CN102637676B - 发光二极管封装件及具有该发光二极管封装件的背光单元 - Google Patents

Abstract

所公开的是一种发光二极管封装件和一种具有该发光二极管封装件的背光单元。该发光二极管封装件包括响应于从外部施加的驱动电压而产生光的发光二极管、分别连接到第一电极和第二电极的第一主引线和第二主引线以及其中设置有发光二极管并将第一主引线和第二主引线固定到其的主体部分。该发光二极管封装件包括第一子引线和第二子引线，第一子引线具有连接到第一主引线的一个端部，第二子引线具有连接到第二主引线的一个端部和与第一子引线的相对端部以预定距离分隔开同时面对第一子引线的相对端部的相对端部。该背光单元包括多个该发光二极管封装件。

Description

发光二极管封装件及具有该发光二极管封装件的背光单元

本申请要求于2011年2月10日提交的第10-2011-0012008号韩国专利申请的优先权，为了所有目的，通过引用将该申请包含于此，就如同在此做了充分阐述一样。

技术领域

本发明的示例性实施例涉及一种发光二极管封装件及一种具有该发光二极管封装件的背光单元。更具体地讲，本发明的示例性实施例涉及一种受保护而免受静电放电电流损坏的发光二极管封装件及一种具有该发光二极管封装件的背光单元。

背景技术

由于显示面板为非发射装置，所以诸如液晶显示器的非发射显示设备包括背光单元以向显示面板提供光来显示图像。近来，背光单元使用发光二极管封装件来代替冷阴极荧光灯，以改善颜色再现性同时降低功耗。

发光二极管封装件可以包括作为半导体装置的LED(发光二极管)，以响应于施加的驱动电压来产生光。LED基于化合物半导体的特性通过使电子和空穴在其中复合而工作，从而产生光。

然而，LED会因在释放静电(通常称作静电放电；ESD)时产生的放电电流而损坏，这被称作“静电破坏”。通常，为了保护LED免受放电电流的损坏，发光二极管封装件包括瞬态电压抑制二极管或齐纳二极管。

在该背景技术部分中公开的以上信息仅用于加强对本发明背景的理解，因此它可包含对本领域普通技术人员而言不构成现有技术也不是现有技术会建议的内容的任何部分的信息。

发明内容

本发明的示例性实施例提供了一种发光二极管封装件，该发光二极管封装件可以得到保护而免受在发生静电放电时产生的放电电流的损坏。

本发明的示例性实施例还提供了一种具有该发光二极管封装件的背光单元。

在下面的描述中将阐述本发明的附加特征，本发明的附加特征通过该描述而部分地清楚，或者可以通过本发明的实践而获知。

本发明的示例性实施例公开了一种包括发光二极管的发光二极管封装件。发光二极管包括第一电极和第二电极并响应于驱动电压产生光。第一主引线连接到第一电极，第二主引线连接到第二电极，发光二极管设置在固定有第一主引线和第二主引线的主体部分上。发光二极管封装件包括第一子引线和第二子引线，第一子引线具有连接到第一主引线的一个端部，第二子引线具有连接到第二主引线的一个端部和与第一子引线的相对端部分隔开同时面对第一子引线的相对端部的相对端部。第二子引线与第一子引线一起释放静电。

本发明的示例性实施例还公开了一种背光单元，该背光单元包括基体构件、安装在基体构件上以产生光的多个发光二极管封装件和将驱动电压提供给发光二极管封装件的信号线。多个发光二极管封装件可以包括具有上述结构的发光二极管封装件中的至少一个。

