CN103193243A - 化合物二硼酸二铅和二硼酸二铅非线性光学晶体及制备方法和用途 - Google Patents

化合物二硼酸二铅和二硼酸二铅非线性光学晶体及制备方法和用途 Download PDF

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CN103193243A CN2013101510740A CN201310151074A CN103193243A CN 103193243 A CN103193243 A CN 103193243A CN 2013101510740 A CN2013101510740 A CN 2013101510740A CN 201310151074 A CN201310151074 A CN 201310151074A CN 103193243 A CN103193243 A CN 103193243A
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Abstract

本发明涉及一种化合物二硼酸二铅和二硼酸二铅非线性光学晶体及制备方法和用途,该化合物的化学式为Pb2B2O5,分子量为516.00;该化合物非线性光学晶体的化学式为Pb2B2O5,分子量为516.00,属于三斜晶系,空间群为P1,晶胞参数为a=6.9437(8)Å,b=7.1947(10)Å,c=7.8154(10)Å,α=76.275(7),β=76.688(7),γ=74.100(8),Z=3,V=359.03(8)Å3,其粉末倍频效应达到KDP(KH2PO4)的2倍。采用固相反应法获得二硼酸二铅化合物,再将该化合物采用高温熔液法生长晶体,即可得到二硼酸二铅非线性光学晶体。该晶体生长过程操作简单,生长周期短,并且机械硬度适中,在倍频转换、光参量振荡器等非线性光学器件中可以得到广泛应用。

Description

化合物二硼酸二铅和二硼酸二铅非线性光学晶体及制备方法和用途
技术领域
本发明涉及一种化合物二硼酸二铅和二硼酸二铅非线性光学晶体及制备方法和用途。
背景技术
1961年Franken的激光倍频实验开辟了非线性光学及其材料的新纪元。利用非线性光学晶体进行变频以获得宽调谐的各种激光光源已成为激光技术发展的前沿课题。从石英倍频晶体开始,铌酸锂、磷酸二氢钾、偏硼酸钡、三硼酸锂、铌酸钾、硼酸铯、硼酸铯锂、氟硼酸钾铍等非线性光学晶体被发现,广泛应用于激光倍频、和频、差频、光参量放大以及电光调制、电光偏转等。但是到目前为止,各种全固态激光器直接输出的激光波段有限,而且现有的一些非线性光学晶体材料存在着明显的不足。因此,人们仍在致力于寻找性能优异的新型无机非线性光学晶体。
对于非线性光学晶体材料,硼酸盐化合物被广泛的认为是一种理想的材料,因为其带隙较大,双光子吸收概率小,激光损伤阈值较高;而在硼酸盐体系中,引入具有SOJT效应的金属阳离子,易于得到非中心对称化合物,有利于产生大的SHG效应,因此二者的有效结合是探索和开发具有应用前景的新型非线性光学晶体材料的重要手段。
发明内容
本发明目的在于为解决全固态紫外激光系统对具有非线性光学效应的晶体材料的需要,提供一种化合物二硼酸二铅和二硼酸二铅非线性光学晶体及制备方法和用途,该化合物的化学式为Pb2B2O5,分子量为516.00,采用固相法制备。该化合物晶体的化学式为Pb2B2O5,分子量为516.00,不具有对称中心,属三斜晶系,空间群P1,晶胞参数为
Figure BDA00003110825400011
Figure BDA00003110825400012
α=76.275(7),β=76.688(7),γ=74.100(8),Z=3,
Figure BDA00003110825400021
其粉末倍频效应达到KDP(KH2PO4)的2倍。
本发明另一目的提供一种化合物二硼酸二铅非线性光学晶体的制备方法。
