CN110718605B - 太阳能电池片的烧结方法、降低光致衰减方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种太阳能电池片的烧结方法，所述烧结过程包括500℃以上的升温过程和降至500℃的降温过程，所述升温过程的平均升温速率和降温过程的平均降温速率之和≤80℃/s。本发明通过调整烧结工艺中500℃以上的温变速率，实现了在烧结过程中同时降低光衰的目的；对于多晶PERC电池和铸锭单晶PERC电池，本发明提供的烧结方法降低了烧结后的初始光衰，提高了PERC电池的合格率，为多晶PERC电池和铸锭单晶PERC电池的量产提供了前提。
Description
技术领域
本发明涉及光伏器件的处理方法，尤其涉及一种太阳能电池片的烧结方法、降低太阳能电池片光致衰减的方法及得到的太阳能电池片。
背景技术
在太阳能电池中，硅太阳能电池是目前光伏发电领域的主流之一，这是由于硅材料在地壳中有着极为丰富的储量，同时有着优异的电学性能和机械性能。在未来光伏技术的发展中，进一步提高硅太阳能电池的光电转换效率，降低太阳能电池生产成本，使得太阳能电池能够更广泛的利用成为了硅太阳能电池的研究重点。
在太阳能电池领域，如何提高硅太阳能电池的光电转换效率对于降低太阳能电池的制作成本意义更为重大。太阳能电池片普遍包括硅片，可以分为单晶硅片、多晶硅片和铸锭单晶硅片，依次形成于硅片一侧的钝化层和铝背场，硅片另一侧形成的发射极，分布在发射极上的减反射膜和栅线。在太阳能电池片的制程中，具有上述结构的待烧结太阳能电池片需要进行烧结工艺，将太阳能电池中的金属浆料通过高温，与硅片表面共熔后形成合金层，从而使电池器件能够导电。
烧结过程一般分为3个阶段，第一阶段为烘干区，一般温度为200～400℃，主要作用是蒸发浆料中的有机成分，一般认为该阶段对电池性能基本没有影响；第二阶段为升温段，电池温度会在1min内被加热至～750℃，该阶段背面铝浆会和硅共熔形成BSF，同时正面银浆会烧穿氮化硅层，形成Ag-Si的欧姆接触，该阶段的温度控制会直接影响电池的电性能；第三阶段为降温阶段，硅片会被传送至烧结炉外，在极短的时间内由～750℃降低至室温，该阶段对普通太阳能电池的性能没有特别大的影响，但对于PERC电池，该阶段会影响电池的性能衰减。
在制成太阳能电池器件后的使用过程中，电池光电转换效率会产生衰减现象，被称为光致衰减(LID)。对于单晶硅片的电池，光致衰减主要是由B-O复合体造成，对于抑制单晶电池的光致衰减，只需要在完成电池后再经过一个光热过程使其转化成B-O-H复合体，从而使光致衰减(LID)能被抑制到合适范围(如＜1.5％)。对于单晶硅电池，如何降低光致衰减抑制处理的条件，节省能源，降低成本是本领域需要解决的技术问题。
对于多晶硅片的电池，其光致衰减的机理目前还没有完全的定论，一般认为B-O复合体不仅仅是导致多晶电池光致衰减的主要原因，其中某些金属元素形成的复合中心在电池的光致衰减过程中扮演着重要的角色。多晶硅片一般的制备工艺是将硅铸锭切割成硅棒，然后将硅棒切片得到多晶硅片。在多晶硅片的制备过程中，铸锭过程中会溶解入许多杂质并且会形成晶界及位错，所有的这些杂质(O，C，Fe、Cu等金属元素)及晶界和位错都会形成复合中心，对电池效率有负面影响，尤其是做成PERC电池结构，表面的复合减小后，体内的复合对电池效率的影响会显得更加显著。同时，硅片中所含的O，Fe，Cu等杂质，在制成电池片以及今后的使用过程中，会与硅片中掺杂的B形成B-O，Fe-B等复杂的复合中心，产生衰减现象，简单的光热过程并无法钝化电池体内的复合中心。
对于多晶硅PERC电池，表面复合已经得到有效的控制下，体内复合带来的光致衰减过大(5％～10％)一直是抑制多晶PERC电池量产的瓶颈，如何获得减少光致衰减率，获得合格的多晶电池，提高多晶电池的合格率，是本领域亟待解决的技术问题。