将理解的是，前面的总体描述和下面的详细描述是示例性的和解释性的，并意图提供对所要求保护的本发明的进一步解释。

附图说明

包括附图以提供对本发明的进一步理解，附图包含在本说明书中并构成本说明书的一部分，且附图示出本发明的实施例并与描述一起用于解释本发明的原理。

图1是示出根据本发明一个实施例的发光二极管封装件的平面图。

图2是示出图1中示出的发光二极管封装件的侧视图。

图3是沿图1中的线Ⅰ-Ⅰ'截取的剖视图。

图4是示出图1中的发光二极管的剖视图。

图5是示出根据本发明另一实施例的发光二极管封装件的侧视图。

图6是示出根据本发明又一实施例的发光二极管封装件的侧视图。

图7是沿图6中的线Ⅱ-Ⅱ'截取的剖视图。

图8是示出根据本发明再一实施例的发光二极管封装件的平面图。

图9是沿图8中的线Ⅲ-Ⅲ'截取的剖视图。

图10是示出根据本发明再一实施例的发光二极管封装件的平面图。

图11是示出根据本发明一个实施例的包括发光二极管封装件的背光单元的平面图。

图12是示出根据本发明另一实施例的包括发光二极管封装件的背光单元的平面图。

图13是示出本发明又一实施例的背光单元的侧视图。

具体实施方式

在下文中，将参照附图更详细地描述本发明的示例性实施例。然而，本发明不限于下面的实施例，而是包括各种应用和修改。提供下面的实施例以使本发明中公开的技术精神清楚，并将本发明的技术精神充分地传达给本领域中具有一般知识和技能的人员。因此，本发明的范围不应局限于下面的实施例。

当描述每个附图时，相似的标记表示相似的组件。此外，为了准确的解释或强调，简化或夸大与下面的实施例一起的附图的层和区域的尺寸，并且相同的标记表示相同的组件。为了解释各种组件的目的，使用术语“第一”和“第二”，并且组件不受术语“第一”和“第二”的限制。使用术语“第一”和“第二”仅用来将一个组件与另一组件区分开来。例如，在不偏离本发明的范围的情况下，可以将第一组件命名为第二组件。相似地，可以将第二组件命名为第一组件。除非在上下文中单数的含义明确地不同于复数的含义，否则说明书中单数的表达包括复数的含义。

在下面的描述中，术语“包括”或“具有”可以表示说明书中描述的特征、数量、步骤、操作、组件、部件或它们的组合的存在，可以不排除另一特征、另一数量、另一步骤、另一操作、另一组件、另一部件或它们的组合的存在或附加。此外，当层、膜、区域或板被称作形成在另一层、另一膜、另一区域或另一板上时，该层、膜、区域或板可以直接形成在另一层、另一膜、另一区域或另一板上，或者第三层、第三膜、第三区域或第三板可以设置在该层、膜、区域或板与另一层、另一膜、另一区域或另一板之间。当层、膜、区域或板被称作形成在另一层、另一膜、另一区域或另一板之下时，该层、膜、区域或板可以直接形成在另一层、另一膜、另一区域或另一板之下，或者第三层、第三膜、第三区域或第三板可以设置在该层、膜、区域或板与另一层、另一膜、另一区域或另一板之间。相反，当元件被称作“直接在”另一元件“上”、“直接在”另一元件“之下”或“直接连接到”另一元件时，不存在中间元件。将理解的是，为了本公开的目的，“…中的至少一个”将被解释为表示相应表述之前列举的元件的任何组合，包括多个列举的元件的组合。例如，“X、Y和Z中的至少一个”将被解释为表示仅X、仅Y、仅Z或X、Y和Z中的两项或更多项的任意组合(例如，XYZ、XYY、XZ、YZ)。

在下文中，将参照附图更详细地描述本发明的示例性实施例。

图1是示出根据本发明一个实施例的发光二极管封装件的平面图，图2是示出图1中示出的发光二极管封装件的侧视图。图3是沿图1中的线Ⅰ-Ⅰ'截取的剖视图，图4是示出构成图1中的发光二极管封装件的发光二极管的剖视图。

参照图1至图4，发光二极管封装件100包括发光二极管110、第一主引线120、第二主引线130、主体部分160、第一子引线140和第二子引线150。

发光二极管110响应于通过第一电极111和第二电极112施加到其的驱动电压产生光。发光二极管110具有堆叠结构，在该堆叠结构中，N型半导体层、有源层和P型半导体层顺序地堆叠。在该结构中，如果驱动电压被施加到发光二极管110，则电子和空穴在移动的同时彼此复合，从而产生光。

