CN105870311A - 发光模块 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种发光模块，包括：电路板；以及光源单元，布置在所述电路板上。所述光源单元包括发射不同颜色的光的多个第一发光器件、多个第二发光器件和多个第三发光器件，所述多个第一发光器件布置在所述第二发光器件和第三发光器件的外周，所述多个第二发光器件布置在所述多个第三发光器件的两侧，所述多个第一发光器件发射波长比从所述第二发光器件和第三发光器件发射的光的波长长的光。多个第二发光器件发射波长比从第三发光器件发射的光的波长长的光，第一发光器件至第三发光器件的数量互不相同。采用本公开的技术方案，可以减小发热导致的损耗。

Description

发光模块
技术领域
实施例涉及一种发光模块和具有该发光模块的光单元。
背景技术
诸如发光二极管之类的发光器件是一种将电能转换为光的半导体器件，其替换现有荧光灯和白炽灯，并且作为下一代光源已经受到了广泛关注。
使用半导体器件，发光器件可以产生光，因此，与通过加热钨产生光的白炽灯或者通过允许由高压放电产生的紫外线与荧光粉碰撞来产生光的荧光灯相比较，上述发光器件消耗的功率相对低。
此外，由于发光器件使用半导体器件的位势差产生光，所以它可以具有一些特点，例如，寿命相对长、快速响应特性和环境友好特性。
因此，已经进行了大量关于将现有光源替换为发光器件的研究，并且将发光器件用作在室内和室外环境中使用的照明装置(诸如各种灯、液晶显示器、电子板和路灯)的光源的使用也得以增多。
发明内容
实施例提供一种发光模块，具有发射不同颜色的光的多个发光器件。
实施例提供一种发光模块，其中考虑到各个发光器件的发热特性来布置发光器件组。
实施例提供一种发光模块，其中考虑到各个发光器件的发热特性来布置发射不同颜色的光的发光器件组。
实施例提供一种发光模块，其中发射不同颜色的光的多个第一发光器件至第三发光器件布置在电路板上反射构件的区域中。
实施例提供一种允许高色彩还原和颜色控制的发光模块和具有该发光模块的光单元。
根据实施例的一种发光模块，包括：电路板；以及光源单元，布置在所述电路板上，其中所述光源单元包括多个发射不同颜色的光的第一发光器件至第三发光器件，所述多个第一发光器件布置在所述第二发光器件和第三发光器件的外周，所述多个第二发光器件布置在所述多个第三发光器件的两侧，所述多个第一发光器件彼此串联连接并且发射波长比从所述第二发光器件和第三发光器件发射的光的波长长的光，所述多个第二发光器件彼此串联连接并且发射波长比从所述第三发光器件发射的光的波长长的光，所述多个发光器件彼此串联连接，以及所述第一发光器件至第三发光器件的数量互不相同。
根据另一个实施例的一种发光模块，包括：电路板；以及光源单元，布置在所述电路板上，其中所述光源单元包括多个发射不同颜色的光的第一发光器件至第三发光器件，所述多个第一发光器件布置在所述第二发光器件和第三发光器件的外周，所述多个第二发光器件布置在所述多个第三发光器件的两侧，所述电路板包括第一布线部、第二布线部和第三布线部，其中所述第一布线部将所述多个第一发光器件彼此串联连接，所述第二布线部将所述多个第二发光器件彼此串联连接，所述第三布线部将所述多个第三发光器件彼此串联连接，所述第一布线部在所述电路板上布置在所述第二布线部和第三布线部的外侧，所述第一布线部包括多个布线，并且所述多个布线中的每个具有比所述第二布线部和第三布线部的每个布线的上部面积更宽的上部面积，以及所述第一发光器件至第三发光器件中每种器件的数量根据所发射光的波长增大而增大。
采用本申请提供的方案，可以减小发热导致的损耗。
附图说明
图1是示出根据第一实施例的发光模块的平面图。
图2是图1的发光模块中电路板的平面图。
图3是沿线A-A截取的图1的发光模块的剖视图。