现有技术公开了一种消除掺硼晶体硅电池光致衰减的方法，将烧结后的太阳能电池片在较低温度下进行光热处理，消除电池片硼氧复合过程导致的电池效率下降，提高电池片的效率和可靠性，节约电池片生产成本。所述方法需要对现有烧结设备进行改动，成本提高。
本领域需要开发一种太阳能电池片的烧结方法，其不需要对现有设备进行变动，可以在烧结的同时降低太阳能电池片烧结后的初始光衰，同时降低后续光衰抑制步骤的条件。
发明内容
针对现有技术的不足，本发明的目的之一在于提供一种太阳能电池片的烧结方法，所述烧结过程包括500℃以上的升温过程和降至500℃的降温过程，所述升温过程的平均升温速率和降温过程的平均降温速率之和≤80℃/s。
现有技术烧结过程需要很高的温度(一般大≥700℃)，且所需时间较短(＜2min)，无法解决硅片体内复杂的复合中心造成的电池片光致衰减问题。本发明通过控制500℃以上的升温过程和降温过程的温变速率之和在80℃以下，能够达到抑制衰减的目的，获得较低的起始光衰。所述起始光衰意指在进行光致衰减的抑制处理前的光致衰减起始值。
对于500℃以下的温度范围，温变速率的不同对于太阳能电池性能影响不大，500℃以上的温度范围内，对于温变速率的控制能够更有效的控制复合中心的形成，降低烧结完的初始光衰。
优选地，所述升温过程的平均升温速率和降温过程的平均降温速率之和为60～80℃/s，例如62℃、68℃、72℃、78℃等。
过低的温变速率拉长了烧结的时间，降低烧结过程的出片效率。
本发明所述的烧结过程的温变速率为升温过程的平均升温速率和降温过程的平均降温速率之和，只要满足500℃以上的温变速率在80℃/s以下就可以实现在烧结过程中降低初始光衰的目的，对于具体到升温速率和降温速率，本发明不做具体限定。单独降低升温速率或者单独降低降温速率，对多晶PERC电池的衰减都有正面的影响，但是会降低电池的效率。
优选地，所述平均升温速率为15～35℃，例如16℃、18℃、22℃、25℃、28℃、33℃等。
优选地，所述平均降温速率为40～65℃，例如42℃、45℃、48℃、53℃、56℃、62℃等。
优选地，所述烧结过程太阳能电池片的最高温度为T，所述最高温度T满足650℃≤T≤850℃，例如680℃、710℃、720℃、730℃、740℃、750℃、760℃、770℃、780℃、790℃、820℃等。
本发明所述升温速率就是从500℃升温至温度T的速率，所述降温速率就是从温度T降温至500℃的速率。
优选地，所述烧结方法依次包括烘干步骤、升温烧结步骤、降温步骤。
优选地，所述待烧结太阳能电池片处于500℃以上的时间占升温烧结步骤和降温步骤总时长的8～15％，例如9％、10％、11％、12％、13％、14％等。
优选地，所述烘干步骤待烧结太阳能电池片的温度为200～400℃，例如220℃、250℃、280℃、320℃、360℃、380℃等。
优选地，所述待烧结太阳能电池片包含硅片；所述硅片包括多晶硅片、单晶硅片和铸锭单晶硅片中的任意1种；优选包括多晶硅片或铸锭单晶硅片。
对于单晶硅片的太阳能电池片，硅片内复合中心种类较单一，通过光致衰减抑制处理就可以将单晶硅片的光致衰减控制在合格范围内，但该方法需要对现有烧结装置进行改造或额外增加光热/电热装置。选用本发明所述的烧结方法，能够在烧结的同时降低单晶硅片在烧结完毕进行光致衰减抑制处理时的初始光衰，且无需对烧结装置进行改造，从而达到降低成本的目的。
对于多晶硅片的太阳能电池片，硅片内导致光致衰减的复合中心种类复杂，光致衰减机理不明，现有技术对多晶硅太阳能电池片进行光致衰减抑制处理只能改善一定比例的初始光衰(如初始光衰5％，通过现有技术改善40％后，光衰降低至3％)，大部分太阳能电池片无法达到合格要求，通过本发明提供的烧结方法能够显著降低太阳能电池片的初始光衰，再结合后续的光致衰减抑制处理可进一步降低电池片的光衰，满足太阳能电池片的合格要求。
