用产线正常工艺生所产生电池的电池效率高0.2%。 
附图说明
图1 为裸硅片的Fe-B对检测图； 
图2 为本发明低温吸杂后硅片的Fe-B对检测图。
具体实施方式
下面结合实施例对本发明作进一步的详细说明： 
【实施例1】
基于多晶硅中金属杂质去除的低温磷吸杂扩散工艺，包括以下步骤：
（1）进舟：启动扩散炉，待炉管内温度达到780℃时，将待处理的硅片放置在石英舟上，然后将石英舟缓缓放入炉管内；
（2）升温稳定：关闭炉门后，将炉管内温度升温稳定在780℃，炉内气氛为氮气气氛，流量为5L/min；
（3）氧化：在780℃的温度下，向炉管内通入O2，时间为20min，在硅片表面形成一层氧化膜，起到保护硅片表面和增加扩散均匀性的目的；
（4）第一步沉积：在780℃的温度下，向炉管内通入1000sccmN2携带的POCl3，时间为10min，完成低温下恒定表面浓度扩散；
（5）第二步沉积：将炉管内温度升高到820℃，在升温过程中持续通入800sccmN2携带的POCl3,时间为25min，完成变温下恒定表面浓度扩散；
（6）推进：将炉管内温度保持在820℃下12min，此时停止磷源的通入，但通入500sccm的O2，完成恒定磷源总量推进，炉内氮气流量保持在6L/min；
（7）吸杂：将炉管内温度降至810℃，并保持20min，此时通入500sccm N2携带POCl3，炉内氮气流量保持在6L/min；
（8）低温再次推进：将炉管内温度降低至780℃，并保持60min，此时通入200sccm的O2，炉内氮气流量保持在6L/min，完成低温再次推进；
（9）降温退火出舟：将炉管内温度降至565℃，并保持60min后，进行低温退火过程，然后取出扩散硅片。
【实施例2】 
基于多晶硅中金属杂质去除的低温磷吸杂扩散工艺，包括以下步骤：
（1）进舟：启动扩散炉，待炉管内温度达到800℃时，将待处理的硅片放置在石英舟上，然后将石英舟缓缓放入炉管内；
（2）升温稳定：关闭炉门后，将炉管内温度升温稳定在800℃，炉内气氛为氮气气氛，流量为15L/min；
（3）氧化：在800℃的温度下，向炉管内通入O2，时间为10min，在硅片表面形成一层氧化膜，起到保护硅片表面和增加扩散均匀性的目的；
（4）第一步沉积：在800℃的温度下，向炉管内通入800sccmN2携带的POCl3，时间为10min，完成低温下恒定表面浓度扩散；
（5）第二步沉积：将炉管内温度升高到835℃，在升温过程中持续通入500sccmN2携带的POCl3,时间为10min，完成变温下恒定表面浓度扩散；
（6）推进：将炉管内温度保持在835℃下6min，此时停止磷源的通入，但通入800sccm的O2，完成恒定磷源总量推进，炉内氮气流量保持在10L/min；
（7）吸杂：将炉管内温度降至810℃，并保持20min，此时通入500sccm N2携带POCl3，炉内氮气流量保持在10L/min；
（8）低温再次推进：将炉管内温度降低至800℃，并保持40min，此时通入100sccm的O2，炉内氮气流量保持在10L/min，完成低温再次推进；
（9）降温退火出舟：将炉管内温度降至575℃，并保持60min后，进行低温退火过程，然后取出扩散硅片。
【实施例3】 
基于多晶硅中金属杂质去除的低温磷吸杂扩散工艺，包括以下步骤：
（1）进舟：启动扩散炉，待炉管内温度达到790℃时，将待处理的硅片放置在石英舟上，然后将石英舟缓缓放入炉管内；
（2）升温稳定：关闭炉门后，将炉管内温度升温稳定在790℃，炉内气氛为氮气气氛，流量为10L/min；
（3）氧化：在790℃的温度下，向炉管内通入O2，时间为15min，在硅片表面形成一层氧化膜，起到保护硅片表面和增加扩散均匀性的目的；
（4）第一步沉积：在790℃的温度下，向炉管内通入500sccmN2携带的POCl3，时间为15min，完成低温下恒定表面浓度扩散；
（5）第二步沉积：将炉管内温度升高到830℃，在升温过程中持续通入1000sccmN2携带的POCl3,时间为15min，完成变温下恒定表面浓度扩散；
（6）推进：将炉管内温度保持在830℃下10min，此时停止磷源的通入，但通入800sccm的O2，完成恒定磷源总量推进，炉内氮气流量保持在8L/min；
（7）吸杂：将炉管内温度降至810℃，并保持20min，此时通入500sccm N2携带POCl3，炉内氮气流量保持在8L/min；
（8）低温再次推进：将炉管内温度降低至790℃，并保持50min，此时通入500sccm的O2，炉内氮气流量保持在8L/min，完成低温再次推进；
（9）降温退火出舟：将炉管内温度降至585℃，并保持60min后，进行低温退火过程，然后取出扩散硅片。
本发明与现有技术进行比较，通过实验得到以下数据： 
分组 开路电压（V） 短路电流（A） 填充因子（%） 电池效率（%） 少子寿命（μs）
本发明 0.614 8.131 78.24 16.06 17.5
现有技术 0.605 7.688 77.3 14.81 5.6
通过分析上表内的数据，可以看出本发明得到的硅片，在电池效率和少子寿命上有很大的提高。
如图1、图2分别为裸硅片的Fe-B对检测图以及通过本发明低温吸杂后硅片的Fe-B对检测图，图中，可以看出通过本发明低温吸杂后，硅片的杂质明显减少。 

