JPS5941875A - 焼結膜の製造方法 - Google Patents
焼結膜の製造方法Info
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- JPS5941875A JPS5941875A JP57151739A JP15173982A JPS5941875A JP S5941875 A JPS5941875 A JP S5941875A JP 57151739 A JP57151739 A JP 57151739A JP 15173982 A JP15173982 A JP 15173982A JP S5941875 A JPS5941875 A JP S5941875A
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 8
- YKYOUMDCQGMQQO-UHFFFAOYSA-L cadmium dichloride Chemical compound Cl[Cd]Cl YKYOUMDCQGMQQO-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims abstract description 56
- 229910052980 cadmium sulfide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 24
- WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 3-(oxolan-2-yl)propanoic acid Chemical compound OC(=O)CCC1CCCO1 WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 23
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 13
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 11
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 6
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims description 47
- MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 5-phenyl-2h-tetrazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=NNN=N1 MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 12
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 claims 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 12
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 abstract description 3
- 239000007767 bonding agent Substances 0.000 abstract 1
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract 1
- 238000010422 painting Methods 0.000 abstract 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 5
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 4
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 4
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- YZASAXHKAQYPEH-UHFFFAOYSA-N indium silver Chemical compound [Ag].[In] YZASAXHKAQYPEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000019687 Lamb Nutrition 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 239000005368 silicate glass Substances 0.000 description 1
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
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- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/543—Solar cells from Group II-VI materials