太阳能电池片在烧结炉中进行烧结，烧结炉具有n个可控温区，太阳能电池片在n个可控温区中通过传送带依次进行传输，器件烧结炉对太阳能电池片进行温控。现有技术中，烧结炉的第n个可控温区设置温度最高，太阳能电池片在第n个可控温区中达到最高温700～800℃，随后太阳能电池片被送出烧结炉在室温下迅速降温至室温，完成烧结。
本发明将烧结炉最高温度设置在第n-1、第n-2或第n-3个温区处，能够保证500℃以上的温变速率在80℃/s以内，实现降低太阳能电池片光致衰减率的目的。
优选地，所述方法在烧结炉中进行，所述烧结炉具有n个可控温的温区，所述硅片在所述烧结炉中顺序经过n个温区，n≥6(例如7、8、9、10、11、12、13等)；第m个温区的温度设置为900～1200℃(例如950℃、1000℃、1050℃、1100℃、1150℃等)，所述m满足n-3≤m≤n-1。
本发明所述温区的温度是温区的设置温度，即当设置温区温度为900～1200℃时能够保证太阳能电池片的温度在700～800℃。
优选地，所述m满足n-2≤m≤n-1。
优选地，所述n为6、7或8。
优选地，所述m<n，所述降温步骤在第m+1个温区进行。
对于第m+1个温区，由于烧结炉温区之间具有明显的导热作用，即使第m+1个温区设置0℃(或室温)，其温区的环境温度也较高，太阳能电池片到达第m+1温区时的温度也基本在500℃以上。
优选地，所述第m+1个温区的温度设置为400～700℃。
优选地，所述硅片在所述烧结炉中的烧结带速为6500～7500mm/min。
优选地，所述m＝n-1，所述烧结带速为6800～7200mm/min。
优选地，所述m＜n-1，所述烧结带速为6500～6800mm/min。
对烧结带速的控制能够进一步控制太阳能电池片在烧结炉中的温变速率。当m＝n-1时，6800～7200mm/s的带速更匹配太阳能电池在烧结炉中的升温状态，更能够将温变速率控制在80℃以下，甚至60～80℃；若烧结带速过高，烧结不彻底，若烧结带速过低，生产效率低。当m＜n-1时，6500～6800mm/s的烧结带速更匹配太阳能电池在烧结炉中的升温状态，更能够将温变速率控制在80℃以下，甚至60～80℃。
对于铸锭切割得到硅棒，铸锭中心区域为C区，铸锭边区为B区，铸锭角区为A区，对于铸锭区域的划分本领域有明确的规定。
优选地，所述太阳能电池片中的硅片由硅锭A区的硅棒切片得到，升温过程的平均升温速率记为X1和降温过程的平均降温速率记为Y1；或者所述太阳能电池片中的硅片由硅锭B区的硅棒切片得到，升温过程的平均升温速率记为X2和降温过程的平均降温速率记为Y2；或者所述太阳能电池片中的硅片由选自硅锭C区的硅棒切片得到，升温过程的平均升温速率记为X3和降温过程的平均降温速率记为Y3；
其中，X1+Y1＜X2+Y2＜X3+Y3。
优选地，所述X1＜X2＜X3。
优选地，Y1＜Y2＜Y3。
对于硅棒切片得到硅片，沿硅棒长度方向均分成三份，顶部1/3为顶部区域，底部1/3为底部区域，中间1/3为中间区域。
优选地，所述太阳能电池片中的硅片选自某一硅棒的中间区域，升温过程的平均升温速率记为X’1和降温过程的平均降温速率为Y’1；所述太阳能电池片中的硅片选自同一硅棒的顶部区域，升温过程的平均升温速率记为X’2和降温过程的平均降温速率记为Y’2；所述太阳能电池片中的硅片选自同一硅棒的底部区域，升温过程的平均升温速率记为X’3和降温过程的平均降温速率记为Y’3；
其中，X’1+Y’1＜X’2+Y’2＜X’3+Y’3。
优选地，所述X’1＜X’2＜X’3；
优选地，Y’1＜Y’2＜Y’3。
本发明目的之二是提供一种降低太阳能电池片光致衰减的方法，所述方法包括如下步骤：
(1)按照目的之一所述的烧结方法对太阳能电池片进行烧结处理：
(2)对烧结处理后的太阳能电池片进行光致衰减的抑制处理；
优选地，所述光致衰减的抑制处理包括光注入和/或电注入；
优选地，所述光注入的条件为150℃～250℃，光强1～30suns，时间20～50s。
优选地，所述电注入的条件为150℃～250℃，电流3～15A，时间40min～180min。
