CN104300040A - 一种硅片的磷吸杂工艺 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种硅片的磷吸杂工艺，属于光伏技术领域。其将制备好绒面的硅片放入扩散炉里，通入氮气、三氯氧磷和氧气，升温进行扩散；扩散分为第一步扩散、第二步扩散和退火三个阶段，沉积完成后冷却至常温即可。本发明能有效减小重掺杂“死层”，硅片的平均少子寿命大大提高；按照电池片的正常工艺完成刻蚀、PECVD、丝网烧结等工艺后，做出的电池片平均转化效率进一步提高，电池片的各项电性能参数更优。
Description
技术领域
本发明涉及一种硅片的磷吸杂工艺，特别是涉及太阳能电池制造中的一种硅片的磷参杂工艺，属于光伏技术领域。
背景技术
随着工业化的发展，电力、煤炭、石油等不可再生能源频频告急，能源问题日益成为制约国际社会经济发展的瓶颈，越来越多的国家开始实行“阳光计划”，开发太阳能资源，寻求经济发展的新动力。在国际光伏市场巨大潜力的推动下，各国的太阳能电池制造业不仅争相投入巨资，扩大生产，还纷纷建立自己的研发机构，研究和开发新的电池项目，提高产品的质量和转化效率。然而硅片作为基体材料制作太阳能电池硅片存在微缺陷和金属杂质，这些杂质和缺陷在硅禁带中引入多重深能级，成为少数载流子的复合中心，严重影响了太阳电池的光电转换效率。
在单晶硅中，由于杂质与杂质，杂质与缺陷之间的相互作用，重金属杂质或微观缺陷在一定的温度下会发生迁移和再凝聚现象，利用这种现象，在硅片的背面引入机械损伤、缺陷或沉淀某一种薄膜，也可在体内引入缺陷，使重金属杂质从器件的工作区域富集到这些特殊的区域，即称为杂质的吸除，前者称为外吸杂，后者为内吸杂。吸杂技术是减少硅片的加工和器件工艺过程的污染，改善器件的性能的一种非常有效的方法。利用杂质向具有晶格的不完整性的区域聚集的特性引入缺陷形成杂质富集区域，然后将这一层杂质富集的损伤区域去掉，就可打到去除硅片中部分杂质的目的，减少硅片中少数载流子复合中心，提高电池的短路电流，从而提高太阳电池光电转换效率。
发明内容
本发明的目的在于针对现有技术中存在的不足，提供一种有效减小重掺杂“死层”，提高电池短波响应，改进电池的Isc和Voc的硅片的磷吸杂工艺。
按照本发明提供的技术方案，一种硅片的磷吸杂工艺，步骤为：
(1)沉积：将制备好绒面的硅片放入扩散炉里，通入氮气、三氯氧磷和氧气，升温进行扩散；该工序分为三个阶段(共分十一步)，每步的时间、温度及各种气体的通入量详细如下：
第一扩散阶段(a～e)：
a、第一步扩散：扩散时间为10～30s，炉口温度为835～855℃，炉中温度为800～820℃，炉尾温度为800～810℃，氮气的通入量为13000～15000mL，三氯氧磷和氧气的通入量均为0mL；
b、第二步扩散：扩散时间为600～800s，炉口温度为800～850℃，炉中温度为800～830℃，炉尾温度为800～810℃，氮气的通入量为13000～15000mL，三氯氧磷和氧气的通入量均为0mL；
c、第三步扩散：扩散时间为150～200s，炉口温度为820～850℃，炉中温度为810～830℃，炉尾温度为810～820℃，氮气的通入量为14000～16000mL，三氯氧磷和氧气的通入量均为0mL；
d、第四步扩散：扩散时间为280～320s，炉口温度为820～850℃，炉中温度为810～830℃，炉尾温度为810～820℃，氮气的通入量为18000～20000mL，三氯氧磷的通入量为0mL，氧气的通入量为800mL；
e、第五步扩散：扩散时间为850～950s，炉口温度为820～850℃，炉中温度为820～830℃，炉尾温度为820～830℃，氮气的通入量为24000～26000mL，三氯氧磷的通入量1800～2200mL，氧气的通入量为1500～2000mL；
第二扩散阶段(f～h)：
f、第六步扩散：扩散时间为550～650s，炉口温度为820～840℃，炉中温度为820～830℃，炉尾温度为820～830℃，氮气的通入量为24000～26000mL，三氯氧磷的通入量0mL，氧气的通入量为0mL；
