CN102660771A - 非线性光学晶体硼酸氧镉钆 - Google Patents
非线性光学晶体硼酸氧镉钆 Download PDFInfo
- Publication number
- CN102660771A CN102660771A CN2012101252284A CN201210125228A CN102660771A CN 102660771 A CN102660771 A CN 102660771A CN 2012101252284 A CN2012101252284 A CN 2012101252284A CN 201210125228 A CN201210125228 A CN 201210125228A CN 102660771 A CN102660771 A CN 102660771A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- cadmium
- nonlinear optical
- crystal
- optical crystal
- gadolinium
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 80
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 51
- JOIQQOPUWMAMCX-UHFFFAOYSA-N [Gd].[Cd].[O].B(O)(O)O Chemical compound [Gd].[Cd].[O].B(O)(O)O JOIQQOPUWMAMCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 title 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 17
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 16
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 14
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 12
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 22
- JVJFGWDSFSYVMW-UHFFFAOYSA-N [Cd].[Gd] Chemical compound [Cd].[Gd] JVJFGWDSFSYVMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- 230000004907 flux Effects 0.000 claims description 9
- BTBUEUYNUDRHOZ-UHFFFAOYSA-N Borate Chemical compound [O-]B([O-])[O-] BTBUEUYNUDRHOZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 6
- -1 borate compound Chemical class 0.000 claims description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 5
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 4
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims description 4
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 4
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 3
- 239000000155 melt Substances 0.000 claims description 3
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000001354 calcination Methods 0.000 claims 1
- 238000010532 solid phase synthesis reaction Methods 0.000 abstract description 2
- KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N boric acid Chemical compound OB(O)O KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 4
- 235000019796 monopotassium phosphate Nutrition 0.000 abstract 2
- 239000007836 KH2PO4 Substances 0.000 abstract 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 239000004327 boric acid Substances 0.000 abstract 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 abstract 1
- 229910000402 monopotassium phosphate Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 abstract 1
- GNSKLFRGEWLPPA-UHFFFAOYSA-M potassium dihydrogen phosphate Chemical compound [K+].OP(O)([O-])=O GNSKLFRGEWLPPA-UHFFFAOYSA-M 0.000 abstract 1
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 8
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 7
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 5
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000003517 fume Substances 0.000 description 4