本发明目的之三是提供一种太阳能电池片，包含选自硅锭C区的硅片，所述太阳能电池片的衰减值≤1.8％，优选≤1.6％。
优选地，所述选自硅锭C区的硅片进行目的之一所述的烧结方法得到所述太阳能电池片。
优选地，所述选自硅锭C区的硅片进行目的之二所述的降低太阳能电池片光致衰减的方法进行处理得到所述太阳能电池片。
本发明目的之四是提供一种太阳能电池片，包含选自硅锭B区的硅片，所述太阳能电池片的衰减值为1.5％～2.1％，优选1.5％～2.0％。
优选地，所述选自硅锭B区的硅片进行目的之一所述的烧结方法得到所述太阳能电池片。
优选地，所述选自硅锭B区的硅片进行目的之二所述的降低太阳能电池片光致衰减的方法进行处理得到所述太阳能电池片。
本发明目的之五是提供一种太阳能电池片，包含选自硅锭A区的硅片，所述太阳能电池片的衰减值为1.8％～2.3％，优选1.8％～2.1％；
优选地，所述选自硅锭A区的硅片进行目的之一所述的烧结方法得到所述太阳能电池片。
优选地，所述选自硅锭A区的硅片进行目的之二所述的降低太阳能电池片光致衰减的方法进行处理得到所述太阳能电池片。
与现有技术相比，本发明具有如下有益效果：
(1)本发明通过调整烧结工艺中500℃以上的温变速率，实现了在烧结过程中同时降低光衰的目的；无论对于单晶电池，还是对于多晶电池和铸锭单晶电池，特别是PERC电池，本发明都能够降低烧结后的初始光衰。
(2)对于多晶PERC电池和铸锭单晶PERC电池，本发明提供的烧结方法降低了烧结后的初始光衰，提高了PERC电池的合格率，为多晶PERC电池和铸锭单晶PERC电池的量产提供了前提。
(3)本发明提供的抑制光致衰减的方法，结合了前述烧结工艺，在降低了初始光衰的前提下，结合光注入和电注入的手段，能够将多晶PERC电池和铸锭单晶PERC电池平均光衰降低至0.8～1.5％。
(4)在优选技术方案中，本发明控制平均升温速率为15～35℃，平均降温速率为40～65℃，能够在保证光衰降低，即太阳能电池的效率的提升。
附图说明
图1给出了实施例A1和对比例A’1烧结步骤的太阳能电池片的温度变化曲线。
图2给出了实施例A1和对比例A’1烧结步骤后太阳能电池片的光致衰减值的分布图。
具体实施方式
为便于理解本发明，本发明列举实施例如下。本领域技术人员应该明了，所述实施例仅仅是帮助理解本发明，不应视为对本发明的具体限制。
本发明所述实施例所使用的硅片为选自同一区域的100片，性能测试为所述100片硅片的平均值。
实施例A1～A12
一种降低太阳能电池片光致衰减的方法，包括如下步骤：
(1)按如下方法制备待烧结太阳能电池片：
①制绒，在P型多晶硅片表面形成绒面结构；所述P型多晶硅片选自硅锭的C区中部；
②扩散，在P型硅片表面扩磷，形成发射极；
③刻蚀和抛光，对硅片背面进行刻蚀，刻蚀使用湿法链式刻蚀，去除表面PSG和边缘绝缘，刻蚀的同时对硅片背面进行抛光；
④钝化，背面使用氧化铝和氮化硅叠层作为钝化层，正面使用氮化硅作为钝化层和减反膜；
⑤激光开口，在背面钝化层上开口，使得后续丝网印刷时铝浆和硅片形成接触；
⑥丝网印刷，在硅片正/背面分别印刷金属浆料；
⑦烧结，使印刷的金属浆料同硅片形成接触；
(2)将步骤(1)的待烧结太阳能电池片置入烧结炉(具有7个可控温区)中，设置烧结炉的烧结带速为6800～7200mm/s，从第1个可控温区开始设置烧结炉7个可控温区的温度分别为350℃，400℃，450℃，500℃，500～800℃，900～1200℃，400～700℃；记录太阳能电池片在第5个、第6个和第7个可控温区的温度，并结合烧结带速计算500℃以上的升温速率和降温速率，记录至表1中；降温后得到初始太阳能电池片；
(3)将初始太阳能电池片进行电注入操作(200℃，10A，电注入120min)进行光衰抑制处理，得到处理后太阳能电池片。
实施例A13
与实施例A3的区别在于，硅片选自硅锭C区切割硅棒的顶部区域(实施例A13)、硅锭C区切割硅棒的底部区域(实施例A14)、硅锭A区切割硅棒的中间区域(实施例A15)、硅锭B区切割硅棒的中间区域(实施例A16)。