图4是图1的发光模块的电路配置图。
图5是示出在图1的发光模块中布置发光器件的示例的视图。
图6是示出在图1的发光模块中发光器件和布线的宽度比较的视图。
图7是用于解释在图1的发光模块中布置发光器件的形式的视图。
图8是根据第二实施例的发光模块的侧剖视图。
图9是沿线B-B截取的图8的发光模块的剖视图。
图10是沿线C-C截取的图9的发光模块的剖视图。
图11是示出图8的发光模块的反射构件的另一个示例的视图。
图12是示出根据第三实施例的发光模块作为图9的发光模块的另一个示例的视图。
图13是沿线D-D截取的图12的发光模块的剖视图。
图14是图13的发光模块的反射构件的另一个示例。
图15是根据第四实施例的发光模块的平面图。
图16是图15的发光模块的另一个示例。
图17是图15的发光模块的侧剖视图。
图18是示出具有根据实施例的发光模块的光单元的视图。
图19是示出根据实施例的发光模块的发光器件的一个示例的视图。
图20是示出根据实施例的发光模块的发光器件的第一改型示例的视图。
图21是示出根据实施例的发光模块的发光器件的第二改型示例的视图。
图22是示出根据实施例的发光模块的发光器件的第三改型示例的视图。
图23是示出依赖于根据实施例的发光模块电路板中布线的图案间隔的电压比较的曲线图。
图24中的(A)图和(B)图是示出依赖于根据实施例的发光模块电路板中电路图案的布线宽度的电流量比较的视图。
具体实施方式
将详细描述本发明的实施例，使得本发明所属领域的技术人员可以容易地实施上述实施例。然而，本发明可以被体现为各种形式而不限于本文所描述的实施例。
贯穿整个说明书，由相同的附图标记来表示类似的元件。如果诸如层、膜、区域或板之类的部分被称为放置在另一个部分之上，这种表达可以包含其间仍存在另一个部分的情形以及该部分被直接地布置在该另一个部分之上的情形。相反，如果一个部分被称为直接布置在另一个部分之上，则意味着其间不具有另一个部分。
下文中，将参照图1至图7描述根据本发明第一实施例的发光模块。
图1是示出根据第一实施例的发光模块的平面图。图2是图1的发光模块中电路板的平面图。图3是沿线A-A截取的图1中发光模块的剖视图。图4是图1的发光模块的电路配置图。图5是示出在图1的发光模块中布置发光器件的示例的视图。图6是示出在图1的发光模块中发光器件和布线的宽度比较的图。图7是用于解释在图1的发光模块中布置发光器件的形式的视图。
参照图1至图7，发光模块可以包括电路板10以及布置在电路板10上且发射光的光源单元4。
参照图1，光源单元4可以包括发射第一颜色的光的多个第一发光器件1A、1B、1C、1D和1E，发射第二颜色的光的多个第二发光器件2A、2B、2C和2D，以及发射第三颜色的光的多个第三发光器件3A和3B。
可以布置不同数量的第一发光器件1A、1B、1C、1D和1E，第二发光器件2A、2B、2C和2D，以及第三发光器件3A和3B。与第二发光器件2A、2B、2C和2D或第三发光器件3A和3B相比较，更多量的第一发光器件1A、1B、1C、1D和1E可以布置在第二发光器件2A、2B、2C和2D和第三发光器件3A和3B的外部。
第一发光器件1A、1B、1C、1D和1E的发热特性可以高于第二发光器件2A、2B、2C和2D以及第三发光器件3A和3B的发热特性。第二发光器件2A、2B、2C和2D的发热特性可以等于或高于第三发光器件3A和3B的发热特性。在根据实施例的发光模块中，具有发热特性的器件可以向外布置，从而可以减小由于发热导致的损耗。
第一发光器件1A、1B、1C、1D和1E发射的光的波长可以比从第二发光器件2A、2B、2C和2D以及第三发光器件3A和3B发射的光的峰值波长更长。第二发光器件2A、2B、2C和2D发射的光的波长可以比从第三发光器件3A和3B发射的光的峰值波长更长。在光源单元4中，可以布置更多数量的发射长波长的光的发光器件，同时可以布置更少数量的发射短波长的光的发光器件。