本发明又一个目的是提供一种化合物二硼酸二铅非线性光学晶体的用途,可作为制备倍频发生器、上或下频率转换器或光参量振荡器。
本发明所述的一种化合物二硼酸二铅,其特征在于该化合物的化学式为Pb2B2O5,分子量为516.00,采用固相法制备。
一种化合物二硼酸二铅非线性光学晶体,该晶体的化学式为Pb2B2O5,分子量为516.00,属于三斜晶系,空间群为P1,晶胞参数为
Figure BDA00003110825400022
α=76.275(7),β=76.688(7),γ=74.100(8),Z=3,
Figure BDA00003110825400024
所述化合物二硼酸二铅非线性光学晶体的制备方法,采用固相反应法及高温熔液法生长晶体,具体操作按下列步骤进行:
a、采用固相反应法,按摩尔比Pb:B=1:1称取含铅化合物和含硼化合物放入研钵中,研磨均匀后放入刚玉坩埚,将刚玉坩埚置于马弗炉中,缓慢升温至350℃,恒温12小时,冷却后取出坩埚,将样品研磨均匀,再置于坩埚中,将马弗炉升温至420℃,恒温48小时后将样品取出,放入研钵中仔细研磨得到二硼酸二铅化合物单相多晶粉末,再对该多晶粉末进行X射线分析,所得X射线谱图与Pb2B2O5单晶研磨成粉末后的X射线谱图是一致的;
b、将步骤a制备的二硼酸二铅化合物和助熔剂PbF2或PbF2-H3BO3混匀在坩埚中,以温度1-80℃/h的升温速率将其加热至520-600℃,恒温6-100小时,得到混合熔液;
或直接按摩尔比称取含铅化合物和硼酸与助熔剂均匀混合,以温度1-80℃/h的升温速率将其加热至520-600℃,恒温6-100小时,得到混合熔液;
c、将步骤b得到的混合熔液降温至460℃-540℃,将籽晶杆伸入液面以下,以温度0.5-5℃/h的速率缓慢降温10-40℃,将籽晶杆提出液面,籽晶杆上会有聚集物,再以温度1-80℃/h的速率降至室温,获得二硼酸二铅籽晶;
d、将步骤b的混合熔液降温至440-520℃,将步骤c得到的籽晶固定在籽晶杆上,从晶体生长炉顶部下籽晶,先将籽晶预热5-60分钟,然后将籽晶下至接触混合熔液液面或混合熔液中进行回熔,恒温5-60分钟,快速降温至430-510℃;
e、再以温度0.1-3℃/天的速率缓慢降温,以0-100rpm转速旋转籽晶杆进行晶体的生长,待单晶生长到所需尺度后,将晶体提离混合熔液表面,并以温度1-80℃/h速率降至室温,然后将晶体从炉膛中取出,即可得到二硼酸二铅非线性光学晶体。
步骤a中含铅化合物为PbO、Pb(NO3)2、PbCO3、PbC2O4或Pb(CH3COO)2;含硼的化合物为H3BO3或B2O3
步骤b二硼酸二铅与助熔剂的摩尔比为二硼酸二铅:助熔剂=1:1-5。
助熔剂PbF2-H3BO3体系中,PbF2与H3BO3的摩尔比为1-5:1-3。
所述的二硼酸二铅非线性光学晶体的用途,该晶体在制备倍频发生器、上或下频率转换器或光参量振荡器的用途。
本发明所述的化合物二硼酸二铅和二硼酸二铅非线性光学晶体及制备方法和用途,原则上,采用一般化学合成方法都可以制备化合物Pb2B2O5,现优选固相反应法,该化合物由以下几个典型的可以得到Pb2B2O5化合物的化学反应式:
(1)2PbO+2H3BO3→Pb2B2O5+3H2O↑
(2)2Pb(NO3)2+2H3BO3→Pb2B2O5+4NO2↑+3H2O↑+O2
(3)2PbCO3+2H3BO3→Pb2B2O5+2CO2↑+3H2O↑
(4)2PbC2O4+2H3BO3→Pb2B2O5+2CO2↑+3H2O↑+2CO↑
(5)2Pb(CH3COO)2+2H3BO3+8O2→Pb2B2O5+8CO2↑+9H2O↑
(6)2PbO+B2O3→Pb2B2O5
(7)2Pb(NO3)2+B2O3→Pb2B2O5+4NO2↑+O2
(8)2PbCO3+B2O3→Pb2B2O5+2CO2
(9)2PbC2O4+B2O3→Pb2B2O5+2CO2↑+2CO↑
(10)2Pb(CH3COO)2+B2O3+8O2→Pb2B2O5+8CO2↑+6H2O↑。