对比例A’1
与实施例A3的区别在于，从第1个可控温区开始设置烧结炉7个可控温区的温度分别为350℃，400℃，450℃，500℃，620℃，780℃，900℃。
图1给出了实施例A1和对比例A’1烧结步骤的太阳能电池片的温度变化曲线。
图2给出了实施例A1和对比例A’1烧结步骤后太阳能电池片的光致衰减值的分布图。
对比例A’2
与实施例A3的区别在于，从第1个可控温区开始设置烧结炉7个可控温区的温度分别为350℃，400℃，450℃，500℃，600℃，780℃，890℃。
对比例A’3
与实施例A3的区别在于，从第1个可控温区开始设置烧结炉7个可控温区的温度分别为350℃，400℃，450℃，500℃，630℃，790℃，910℃。
表1
注：温变速率为升温速率与降温速率的加和。
性能测试：
(1)光致衰减(光衰)值测试：测试方法为：将待测太阳能电池片在65℃，1sun的光强下曝晒24h，测试曝晒前后的相对衰减值，相对光衰值＝[(光衰后效率-光衰前效率)/光衰前效率×100％]；
(2)电池效率测试：1000W/m2，25±2℃，AM1.5条件下测试。
测试实施例和对比例中步骤(2)的初始太阳能电池片的光致衰减值平均值和电池效率平均值，步骤(3)的处理后太阳能电池片的衰减值和电池效率，结果见表2。
需要说明的是，本发明所述光致衰减值平均值为一组硅片中每片硅片的光致衰减值的平均数，所述电池效率平均值为一组硅片中每片硅片的电池效率的平均数。
表2
从表2可以看出，控制升降温速率可以明显抑制光致衰减，升降温速率越小，光衰有减小趋势，但是效率损失会有增大趋势。相比于未控制升降温速率的烧结工艺，本方案的电池片光致衰减明显降低。
经过额外的抗LID设备处理后，电池片的效率损失和衰减都会得到进一步抑制，但是抗LID设备通常只能改善一定比例的初始衰减(如初始衰减5％，抗LID设备改善35％，处理后衰减约5％×65％＝3.25％)。所以通过本方案得到的电池片，再经过抗LID设备处理后，光致衰减可以明显降低。本实施例中，A1至A16方案通过抗LID设备处理后，衰减均值可以保持在1.2％以下。
从实施例A15～A16可以看出，当硅片选自A区和B区时，其光致衰减值仍然达到出厂要求，但是衰减均值均大于C区中部硅片。
从实施例A13～A14可以看出，当硅片选自C区的顶部和底部时，光致衰减值相较于中部略有升高。
对于单晶硅片的太阳能电池片，选用本发明所述的烧结方法，能够在烧结的同时降低在烧结完毕进行光致衰减抑制处理时的初始光衰，且无需对烧结装置进行改造，从而达到降低成本的目的。由于单晶硅片杂质较单一，在抑制初始光衰的效果上没有多晶硅太阳能电池片显著，这里不再举例说明。
申请人声明，本发明通过上述实施例来说明本发明的详细工艺设备和工艺流程，但本发明并不局限于上述详细工艺设备和工艺流程，即不意味着本发明必须依赖上述详细工艺设备和工艺流程才能实施。所属技术领域的技术人员应该明了，对本发明的任何改进，对本发明产品各原料的等效替换及辅助成分的添加、具体方式的选择等，均落在本发明的保护范围和公开范围之内。
Claims (15)
1.一种降低太阳能电池片光致衰减的方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：
(1)按照烧结方法对待烧结太阳能电池片进行烧结处理：
所述烧结包括500℃以上的升温过程和降至500℃的降温过程；所 述升温过程的平均升温速率和降温过程的平均降温速率之和为60～80℃/s，所述平均升温速率为15～35℃/s，所述平均降温速率为40～65℃/s；
所述烧结待烧结太阳能电池片的最高温度为T，所述最高温度T满足710℃≤T≤850℃；
所述烧结方法依次包括烘干步骤、升温烧结步骤、降温步骤，所述待烧结太阳能电池片处于500℃以上的时间占升温烧结步骤和降温步骤总时长的8～15％，所述烘干待烧结太阳能电池片的温度为200～400℃；