第一发光器件1A、1B、1C、1D和1E可以是发射可见光光谱中红光的红色发光器件，并且可以发射峰值波长在614nm与620nm之间的光。第二发光器件2A、2B、2C和2D可以是发射可见光光谱中绿光的绿色发光器件，并且可以发射峰值波长在540nm与550nm之间的光。第三发光器件3A和3B可以是发射可见光光谱中蓝光的蓝色发光器件，并且可以发射峰值波长在455nm与470nm之间的光。
第一发光器件1A、1B、1C、1D和1E可以发射红光，第二发光器件2A、2B、2C和2D可以发射绿光，并且第三发光器件3A和3B可以发射蓝光。因此，光源单元4可以发射通过混合红光、绿光和蓝光形成的白光。
图4是发光模块的电路配置图。参照图4，多个第一发光器件1A、1B、1C、1D和1E可以彼此串联连接，多个第二发光器件2A、2B、2C和2D可以彼此串联连接，并且多个第三发光器件3A和3B可以彼此串联连接。彼此串联连接的多个第二发光器件2A、2B、2C和2D的输入端子可以被连接至多个第一发光器件1A、1B、1C、1D和1E的输出端子。彼此串联连接的多个第三发光器件3A和3B的输入端子可以被连接至多个第二发光器件2A、2B、2C和2D的输出端子。
光源单元4的发光器件1A、1B、1C、1D、1E、2A、2B、2C、2D、3A和3B中的每一个可以是发光二极管(LED)封装或芯片。
电路板10可以形成为基于树脂的印刷电路板(PCB)、金属芯PCB(MCPCB)和柔性PCB(FPCB)中的一个。在电路板10中，在第一轴向X上的距离X1可以长于在第二轴向Y上的距离Y1。在第一轴向X上的距离X1可以被限定为电路板10的宽度。
如图1和图3所示，电路板10可以包括多个层L1、L2、L3和L4。电路板10可以包括用于散热的金属层L1，用于与金属层L1绝缘的绝缘层L2，以及在绝缘层L2上的保护层L3和布线层L4。布线层L4可以被选择性地连接到光源单元4。
电路板10的金属层L1可以具有对应于电路板10厚度的60％或更多的厚度，并且可以由具有高导热系数的材料(例如，铜、铝、银或金、或包含这些金属元素中一种或多种的合金)形成。金属层L1的厚度可以为大约300μm或更大，例如，500μm或更大。
绝缘层L2可以使金属层L1和布线层L4彼此绝缘，并且可以包含基于环氧的树脂或者基于聚酰亚胺的树脂。在绝缘层L2的内部，诸如填料、玻璃纤维等的固体组分可以被分散，并且与此不同，诸如氧化物、氮化物等的有机材料可以被分散。绝缘层L2可以包含诸如SiO2、TiO2、SiOx、SiOxNy、Si3N4和Al2O3之类的材料。绝缘层L2的厚度可以为5μm至7μm的范围。
如图2和图3所示，电路板10的布线层L4可以被蚀刻为预定电路图案，并且保护层L3可以被暴露于电路图案的上表面的一些区域，从而该区域可以被用作焊盘P1和P2。布线层L4可以由铜或含有铜的合金形成。可以用镍、银、金或钯或含有一种或多种这些元素的合金来处理布线层L4的表面。布线层L4的厚度可以是100μm或更大。布线层L4可以通过多个焊盘P1和P2被连接到发光器件1A、1B、1C、1D、1E、2A、2B、2C、2D、3A和3B。
保护层L3可以由用于保护布线层L4的材料形成。保护层L3是用于阻挡除了焊盘之外的区域被暴露的层，可以包含诸如阻焊剂之类的绝缘材料。保护层L3可以呈现白色并且可以提高光反射效率。保护层L3的焊盘P1和P2可以被打开。被打开的区域可以被选择性地形成为圆形、半球形、多边形和非典型形状中的一种形状，但不限于此。
如图1和图2所示，电路板10的布线层L4可以包括第一布线部21、22、23、24、25和26(其连接多个第一发光器件1A、1B、1C、1D和1E)、第二布线部31、32、33和34(其连接多个第二发光器件2A、2B、2C和2D)、以及第三布线部35和36(其连接多个第三发光器件3A和3B)。