g、第七步扩散：扩散时间为750～850s，炉口温度为820～840℃，炉中温度为820～830℃，炉尾温度为820～830℃，氮气的通入量为24000～26000mL，三氯氧磷的通入量1800～2200mL，氧气的通入量为1600～2000mL；
h、第八步扩散：扩散时间为300～350s，炉口温度为820～840℃，炉中温度为820～830℃，炉尾温度为820～830℃，氮气的通入量为26000～28000mL，三氯氧磷的通入量0mL，氧气的通入量为0mL；
第三退火阶段(i～k)：
i、第九步扩散：扩散时间为1100～1300s，炉口温度为720～760℃，炉中温度为720～760℃，炉尾温度为720～760℃，氮气的通入量为26000～28000mL，三氯氧磷的通入量0mL，氧气的通入量为0mL；
j、第十步扩散：扩散时间为650～750s，炉口温度为820～840℃，炉中温度为820～830℃，炉尾温度为820～830℃，氮气的通入量为16000～20000mL，三氯氧磷的通入量0mL，氧气的通入量为0mL；
k、第十一步扩散：扩散时间为10～20s，炉口温度为820～830℃，炉中温度为820～830℃，炉尾温度为810～820℃，氮气的通入量为16000～20000mL，三氯氧磷的通入量0mL，氧气的通入量为0mL；
(2)冷却：待步骤(1)沉积完成后，将硅片从扩散炉中取出并冷却至室温，即得硅片。
本发明采用麦克森156*156，倒角为200的单晶硅片进行试验，能够提高少子寿命和电池片表面方阻的均匀性。接下来按照电池片的常规工艺完成刻蚀、PECVD、丝网烧结后，得到的电池片平均转化效率达18.9％(比传统工艺提高了0.55％)。
本发明的有益效果：本发明制备的硅片的方块电阻在68～75Ω之间；按照电池片的正常工艺完成刻蚀、PECVD、丝网烧结等工艺后，做出的电池片平均转化效率达到18.9％，比传统工艺提高了0.55％左右。相对传统工艺两部扩散，优点在于一种有效减小重掺杂“死层”，提高电池短波响应，改进电池的Isc和Voc的硅片的磷吸杂工艺。
具体实施方式
实施例1
一种硅片的磷吸杂工艺，步骤为：
(1)沉积：将制备好绒面的硅片放入扩散炉里，通入氮气、三氯氧磷和氧气，升温进行扩散；该工序分为三个阶段(共分十一步)，每步的时间、温度及各种气体的通入量详细如下：
第一扩散阶段(a～e)：
a、第一步扩散：扩散时间为10s，炉口温度为835℃，炉中温度为800℃，炉尾温度为800℃，氮气的通入量为13000mL，三氯氧磷和氧气的通入量均为0mL；
b、第二步扩散：扩散时间为600s，炉口温度为800℃，炉中温度为800℃，炉尾温度为800，氮气的通入量为13000mL，三氯氧磷和氧气的通入量均为0mL；
c、第三步扩散：扩散时间为150s，炉口温度为820℃，炉中温度为810℃，炉尾温度为810℃，氮气的通入量为14000mL，三氯氧磷和氧气的通入量均为0mL；
d、第四步扩散：扩散时间为280s，炉口温度为820℃，炉中温度为810℃，炉尾温度为810℃，氮气的通入量为18000mL，三氯氧磷的通入量为0mL，氧气的通入量为800mL；
e、第五步扩散：扩散时间为850s，炉口温度为820℃，炉中温度为820℃，炉尾温度为820℃，氮气的通入量为24000mL，三氯氧磷的通入量1800mL，氧气的通入量为1500mL；
第二扩散阶段(f～h)：
f、第六步扩散：扩散时间为550s，炉口温度为820℃，炉中温度为820℃，炉尾温度为820℃，氮气的通入量为24000mL，三氯氧磷的通入量0mL，氧气的通入量为0mL；
g、第七步扩散：扩散时间为750s，炉口温度为820℃，炉中温度为820℃，炉尾温度为820℃，氮气的通入量为24000mL，三氯氧磷的通入量1800mL，氧气的通入量为1600mL；
h、第八步扩散：扩散时间为300s，炉口温度为820℃，炉中温度为820℃，炉尾温度为820℃，氮气的通入量为26000mL，三氯氧磷的通入量0mL，氧气的通入量为0mL；
第三退火阶段(i～k)：