本发明提供化合物二硼酸二铅非线性光学晶体,该晶体化学式为Pb2B2O5,不具有对称中心,三斜晶系,空间群P1,晶胞参数为
Figure BDA00003110825400042
α=76.275(7),β=76.688(7),γ=74.100(8),Z=3,
Figure BDA00003110825400043
本发明提供化合物Pb2B2O5非线性光学晶体的制备方法,采用助熔剂法生长晶体,可获得尺寸为厘米级的Pb2B2O5。该晶体具有硬度适中,机械性能好,不易潮解,易于加工等优点。采用本发明所述方法获得的化合物二硼酸二铅非线性光学晶体制成的非线性光学器件,在室温下,用Nd:YAG调Q激光器作光源,入射波长为1064nm的红外光,输出波长为532nm的绿色激光,激光强度相当于KDP(KH2PO4)的2倍。
附图说明
图1为本发明Pb2B2O5的X-射线衍射图;
图2为本发明Pb2B2O5单晶结构图;
图3为本发明Pb2B2O5晶体制作的非线性光学器件的工作原理图,其中1为激光器,2为发出光束,3为Pb2B2O5晶体,4为出射光束,5为滤波片。
具体实施方式
以下结合附图和实施例对本发明进行详细说明:
实施例1:
按反应式:2PbO+2H3BO3→Pb2B2O5+3H2O↑合成Pb2B2O5化合物;
a、将PbO和H3BO3按摩尔比1:1放入研钵中,混合并仔细研磨,然后装入Φ100mm×100mm的开口刚玉坩埚中,放入马弗炉中,缓慢升温至350℃,恒温12小时,冷却后取出坩埚,将样品研磨均匀,再置于坩埚中,将马弗炉升温至420℃,恒温48小时后将样品取出,放入研钵中仔细研磨得到二硼酸二铅化合物单相多晶粉末,再对该多晶粉末进行X射线分析,所得X射线谱图与Pb2B2O5单晶研磨成粉末后的X射线谱图是一致的;
反应式中的氧化铅可以用硝酸铅、碳酸铅、草酸铅以及醋酸铅替换,硼酸可由氧化硼替换;
b、将合成的二硼酸二铅Pb2B2O5化合物与助熔剂PbF2按摩尔比Pb2B2O5:PbF2=1:2进行混配,装入Φ80mm×80mm的开口铂金坩埚中,以温度1℃/h的升温速率将其加热至520℃,恒温6小时,得到二硼酸二铅混合熔液;
c、再将混合熔液降温至460℃,将籽晶杆快速伸入液面以下,以温度0.5℃/h的速率缓慢降温10℃,将籽晶杆提出液面,籽晶杆上会有聚集物,再以温度1℃/h的速率降至室温,获得Pb2B2O5籽晶;
d、在化合物熔液中生长晶体:将步骤b得到的混合熔液降温至440℃,将步骤c获得的Pb2B2O5籽晶固定于籽晶杆上,从晶体生长炉顶部下籽晶,先将籽晶预热5分钟,然后将籽晶下至接触混合熔液液面进行回熔,恒温5分钟,快速降温至430℃;
再以温度2℃/天的速率降温,以5rpm的转速旋转籽晶杆,待晶体生长结束后,使晶体脱离液面,以温度1℃/小时的速率降至室温,即可获得尺寸为16mm×18mm×25mm的Pb2B2O5晶体。
实施例2:
按反应式:2PbCO3+B2O3→Pb2B2O5+2CO2↑合成Pb2B2O5化合物;
将PbCO3和B2O3按摩尔比2:1直接称取原料,将称取的原料与助熔剂PbF2-H3BO3按摩尔比1:2进行混配,其中PbF2与H3BO3的摩尔比为1:3,装入Φ80mm×80mm的开口铂金坩埚中,以温度20℃/h的升温速率将其加热至530℃,恒温15小时,得到二硼酸二铅混合熔液;
将混合熔液降温至470℃,再将籽晶杆快速伸入液面下,以温度1℃/h的速率缓慢降温至440℃,将籽晶杆提出液面,籽晶杆上会有聚集物,再以温度20℃/h的速率降至室温,获得Pb2B2O5籽晶;
在化合物熔液中生长晶体:将得到的混合熔液降温至450℃,将获得的Pb2B2O5籽晶固定于籽晶杆上,从晶体生长炉顶部下籽晶,先将籽晶预热10分钟,然后将籽晶下至混合熔液中进行回熔,恒温10分钟,快速降温至445℃;