第一布线部21、22、23、24、25和26可以布置在第二布线部31、32、33和34以及第三布线部35和36的外部。第一布线部21、22、23、24、25和26可以布置在第二发光器件2A、2B、2C和2D以及第三发光器件3A和3B的外部。第一布线部21、22、23、24、25和26的布线可以被彼此间隔开并且可以将多个第一发光器件1A、1B、1C、1D和1E彼此连接。
第一布线部21、22、23、24、25和26可以将第一发光器件1A、1B、1C、1D和1E彼此串联连接。多个第二发光器件2A、2B、2C和2D可以布置在第一布线部21、22、23、24、25和26的内部，并且可以通过第二布线部31、32、33和34彼此串联连接。多个第三发光器件3A和3B可以布置在多个第一发光器件1A、1B、1C、1D和1E中，并且可以通过第三布线部35和36彼此串联连接。
第一布线部21、22、23、24、25和26可以包括多条布线，例如，第一布线到第六布线21、22、23、24、25和26。第一布线部21、22、23、24、25和26的布线数量可以例如比第一发光器件1A、1B、1C、1D和1E的数量多一个。
第一布线部21、22、23、24、25和26的每条布线的上部面积可以大于第二布线部31、32、33和34以及第三布线部35和36的每条布线的上部面积。
第一布线部21、22、23、24、25和26的两个端部布线可以通过线形布线被连接到第一连接端子11和第二连接端子12。例如，第一布线21和第六布线26可以通过第一连接端子11和第二连接端子12被连接到连接器(图4的70)。第一布线21和第六布线26中每个的表面积可以小于第二布线至第四布线22、23、24和25中每个的表面积。第二布线至第四布线22、23、24和25的表面积可以大于第一布线21和第六布线26的表面积，从而防止从光源单元4产生的热量的集中。
由于第一布线部21、22、23、24、25和26中的第二布线至第四布线22、23、24和25的上部面积可以比第一布线21和第六布线26的上部面积宽，所以可以提高第一发光器件1A、1B、1C、1D和1E的散热效率，并且可以提高第一发光器件1A、1B、1C、1D和1E的操作可靠性。
布置在电路板10上的连接端子11、12、13、14、15和16的相对侧中的第二布线22和第三布线23的表面积或上部面积可以比剩余布线21、24、25和26的表面积或上部面积宽，由此可以有效地散发从布置在多个第一发光器件1A、1B、1C、1D和1E的热量集中区域中的第一器件1A、第二器件1B和第三器件1C产生的热量。
第一布线至第六布线21、22、23、24、25和26可以包括布置在第一发光器件1A、1B、1C、1D和1E下方的焊盘P1和P2。例如，第一布线至第六布线21、22、23、24、25和26的焊盘P1和P2可以被电连接到各自的第一发光器件1A、1B、1C、1D和1E。焊盘P1和P2可以是从中去除保护层L3的区域。
多个第一发光器件1A、1B、1C，1D和1E可以布置在基于第二发光器件2A、2B、2C、2D以及第三发光器件3A和3B的区域的相对侧。例如，在多个第一发光器件1A、1B、1C，1D和1E中，第一器件1A与第三和第四器件1C、1D可以彼此相对布置，并且第二器件1B与第五器件1E可以相对布置。可替代地，多个第一发光器件1A、1B、1C，1D和1E中的至少两个可以相对于彼此对称地布置，并且，例如，第二器件1B和第五器件1E可以相对于彼此对称地布置。