i、第九步扩散：扩散时间为1100s，炉口温度为720℃，炉中温度为720℃，炉尾温度为720℃，氮气的通入量为26000mL，三氯氧磷的通入量0mL，氧气的通入量为0mL；
j、第十步扩散：扩散时间为650s，炉口温度为820℃，炉中温度为820℃，炉尾温度为820℃，氮气的通入量为16000mL，三氯氧磷的通入量0mL，氧气的通入量为0mL；
k、第十一步扩散：扩散时间为10s，炉口温度为820℃，炉中温度为820℃，炉尾温度为800℃，氮气的通入量为16000mL，三氯氧磷的通入量0mL，氧气的通入量为0mL；
(2)冷却：待步骤(1)沉积完成后，将硅片从扩散炉中取出并冷却至室温，即得硅片。
实施例2
一种硅片的磷吸杂工艺，步骤为：
(1)沉积：将制备好绒面的硅片放入扩散炉里，通入氮气、三氯氧磷和氧气，升温进行扩散；该工序分为三个阶段(共分十一步)，每步的时间、温度及各种气体的通入量详细如下：
第一扩散阶段(a～e)：
a、第一步扩散：扩散时间为30s，炉口温度为855℃，炉中温度为820℃，炉尾温度为810℃，氮气的通入量为15000mL，三氯氧磷和氧气的通入量均为0mL；
b、第二步扩散：扩散时间为800s，炉口温度为850℃，炉中温度为830℃，炉尾温度为810℃，氮气的通入量为15000mL，三氯氧磷和氧气的通入量均为0mL；
c、第三步扩散：扩散时间为200s，炉口温度为850℃，炉中温度为830℃，炉尾温度为820℃，氮气的通入量为16000mL，三氯氧磷和氧气的通入量均为0mL；
d、第四步扩散：扩散时间为320s，炉口温度为850℃，炉中温度为830℃，炉尾温度为820℃，氮气的通入量为20000mL，三氯氧磷的通入量为0mL，氧气的通入量为800mL；
e、第五步扩散：扩散时间为950s，炉口温度为850℃，炉中温度为830℃，炉尾温度为830℃，氮气的通入量为26000mL，三氯氧磷的通入量2200mL，氧气的通入量为2000mL；
第二扩散阶段(f～h)：
f、第六步扩散：扩散时间为650s，炉口温度为840℃，炉中温度为830℃，炉尾温度为830℃，氮气的通入量为26000mL，三氯氧磷的通入量0mL，氧气的通入量为0mL；
g、第七步扩散：扩散时间为850s，炉口温度为840℃，炉中温度为830℃，炉尾温度为830℃，氮气的通入量为26000mL，三氯氧磷的通入量2200mL，氧气的通入量为2000mL；
h、第八步扩散：扩散时间为350s，炉口温度为840℃，炉中温度为830℃，炉尾温度为830℃，氮气的通入量为28000mL，三氯氧磷的通入量0mL，氧气的通入量为0mL；
第三退火阶段(i～k)：
i、第九步扩散：扩散时间为1200s，炉口温度为750℃，炉中温度为740℃，炉尾温度为745℃，氮气的通入量为27000mL，三氯氧磷的通入量0mL，氧气的通入量为0mL；
j、第十步扩散：扩散时间为700s，炉口温度为830℃，炉中温度为825℃，炉尾温度为825℃，氮气的通入量为18000mL，三氯氧磷的通入量0mL，氧气的通入量为0mL；
k、第十一步扩散：扩散时间为15s，炉口温度为830℃，炉中温度为825℃，炉尾温度为800℃，氮气的通入量为18000mL，三氯氧磷的通入量0mL，氧气的通入量为0mL；
(2)冷却：待步骤(1)沉积完成后，将硅片从扩散炉中取出并冷却至室温，即得硅片。
实施例3
一种硅片的磷吸杂工艺，步骤为：
(1)沉积：将制备好绒面的硅片放入扩散炉里，通入氮气、三氯氧磷和氧气，升温进行扩散；该工序分为三个阶段(共分十一步)，每步的时间、温度及各种气体的通入量详细如下：
第一扩散阶段(a～e)：
a、第一步扩散：扩散时间为30s，炉口温度为855℃，炉中温度为820℃，炉尾温度为810℃，氮气的通入量为15000mL，三氯氧磷和氧气的通入量均为0mL；
b、第二步扩散：扩散时间为800s，炉口温度为850℃，炉中温度为830℃，炉尾温度为810℃，氮气的通入量为15000mL，三氯氧磷和氧气的通入量均为0mL；
c、第三步扩散：扩散时间为200s，炉口温度为850℃，炉中温度为830℃，炉尾温度为820℃，氮气的通入量为16000mL，三氯氧磷和氧气的通入量均为0mL；