Claims (4)

1.基于多晶硅中金属杂质去除的低温磷吸杂扩散工艺，其特征在于：包括以下步骤：
（1）进舟：启动扩散炉，待炉管内温度达到780-800℃时，将待处理的硅片放入炉管内；
（2）升温稳定：关闭炉门后，将炉管内温度升温稳定在780-800℃，炉内气氛为氮气气氛，流量为5~15L/min；
（3）第一步沉积：在780-800℃的温度下，向炉管内通入500~1000sccmN2携带的POCl3,时间为10~20min，完成低温下恒定表面浓度扩散；
（4）第二步沉积：将炉管内温度升高到820~835℃，在升温过程中持续通入500~1000sccmN2携带的POCl3,时间为10~25min，完成变温下恒定表面浓度扩散；
（5）推进：将炉管内温度保持在820~835℃下6~12min，此时停止磷源的通入，但通入500~1000sccm的O2，完成恒定磷源总量推进；
（6）吸杂：将炉管内温度降至800~810℃，并保持20min，此时通入500~1000sccm N2携带POCl3；
（7）低温再次推进：将炉管内温度降低至780-800℃，并保持40~60min，此时通入100~500sccm的O2，完成低温再次推进；
（8）降温退火出舟：将炉管内温度降至565-585℃，并保持60min后，进行低温退火过程，然后取出扩散硅片。
2.根据权利要求1所述的基于多晶硅中金属杂质去除的低温磷吸杂扩散工艺，其特征在于：步骤（1）中所述的待处理硅片放置在石英舟上，然后和石英舟一起进入炉管内。
3.根据权利要求1或2所述的基于多晶硅中金属杂质去除的低温磷吸杂扩散工艺，其特征在于：所述的步骤（3）之前还有一个氧化步骤，即780-800℃的温度下，向炉管内通入O2，时间为10~20min，在硅片表面形成一层氧化膜，起到保护硅片表面和增加扩散均匀性的目的。
4.根据权利要求3所述的基于多晶硅中金属杂质去除的低温磷吸杂扩散工艺，其特征在于：所述的步骤（5）、步骤（6）和步骤（7）中的炉内氮气流量保持在6~10L/min。
CN201210187707.9A 2012-06-08 2012-06-08 基于多晶硅中金属杂质去除的低温磷吸杂扩散工艺 Expired - Fee Related CN102703987B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201210187707.9A CN102703987B (zh) 2012-06-08 2012-06-08 基于多晶硅中金属杂质去除的低温磷吸杂扩散工艺

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201210187707.9A CN102703987B (zh) 2012-06-08 2012-06-08 基于多晶硅中金属杂质去除的低温磷吸杂扩散工艺

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN102703987A true CN102703987A (zh) 2012-10-03
CN102703987B CN102703987B (zh) 2015-03-11

Family

ID=46897028

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201210187707.9A Expired - Fee Related CN102703987B (zh) 2012-06-08 2012-06-08 基于多晶硅中金属杂质去除的低温磷吸杂扩散工艺

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN102703987B (zh)