第二布线部31、32、33和34可以包括第七布线至第十布线31、32、33和34。第二布线部31、32、33和34可以包括被连接到第一布线部21、22、23、24、25和26的输出端(例如，第六布线26)的第七布线31、邻近第七布线31的第八布线32、邻近第八布线32的第九布线33、以及邻近第九布线33的第十布线34。
第一布线部21、22、23、24、25和26的输出端可以是第二布线部31、32、33和34的输入端。例如，第一布线部21、22、23、24、25和26中的第六布线26可以是第二布线部的31、32、33和34的输入布线。第二布线部31、32、33和34可以将第二发光器件2A、2B、2C和2D中的第一至第四器件2A、2B、2C和2D彼此串联连接。
第二布线部31、32、33和34的输出端可以被连接至第三布线部35和36的输入端。例如，第二布线部31、32、33和34的输出端的第十布线34可以是第三布线部35和36的输入端的布线。第三布线部35和36可以将第三发光器件3A和3B中的第一器件3A和第二器件3B彼此串联连接。
如图4所示，多个第一发光器件1A、1B、1C、1D和1E的输出端可以被连接到多个第二发光器件2A、2B、2C和2D的输入端，并且多个第二发光器件2A、2B、2C和2D的输出端可以被连接至多个第三发光器件3A和3B的输入端。
第二发光器件2A、2B、2C和2D的至少两个器件2A和2B可以被布置在第一发光器件1A、1B、1C和1D中的第五器件1E与第三发光器件3A和3B之间的区域中，并且剩余的至少两个器件可以被布置在第一发光器件1A、1B、1C和1D中的第二器件1B与第三发光器件3A和3B之间的区域中。
在第一发光器件1A、1B、1C、1D和1E中，第二器件1B与第五器件1E之间的间隔可以大于第一器件1A与第三器件1C或第四器件1D之间的间隔。
多个第三发光器件3A和3B可以在第一方向X上布置在第一发光器件1A、1B、1C、1D和1E中的器件1A、1C和1D之间，并且可以在第二方向Y上布置在第二发光器件2A、2B、2C和2D中的器件2A、2B、2C和2D之间。第一方向X可以是电路板10的宽度方向，并且第二方向Y可以是比电路板10的宽度X1长的长度Y1的方向。
多个第一发光器件1A、1B、1C，1D和1E可以布置在基于第二发光器件2A、2B、2C、2D和第三发光器件3A和3B的区域的相对侧。也就是说，在第二发光器件和第三发光器件的外部，至少一对第一发光器件可以彼此相对或者彼此对应。
多个第二发光器件2A、2B、2C和2D的数量可以小于第一发光器件1A、1B、1C、1D和1E的数量，并且可以大于第三发光器件3A和3B的数量。第二发光器件2A、2B、2C和2D的数量可以为第三发光器件3A和3B的数量的150％或更多，例如，200％或更多。第三发光器件3A和3B可以包括至少两个第三发光器件。
第一发光器件1A、1B、1C、1D和1E的数量可以为第二发光器件2A、2B、2C和2D的数量的125％或更多。可以根据发光强度，将第一至第三发光器件1A、1B、1C、1D、1E、2A、2B、2C、2D、3A和3B的各个器件布置为不同的数量，从而可以提高从电路板10发射的光的亮度均匀性。
连接到第一发光器件1A、1B、1C、1D和1E的第一布线部21、22、23、24、25的总表面积可以比连接到第二发光器件2A、2B、2C和2D的第二布线部31、32、33和34的总表面积宽。连接到第二发光器件2A、2B、2C和2D的第二布线部31、32、33和34的总表面积可以比连接到第三发光器件3A和3B的第三布线部35和36的总表面积宽。因此，具有最高发热特性的第一发光器件1A、1B、1C、1D和1E可以布置在光源单元4的最外部，并且可以有效地散发从第一发光器件1A、1B、1C、1D和1E发射的热量。另外，能够防止从第一发光器件1A、1B、1C、1D和1E发射的热量影响其他第二发光器件2A、2B、2C和2D以及第三发光器件3A和3B。