d、第四步扩散：扩散时间为320s，炉口温度为850℃，炉中温度为830℃，炉尾温度为820℃，氮气的通入量为20000mL，三氯氧磷的通入量为0mL，氧气的通入量为800mL；
e、第五步扩散：扩散时间为950s，炉口温度为850℃，炉中温度为830℃，炉尾温度为830℃，氮气的通入量为26000mL，三氯氧磷的通入量2200mL，氧气的通入量为2000mL；
第二扩散阶段(f～h)：
f、第六步扩散：扩散时间为650s，炉口温度为840℃，炉中温度为830℃，炉尾温度为830℃，氮气的通入量为26000mL，三氯氧磷的通入量0mL，氧气的通入量为0mL；
g、第七步扩散：扩散时间为850s，炉口温度为840℃，炉中温度为830℃，炉尾温度为830℃，氮气的通入量为26000mL，三氯氧磷的通入量2200mL，氧气的通入量为2000mL；
h、第八步扩散：扩散时间为350s，炉口温度为840℃，炉中温度为830℃，炉尾温度为830℃，氮气的通入量为28000mL，三氯氧磷的通入量0mL，氧气的通入量为0mL；
第三退火阶段(i～k)：
i、第九步扩散：扩散时间为1300s，炉口温度为760℃，炉中温度为760℃，炉尾温度为760℃，氮气的通入量为28000mL，三氯氧磷的通入量0mL，氧气的通入量为0mL；
j、第十步扩散：扩散时间为750s，炉口温度为840℃，炉中温度为830℃，炉尾温度为830℃，氮气的通入量为20000mL，三氯氧磷的通入量0mL，氧气的通入量为0mL；
k、第十一步扩散：扩散时间为20s，炉口温度为800℃，炉中温度为830℃，炉尾温度为800℃，氮气的通入量为20000mL，三氯氧磷的通入量0mL，氧气的通入量为0mL；
(2)冷却：待步骤(1)沉积完成后，将硅片从扩散炉中取出并冷却至室温，即得硅片。
应用实施例1
用少子寿命仪测量硅片的少子寿命，用四探针测量硅片的方块电阻；经测量，本发明的工艺处理后硅片的平均少子寿命比传统工艺扩散后的少子寿命高6.0μs左右，硅片的方块电阻均匀性要好于常规工艺。少子寿命对比如表1所示，方块电阻对比如表2所示。
表1
表2
从数据上说明新工艺试验结果远比传统工艺好，按照电池片的正常工艺完成刻蚀、PECVD、丝网烧结等工艺后，做出的电池片平均转化效率如表3所示：
表3
传统工艺与本发明步骤相比结果：本发明主要程度大大提高电池片性能的开路电压以及开路电流，从而使电池片性能更加优越。
Claims (2)
1.一种硅片的磷吸杂工艺，其特征是步骤为：
（1）沉积：将制备好绒面的硅片放入扩散炉里，通入氮气、三氯氧磷和氧气，升温进行扩散；具体步骤如下：
a、第一步扩散：扩散时间为10~30s，炉口温度为835~855℃，炉中温度为800~820℃，炉尾温度为800~810℃，氮气的通入量为13000~15000mL，三氯氧磷和氧气的通入量均为0mL；
b、第二步扩散：扩散时间为600~800s，炉口温度为800~850℃，炉中温度为800~830℃，炉尾温度为800~810℃，氮气的通入量为13000~15000mL，三氯氧磷和氧气的通入量均为0mL；
c、第三步扩散：扩散时间为150~200s，炉口温度为820~850℃，炉中温度为810~830℃，炉尾温度为810~820℃，氮气的通入量为14000~16000mL，三氯氧磷和氧气的通入量均为0mL；
d、第四步扩散：扩散时间为280~320s，炉口温度为820~850℃，炉中温度为810~830℃，炉尾温度为810~820℃，氮气的通入量为18000~20000mL，三氯氧磷的通入量为0mL，氧气的通入量为800mL；
e、第五步扩散：扩散时间为850~950s，炉口温度为820~850℃，炉中温度为820~830℃，炉尾温度为820~830℃，氮气的通入量为24000~26000mL，三氯氧磷的通入量1800~2200mL，氧气的通入量为1500~2000mL；