- 239000004570 mortar (masonry) Substances 0.000 description 4
- 238000003746 solid phase reaction Methods 0.000 description 4
- 238000005303 weighing Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 3
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 3
- 101150103402 CDON gene Proteins 0.000 description 2
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L Carbonate Chemical compound [O-]C([O-])=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 150000004649 carbonic acid derivatives Chemical class 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000003814 drug Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000009022 nonlinear effect Effects 0.000 description 2
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 238000010671 solid-state reaction Methods 0.000 description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 2
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N gadolinium atom Chemical compound [Gd] UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 description 1
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 238000012805 post-processing Methods 0.000 description 1
- 238000001144 powder X-ray diffraction data Methods 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 1
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 1
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
本发明涉及非线性光学晶体硼酸氧镉钆。其化学式Cd4GdO(BO3)3，属于单斜晶系，空间群为Cm，晶胞参数为
α＝γ＝90°，β＝100.22°，z＝2，单胞体积为
它的倍频系数是KH2PO4(KDP)的5倍。它的透过波段为340-6250nm。采用固相合成方法在高温下烧结获得Cd4GdO(BO3)3化合物。使用熔盐法，以B2O3做助熔剂可以成功生长出单晶体。Cd4GdO(BO3)3具有非线性光学效应，且不潮解，物化性质稳定，可在各种非线性光学领域中得到广泛应用。
Description
技术领域
本发明涉及一种新型光电子功能材料及生长方法和用途，特别是涉及一种非线性光学晶体材料及其制备方法和用途，即硼酸氧镉钆，其化学式为Cd4GdO(BO3)3。
技术背景
晶体的非线性光学效应是指这样一种效应：当一束具有某种偏振方向的激光按一定入射方向通过一块非线性光学晶体(如Cd4GdO(BO3)3)时，该光束的频率将发生变化。
具有非线型光学效应的晶体称为非线性光学晶体。利用非线性光学晶体进行激光频率转换，拓宽激光波长的范围，使激光的应用更加广泛。尤其是硼酸盐类非线性光学晶体如BBO、LBO、KBBF、SBBO、TBO、KABO、BABO等晶体以其优异的光学性质而倍受关注。
目前在紫外区可应用的非线性光学晶体主要是LBO(LiB3O5)与BBO(BaB2O4)两种，它们的生长技术与生长工艺已经非常成熟，能够生长出高质量，大尺寸的单晶。BBO晶体是迄今为止能产生有效五倍频的紫外非线性光学晶体之一，同时还能通过和频的方法得到有效的193nm的输出。此晶体具有较大的折射率，能实现从202.8nm到2600nm范围的直接倍频，因此广泛应用于光参量振荡和各种谐波发生器中。LBO具有宽的透光范围，光学均匀性好，倍频系数适中，接收角比较宽，可以实现90°非临界相位匹配。由于LBO的双折射率太小，从而限制了它在紫外区的相位匹配范围。由于LBO晶体的热膨胀系数的各向异性，导致在高温镀膜时容易造成晶体器件的损伤，而BBO晶体有微弱潮解，容易在器件加工过程中造成损伤，所以我们必须寻找新型的紫外非线性晶体来弥补这一缺陷。
新型非线性晶体应该具有很宽的透过波段和大的非线性效用，以及良好的物化性能。引入非对称单元的CdOn进入稀土硼酸盐体系既能有效增大非线性效应，也能获得良好的物化性能。经过固相合成，晶体生长，单晶结构测定，我们得到了Cd4GdO(BO3)3，证实了这种设想是可能的。
发明内容
本发明的目的在于提供一种硼酸氧镉钆化合物，其化学式为Cd4GdO(BO3)3。
本发明的另一目的在于提供一种硼酸氧镉钆化合物制备方法。
本发明的另一目的在于提供一种硼酸氧镉钆非线性光学晶体，其化学式为Cd4GdO(BO3)3。
本发明的再一目的在于提供一种硼酸氧镉钆非线性光学晶体的生长方法。
本发明还有一个目的在于提供硼酸氧镉钆非线性光学晶体的用途。
本发明的技术方案如下：
本发明提供的硼酸氧镉钆化合物，其化学式为Cd4GdO(BO3)3。
本发明提供的硼酸氧镉钆化合物的制备方法，其步骤如下：将含Cd、Gd和B的化合物原料按其摩尔比为Cd∶Gd∶B＝4∶1∶3的比例均匀混合研磨后，装入铂坩锅中，缓慢升温300～400℃后，预烧1～5小时；冷却至室温，取出研磨；然后在800～900℃下烧结12～20小时，冷却至室温，取出研磨，得到本发明的粉末状硼酸氧镉钆化合物，对其进行XRD检测(图3a)，其分子式为Cd4GdO(BO3)3。所述的含Cd化合物原料为含镉的氧化物或碳酸盐，所述的含Gd化合物原料为含钇的氧化物或碳酸盐，所述的含B化合物原料为B2O3或H3BO3.