如图1和图2所示，多个开口51、52和53可以布置在第一布线部21、22、23、24、25和26中的任意布线的外部。多个开口51、52和53可以包括布置在第一布线21的外部21A的第一开口51、布置在第二布线22和第三布线23的外部21B的第二开口52、以及布置在第四布线24和第五布线25的外部21C的第三开口53。
将第一至第三开口51、52和53彼此连接的线形形状可以是三角形形状。多个开口51、52和53可以布置在光源单元4的外部，并且可以支撑后述的反射构件的下部。
第一至第六布线21、22、23、24、25和26的焊盘P1和P2可以在第一至第三开口51、52和53的位置向内的位置布置。光源单元4可以布置在第一虚拟圆C1的内部，其中第一虚拟圆C1具有距离电路板10的可选中心的预定半径。第一虚拟圆C1的中心可以是光源单元4的中心。第一虚拟圆C1的直径D1可以是19mm或更大，例如，22mm或更大，并且这种直径D1可以取决于光源单元4的第一至第三发光器件1A、1B、1C、1D、1E、2A、2B、2C、2D、3A和3B的尺寸和数量而变化。限定光源单元4的区域的第一虚拟圆C1可以为19mm到30mm的范围，例如，20mm至25mm的范围。第一虚拟圆C1可以限定能够被布置在光源单元4周围部分的反射构件的边界区。可以鉴于从光源单元14产生的光的光通量和亮度的均匀性来设置第一虚拟圆C1的直径D1。
第一至第三布线部21、22、23、24、25、26、31、32、33、34、35和36可以被选择性地连接到连接端子11、12、13和14。测试焊盘71可以被暴露于邻近连接端子11、12、13和14的各条线。各布线是否操作、电流和电压等可以通过测试焊盘71来测试。
识别标记76可以布置在电路板10上。识别标记76可以布置在第一虚拟圆C1的外部。识别标记76可以是在进行表面安装技术(surface mountingtechnology，SMT)时用于设置坐标的标记。识别标记76可以在第一布线部21、22、23、24、25和26的位置向外的位置。
模块温度感测区域75可以布置在第一布线部21、22、23、24、25和26的任意布线中，并且模块温度感测区域75可以是部分布线被暴露的区域。模块温度感测区域75可以邻近第一发光器件1A、1B、1C、1D和1E中的任意器件1D和1E布置。因此，模块温度感测区域75可以邻近对温度最敏感的第一发光器件1A、1B、1C、1D和1E中的任意器件1D和1E布置，并且可以提供模块温度。
参照图1，热感测装置5可以布置在电路板10上。热感测装置5可以布置在邻近第一发光器件1A、1B、1C、1D和1E中的任意器件(例如，第六器件1E)的区域中。热感测装置5可以邻近第一发光器件1A、1B、1C、1D和1E中的任意器件1E布置，该器件1E在第一至第三发光器件1A、1B、1C、1D、1E、2A、2B、2C、2D、3A和3B中具有最高的发热特性。
热感测装置5可以通过第四布线部45和46被连接至连接端子15和16。热感测装置5可以是热敏电阻，其是具有根据温度变化的电阻值的可变电阻器。热感测装置5可以为负温度系数(NTC)，其中电阻根据温度的增加而降低。可替代地，热感测装置5可以为正温度系数(PTC)。
连接器70可以布置在连接端子11、12、13、14、15和16以及外部连接端子73中。连接器70可以选择地供应电力至连接端子11、12、13和14并且驱动第一至第三发光器件1A、1B、1C、1D、1E、2A、2B、2C、2D、3A和3B打开或关闭。类似于图4，第一至第三发光器件1A、1B、1C、1D、1E、2A、2B、2C、2D、3A和3B可以被选择性地驱动或者同时打开或关闭，但不限于此。
在电路板10中，开口51、52或53与布线层L4之间的间隔D4可以是1.2mm或更大，例如，1.5mm或更大。间隔D4可以防止与布线层L3之间的电干扰。