在下文中，将参照图4更详细地描述发光二极管110。图4代表性地示出构成发光二极管封装件100的一个发光二极管。

如图4中所示，发光二极管110包括顺序地堆叠在基底113上的N型半导体层114、有源层115和P型半导体层116。此外，发光二极管110包括连接到P型半导体层116的P型电极111(第一电极)和连接到N型半导体层114的N型电极112(第二电极)。

基底113包括透明材料，所述透明材料包括蓝宝石(Al₂O₃)。此外，基底113可以包括氧化锌(ZnO)、氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)、氮化铝(AlN)等。

N型半导体层114可以包括掺杂有N型导电杂质的N型氮化物半导体层，诸如GaN或GaN/AlGaN。P型半导体层116可以包括掺杂有P型导电杂质的P型氮化物半导体层，诸如GaN或GaN/AlGaN。有源层115可以包括具有多量子阱(MQW)结构的InGaN/GaN层。

如果通过台面蚀刻工艺将P型半导体层116和有源层115的部分去除，则N型半导体层114的顶表面的部分暴露于外部。在这种情况下，将第一电极111设置在P型半导体层116上，将第二电极112设置在N型半导体层114的通过台面蚀刻工艺暴露于外部的顶表面上。

第一主引线120连接到发光二极管110的第一电极111，第二主引线130连接到发光二极管110的第二电极112。从外部施加的驱动电压通过第一主引线120提供给发光二极管110，降低的驱动电压从第二主引线130引出。换句话说，在发光二极管110中，通过第一主引线120将第一电压提供给第一电极111，通过第二主引线130将比第一电压低的第二电压提供给第二电极112。在这种情况下，第一电压与第二电压之间的差与驱动电压降低的幅度相等。

主体部分160将发光二极管110安装在其上，并将第一主引线120和第二主引线130固定到主体部分160。主体部分160可以包括树脂材料。

如图1至图3中所示，主体部分160包括：安装表面162，发光二极管110安装在安装表面162上；底表面164，背对安装表面162设置；以及外部侧表面166，从底表面164弯曲并延伸。可以通过树脂粘合片(未示出)或导电粘合片(未示出)将发光二极管110安装在安装表面162上。

如图1至图3中所示，当底表面164具有矩形形状时，外部侧表面166可以分为四个区域(见图10)。此外，底表面164的面积可以比安装表面162的面积大，外部侧表面166可以按照比安装表面162与底表面164之间的距离长的长度延伸。如果主体部分160还包括从安装表面162弯曲并延伸的内部侧表面168，则主体部分160包括围绕发光二极管110的侧壁160w。成型构件可以填充在由内部侧表面168和外部侧表面166限定的空间中以保护发光二极管110。

主引线120和130可以分别穿过主体部分160的部分。第一主引线120的一个端部和第二主引线130的一个端部暴露在安装表面162上，第一主引线120的从第一主引线120的所述一个端部延伸的相对端部和第二主引线130的从第二主引线130的所述一个端部延伸的相对端部从主体部分160突出。

例如，如图1和图3中所示，第一主引线120和第二主引线130中的每个穿过侧壁160w，每个相对端部从外部侧表面166突出。

在这种情况下，第一电极111可以通过使用第一线w1连接到第一主引线120的暴露在安装表面162上的所述一个端部，第二电极112可以通过使用第二线w2连接到第二主引线130的所述一个端部。同时，为了解释的目的，提供了以上的连接方案。因此，如果对图4中的发光二极管110进行修改，则主引线120和130可以通过其他连接方案连接到电极111和112。

发光二极管110会因在发生静电放电时(即，当放电电流流过时)产生的热而损坏，这被称作“静电破坏”。通常，发光二极管110对小于2kV的放电电压下流过的放电电流具有耐受性。然而，对于2kV或更高的放电电压下流过的放电电流，在发光二极管110中发生静电破坏。为了防止静电破坏，发光二极管封装件100包括第一子引线140和第二子引线150。

第一子引线140和第二子引线150分别连接到第一主引线120和第二主引线130。更具体地讲，参照图1至图3，第一子引线140的一个端部连接到第一主引线120，第二子引线150的一个端部连接到第二主引线130。第一子引线140和第二子引线150的相对端部以预定距离d彼此分隔开，同时彼此面对。