本发明提供的硼酸氧镉钆非线性光学晶体，其化学式为Cd4GdO(BO3)3，属于单斜晶系，空间群为Cm，晶胞参数为
α＝γ＝90°，β＝100.22°，z＝2，单胞体积为
晶体结构如图2。
本发明提供的硼酸氧镉钆非线性光学晶体的生长方法，其步骤如下：以B2O3为助熔剂生长，以B为基准时溶质与溶剂摩尔比为1/2～1/1，将原料按上述比例混合均匀，升温1150～1200℃至原料完全熔化，恒温1～20小时后，迅速降温至饱和温度以上5～10℃，然后按每日1～5℃的速率降温至800℃，关闭炉子；待样品冷却至室温后，用水洗去助熔剂，即获得本发明的尺寸为0.5×0.4×0.4mm硼酸氧镉钆非线性光学晶体。
采用的化合物原料为含镉的氧化物或碳酸盐，含钆的氧化物或碳酸盐，以及B2O3或H3BO3，得到的晶体状硼酸氧镉钆，再研磨成粉末，对其进行XRD检测，结果如图3b。
本发明提供的硼酸氧镉钆非线性光学晶体的生长方法，其步骤如下：采用B2O3助熔剂体系，以B为基准时溶质与溶剂摩尔比为1/2～1/1，将原料按上述比例混合均匀，升温1150～1200℃至原料完全熔化，恒温1～20小时后，迅速降温至饱和温度以上5～10℃，将籽晶固定在籽晶杆的下端与熔体液面接触开始晶体生长；籽晶杆的旋转速度为10～20转/分，降温至饱和温度，然后按1～5℃/天的速率缓慢降温；降温结束后将晶体提离液面，以10～30℃/小时的速率降至室温，获得本发明的尺寸为12×10×10mm硼酸氧镉钆非线性光学晶体。尺寸为12×10×10mm，再研磨成粉末，对其进行XRD检测，结果如图3b。
本发明提供的硼酸氧镉钆非线性光学晶体的用途，该非线性光学晶体硼酸氧镉钆用于激光器激光输出的频率变换。
本发明提供的硼酸氧镉钆非线性光学晶体的用途，该晶体用于对波长为1.064μm的激光光束产生2倍频，3倍频谐波光输出。
本发明提供的硼酸氧镉钆非线性光学晶体的用途，所述的非线性光学晶体为用于紫外区的谐波发生器，光参量与放大器件及光波导器件。
本发明提供的硼酸氧镉钆非线性光学晶体的用途，所述的非线性光学晶体为从红外到紫外区的光参量与放大器件。
本发明的效果在于提供了一种化学式为Cd4GdO(BO3)3的化合物，该化合物的非线性光学晶体及其制备方法和用途。使用粉末倍频测试方法测量了Cd4GdO(BO3)3的相位匹配能力，其粉末倍频效应为它的倍频系数是KH2PO4(KDP)的5倍。Cd4GdO(BO3)3晶体能够实现Nd:YAG(λ＝1.064μm)的2倍频，并且，可以预测Cd4GdO(BO3)3能够用于Nd:YAG的3倍频的谐波发生器。另外，Cd4GdO(BO3)3单晶无色透明，为同成分熔融化合物，熔点约1100℃，化学稳定性好。所以可以预见，Cd4GdO(BO3)3将在各种非线性光学领域中获得广泛应用。
附图说明
图1是Cd4GdO(BO3)3晶体作为倍频晶体应用时非线性光学效应的典型示意图，其中1是激光器，2是入射激光束，3是经晶体后处理及光学加工的Cd4GdO(BO3)3单晶体，4是所产生的出射激光束，5是滤波片。
图2是Cd4GdO(BO3)3晶体单胞结构示意图。
图3是Cd4GdO(BO3)3的x射线衍射图谱，其中3a是固相合成Cd4GdO(BO3)3粉末样品的衍射图，3b是Cd4GdO(BO3)3单晶研磨成粉末后的衍射图。粉末x射线衍射数据使用MiniFlex衍射仪在常温下收集。
具体实施方式
实施例1
采用高温固相反应合成化合物Cd4GdO(BO3)3
所用原料：CdCO3 2.7587克(0.016mol)
Gd2O3 0.7250克(0.002mol)
H3BO3 0.7432克(0.012mol)
其化学反应方程式为：
8CdCO3+Gd2O3+6H3BO3＝2Cd4GdO(BO3)3
具体操作步骤如下：在操作箱内将上述原料按上述剂量称好后，放入研钵中混合均匀并仔细研磨，然后装入Φ30×30mm的铂坩锅中，用药匙将其压紧加盖，放入马弗炉中(马弗炉置于通风橱内，通风橱排气口通过水箱排气)，缓慢升温至400℃并恒温预烧3小时，开始升温速率一定要缓慢，防治因分解造成配比的变化，使固相反应充分进行。冷却后取出坩锅，此时样品较疏松。接着取出样品在操作箱内重新研磨均匀，再置于坩锅中压紧加盖，在马弗炉内于900℃下烧结20小时，冷却后取出，这时样品结成一块，将样品放入研钵中捣碎研磨即得产品。对该产物进行X射线分析，所得谱图(图3a)与Cd4GdO(BO3)3单晶研磨成粉末后的X射线图(图3b)是一致的。