再以温度1℃/天的速率缓慢降温,以10rpm的转速旋转籽晶杆,待晶体生长到所需尺度后,将晶体提离熔液表面,以温度20℃/h速率降至室温,然后将晶体从炉膛中取出,即可获得尺寸为13mm×15mm×19mm的Pb2B2O5晶体。
实施例3:
按反应式:2Pb(CH3COO)2+2H3BO3+8O2→Pb2B2O5+8CO2↑+9H2O↑合成Pb2B2O5化合物;
将Pb(CH3COO)2和H3BO3按摩尔比1:1放入研钵中,混合并仔细研磨,然后装入Φ100mm×100mm的开口刚玉坩埚中,放入马弗炉中,缓慢升温至350℃,恒温12小时,冷却后取出坩埚,将样品研磨均匀,再置于坩埚中,将马弗炉升温至420℃,恒温48小时后将样品取出,放入研钵中仔细研磨得到化合物二硼酸二铅单相多晶粉末,再对该多晶粉末进行X射线分析,所得X射线谱图与Pb2B2O5单晶研磨成粉末后的X射线谱图是一致的;
反应式中的醋酸铅可以用硝酸铅、碳酸铅、草酸铅以及氧化铅替换,硼酸可由氧化硼替换;
将合成的二硼酸二铅化合物与助熔剂PbF2按摩尔比2:3进行混配,装入Φ80mm×80mm的开口铂金坩埚中,以温度50℃/h的升温速率将其加热至540℃,恒温20小时,得到二硼酸二铅Pb2B2O5混合熔液;
再将混合熔液降温至475℃,将籽晶杆快速伸入液面以下,以温度2℃/h的速率缓慢降温20℃,将籽晶杆提出液面,籽晶杆上会有聚集物,再以温度30℃/h的速率降至室温,获得Pb2B2O5籽晶;
在化合物熔液中生长晶体:将步骤b得到的混合熔液降温至460℃,将步骤c获得的Pb2B2O5籽晶固定于籽晶杆上,从晶体生长炉顶部下籽晶,先将籽晶预热10分钟,然后将籽晶下至接触混合熔液液面进行回熔,恒温5分钟,快速降温至440℃;
再以温度3℃/天的速率降温,以7rpm的转速旋转籽晶杆,待晶体生长结束后,使晶体脱离液面,以温度30℃/小时的速率降至室温,即可获得尺寸为11mm×12mm×17mm的Pb2B2O5晶体。
实施例4:
按反应式:2Pb(NO3)2+B2O3→Pb2B2O5+4NO2↑+O2↑合成Pb2B2O5化合物;
将Pb(NO3)2和B2O3按摩尔比2:1直接称取原料,将称取的原料与助熔剂PbF2-H3BO3按摩尔比1:5进行混配,其中PbF2与H3BO3的摩尔比为3:2,装入Φ80mm×80mm的开口铂金坩埚中,以温度40℃/h的升温速率将其加热至560℃,恒温60小时,得到二硼酸二铅混合熔液;
将混合熔液降温至500℃,将籽晶杆快速伸入液面下,以温度2℃/h的速率缓慢降温20℃,将籽晶杆提出液面,籽晶杆上会有聚集物,再以温度40℃/h的速率降至室温,获得Pb2B2O5籽晶;
在化合物熔液中生长晶体:将得到的混合熔液降温至480℃,将获得的Pb2B2O5籽晶固定于籽晶杆上,从晶体生长炉顶部下籽晶,先将籽晶预热30分钟,然后将籽晶下至接触混合熔液液面进行回熔,恒温30分钟,快速降温至温度475℃;
再以温度3℃/天的速率缓慢降温,以60rpm的转速旋转籽晶杆,待晶体生长到所需尺度后,将晶体提离熔液表面,以温度40℃/h速率降至室温,然后将晶体从炉膛中取出,即可获得尺寸为14mm×17mm×23mm的Pb2B2O5晶体。
实施例5:
按反应式:2PbC2O4+2H3BO3→Pb2B2O5+2CO2↑+3H2O↑+2CO↑合成Pb2B2O5化合物;
将PbC2O4和H3BO3按摩尔比1:1直接称取原料,将称取的原料与助熔剂PbF2-H3BO3按摩尔比1:1进行混配,其中PbF2与H3BO3的摩尔比为5:3,装入Φ80mm×80mm的开口铂金坩埚中,以温度80℃/h的升温速率将其加热至600℃,恒温100小时,得到二硼酸二铅混合熔液;
将混合熔液降温至540℃,将籽晶杆快速伸入液面下,以温度5℃/h的速率缓慢降40℃,将籽晶杆提出液面,籽晶杆上会有聚集物,再以温度60℃/h的速率降至室温,获得二硼酸二铅籽晶;
在化合物熔液中生长晶体:将得到的混合熔液降温至520℃,将获得的Pb2B2O5籽晶固定于籽晶杆上,从晶体生长炉顶部下籽晶,先将籽晶预热50分钟,然后将籽晶下至混合熔液中进行回熔,恒温50分钟,快速降温至温度510℃;