Cited By (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103151421A (zh) * 2013-01-31 2013-06-12 青海聚能电力有限公司 晶体硅太阳能电池的浅浓度扩散工艺
CN103165421A (zh) * 2013-02-25 2013-06-19 天津市环欧半导体材料技术有限公司 一种提高中子嬗变掺杂或去应力硅单晶退火后少子寿命的方法
CN103715308A (zh) * 2014-01-08 2014-04-09 江苏宇兆能源科技有限公司 一种多晶硅太阳能电池低温变温扩散工艺
CN103730537A (zh) * 2013-12-26 2014-04-16 英利能源（中国）有限公司 一种多晶硅太阳能电池扩散工艺
CN104120494A (zh) * 2014-06-25 2014-10-29 上饶光电高科技有限公司 一种适用于提升晶体硅太阳能电池转换效率的扩散工艺
CN104300040A (zh) * 2014-08-14 2015-01-21 无锡尚品太阳能电力科技有限公司 一种硅片的磷吸杂工艺
CN104404626A (zh) * 2014-11-28 2015-03-11 内蒙古日月太阳能科技有限责任公司 物理冶金多晶硅太阳能电池的磷扩散方法
CN104409339A (zh) * 2014-11-12 2015-03-11 浙江晶科能源有限公司 一种硅片的p扩散方法和太阳能电池的制备方法
CN104485391A (zh) * 2014-12-25 2015-04-01 中利腾晖光伏科技有限公司 一种晶体硅太阳能电池pn结的制备方法
CN104538487A (zh) * 2014-11-21 2015-04-22 广东爱康太阳能科技有限公司 一种低杂质含量的太阳能电池制备方法
CN104868013A (zh) * 2015-04-15 2015-08-26 山西潞安太阳能科技有限责任公司 太阳能晶硅电池扩散工艺
CN105780127A (zh) * 2016-04-05 2016-07-20 盐城阿特斯协鑫阳光电力科技有限公司 一种晶体硅太阳能电池的磷扩散方法
CN106024974A (zh) * 2016-06-12 2016-10-12 浙江昂成新能源有限公司 一种多步扩散实现高效太阳能电池制备方法
CN106340567A (zh) * 2016-08-31 2017-01-18 横店集团东磁股份有限公司 一种应用于太阳能电池提升开压的两步通源工艺
CN107587192A (zh) * 2017-08-23 2018-01-16 宁夏银和新能源科技有限公司 通过吸杂来提升硅锭顶部少子寿命的方法
CN109873052A (zh) * 2019-03-29 2019-06-11 山西潞安太阳能科技有限责任公司 一种太阳能电池扩散后退火工艺
CN111063766A (zh) * 2019-12-20 2020-04-24 浙江爱旭太阳能科技有限公司 太阳能电池及其制造方法
CN112683988A (zh) * 2020-12-28 2021-04-20 上海新昇半导体科技有限公司 一种晶圆中金属杂质的检测方法
CN113257953A (zh) * 2021-04-18 2021-08-13 安徽华晟新能源科技有限公司 N型硅片的吸杂方法和磷吸杂设备
CN114823983A (zh) * 2022-05-16 2022-07-29 一道新能源科技(衢州)有限公司 一种perc电池的扩散退火工艺

Citations (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4868133A (en) * 1988-02-11 1989-09-19 Dns Electronic Materials, Inc. Semiconductor wafer fabrication with improved control of internal gettering sites using RTA
US6372611B1 (en) * 1997-01-24 2002-04-16 Nec Corporation Semiconductor manufacturing method including gettering of metal impurities
CN101404309A (zh) * 2008-11-14 2009-04-08 中国科学院电工研究所 一种硅太阳电池发射极的扩散工艺
CN101425549A (zh) * 2008-10-13 2009-05-06 浙江弘晨光伏能源有限公司 晶体硅太阳能电池钝化与发射极(pn结)生产工艺
CN101834224A (zh) * 2010-03-26 2010-09-15 浙江大学 一种用于太阳电池制造的硅片快速热处理磷扩散吸杂工艺
CN101916799A (zh) * 2010-07-22 2010-12-15 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 一种晶体硅太阳能电池选择性发射结的制备方法
CN101587918B (zh) * 2009-04-02 2011-03-30 常州天合光能有限公司 冶金级多晶硅太阳能电池磷扩散工艺
CN101673782B (zh) * 2009-10-01 2011-07-20 厦门大学 冶金法多晶硅太阳能电池的制备方法
CN102148284A (zh) * 2010-12-13 2011-08-10 浙江晶科能源有限公司 一种制备多晶硅太阳能电池发射极的扩散方法
CN102157606A (zh) * 2010-12-30 2011-08-17 光为绿色新能源有限公司 一种应用于晶体硅太阳能电池的扩散方法
CN101667605B (zh) * 2009-09-03 2011-09-21 无锡尚品太阳能电力科技有限公司 一种硅片的磷吸杂工艺
CN102263153A (zh) * 2010-05-27 2011-11-30 宁波百事德太阳能科技有限公司 一种改进太阳能电池的扩散方法
CN102332393A (zh) * 2011-09-28 2012-01-25 桂林尚科光伏技术有限责任公司 太阳能电池制造过程中提高电池片少子寿命的扩散方法