实施例2
采用高温固相反应合成化合物Cd4GdO(BO3)3
所用原料：CdO 2.0546克(0.016mol)
Gd2O3 0.7250克(0.002mol)
H3BO3 0.7432克(0.012mol)
其化学反应方程式为：
8CdO+Gd2O3+6H3BO3＝2Cd4GdO(BO3)3
具体操作步骤如下：在操作箱内将上述原料按上述剂量称好后，放入研钵中混合均匀并仔细研磨，然后装入Φ30×30mm的铂坩锅中，用药匙将其压紧加盖，放入马弗炉中(马弗炉置于通风橱内，通风橱排气口通过水箱排气)，缓慢升温至400℃并恒温预烧3小时，开始升温速率一定要缓慢，防治因分解造成配比的变化，使固相反应充分进行。冷却后取出坩锅，此时样品较疏松。接着取出样品在操作箱内重新研磨均匀，再置于坩锅中压紧加盖，在马弗炉内于900℃下烧结20小时，冷却后取出，这时样品结成一块，将样品放入研钵中捣碎研磨即得产品。对该产物进行X射线分析，所得谱图(图3a)与Cd4GdO(BO3)3单晶研磨成粉末后的X射线图(图3b)是一致的。
实施例3
采用熔盐法生长晶体Cd4GdO(BO3)3
晶体生长装置为自制的电阻丝加热炉，控温设备为908PHK20型可编程自动控温仪。选用B2O3做助熔剂，自发成核得到晶体。
具体操作步骤如下：将上述原料按上述剂量称好后，混合均匀，然后装入Φ60×60mm的铂坩锅中，置于自制生长炉内，升温1200℃至原料完全熔化，恒温10小时后，迅速降温至饱和温度以上5～10℃，然后按每日3℃的速率降温至600℃，关闭炉子。待样品冷却后，用水洗去助熔剂，即获得透明的Cd4GdO(BO3)3单晶，其尺寸为0.5×0.4×0.4mm。
实施例4
采用熔盐法生长晶体Cd4GdO(BO3)3
晶体生长装置为自制的电阻丝加热炉，控温设备为908PHK20型可编程自动控温仪。选用B2O3做助熔剂，将实例3得到的晶体进行定向切割成所设计的籽晶。
具体操作步骤如下：将上述原料按上述剂量称好后，混合均匀，然后装入Φ60×60mm的铂坩锅中，置于自制生长炉内，升温1200℃至原料完全熔化，恒温10小时后，迅速降温至饱和温度以上5～10℃，将籽晶固定在籽晶杆的下端，从炉顶部的小孔导入坩埚，使籽晶与熔体液面接触开始晶体生长。籽晶杆的旋转速度为15转/分，降温至饱和温度，然后按1℃/天的速率缓慢降温。降温结束后将晶体提离液面，以20℃/小时的速率降至室温，即获得较大尺寸的Cd4GdO(BO3)3单晶，其尺寸为12×10×10mm。
实施例5
将实例4得到的晶体，加工切割，定向，抛光后置于图1所示装置中的3的位置，在室温下，用调Q Nd:YAG激光做输入光源，入射波长为1064nm，观察到明显的532nm倍频绿光输出，输出强度约为同等条件KDP的5倍。
Claims (9)
1.化合物硼酸氧镉钆，其特征在于：其化学式Cd4GdO(BO3)3，属于单斜晶系，空间群为Cm，晶胞参数为 
α＝γ＝90°，β＝100.22°，z＝2，单胞体积为 
2.一种权利要求1的硼酸氧镉钆化合物的制备方法，其特征在于：将含Cd、Gd和B的化合物原料按适当比例均匀混合研磨后，缓慢升温300～400℃后，预烧1～5小时；冷却至室温，取出研磨；然后在800～900℃下烧结12～20小时，冷却至室温即可获得硼酸氧镉钆化合物。
3.权利要求1的化合物硼酸氧镉钆的非线性光学晶体。
4.一种权利要求3所述的硼酸氧镉钆非线性光学晶体的生长方法，采用熔盐法生长，其特征在于：以B2O3为助熔剂生长，以B为基准时溶质与溶剂摩尔比为1/2～1/1，将原料按上述比例混合均匀，升温1150～1200℃至原料完全熔化，恒温1～20小时后，迅速降温至饱和温度以上5～10℃，然后按每日1～5℃的速率降温至800℃，关闭炉子；待样品冷却至室温后，用水洗去助熔剂，即获得所述的硼酸氧镉钆非线性光学晶体。
5.一种权利要求3所述的硼酸氧镉钆非线性光学晶体的生长方法，采用熔盐法生长，其特征在于：采用B2O3助熔剂体系，以B为基准时溶质与溶剂摩尔比为1/2～1/1，将原料按上述比例混合均匀，升温1150～1200℃至原料完全熔化，恒温1～20小时后，迅速降温至饱和温度以上5～10℃，将籽晶固定在籽晶杆的下端与熔体液面接触开始晶体生长；籽晶杆的旋转速度为10～20转/分，降温至饱和温度，然后按1～5℃/天的速率缓慢降温；降温结束后将晶体提离液面，以10～30℃/小时的速率降至室温，获得所述的硼酸氧镉钆非线性光学晶体。