所述太阳能电池片包括多晶硅片或铸锭单晶硅片；
所述方法在烧结炉中进行，所述烧结炉具有n个可控温的温区，所述硅片在所述烧结炉中顺序经过n个温区，n为6、7或8；第m个温区的温度设置为900～1200℃，所述m满足n-2≤m≤n-1；所述m<n，所述降温步骤在第m+1个温区进行，所述第m+1个温区的温度设置为400～700℃；所述m＝n-1，所述烧结带速为6800～7200mm/min，所述m＜n-1，所述烧结带速为6500～6800mm/min；
所述太阳能电池片中的硅片由硅锭A区的硅棒切片得到，升温过程的平均升温速率记为X1和降温过程的平均降温速率记为Y1；或者所述太阳能电池片中的硅片由硅锭B区的硅棒切片得到，升温过程的平均升温速率记为X2和降温过程的平均降温速率记为Y2；或者所述太阳能电池片中的硅片由选自硅锭C区的硅棒切片得到，升温过程的平均升温速率记为X3和降温过程的平均降温速率记为Y3；其中，X1+Y1＜X2+Y2＜X3+Y3；
(2)对烧结处理后的太阳能电池片进行光致衰减的抑制处理，得到太阳能电池片；
当所述太阳能电池片选自硅锭C区的硅片时，所述太阳能电池片的衰减值≤1.8％；当所述太阳能电池片选自硅锭B区的硅片时，所述太阳能电池片的衰减值为1.5％～2.1％；当所述太阳能电池片选自硅锭A区的硅片时，所述太阳能电池片的衰减值为1.8％～2.3％。
2.如权利要求1所述的降低太阳能电池片光致衰减的方法，其特征在于，X1＜X2＜X3。
3.如权利要求1所述的降低太阳能电池片光致衰减的方法，其特征在于，Y1＜Y2＜Y3。
4.如权利要求1所述的降低太阳能电池片光致衰减的方法，其特征在于，所述太阳能电池片中的硅片选自硅锭A区、B区或C区硅棒的中间区域，升温过程的平均升温速率记为X’1和降温过程的平均降温速率记为Y’1；或者所述太阳能电池片中的硅片选自同一硅棒的顶部区域，升温过程的平均升温速率记为X’2和降温过程的平均降温速率记为Y’2；或者所述太阳能电池片中的硅片选自同一硅棒的底部区域，升温过程的平均升温速率记为X’3和降温过程的平均降温速率记为Y’3；
其中，X’1+Y’1＜X’2+Y’2＜X’3+Y’3。
5.如权利要求4所述的降低太阳能电池片光致衰减的方法，其特征在于，X’1＜X’2＜X’3。
6.如权利要求4所述的降低太阳能电池片光致衰减的方法，其特征在于，Y’1＜Y’2＜Y’3。
7.根据权利要求1所述的降低太阳能电池片光致衰减的方法，其特征在于，所述光致衰减的抑制处理包括光注入和/或电注入。
8.根据权利要求7所述的降低太阳能电池片光致衰减的方法，其特征在于，所述光注入的条件为150℃～250℃，光强1～30suns，时间20～50s。
9.根据权利要求7所述的降低太阳能电池片光致衰减的方法，其特征在于，所述电注入的条件为150℃～250℃，电流3～15A，时间40min～180min。
10.一种太阳能电池片，其特征在于，所述选自硅锭C区的硅片进行权利要求1-9中任一项所述的降低太阳能电池片光致衰减的方法进行处理得到所述太阳能电池片。
11.根据权利要求10所述的太阳能电池片，其特征在于，所述太阳能电池片的衰减值≤1.6％。
12.一种太阳能电池片，其特征在于，所述选自硅锭B区的硅片进行权利要求1-9中任一项所述的降低太阳能电池片光致衰减的方法进行处理得到所述太阳能电池片。
13.根据权利要求12所述的太阳能电池片，其特征在于，所述太阳能电池片的衰减值为1.5％～2.0％。
14.一种太阳能电池片，其特征在于，所述选自硅锭A区的硅片进行权利要求1-9中任一项所述的降低太阳能电池片光致衰减的方法进行处理得到所述太阳能电池片。
15.根据权利要求14所述的太阳能电池片，其特征在于，所述太阳能电池片的衰减值为1.8％～2.1％。
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