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は太陽電池に適した焼結膜の製造方法に関するも
のである。
のである。
従来の硫化カドミウム焼結膜等の焼成方法においては、
一般に蓋のない板上の焼成ポートの上に基板を乗せて、
直接炉の雰囲気にさらしながら焼成するか、または孔の
ない蓋をかぶせて密閉した状態で焼成するか、または孔
のある蓋をかぶせて焼成するという3つの方法のいずれ
かがとられていた。このうち第1の方法では、融剤とし
て添加した塩化カドミウムが温度上昇と共に瞬間的に蒸
発するために、硫化カドミウム粉末の結晶成長作用があ
まシなく、また基板の中心部と周辺部では塩化カドミウ
ムの蒸発速度が異なるために、結晶粒子の形状が揃わな
くなるばかりが、焼結膜にピンホールやクラックが多数
発生して、一枚の基板上で場所による特性のばらつきが
大きかった。また第2の焼成方法では、融剤として添加
した塩化カドミウムが焼成ボート内にこもりすぎて、焼
結が終った時点でも硫化カドミウム焼結膜中および表面
に遊離の塩化カドミウムが残りゃすく、残った遊離の塩
化カドミウムは太陽電池の特性に悪影響を及1r′シた
。第3の焼成方法は、第1.第2の方法に比べて最も優
れた方法であり、この方法で焼成すると、焼成初期の段
階で焼成ボート内に塩化カドミウムの蒸気が均一にこも
り、結晶成長が徐々におこなわれ、焼成が進むにつれて
、塩化カドミウムは蓋の孔を通して徐々に焼成ボート外
へ蒸発してゆくので、焼成が終了した時点では遊離の塩
化カドミウムが少なくなる。
一般に蓋のない板上の焼成ポートの上に基板を乗せて、
直接炉の雰囲気にさらしながら焼成するか、または孔の
ない蓋をかぶせて密閉した状態で焼成するか、または孔
のある蓋をかぶせて焼成するという3つの方法のいずれ
かがとられていた。このうち第1の方法では、融剤とし
て添加した塩化カドミウムが温度上昇と共に瞬間的に蒸
発するために、硫化カドミウム粉末の結晶成長作用があ
まシなく、また基板の中心部と周辺部では塩化カドミウ
ムの蒸発速度が異なるために、結晶粒子の形状が揃わな
くなるばかりが、焼結膜にピンホールやクラックが多数
発生して、一枚の基板上で場所による特性のばらつきが
大きかった。また第2の焼成方法では、融剤として添加
した塩化カドミウムが焼成ボート内にこもりすぎて、焼
結が終った時点でも硫化カドミウム焼結膜中および表面
に遊離の塩化カドミウムが残りゃすく、残った遊離の塩
化カドミウムは太陽電池の特性に悪影響を及1r′シた
。第3の焼成方法は、第1.第2の方法に比べて最も優
れた方法であり、この方法で焼成すると、焼成初期の段
階で焼成ボート内に塩化カドミウムの蒸気が均一にこも
り、結晶成長が徐々におこなわれ、焼成が進むにつれて
、塩化カドミウムは蓋の孔を通して徐々に焼成ボート外
へ蒸発してゆくので、焼成が終了した時点では遊離の塩
化カドミウムが少なくなる。
太陽電池に適した硫化カドミウム焼結膜は、光導電素子
に比べて残存塩化カドミウム量が少なく、かつ粒径が大
きいことが必要である。粒径を大きくするためには融剤
として働らく塩化カドミウムの添加量を多くしなければ
ならないが、そうすると残存塩化カドミウム量が増加す
る。これを解決するためには塩化カドミウムの添加量を
増加すると共に焼成温度を高くすることが必要であるが
、このためには基板に高温に耐える高価なほうけい酸ガ
ラスを使用しなければならない。
に比べて残存塩化カドミウム量が少なく、かつ粒径が大
きいことが必要である。粒径を大きくするためには融剤
として働らく塩化カドミウムの添加量を多くしなければ
ならないが、そうすると残存塩化カドミウム量が増加す
る。これを解決するためには塩化カドミウムの添加量を
増加すると共に焼成温度を高くすることが必要であるが
、このためには基板に高温に耐える高価なほうけい酸ガ
ラスを使用しなければならない。
通常、硫化カドミウム焼結膜の焼成は孔のある蓋をかぶ
せて690℃で1〜2時間行なっており、面抵抗100
Ω/L、1以下の低抵抗の焼結膜が得られている。安価
なソーダ石灰ガラス(はうけい酸ガラスより一桁以上値
段が安い)を使用するには、600’C程度に焼成温度
を低下しなければならない。しかし焼成温度を600℃
と1〜だ場合面抵抗は1にΩん以上となる。この原因を
色々調べだ結果、600℃で焼成した硫化カドミウム焼
結膜中に多量に残存している塩化カドミウムが面抵抗を
高くする原因であることが分った。
せて690℃で1〜2時間行なっており、面抵抗100
Ω/L、1以下の低抵抗の焼結膜が得られている。安価
なソーダ石灰ガラス(はうけい酸ガラスより一桁以上値
段が安い)を使用するには、600’C程度に焼成温度
を低下しなければならない。しかし焼成温度を600℃
と1〜だ場合面抵抗は1にΩん以上となる。この原因を
色々調べだ結果、600℃で焼成した硫化カドミウム焼
結膜中に多量に残存している塩化カドミウムが面抵抗を
高くする原因であることが分った。
本発明はこのような従来の欠点を除去したもので、60
0℃の焼成温度でも低抵抗の硫化カドミウム焼結膜が得
られる方法を提供するものであり、本発明の方法を更に
テルル化カドミウム焼結膜の製造に適用すれば、高性能