6.一种权利要求3所述的硼酸氧镉钆非线性光学晶体的用途，其特征在于： 该非线性光学晶体用于激光器激光输出的频率变换。
7.一种权利要求6所述的硼酸氧镉钆非线性光学晶体的用途，其特征在于：该晶体用于对波长为1.064μm的激光光束产生2倍频或3倍频谐波光输出。
8.一种权利要求6所述的硼酸氧镉钆非线性光学晶体的用途，其特征在于：所述的非线性光学晶体用于制备紫外区的谐波发生器，光参量与放大器件及光波导器件。
9.一种权利要求6所述的硼酸氧镉钆非线性光学晶体的用途，其特征在于：所述的非线性光学晶体用于制备从红外到紫外区的光参量与放大器件。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2012101252284A CN102660771A (zh) | 2012-04-25 | 2012-04-25 | 非线性光学晶体硼酸氧镉钆 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2012101252284A CN102660771A (zh) | 2012-04-25 | 2012-04-25 | 非线性光学晶体硼酸氧镉钆 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN102660771A true CN102660771A (zh) | 2012-09-12 |
Family
ID=46770344
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN2012101252284A Pending CN102660771A (zh) | 2012-04-25 | 2012-04-25 | 非线性光学晶体硼酸氧镉钆 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN102660771A (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103451730A (zh) * | 2012-06-05 | 2013-12-18 | 中国科学院理化技术研究所 | Cd4RO(BO3)3化合物、Cd4RO(BO3)3光学晶体及制法和用途 |
| CN115341262A (zh) * | 2022-07-29 | 2022-11-15 | 中国科学院理化技术研究所 | 一种钆基硼酸盐晶体及其制备方法和应用 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1236027A (zh) * | 1998-05-14 | 1999-11-24 | 中国科学技术大学 | 化合物r2mb10o19非线性光学晶体及其制法和用途 |
| CN102031562A (zh) * | 2009-09-28 | 2011-04-27 | 中国科学院福建物质结构研究所 | 一种非线性光学晶体硼酸铋镉 |
| CN102260912A (zh) * | 2010-05-12 | 2011-11-30 | 中国科学院福建物质结构研究所 | 新型非线性光学晶体低温相硼酸铍钾 |
-
2012
- 2012-04-25 CN CN2012101252284A patent/CN102660771A/zh active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1236027A (zh) * | 1998-05-14 | 1999-11-24 | 中国科学技术大学 | 化合物r2mb10o19非线性光学晶体及其制法和用途 |
| CN102031562A (zh) * | 2009-09-28 | 2011-04-27 | 中国科学院福建物质结构研究所 | 一种非线性光学晶体硼酸铋镉 |