f、第六步扩散：扩散时间为550~650s，炉口温度为820~840℃，炉中温度为820~830℃，炉尾温度为820~830℃，氮气的通入量为24000~26000mL，三氯氧磷的通入量0mL，氧气的通入量为0mL；
g、第七步扩散：扩散时间为750~850s，炉口温度为820~840℃，炉中温度为820~830℃，炉尾温度为820~830℃，氮气的通入量为24000~26000mL，三氯氧磷的通入量1800~2200mL，氧气的通入量为1600~2000mL；
h、第八步扩散：扩散时间为300~350s，炉口温度为820~840℃，炉中温度为820~830℃，炉尾温度为820~830℃，氮气的通入量为26000~28000mL，三氯氧磷的通入量0mL，氧气的通入量为0mL；
i、第九步扩散：扩散时间为1100~1300s，炉口温度为720~760℃，炉中温度为720~760℃，炉尾温度为720~760℃，氮气的通入量为26000~28000mL，三氯氧磷的通入量0mL，氧气的通入量为0mL；
j、第十步扩散：扩散时间为650~750s，炉口温度为820~840℃，炉中温度为820~830℃，炉尾温度为820~830℃，氮气的通入量为16000~20000mL，三氯氧磷的通入量0mL，氧气的通入量为0mL；
k、第十一步扩散：扩散时间为10~20s，炉口温度为820~830℃，炉中温度为820~830℃，炉尾温度为810~820℃，氮气的通入量为16000~20000mL，三氯氧磷的通入量0mL，氧气的通入量为0mL；
（2）冷却：待步骤（1）掺杂完成后，将硅片从扩散炉中取出并冷却至室温，即得硅片。
2.如权利要求1所述硅片的磷吸杂工艺所得硅片的应用，所得硅片电阻在68~78Ω之间；按照电池片的常规工艺完成刻蚀、PECVD、丝网烧结后，得到的电池片平均转化效率达18.9％。
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Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104659151A (zh) * | 2015-02-09 | 2015-05-27 | 浙江晶科能源有限公司 | 一种太阳能电池扩散吸杂的方法 |
| CN105780127A (zh) * | 2016-04-05 | 2016-07-20 | 盐城阿特斯协鑫阳光电力科技有限公司 | 一种晶体硅太阳能电池的磷扩散方法 |
| CN107507887A (zh) * | 2017-08-25 | 2017-12-22 | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 | 一种控制掺杂曲线一致性的方法 |
| CN114744072A (zh) * | 2021-01-07 | 2022-07-12 | 徐州中辉光伏科技有限公司 | 一种单晶硅电池片扩散提效及扩散后处理氧化工艺 |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101241954A (zh) * | 2008-01-29 | 2008-08-13 | 江阴浚鑫科技有限公司 | 晶体硅太阳能电池的热处理方法 |
| US20080197454A1 (en) * | 2007-02-16 | 2008-08-21 | Calisolar, Inc. | Method and system for removing impurities from low-grade crystalline silicon wafers |
| CN101667605A (zh) * | 2009-09-03 | 2010-03-10 | 无锡尚品太阳能电力科技有限公司 | 一种硅片的磷吸杂工艺 |
| CN102157606A (zh) * | 2010-12-30 | 2011-08-17 | 光为绿色新能源有限公司 | 一种应用于晶体硅太阳能电池的扩散方法 |
| WO2011156961A1 (zh) * | 2010-06-18 | 2011-12-22 | 常州天合光能有限公司 | 多晶硅的两步吸杂工艺 |