在这种情况下，第一子引线140和第二子引线150的相对端部优选地从主体部分160突出。因此，静电放电可被引导到主体部分160的外部。

第一子引线140包括第一固定引线部分142和从第一固定引线部分142延伸的第一放电引线部分144。第一固定引线部分142的一端连接到第一主引线120，第一固定引线部分142的相对端暴露在外部侧表面166的外面。此外，第一放电引线部分144连接到第一固定引线部分142并从主体部分160突出。

第二子引线150可以具有与第一子引线140的结构对应的结构。换句话说，第二子引线150包括第二固定引线部分152和从第二固定引线部分152延伸的第二放电引线部分154。第二固定引线部分152的一端连接到第二主引线130，第二固定引线部分152的相对端暴露在外部侧表面166的外面。此外，第二放电引线部分154连接到第二固定引线部分152并从主体部分160突出。

如图1和图2中所示，第一放电引线部分144和第二放电引线部分154可以接触外部侧表面166。因此，当处理发光二极管封装件100时，可以防止第一放电引线部分144与第一固定引线部分142断开并防止第二放电引线部分154与第二固定引线部分152断开。

在这种情况下，第一放电引线部分144和第二放电引线部分154在外部侧表面166上可以具有多边形形状。同时，虽然图2示出第一放电引线部分144和第二放电引线部分154在外部侧表面166上具有矩形形状，但可以对第一放电引线部分144和第二放电引线部分154的形状和面积进行修改。

第一放电引线部分144和第二放电引线部分154以预定的距离d彼此分开，同时彼此面对。根据下面的等式1，确定发生静电放电的临界放电电压。换句话说，当存储的负电荷与正电荷之间的电势差大于临界放电电压时，发生静电放电。

等式1

Vc＝{(3000×p×d)+1350}

在等式1中，Vc是临界放电电压(单位为伏特(V))，p是大气压(单位是工程大气压(atm))，d是第一放电引线部分144和第二放电引线部分154之间的距离(单位为毫米(mm))。例如，当在1atm的大气压下，距离d为大约100μm时，临界放电电压为大约1650V。因此，当距离d为大约100μm时，且当存储的负电荷与正电荷之间的电势差为大约1650V或更大(即，放电电压为1650V或更大)时，发生ESD。换句话说，当距离d为大约100μm时，且当负电荷与正电荷之间的电势差为大约1650V或更大时，在第一放电引线部分144和第二放电引线部分154之间的介质(例如，空气)中发生介电击穿，放电电流流过该介质。

在这种情况下，第一放电引线部分144和第二放电引线部分154之间的距离d优选地在大约50μm至大约1mm的范围内。如果第一放电引线部分144和第二放电引线部分154之间的距离d小于大约50μm，则静电放电过多地发生。如果第一放电引线部分144和第二放电引线部分154之间的距离超过大约1mm，则发光二极管110中会发生静电破坏。

图5是示出根据本发明另一实施例的发光二极管封装件的侧视图。在下文中，将参照图5描述根据另一实施例的发光二极管封装件，但将不对与图1至图4中的结构和组件相同的结构和组件进行进一步的描述，以避免冗余。

与图1至图4中示出的发光二极管封装件100相似，根据本实施例的发光二极管封装件100-1包括发光二极管110、第一主引线120、第二主引线130、主体部分160、第一子引线140和第二子引线150。此外，第一子引线140和第二子引线150中的每个可以包括固定引线部分以及设置在主体部分160的外部侧表面166上并具有多边形形状的放电引线部分。

如图5中所示，第一子引线140包括在外部侧表面166上具有五边形形状的第一放电引线部分144-1，第二子引线150包括在外部侧表面166上具有五边形形状的第二放电引线部分154-1。此外，第一放电引线部分144-1和第二放电引线部分154-1可以接触外部侧表面166。

在这种情况下，优选地，构成具有多边形形状的第一放电引线部分144-1的多个顶角中的具有最小顶角角度的顶角面对构成具有多边形形状的第二放电引线部分154-1的多个顶角中的具有最小角度的顶角。如图5中所示，如果第一放电引线部分144-1中具有最小顶角角度的顶角144V面对第二放电引线部分154-1中具有最小顶角角度的顶角154V，则电场集中，并且临界放电电压降低。