で寿命特性の良い太陽電池を作製することができる。
0℃の焼成温度でも低抵抗の硫化カドミウム焼結膜が得
られる方法を提供するものであり、本発明の方法を更に
テルル化カドミウム焼結膜の製造に適用すれば、高性能
で寿命特性の良い太陽電池を作製することができる。
以下本発明を実施例によシ説明する。
(実施例1)
硫化カドミウムの粉末10oIK対し、融剤として働く
塩化カドミウムを1og加え、粘度調節のだめに有機結
合剤を適当量大れて硫化カドミウムペーストを作製した
。このベーストをスクリーーン印刷機を用いて、縦40
鴎、横409.厚さ0.8鵡のガラス基板上に印刷し、
乾燥した後、第1図に示すベルト式連続焼成炉で焼成し
た。i成炉はヒーター1によって加熱され、炉心管2の
中央部の温度が約600’Cになるよう制御されぞいる
。硫化カドミウムペーストを印刷、乾燥したガラス基板
を有孔蓋付きアルミナ焼成ボート3に入れ、ベルト4上
に乗せてベルトスピードが2〜4 cIn/ m i
nの速さで連続的に送入した。
塩化カドミウムを1og加え、粘度調節のだめに有機結
合剤を適当量大れて硫化カドミウムペーストを作製した
。このベーストをスクリーーン印刷機を用いて、縦40
鴎、横409.厚さ0.8鵡のガラス基板上に印刷し、
乾燥した後、第1図に示すベルト式連続焼成炉で焼成し
た。i成炉はヒーター1によって加熱され、炉心管2の
中央部の温度が約600’Cになるよう制御されぞいる
。硫化カドミウムペーストを印刷、乾燥したガラス基板
を有孔蓋付きアルミナ焼成ボート3に入れ、ベルト4上
に乗せてベルトスピードが2〜4 cIn/ m i
nの速さで連続的に送入した。
第2図(A) 、 (B)は有孔蓋の平面図と断面図で
あるが、本実施例では縦50協、横50肱、厚さ3gで
、中央部の孔径1語2周辺部の孔径Q、4 mで、合計
25個の孔を有するものを用いた。また第3図(A)
、 (B)はアルミナ焼成ボート3の平面図と断面図で
、本実施例では縦50M、横50%、厚さ5鴎の大きさ
のものを用いた。
あるが、本実施例では縦50協、横50肱、厚さ3gで
、中央部の孔径1語2周辺部の孔径Q、4 mで、合計
25個の孔を有するものを用いた。また第3図(A)
、 (B)はアルミナ焼成ボート3の平面図と断面図で
、本実施例では縦50M、横50%、厚さ5鴎の大きさ
のものを用いた。
炉内に入っだ有孔蓋付きアルミナ焼成ボート3の中では
、温度上昇と共に融剤として加えた塩化カドミウムが融
解して、塩化カドミウムの蒸気が充満する。その結果、
硫化カドミウム粉末は、塩化カドミウムに一部溶解しな
がら再結晶が徐々に行なわれ、結晶成長が促進される。
、温度上昇と共に融剤として加えた塩化カドミウムが融
解して、塩化カドミウムの蒸気が充満する。その結果、
硫化カドミウム粉末は、塩化カドミウムに一部溶解しな
がら再結晶が徐々に行なわれ、結晶成長が促進される。
焼成が進むにつれて、ボート内に充満していた塩化カド
ミウムの蒸気は、徐々にボートにあけられた孔を通って
炉内に出ていく。炉内に排気された塩化カドミウムのガ
スは焼結炉内全体に伸びている、多数の小さな穴のあい
たバイブロよシ出てくる不活性ガスと混合され、燃焼炉
入口に設けられたバイブロによって排気される。また焼
結炉の両側7,8には焼結炉外のガス侵入を防ぐだめに
窒素ガスを流している。このようにして焼成した硫化カ
ドミウム焼結膜の面抵抗は10°にΩ/口〜101にΩ
/口のオーダーであり高抵抗であった。
ミウムの蒸気は、徐々にボートにあけられた孔を通って
炉内に出ていく。炉内に排気された塩化カドミウムのガ
スは焼結炉内全体に伸びている、多数の小さな穴のあい
たバイブロよシ出てくる不活性ガスと混合され、燃焼炉
入口に設けられたバイブロによって排気される。また焼
結炉の両側7,8には焼結炉外のガス侵入を防ぐだめに
窒素ガスを流している。このようにして焼成した硫化カ
ドミウム焼結膜の面抵抗は10°にΩ/口〜101にΩ
/口のオーダーであり高抵抗であった。
次に、上記硫化カドミウム焼結膜をもう一部アルミナ焼
成ポートに入れ、有孔蓋をかぶせないで、第1図のベル
ト式連続焼成炉で焼成した。焼成条件は1回目と同じで
ある。このようにして焼成したCdS焼結膜の面抵抗は
40〜8oΩ/E[] と低抵抗であり、焼成温度69
0℃で焼成した硫化カドミウム焼結膜と同程度であった
。
成ポートに入れ、有孔蓋をかぶせないで、第1図のベル
ト式連続焼成炉で焼成した。焼成条件は1回目と同じで
ある。このようにして焼成したCdS焼結膜の面抵抗は
40〜8oΩ/E[] と低抵抗であり、焼成温度69
0℃で焼成した硫化カドミウム焼結膜と同程度であった
。
(実施例2)
テルル化カドミウムの粉末100qrに対し、融剤とし
て働く塩化カドミウムを1 gr加え、粘度調節のため
に有機結合剤を適当量入れテルル化カドミウムペースト
を作製した。このペーストをスクリーン印刷機を用いて
硫化カドミウム焼結膜上に印刷し、乾燥した後、実施例
1と同様に有孔蓋付きアルミナボートに入れ、ベルト式
連続焼成炉で620°Cで焼成した。次に有孔蓋を取り
、もう一度ベルト式連続焼成炉で焼成した。このように
して焼成しだテルル化カドミウム焼結膜上にカーボンペ
ーストをスクリーン印刷機を用いて印刷し、乾燥後、3