再以温度1℃/天的速率缓慢降温,以0rpm的转速不旋转籽晶杆,待晶体生长到所需尺度后,将晶体提离熔液表面,以温度60℃/h速率降至室温,然后将晶体从炉膛中取出,即可获得尺寸为11mm×16mm×20mm的Pb2B2O5晶体。
实施例6:
按反应式:2Pb(NO3)2+2H3BO3→Pb2B2O5+4NO2↑+3H2O↑+O2↑合成Pb2B2O5化合物;
将Pb(NO3)2和H3BO3按摩尔比1:1放入研钵中,混合并仔细研磨,然后装入Φ100mm×100mm的开口刚玉坩埚中,放入马弗炉中,缓慢升温至350℃,恒温12小时,冷却后取出坩埚,将样品研磨均匀,再置于坩埚中,将马弗炉升温至420℃,恒温48小时后将样品取出,放入研钵中仔细研磨得到二硼酸二铅化合物单相多晶粉末,再对该多晶粉末进行X射线分析,所得X射线谱图与Pb2B2O5单晶研磨成粉末后的X射线谱图是一致的;
反应式中的硝酸铅可以用氧化铅、碳酸铅、草酸铅以及醋酸铅替换,硼酸可由氧化硼替换;
将合成的二硼酸二铅化合物与助熔剂PbF2-H3BO3按摩尔比1:3进行混配,其中PbF2与H3BO3的摩尔比为4:3,装入Φ80mm×80mm的开口铂金坩埚中,以温度60℃/h的升温速率将其加热至590℃,恒温30小时,得到二硼酸二铅Pb2B2O5混合熔液;
将混合熔液降温至530℃,将籽晶杆快速伸入液面下,以温度4℃/h的速率缓慢降35℃,将籽晶杆提出液面,籽晶杆上会有聚集物,再以温度80℃/h的速率降至室温,获得二硼酸二铅籽晶;
在化合物熔液中生长晶体:将得到的混合熔液降温至525℃,将获得的Pb2B2O5籽晶固定于籽晶杆上,从晶体生长炉顶部下籽晶,先将籽晶预热20分钟,然后将籽晶下至混合熔液中进行回熔,恒温15分钟,快速降温至520℃;
再以温度2℃/天的速率缓慢降温,以80rpm的转速旋转籽晶杆,待晶体生长到所需尺度后,将晶体提离熔液表面,以温度80℃/h速率降至室温,然后将晶体从炉膛中取出,即可获得尺寸为13mm×18mm×26mm的Pb2B2O5晶体。
实施例7:
按反应式:2PbCO3+2H3BO3→Pb2B2O5+2CO2↑+3H2O↑合成Pb2B2O5化合物;
将PbCO3和H3BO3按摩尔比1:1放入研钵中,混合并仔细研磨,然后装入Φ100mm×100mm的开口刚玉坩埚中,放入马弗炉中,缓慢升温至350℃,恒温12小时,冷却后取出坩埚,将样品研磨均匀,再置于坩埚中,将马弗炉升温至420℃,恒温48小时后将样品取出,放入研钵中仔细研磨得到二硼酸二铅化合物单相多晶粉末,再对该多晶粉末进行X射线分析,所得X射线谱图与Pb2B2O5单晶研磨成粉末后的X射线谱图是一致的;
反应式中的碳酸铅可以用氧化铅、硝酸铅、草酸铅以及醋酸铅替换,硼酸可由氧化硼替换;
将合成的二硼酸二铅化合物与助熔剂PbF2-H3BO3按摩尔比1:4进行混配,其中PbF2与H3BO3的摩尔比为1:1,装入Φ80mm×80mm的开口铂金坩埚中,以温度60℃/h的升温速率将其加热至570℃,恒温40小时,得到二硼酸二铅Pb2B2O5混合熔液;
将混合熔液降温至510℃,将籽晶杆快速伸入液面下,以温度5℃/h的速率缓慢降35℃,将籽晶杆提出液面,籽晶杆上会有聚集物,再以温度25℃/h的速率降至室温,获得二硼酸二铅籽晶;
在化合物熔液中生长晶体:将得到的混合熔液降温至500℃,将获得的Pb2B2O5籽晶固定于籽晶杆上,从晶体生长炉顶部下籽晶,先将籽晶预热10分钟,然后将籽晶下至混合熔液中进行回熔,恒温10分钟,快速降温至495℃;
再以温度1℃/天的速率缓慢降温,以35rpm的转速旋转籽晶杆,待晶体生长到所需尺度后,将晶体提离熔液表面,以温度25℃/h速率降至室温,然后将晶体从炉膛中取出,即可获得尺寸为9mm×12mm×17mm的Pb2B2O5晶体。
实施例8:
按反应式:2PbO+B2O3→Pb2B2O5合成Pb2B2O5化合物;