图6是示出根据本发明又一实施例的发光二极管封装件的侧视图，图7是沿图6中的线Ⅱ-Ⅱ'截取的剖视图。

如图6和图7中所示，在根据本实施例的发光二极管封装件100-2中，第一放电引线部分144-2和第二引线放电部分154-2的至少一部分接触外部侧表面166。

在这种情况下，主体部分160包括形成在外部侧表面166的预定区域处的槽160g。所述预定区域至少包括与第一放电引线部分144-2的端部对应的区域以及与第二放电引线部分154-2的面对第一放电引线部分144-2的所述端部的端部对应的区域。第一放电引线部分144-2和第二放电引线部分154-2的彼此面对的端部不接触外部侧表面166。

因此，由于第一放电引线部分144-2的至少一部分和第二放电引线部分154-2的至少一部分与外部侧表面166接触，所以可以防止第一放电引线部分144-2和第二放电引线部分154-2与第一固定引线部分142和第二固定引线部分152断开。

此外，槽160g提供了允许第一放电引线部分144-2和第二放电引线部分154-2的彼此面对的端部与空气接触的空间，从而降低了临界放电电压。

图8是示出根据本发明再一实施例的发光二极管封装件的平面图，图9是沿图8中的线Ⅲ-Ⅲ'截取的剖视图。在下文中，将参照图8和图9描述根据本实施例的发光二极管封装件。然而，将不对与图1至图7中的结构和组件相同的结构和组件进行进一步的描述，以避免冗余。

根据本实施例的发光二极管封装件100-3还包括将发光二极管110产生的热排放到外部的散热器HS。

如图8和图9中所示，主体部分160包括从安装表面162延伸到底表面164的通孔160t。通孔160t可以具有各种形状。例如，如图9中所示，沿图8中的线Ⅲ-Ⅲ'截取的截面可以具有梯形形状，与安装表面162平行地截取的截面可以具有圆形形状或多边形形状。

散热器HS设置在通孔160t中。散热器HS可以包括表现出优异的导热率的金属。优选地，散热器HS可以具有与通孔160t的形状相同的形状。

在这种情况下，散热器HS的一个表面HS-162可以与安装表面162齐平。发光二极管110可以安装在散热器HS的表面HS-162上以提高散热效率。此外，背对表面HS-162的相对表面可以与底表面164齐平。

图10是示出根据本发明再一实施例的发光二极管封装件的平面图。在下文中，将参照图10描述根据本实施例的发光二极管封装件。然而，将不对与图1至图9中的结构和组件相同的结构和组件进行进一步的描述，以避免冗余。

根据本实施例的发光二极管封装件100-4包括多个第一子引线140和多个第二子引线150。第一子引线140的数量与第二子引线150的数量相等。在这种情况下，每个第一子引线140的一个端部连接到第一主引线120，每个子引线150的一个端部连接到第二主引线130。此外，第一子引线140的相对端部一一对应地面对第二子引线150的相对端部。在这种发光二极管封装件100-4中，ESD可以发生在两点或更多点处。

如图10中所示，第一子引线140和第二子引线150的相对端部可以从主体部分160突出。当发光二极管封装件100-4的底表面164(见图2)具有矩形形状时，并且当从底表面164弯曲并延伸的外部侧表面166分为四个区域166-1、166-2、166-3和166-4时，一对子引线140和150的相对端部可以从第一区域166-1突出，另一对子引线140和150的相对端部可以从背对第一区域166-1的第二区域166-2突出。

图11是示出根据本发明一个实施例的包括发光二极管封装件的背光单元的平面图，图12是示出根据本发明另一实施例的包括发光二极管封装件的背光单元的平面图。

如图11中所示，根据一个实施例的包括发光二极管封装件的背光单元(在下文中，称作背光单元)包括基体构件200、安装在基体构件200上的多个发光二极管封装件100以及将从外部施加的驱动电压提供至发光二极管封装件100的信号线。