50℃で30分間不活性ガス中で熱処理してカーボン電
極を形成した。カーボンペースト中には微量のアクセプ
タ不純物が含有されており、熱処理中にこの不祠物がテ
ルル化カドミ、/ ラム中に拡散しP形のテルル化カドミウムができ、n形
の硫化カドミウムとの間にp −n接合が形成される。
て働く塩化カドミウムを1 gr加え、粘度調節のため
に有機結合剤を適当量入れテルル化カドミウムペースト
を作製した。このペーストをスクリーン印刷機を用いて
硫化カドミウム焼結膜上に印刷し、乾燥した後、実施例
1と同様に有孔蓋付きアルミナボートに入れ、ベルト式
連続焼成炉で620°Cで焼成した。次に有孔蓋を取り
、もう一度ベルト式連続焼成炉で焼成した。このように
して焼成しだテルル化カドミウム焼結膜上にカーボンペ
ーストをスクリーン印刷機を用いて印刷し、乾燥後、3
50℃で30分間不活性ガス中で熱処理してカーボン電
極を形成した。カーボンペースト中には微量のアクセプ
タ不純物が含有されており、熱処理中にこの不祠物がテ
ルル化カドミ、/ ラム中に拡散しP形のテルル化カドミウムができ、n形
の硫化カドミウムとの間にp −n接合が形成される。
最後に、硫化カドミウム側に銀−インジウムペーストを
スクリーン印刷して硫化カドミラの太陽電池は90 m
W/c71の太陽光下で変換効率7.2%、開放端電圧
0.73V、短絡電流18 、2mA/cIIの性能を
示し、屋外実働寿命試験6ケ月間で劣化は全く見られな
かった。一方、テルル化カドミウム膜を一回だけ性成し
て作った太陽電池素子すなわち、アルミナ焼成ボートの
有孔蓋をと9、もう一度焼成するという工程を省略した
素子の性能は、90mW/diの太陽光下で変換効率6
.8 % 。
スクリーン印刷して硫化カドミラの太陽電池は90 m
W/c71の太陽光下で変換効率7.2%、開放端電圧
0.73V、短絡電流18 、2mA/cIIの性能を
示し、屋外実働寿命試験6ケ月間で劣化は全く見られな
かった。一方、テルル化カドミウム膜を一回だけ性成し
て作った太陽電池素子すなわち、アルミナ焼成ボートの
有孔蓋をと9、もう一度焼成するという工程を省略した
素子の性能は、90mW/diの太陽光下で変換効率6
.8 % 。
開放端電圧0.69 V 、短絡電流17 、9mA/
cIlであシ、屋外実働寿命試験6ケ月間で劣化率12
チを示した。
cIlであシ、屋外実働寿命試験6ケ月間で劣化率12
チを示した。
上記したように、テルル化カドミウム焼結膜をもう一部
焼成ボートの蓋をとって再焼成することにより、太陽電
池の初期性能、寿命特性とも良くなることがわかった。
焼成ボートの蓋をとって再焼成することにより、太陽電
池の初期性能、寿命特性とも良くなることがわかった。
この原因は明らかではないが、蓋をとって再焼成するこ
とにより、テルル化カドミウム焼結膜中に微量残存して
いる塩化カドミウムが少なくなることが初期性能、寿命
特性に好結果をもたらすのではないかと考えられる〇(
実施例3) カドミウム粉末とテルル粉末をモル重量比で1.05:
1に混合した原料100grに対し塩化カドミウムを0
.6gr加え、粘度調節のために有機結合剤を適当量入
れペーストを作製した。次にミスクリーン印刷機を用い
てこのペーストを硫化カドミウム焼結膜」−に印刷し、
乾燥後、有孔蓋付きアルミナボートに入れ、ベルト式連
続焼成炉で600℃で焼成した。次に有孔蓋を取った状
態でもう一部ベルト式連続焼成炉で焼成した。焼成吊、
カドミウムとテルルが反応しテルル化カドミウム焼結膜
ができた。この後、実施例2と同様にカーボン電極、銀
−インジウム電極を形成して太陽電池素子を完成した。
とにより、テルル化カドミウム焼結膜中に微量残存して
いる塩化カドミウムが少なくなることが初期性能、寿命
特性に好結果をもたらすのではないかと考えられる〇(
実施例3) カドミウム粉末とテルル粉末をモル重量比で1.05:
1に混合した原料100grに対し塩化カドミウムを0
.6gr加え、粘度調節のために有機結合剤を適当量入
れペーストを作製した。次にミスクリーン印刷機を用い
てこのペーストを硫化カドミウム焼結膜」−に印刷し、
乾燥後、有孔蓋付きアルミナボートに入れ、ベルト式連
続焼成炉で600℃で焼成した。次に有孔蓋を取った状
態でもう一部ベルト式連続焼成炉で焼成した。焼成吊、
カドミウムとテルルが反応しテルル化カドミウム焼結膜
ができた。この後、実施例2と同様にカーボン電極、銀
−インジウム電極を形成して太陽電池素子を完成した。
この太陽電池は90mW/CnYの太陽光下で変換効率
7.7.開放端電圧o 、 72V 。
7.7.開放端電圧o 、 72V 。
短絡電流20.3mA/cTLの性能を示し、屋外実働
寿命試験6ケ月間で劣化は全く見られなかった。
寿命試験6ケ月間で劣化は全く見られなかった。
一方、−回だけ焼成して作製した太陽電池素子の性能は
90mW/crlの太陽光下で変換効率6.1%。
90mW/crlの太陽光下で変換効率6.1%。
開放端電圧o、6aV、短絡電流19.8mA/iであ
り、屋外実働寿命試験6ケ月間で劣化率18%を示した
。
り、屋外実働寿命試験6ケ月間で劣化率18%を示した
。
以上の説明から明らかなように、本発明によれば、60
0℃近傍の低温焼成で低抵抗の焼結膜を作製することが