| CN102569523A (zh) * | 2012-02-09 | 2012-07-11 | 苏州盛康光伏科技有限公司 | 多晶硅太阳能光伏电池硅片的扩散方法 |
| CN102586884A (zh) * | 2012-03-06 | 2012-07-18 | 英利能源（中国）有限公司 | 一种多晶硅硅片两次扩散的制造方法 |
| CN102703987A (zh) * | 2012-06-08 | 2012-10-03 | 天威新能源控股有限公司 | 基于多晶硅中金属杂质去除的低温磷吸杂扩散工艺 |
-
2014
- 2014-08-14 CN CN201410401361.7A patent/CN104300040A/zh active Pending
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20080197454A1 (en) * | 2007-02-16 | 2008-08-21 | Calisolar, Inc. | Method and system for removing impurities from low-grade crystalline silicon wafers |
| CN101241954A (zh) * | 2008-01-29 | 2008-08-13 | 江阴浚鑫科技有限公司 | 晶体硅太阳能电池的热处理方法 |
| CN101667605A (zh) * | 2009-09-03 | 2010-03-10 | 无锡尚品太阳能电力科技有限公司 | 一种硅片的磷吸杂工艺 |
| WO2011156961A1 (zh) * | 2010-06-18 | 2011-12-22 | 常州天合光能有限公司 | 多晶硅的两步吸杂工艺 |
| CN102157606A (zh) * | 2010-12-30 | 2011-08-17 | 光为绿色新能源有限公司 | 一种应用于晶体硅太阳能电池的扩散方法 |
| CN102569523A (zh) * | 2012-02-09 | 2012-07-11 | 苏州盛康光伏科技有限公司 | 多晶硅太阳能光伏电池硅片的扩散方法 |
| CN102586884A (zh) * | 2012-03-06 | 2012-07-18 | 英利能源（中国）有限公司 | 一种多晶硅硅片两次扩散的制造方法 |
| CN102703987A (zh) * | 2012-06-08 | 2012-10-03 | 天威新能源控股有限公司 | 基于多晶硅中金属杂质去除的低温磷吸杂扩散工艺 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104659151A (zh) * | 2015-02-09 | 2015-05-27 | 浙江晶科能源有限公司 | 一种太阳能电池扩散吸杂的方法 |
| CN105780127A (zh) * | 2016-04-05 | 2016-07-20 | 盐城阿特斯协鑫阳光电力科技有限公司 | 一种晶体硅太阳能电池的磷扩散方法 |
| CN107507887A (zh) * | 2017-08-25 | 2017-12-22 | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 | 一种控制掺杂曲线一致性的方法 |
| CN107507887B (zh) * | 2017-08-25 | 2019-09-20 | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 | 一种控制掺杂曲线一致性的方法 |
| CN114744072A (zh) * | 2021-01-07 | 2022-07-12 | 徐州中辉光伏科技有限公司 | 一种单晶硅电池片扩散提效及扩散后处理氧化工艺 |
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