发光二极管封装件100产生光。由于发光二极管封装件100可以包括参照图1至图10描述的发光二极管中的一种，所以将省略发光二极管封装件100的详述。

基体构件200包括形成背光单元的框架的板构件，并且可以包括树脂基底或其表面上形成有金属氧化物层的金属基底(例如，其上设置有铝氧化物层(或氧化铝层)的铝基底)。

如图11中所示，发光二极管封装件100可以彼此并联连接。信号线包括第一信号线310和第二信号线320，第一信号线310将第一电压提供至每个发光二极管封装件100的第一主引线120，第二信号线320将比第一电压低的第二电压提供至每个发光二极管封装件100的第二主引线130。信号线包括诸如铜(Cu)的导电材料，并可以通过镀覆工艺或蚀刻工艺形成。

当基体构件200包括连接件210时，第一信号线连接到第一引脚212以从外部接收适于驱动发光二极管110的较高的电压，第二信号线连接到第二引脚214以从外部接收接地电压。

如图12中所示，发光二极管封装件100可以彼此串联连接。在这种情况下，发光二极管封装件100串联地布置，信号线包括第三信号线330和多个第四信号线340，第三信号线330将第一电压提供至发光二极管封装件100A的第一主引线120，发光二极管封装件100A是发光二极管封装件100中布置在最前面的发光二极管封装件，多个第四信号线340将设置在相邻的发光二极管封装件100之间的第一主引线120和第二主引线130连接。此外，信号线包括第五信号线350，以将比第一电压低的第二电压提供至发光二极管封装件100N的第二主引线130，发光二极管封装件100N是发光二极管封装件100中布置在最后的发光二极管封装件。

图13是示出根据本发明又一实施例的背光单元的侧视图。除图11或图12中的背光单元的结构之外，图13中的背光单元还包括导光板400。

导光板400通过至少一个侧表面410接收从发光二极管封装件100入射的光，以通过光出射表面420输出所述光。

导光板400可以具有矩形板的形状。在这种情况下，导光板400包括与发光二极管封装件100相邻的侧表面410、从侧表面410的一端延伸的光出射表面420以及与光出射表面420平行地从侧表面410的相对端延伸的反射表面430。

从发光二极管封装件100输出的光入射到导光板400的侧表面410上。通过侧表面410入射到导光板400内部的光通过光出射表面420输出到外部，或者在所述光被反射表面430反射后通过光出射表面420输出。

为了提高入射到导光板400中的光的收集效率，每个发光二极管封装件100的发光表面100L优选地平行于导光板400的侧表面410。

此外，背光单元还可以包括设置在光出射表面420上方的漫射片500和面对漫射片500的反射片600，同时导光板400设置在漫射片500与反射片600之间。反射片600将从导光板400泄漏的光向导光板400再次反射，漫射片500使从导光板400输出的光漫射。因此，可以提高背光的亮度。

虽然图13示出了发光二极管封装件100与导光板400的一个侧表面相邻地设置，但背光单元可以具有发光二极管封装件100与导光板400的至少两个侧表面分别相邻的结构。

如上所述，根据本发明的示例性实施例，发光二极管封装件通过第一子引线和第二子引线释放静电，以保护发光二极管不受放电电流的损坏。

此外，发光二极管封装件不需要诸如瞬态电压抑制二极管或齐纳二极管的另外的二极管来保护发光二极管。因此，可以降低制造成本，可以简化结构，并且可以提高亮度。

包括发光二极管封装件的背光单元可以表现出低功耗和提高的亮度。

虽然已描述了本发明的示例性实施例，但应该理解的是，本发明不应该局限于这些示例性实施例，而是在由权利要求限定的本发明的精神和范围内，本领域普通技术人员可以做出各种改变和修改。对本领域技术人员明显的将是，在不脱离本发明的精神或范围的情况下，可以对本发明做出各种修改和改变。因此，只要对本发明的修改和改变落入权利要求书及其等同物的范围内，本发明就意图覆盖这些修改和改变。

Claims (10)