Patent Citations (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4868133A (en) * 1988-02-11 1989-09-19 Dns Electronic Materials, Inc. Semiconductor wafer fabrication with improved control of internal gettering sites using RTA
US6372611B1 (en) * 1997-01-24 2002-04-16 Nec Corporation Semiconductor manufacturing method including gettering of metal impurities
CN101425549A (zh) * 2008-10-13 2009-05-06 浙江弘晨光伏能源有限公司 晶体硅太阳能电池钝化与发射极(pn结)生产工艺
CN101404309A (zh) * 2008-11-14 2009-04-08 中国科学院电工研究所 一种硅太阳电池发射极的扩散工艺
CN101587918B (zh) * 2009-04-02 2011-03-30 常州天合光能有限公司 冶金级多晶硅太阳能电池磷扩散工艺
CN101667605B (zh) * 2009-09-03 2011-09-21 无锡尚品太阳能电力科技有限公司 一种硅片的磷吸杂工艺
CN101673782B (zh) * 2009-10-01 2011-07-20 厦门大学 冶金法多晶硅太阳能电池的制备方法
CN101834224A (zh) * 2010-03-26 2010-09-15 浙江大学 一种用于太阳电池制造的硅片快速热处理磷扩散吸杂工艺
CN102263153A (zh) * 2010-05-27 2011-11-30 宁波百事德太阳能科技有限公司 一种改进太阳能电池的扩散方法
CN101916799A (zh) * 2010-07-22 2010-12-15 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 一种晶体硅太阳能电池选择性发射结的制备方法
CN102148284A (zh) * 2010-12-13 2011-08-10 浙江晶科能源有限公司 一种制备多晶硅太阳能电池发射极的扩散方法
CN102157606A (zh) * 2010-12-30 2011-08-17 光为绿色新能源有限公司 一种应用于晶体硅太阳能电池的扩散方法
CN102332393A (zh) * 2011-09-28 2012-01-25 桂林尚科光伏技术有限责任公司 太阳能电池制造过程中提高电池片少子寿命的扩散方法