将PbO和B2O3按摩尔比2:1直接称取原料,将称取的原料与助熔剂PbF2-H3BO3按摩尔比2:3进行混配,其中PbF2与H3BO3的摩尔比为1:2,装入Φ80mm×80mm的开口铂金坩埚中,以温度50℃/h的升温速率将其加热至550℃,恒温10小时,得到二硼酸二铅混合熔液;
将混合熔液降温至480℃,将籽晶杆快速伸入液面下,以温度0.5℃/h的速率缓慢降25℃,将籽晶杆提出液面,籽晶杆上会有聚集物,再以温度60℃/h的速率降至室温,获得二硼酸二铅籽晶;
在化合物熔液中生长晶体:将得到的混合熔液降温至470℃,将获得的Pb2B2O5籽晶固定于籽晶杆上,从晶体生长炉顶部下籽晶,先将籽晶预热25分钟,然后将籽晶下至混合熔液中进行回熔,恒温25分钟,快速降温至温度465℃;
再以温度2℃/天的速率缓慢降温,以25rpm的转速旋转籽晶杆,待晶体生长到所需尺度后,将晶体提离熔液表面,以温度50℃/h速率降至室温,然后将晶体从炉膛中取出,即可获得尺寸为10mm×13mm×18mm的Pb2B2O5晶体。
实施例9:
按反应式:2PbC2O4+B2O3→Pb2B2O5+2CO2↑+2CO↑合成Pb2B2O5化合物;
将PbC2O4和B2O3按摩尔比1:1放入研钵中,混合并仔细研磨,然后装入Φ100mm×100mm的开口刚玉坩埚中,放入马弗炉中,缓慢升温至350℃,恒温12小时,冷却后取出坩埚,将样品研磨均匀,再置于坩埚中,将马弗炉升温至420℃,恒温48小时后将样品取出,放入研钵中仔细研磨得到化合物二硼酸二铅单相多晶粉末,再对该多晶粉末进行X射线分析,所得X射线谱图与Pb2B2O5单晶研磨成粉末后的X射线谱图是一致的;
反应式中的草酸铅可以用氧化铅、硝酸铅、碳酸铅以及醋酸铅替换,硼酸可由氧化硼替换;
将合成的二硼酸二铅Pb2B2O5化合物与助熔剂PbF2-H3BO3按摩尔比3:4进行混配,其中PbF2与H3BO3的摩尔比为4:3,装入Φ80mm×80mm的开口铂金坩埚中,以温度35℃/h的升温速率将其加热至580℃,恒温70小时,得到二硼酸二铅混合熔液;
将混合熔液降温至530℃,将籽晶杆快速伸入液面下,以温度1℃/h的速率缓慢降35℃,将籽晶杆提出液面,籽晶杆上会有聚集物,再以温度40℃/h的速率降至室温,获得二硼酸二铅籽晶;
在化合物熔液中生长晶体:将得到的混合熔液降温至520℃,将获得的Pb2B2O5籽晶固定于籽晶杆上,从晶体生长炉顶部下籽晶,先将籽晶预热15分钟,然后将籽晶下至混合熔液中进行回熔,恒温10分钟,快速降温至515℃;
再以温度2℃/天的速率缓慢降温,以50rpm的转速旋转籽晶杆,待晶体生长到所需尺度后,将晶体提离熔液表面,以温度40℃/h速率降至室温,然后将晶体从炉膛中取出,即可获得尺寸为10mm×13mm×21mm的Pb2B2O5晶体。
实施例10:
按反应式:2Pb(CH3COO)2+B2O3+8O2→Pb2B2O5+8CO2↑+6H2O↑合成Pb2B2O5化合物;
将Pb(CH3COO)2和B2O3按摩尔比2:1直接称取原料,将称取的原料与助熔剂PbF2-H3BO3按摩尔比3:5进行混配,其中PbF2与H3BO3的摩尔比为1:1,装入Φ80mm×80mm的开口铂金坩埚中,以温度80℃/h的升温速率将其加热至570℃,恒温50小时,得到二硼酸二铅混合熔液;
将混合熔液降温至510℃,将籽晶杆快速伸入液面下,以温度5℃/h的速率缓慢降35℃,将籽晶杆提出液面,籽晶杆上会有聚集物,再以温度30℃/h的速率降至室温,获得二硼酸二铅籽晶;
在化合物熔液中生长晶体:将得到的混合熔液降温至500℃,将获得的Pb2B2O5籽晶固定于籽晶杆上,从晶体生长炉顶部下籽晶,先将籽晶预热10分钟,然后将籽晶下至混合熔液中进行回熔,恒温10分钟,快速降温至温度490℃;
再以温度1℃/天的速率缓慢降温,以40rpm的转速旋转籽晶杆,待晶体生长到所需尺度后,将晶体提离熔液表面,以温度50℃/h速率降至室温,然后将晶体从炉膛中取出,即可获得尺寸为5mm×7mm×14mm的Pb2B2O5晶体。