1.一种发光二极管封装件，所述发光二极管封装件包括：

主体部分；

发光二极管，设置在主体部分上，并包括第一电极和第二电极，以响应于通过第一电极和第二电极施加的驱动电压产生光；

第一主引线，连接到第一电极并固定到主体部分；

第二主引线，连接到第二电极并固定到主体部分；

第一线，将第一电极连接到第一主引线的一个端部；

第二线，将第二电极连接到第二主引线的一个端部；

第一子引线，包括一个端部和相对端部，第一子引线的所述一个端部连接到第一主引线；以及

第二子引线，包括一个端部和相对端部，第二子引线的所述一个端部连接第二主引线，第二子引线的所述相对端部与第一子引线的所述相对端部以一定距离分隔开，同时第二子引线的所述相对端部面对第一子引线的所述相对端部，以与第一子引线一起释放静电。

2.如权利要求1所述的发光二极管封装件，其中，主体部分包括：

安装表面，发光二极管设置在安装表面上；

底表面，背对安装表面设置；以及

外部侧表面，从底表面弯曲并延伸。

3.如权利要求2所述的发光二极管封装件，其中，第一子引线的所述相对端部和第二子引线的所述相对端部从主体部分突出。

4.如权利要求2所述的发光二极管封装件，其中，第一子引线包括第一固定引线部分和第一放电引线部分，第一固定引线部分具有连接到第一主引线的一端和暴露到外部侧表面上的相对端，第一放电引线部分连接到第一固定引线部分的所述相对端并从主体部分突出；以及

其中，第二子引线包括第二固定引线部分和第二放电引线部分，第二固定引线部分具有连接到第二主引线的一端和暴露到外部侧表面上的相对端，第二放电引线部分连接到第二固定引线部分的所述相对端并从主体部分突出，第二放电引线部分与第一放电引线部分以一定距离分隔开同时面对第一放电引线部分。

5.如权利要求4所述的发光二极管封装件，其中，第一放电引线部分和第二放电引线部分以50μm至1mm的距离分隔开。

6.如权利要求2所述的发光二极管封装件，其中，第一主引线穿过主体部分的一部分并包括暴露到安装表面上的一个端部和从第一主引线的所述一个端部延伸并从主体部分突出的相对端部，第二主引线穿过主体部分的另一部分并包括暴露到安装表面上的一个端部和从第二主引线的所述一个端部延伸并从主体部分突出的相对端部。

7.如权利要求1所述的发光二极管封装件，所述发光二极管封装件包括多个第一子引线和多个第二子引线，第一子引线的数量和第二子引线的数量相等，每个第一子引线的所述相对端部一一对应地面对每个第二子引线的所述相对端部。

8.一种背光单元，所述背光单元包括基体构件、安装在基体构件上以产生光的多个发光二极管封装件和将驱动电压提供给发光二极管封装件的信号线，

其中，每个发光二极管封装件包括：

主体部分；

发光二极管，设置在主体部分上，并包括第一电极和第二电极；

第一主引线，连接到第一电极并固定到主体部分；

第二主引线，连接到第二电极并固定到主体部分；

第一线，将第一电极连接到第一主引线的一个端部；

第二线，将第二电极连接到第二主引线的一个端部；

第一子引线，包括一个端部和相对端部，第一子引线的所述一个端部连接到第一主引线；以及

第二子引线，包括一个端部和相对端部，第二子引线的所述一个端部连接第二主引线，第二子引线的所述相对端部与第一子引线的所述相对端部以一定距离分隔开，同时第二子引线的所述相对端部面对第一子引线的所述相对端部，以与第一子引线一起释放静电。

9.如权利要求8所述的背光单元，其中，信号线包括：

第一信号线，将第一电压提供给第一主引线；以及

第二信号线，将比第一电压低的第二电压提供给第二主引线。

10.如权利要求8所述的背光单元，其中，发光二极管封装件串联布置，信号线包括：

第三信号线，将第一电压提供给设置在第一个发光二极管封装件中的第一主引线；

第四信号线，将设置在每个发光二极管封装件中的第二主引线连接到设置在后续的、相邻的发光二极管封装件中的第一主引线；以及

第五信号线，将比第一电压低的第二电压提供给设置在最后一个发光二极管中的第二主引线。