| CN102260912A (zh) * | 2010-05-12 | 2011-11-30 | 中国科学院福建物质结构研究所 | 新型非线性光学晶体低温相硼酸铍钾 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 张帆: "新型硼酸盐非线性光学晶体的生长与性质研究", 《中国博士学位论文全文数据库 工程科技I辑》, no. 8, 15 August 2009 (2009-08-15) * |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103451730A (zh) * | 2012-06-05 | 2013-12-18 | 中国科学院理化技术研究所 | Cd4RO(BO3)3化合物、Cd4RO(BO3)3光学晶体及制法和用途 |
| CN103451730B (zh) * | 2012-06-05 | 2016-11-23 | 中国科学院理化技术研究所 | Cd4RO(BO3)3化合物、Cd4RO(BO3)3光学晶体及制法和用途 |
| CN115341262A (zh) * | 2022-07-29 | 2022-11-15 | 中国科学院理化技术研究所 | 一种钆基硼酸盐晶体及其制备方法和应用 |
| CN115341262B (zh) * | 2022-07-29 | 2023-08-01 | 中国科学院理化技术研究所 | 一种钆基硼酸盐晶体及其制备方法和应用 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN101545138B (zh) | 非线性光学晶体硼铍酸钠及其生长方法和用途 | |
| CN102978702B (zh) | 化合物氟硼酸钡和氟硼酸钡非线性光学晶体及制备方法和用途 | |
| CN101435108B (zh) | 大尺寸非线性光学晶体硼酸铅溴的制备方法 | |
| CN101498040B (zh) | 溴硼酸钾非线性光学晶体的制备方法和用途 | |
| CN101545141A (zh) | 硫化镓钡单晶体及其生长方法及其红外非线性光学器件 | |
| CN110042467A (zh) | 化合物锗酸锂铷和锗酸锂铷非线性光学晶体及制备方法和用途 | |
| CN103950912B (zh) | RbBa2(PO3)5化合物、RbBa2(PO3)5非线性光学晶体及其制法和用途 | |
| CN105668577A (zh) | K3Ba3Li2Al4B6O20F化合物、K3Ba3Li2Al4B6O20F非线性光学晶体及其制法和用途 | |
| CN103288058B (zh) | Li2In2GeSe6非线性光学晶体及制法和用途 | |
| CN102352533B (zh) | 非线性光学晶体硼酸铍钠铯 | |
| CN103590106A (zh) | 氟硼酸锶非线性光学晶体的制备方法及用途 | |
| CN103173860B (zh) | K3yb6o12化合物、k3yb6o12非线性光学晶体及制法和用途 | |
| CN101295119A (zh) | 一种新型非线性光学晶体硼酸铝镓铋 | |
| CN102650075B (zh) | 非线性光学晶体氟硼酸镉 | |
| CN106868590A (zh) | 化合物氟硼酸钡镁和氟硼酸钡镁非线性光学晶体及制备方法和用途 | |
| CN103193243A (zh) | 化合物二硼酸二铅和二硼酸二铅非线性光学晶体及制备方法和用途 | |
| CN101974783B (zh) | 化合物硼酸锂铯非线性光学晶体及其制备方法和用途 | |
| CN105839185B (zh) | Cs2LiPO4化合物、Cs2LiPO4非线性光学晶体及其制法和用途 | |
| CN102660771A (zh) | 非线性光学晶体硼酸氧镉钆 | |
| CN1321228C (zh) | 硼铝酸盐、硼铝酸盐非线性光学晶体及其生长方法和用途 | |
| CN103359755B (zh) | 化合物一氟三硼酸五钡和一氟三硼酸五钡非线性光学晶体及制备方法和用途 | |
| CN102260912A (zh) | 新型非线性光学晶体低温相硼酸铍钾 | |
| CN102260913B (zh) | 非线性光学晶体硼酸铍铷 | |
| CN103031604A (zh) | 非线性光学晶体氟碳酸钙铷 | |
| CN102660773A (zh) | 非线性光学晶体硼酸氧镉钇 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20120912 |