实施例11:
将实施例1-10中所得的Pb2B2O5晶体,按附图3所示安置在3的位置上,在室温下,用调Q Nd:YAG激光器的1064nm输出作光源,观察到明显的532nm倍频绿光输出,输出强度约为同等条件KDP的2倍;
图3所示为,由调Q Nd:YAG激光器1发出波长为1064nm的红外光束经全聚透镜2射入二硼酸二铅非线性光学晶体,产生波长为532nm的绿色倍频光,出射光束4含有波长为1064nm的红外光和532nm的绿光,经滤波片5滤去后得到波长为532nm的倍频光。

Claims (7)

1.一种化合物二硼酸二铅,其特征在于该化合物的化学式为Pb2B2O5,分子量为516.00,采用固相法制备。
2.一种化合物二硼酸二铅非线性光学晶体,其特征在于该晶体的化学式为Pb2B2O5,分子量为516.00,属于三斜晶系,空间群为P1,晶胞参数为a = 6.9437(8) ?,b = 7.1947(10) ?,c = 7.8154(10) ?,α= 76.275(7),β= 76.688(7),γ= 74.100(8),= 3,= 359.03(8) ?3
3.根据权利要求2所述的化合物二硼酸二铅非线性光学晶体的制备方法,其特征在于采用固相反应法及高温熔液法生长晶体,具体操作按下列步骤进行:
a、采用固相反应法,按摩尔比Pb:B = 1:1称取含铅化合物和含硼化合物放入研钵中,研磨均匀后放入刚玉坩埚,将刚玉坩埚置于马弗炉中,缓慢升温至350℃,恒温12小时,冷却后取出坩埚,将样品研磨均匀,再置于坩埚中,将马弗炉升温至420℃,恒温48小时后将样品取出,放入研钵中仔细研磨得到二硼酸二铅化合物单相多晶粉末,再对该多晶粉末进行X射线分析,所得X射线谱图与Pb2B2O5单晶研磨成粉末后的X射线谱图是一致的;
b、将步骤 a 制备的二硼酸二铅化合物与助熔剂PbF2或PbF2-H3BO3混匀在坩埚中,以温度1-80℃/h的升温速率将其加热至520-600℃,恒温6-100小时,得到混合熔液;
或者直接按摩尔比称取含铅化合物和硼酸与助熔剂均匀混合,以温度1-80℃/h的升温速率将其加热至520-600℃,恒温6-100小时,得到混合熔液;
c、将步骤 b 得到的混合熔液降温至460℃-540℃,将籽晶杆伸入液面以下,以温度0.5-5℃/h的速率缓慢降温10-40℃,将籽晶杆提出液面,籽晶杆上会有聚集物,再以温度1-80℃/h的速率降至室温,获得二硼酸二铅籽晶;
d、将步骤 b 的混合熔液降温至440-520℃,将步骤 c 得到的籽晶固定在籽晶杆上,从晶体生长炉顶部下籽晶,先将籽晶预热5-60分钟,然后将籽晶下至接触混合熔液液面或混合熔液中进行回熔,恒温5-60分钟,快速降温至430-510℃;
e、再以温度0.1-3℃/天的速率缓慢降温,以0-100rpm转速旋转籽晶杆进行晶体的生长,待单晶生长到所需尺度后,将晶体提离混合熔液表面,并以温度1-80℃/h速率降至室温,然后将晶体从炉膛中取出,即可得到二硼酸二铅非线性光学晶体。
4.根据权利要求 3 所述的制备方法,其特征在于步骤 a 中含铅化合物为PbO、Pb(NO3)2、PbCO3、PbC2O4或Pb(CH3COO)2;含硼的化合物为H3BO3或B2O3
5.根据权利要求 3 所述的制备方法,其特征在于步骤 b化合物二硼酸二铅与助熔剂的摩尔比为二硼酸二铅:助熔剂 = 1:1-5。
6.根据权利要求 3 所述方法,其特征在于助熔剂PbF2-H3BO3体系中,PbF2与H3BO3的摩尔比为1-5:1-3。
7.根据权利要求 2 所述的二硼酸二铅非线性光学晶体的用途,其特征在于该晶体在制备倍频发生器、上或下频率转换器或光参量振荡器的用途。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104746139A (zh) * 2013-12-25 2015-07-01 中国科学院新疆理化技术研究所 化合物硼酸铷镁非线性光学晶体及其制备方法和用途