Cited By (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103151421A (zh) * 2013-01-31 2013-06-12 青海聚能电力有限公司 晶体硅太阳能电池的浅浓度扩散工艺
CN103165421B (zh) * 2013-02-25 2015-11-04 天津市环欧半导体材料技术有限公司 提高中子嬗变掺杂或去应力硅单晶退火后少子寿命的方法
CN103165421A (zh) * 2013-02-25 2013-06-19 天津市环欧半导体材料技术有限公司 一种提高中子嬗变掺杂或去应力硅单晶退火后少子寿命的方法
CN103730537A (zh) * 2013-12-26 2014-04-16 英利能源（中国）有限公司 一种多晶硅太阳能电池扩散工艺
CN103715308A (zh) * 2014-01-08 2014-04-09 江苏宇兆能源科技有限公司 一种多晶硅太阳能电池低温变温扩散工艺
CN104120494A (zh) * 2014-06-25 2014-10-29 上饶光电高科技有限公司 一种适用于提升晶体硅太阳能电池转换效率的扩散工艺
CN104300040A (zh) * 2014-08-14 2015-01-21 无锡尚品太阳能电力科技有限公司 一种硅片的磷吸杂工艺
CN104409339B (zh) * 2014-11-12 2017-03-15 浙江晶科能源有限公司 一种硅片的p扩散方法和太阳能电池的制备方法
CN104409339A (zh) * 2014-11-12 2015-03-11 浙江晶科能源有限公司 一种硅片的p扩散方法和太阳能电池的制备方法
CN104538487A (zh) * 2014-11-21 2015-04-22 广东爱康太阳能科技有限公司 一种低杂质含量的太阳能电池制备方法
CN104404626B (zh) * 2014-11-28 2017-06-16 内蒙古日月太阳能科技有限责任公司 物理冶金多晶硅太阳能电池的磷扩散方法
CN104404626A (zh) * 2014-11-28 2015-03-11 内蒙古日月太阳能科技有限责任公司 物理冶金多晶硅太阳能电池的磷扩散方法
CN104485391A (zh) * 2014-12-25 2015-04-01 中利腾晖光伏科技有限公司 一种晶体硅太阳能电池pn结的制备方法
CN104868013A (zh) * 2015-04-15 2015-08-26 山西潞安太阳能科技有限责任公司 太阳能晶硅电池扩散工艺
CN104868013B (zh) * 2015-04-15 2017-02-22 山西潞安太阳能科技有限责任公司 太阳能晶硅电池扩散工艺
CN105780127A (zh) * 2016-04-05 2016-07-20 盐城阿特斯协鑫阳光电力科技有限公司 一种晶体硅太阳能电池的磷扩散方法
CN106024974A (zh) * 2016-06-12 2016-10-12 浙江昂成新能源有限公司 一种多步扩散实现高效太阳能电池制备方法
CN106340567A (zh) * 2016-08-31 2017-01-18 横店集团东磁股份有限公司 一种应用于太阳能电池提升开压的两步通源工艺
CN107587192A (zh) * 2017-08-23 2018-01-16 宁夏银和新能源科技有限公司 通过吸杂来提升硅锭顶部少子寿命的方法
CN109873052A (zh) * 2019-03-29 2019-06-11 山西潞安太阳能科技有限责任公司 一种太阳能电池扩散后退火工艺
CN111063766A (zh) * 2019-12-20 2020-04-24 浙江爱旭太阳能科技有限公司 太阳能电池及其制造方法
CN112683988A (zh) * 2020-12-28 2021-04-20 上海新昇半导体科技有限公司 一种晶圆中金属杂质的检测方法
CN113257953A (zh) * 2021-04-18 2021-08-13 安徽华晟新能源科技有限公司 N型硅片的吸杂方法和磷吸杂设备
CN114823983A (zh) * 2022-05-16 2022-07-29 一道新能源科技(衢州)有限公司 一种perc电池的扩散退火工艺

Also Published As

Publication number Publication date
CN102703987B (zh) 2015-03-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102703987B (zh) 基于多晶硅中金属杂质去除的低温磷吸杂扩散工艺
CN101587918B (zh) 冶金级多晶硅太阳能电池磷扩散工艺
JP5795125B2 (ja) 太陽電池シート及びその熱処理プロセス
CN105280484B (zh) 一种晶硅高效高方阻电池片的扩散工艺
CN110165017B (zh) 制备隧穿氧钝化接触结构的快速退火方法
US8735203B2 (en) Solar cells
CN103050581A (zh) 一种激光掺杂选择性发射结的扩散工艺
KR20130129929A (ko) Lid 현상을 감쇠시키는 태양전지의 제조 방법
CN105185870A (zh) 一种硅片的磷吸杂扩散工艺
Schiele et al. Etch-back of p+ structures for selective boron emitters in n-type c-Si solar cells
CN102185008A (zh) 低效太阳能电池片处理方法
CN103531449B (zh) 一种能提升冶金级硅片少子寿命的扩散工艺
CN102336409A (zh) 降低多晶硅金属杂质的方法
CN110718605B (zh) 太阳能电池片的烧结方法、降低光致衰减方法
CN113061991B (zh) 改善单晶硅片金字塔绒面均匀性制备方法及太阳能电池
CN110459469B (zh) 太阳能电池的烧结方法、制备方法、太阳能电池和烧结炉
CN104701425A (zh) 晶体硅太阳能电池的扩散后处理工艺
CN101673782B (zh) 冶金法多晶硅太阳能电池的制备方法
Vähänissi et al. Significant minority carrier lifetime improvement in red edge zone in n-type multicrystalline silicon
CN106449873A (zh) 一种铸锭多晶硅片铝吸杂的方法
Ebong et al. The impact of rapid thermal processing (RTP) on crystalline silicon solar cell performance and light induced degradation (LID)
CN113161447B (zh) 一种铸造单晶或多晶类硅片的磷氢退火预处理方法
CN115274404A (zh) 改性隧穿氧化层及制备方法、TOPCon结构及制备方法和太阳电池
Choi et al. Chemical HF treatment for rear surface passivation of crystalline silicon solar cells
CN110943141A (zh) 硅片的扩散方法、太阳能电池及其制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20150311

Termination date: 20170608