でき、従って、初期特性、寿命特性とも良好な太陽電池
の製造が可能となるため、その実用上の価値は大なるも
のがある。
0℃近傍の低温焼成で低抵抗の焼結膜を作製することが
でき、従って、初期特性、寿命特性とも良好な太陽電池
の製造が可能となるため、その実用上の価値は大なるも
のがある。
第1図は本発明の製造方法に使用するベルト式連続焼成
炉の概略構成図、第2図(A) 、 (It)は本発明
に使用する有効蓋の平面図と断面図、第3図(A)。 (B)は本発明に使用するアルミナ焼成ケースの平面図
と断面図である。 1・・・・・・ヒーター、2・・・・・・炉心管、3・
・・・・・アルミナ焼成ボート、4・・・・・・ベルト
、5.6・・・・・・パイプ。
炉の概略構成図、第2図(A) 、 (It)は本発明
に使用する有効蓋の平面図と断面図、第3図(A)。 (B)は本発明に使用するアルミナ焼成ケースの平面図
と断面図である。 1・・・・・・ヒーター、2・・・・・・炉心管、3・
・・・・・アルミナ焼成ボート、4・・・・・・ベルト
、5.6・・・・・・パイプ。
Claims (2)
- (1)硫化カドミウム粉末に一定量の塩化カドミウム粉
末を加えてペースト状にしたものを基板に塗布し、この
基板を有孔蓋付きのポートに収納して焼成炉内で連続移
動焼成した後、上記ボートの蓋を取った状態で再度連続
移動焼成することを特徴とする焼結膜の製造方法。 - (2) テルル化カドミウム粉末またはカドミウムと
テルルの混合粉末に、一定量の塩化カドミウム粉末を加
えてペースト状にしたものをガラス基板に塗布し、この
ガラス基板を有孔蓋付きのボートに収納して焼成炉内で
連続移動焼成した後、上記ポートの蓋を・取った状態で
再度連続移動焼成することを特徴とする焼結膜の製造方
法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57151739A JPS5941875A (ja) | 1982-09-02 | 1982-09-02 | 焼結膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57151739A JPS5941875A (ja) | 1982-09-02 | 1982-09-02 | 焼結膜の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5941875A true JPS5941875A (ja) | 1984-03-08 |
JPS6250066B2 JPS6250066B2 (ja) | 1987-10-22 |
Family
ID=15525223
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57151739A Granted JPS5941875A (ja) | 1982-09-02 | 1982-09-02 | 焼結膜の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5941875A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008301662A (ja) * | 2007-06-01 | 2008-12-11 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 制御盤装置 |
CN102261838A (zh) * | 2011-05-31 | 2011-11-30 | 江苏顺风光电科技有限公司 | 太阳能电池片烧结炉履带 |
CN110718605A (zh) * | 2018-07-12 | 2020-01-21 | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 | 太阳能电池片的烧结方法、降低其光致衰减的方法及得到的太阳能电池片 |
-
1982
- 1982-09-02 JP JP57151739A patent/JPS5941875A/ja active Granted
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008301662A (ja) * | 2007-06-01 | 2008-12-11 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 制御盤装置 |
CN102261838A (zh) * | 2011-05-31 | 2011-11-30 | 江苏顺风光电科技有限公司 | 太阳能电池片烧结炉履带 |
CN110718605A (zh) * | 2018-07-12 | 2020-01-21 | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 | 太阳能电池片的烧结方法、降低其光致衰减的方法及得到的太阳能电池片 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS6250066B2 (ja) | 1987-10-22 |
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