CN105714376A (zh) * 2014-12-05 2016-06-29 中国科学院新疆理化技术研究所 高低温相硼酸锶镉晶体及制备方法和用途
CN105986318A (zh) * 2015-03-02 2016-10-05 中国科学院新疆理化技术研究所 化合物硼酸钡铯和硼酸钡铯非线性光学晶体及制备方法和用途
CN106811799A (zh) * 2015-11-28 2017-06-09 中国科学院新疆理化技术研究所 二硼酸四锂非线性光学晶体的制备方法和用途
CN107699948A (zh) * 2017-09-08 2018-02-16 中国科学院新疆理化技术研究所 系列复合金属稀土硼酸盐和复合金属稀土硼酸盐非线性光学晶体及制备方法和用途

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101435108A (zh) * 2008-11-28 2009-05-20 中国科学院新疆理化技术研究所 大尺寸非线性光学晶体硼酸铅溴及其制备方法和用途

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101435108A (zh) * 2008-11-28 2009-05-20 中国科学院新疆理化技术研究所 大尺寸非线性光学晶体硼酸铅溴及其制备方法和用途

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
B.N.MEERA ET AL.: "Raman study of lead borate glasses", 《JOURNAL OF NON-CRYSTALHNE SOLIDS》, vol. 126, 31 December 1990 (1990-12-31), pages 224 - 230, XP024058387, DOI: doi:10.1016/0022-3093(90)90823-5 *

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104746139A (zh) * 2013-12-25 2015-07-01 中国科学院新疆理化技术研究所 化合物硼酸铷镁非线性光学晶体及其制备方法和用途
CN105714376A (zh) * 2014-12-05 2016-06-29 中国科学院新疆理化技术研究所 高低温相硼酸锶镉晶体及制备方法和用途
CN105714376B (zh) * 2014-12-05 2018-03-09 中国科学院新疆理化技术研究所 高低温相硼酸锶镉晶体及制备方法和用途
CN105986318A (zh) * 2015-03-02 2016-10-05 中国科学院新疆理化技术研究所 化合物硼酸钡铯和硼酸钡铯非线性光学晶体及制备方法和用途
CN105986318B (zh) * 2015-03-02 2018-03-09 中国科学院新疆理化技术研究所 化合物硼酸钡铯和硼酸钡铯非线性光学晶体及制备方法和用途
CN106811799A (zh) * 2015-11-28 2017-06-09 中国科学院新疆理化技术研究所 二硼酸四锂非线性光学晶体的制备方法和用途
CN107699948A (zh) * 2017-09-08 2018-02-16 中国科学院新疆理化技术研究所 系列复合金属稀土硼酸盐和复合金属稀土硼酸盐非线性光学晶体及制备方法和用途
CN107699948B (zh) * 2017-09-08 2019-07-19 中国科学院新疆理化技术研究所 系列复合金属稀土硼酸盐和复合金属稀土硼酸盐非线性光学晶体及制备方法和用途

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