在电路板10中，第一布线部21、22、23、24、25和26可以与电路板10的边缘间隔开预定距离D2。距离D2可以是2.5mm或更大，例如，3mm或更大。当距离D2极小时，可能出现通过电路板10边缘的泄漏电流。
外部连接端子73可以与电路板10的边缘间隔开预定距离D3，并且该距离D3可以比距离D2宽。距离D3可以是3.5mm或更大，例如为4mm或更大。距离D3可以根据电源电压而变化。
参照图5和图6，第二布线部31、32、33和34中的第七布线31的宽度W3可以比第九布线99的宽度W2窄。在第二发光器件2A、2B、2C和2D中的第一器件2A和第二器件2B与第三发光器件3A和3B之间的间隔W5可以等于第二发光器件2A、2B、2C和2D中的第三器件2C和第四器件2D与第三发光器件3A和3B之间的间隔。尽管第七布线31的宽度W3和第九布线33的宽度W2彼此不同，但是可以在第二发光器件与第三发光器件3A和3B之间设置相同的间隔W5，从而第二布线部31、32、33和34中的第九布线33的宽度W2可以补偿第二布线部31、32、33和34中的第七布线31和第三部35与36之间的连接布线14A的宽度W4。
第七布线31和第九布线33的焊盘P1和P2的宽度W1可以彼此相同，但不限于此。第七布线31和第九布线33的焊盘P1和P2的宽度W1可以等于第二发光器件2A、2B、2C和2D在第二方向上的宽度(例如，W1)，但不限于此。第九布线33的宽度W2可以比第九布线33的焊盘P1和P2的宽度W1宽。
第二布线部31、32、33和34中的第八布线32可以包括邻近第七布线31的第一区域R1、相邻第九布线33的第二区域R2、以及在第一发光器件1A、1B、1C、1D和1E中的第三器件1C和第四器件1D与第三发光器件3A和3B中的第二器件3B之间的区域中分支(diverge)的第三区域R3。第一区域R1的宽度可以与第七布线31的宽度W1相同，并且第三区域R3的宽度可以与第九布线33的宽度W2相同但是可以比第一区域R1的宽度宽。第八布线32的第二区域R2的宽度可以比第二发光器件2A、2B、2C和2D在第二方向上的宽度(例如，W1)宽。
以这种方式，由于第二发光器件2A、2B、2C和2D中的第一器件2A和第二器件2B与第三发光器件3A和3B之间的间隔W5可以与第二发光器件2A、2B、2C和2D中的第三器件2C与第四器件2D之间的间隔相同，所以可以提供器件之间的亮度均匀性。
第三布线部35和36可以将第三发光器件3A和3B彼此串联连接。第三布线部35和36的布线的宽度可以与第三发光器件3A和3B的宽度相同。
参照图7，在电路板10上光源单元4的外边界线可以被实施为第一虚拟圆C1。第一虚拟圆C1的直径可以小于穿过多个开口51、52和53的虚拟圆C4的直径，并且可以大于穿过多个第一发光器件1A、1B、1C、1D和1E的第二虚拟圆C2的直径。第一虚拟圆C1可以具有绕中心D11的预定半径、D11是在多个第三发光器件3A和3B之间的区域。
多个第一发光器件1A、1B、1C、1D和1E可以布置在第一虚拟圆C1内侧。第一虚拟圆C1可以布置在多个第一至第三发光器件1A、1B、1C、1D、1E、2A、2B、2C、2D、3A和3B外侧。与多个第二和第三发光器件2A、2B、2C、2D、3A和3B相比较，多个第一发光器件1A、1B、1C、1D和1E可以更邻近第一虚拟圆C1。
第二虚拟圆C2是穿过多个第一发光器件1A、1B、1C、1D和1E的圆，可以布置在多个第二发光器件2A、2B、2C和2D外侧。第三虚拟圆C3是穿过多个第二发光器件2A、2B、2C和2D的圆，可以布置在多个第一发光器件1A、1B、1C、1D和1E内侧，并且可以布置在第三发光器件3A和3B外侧。第一至第三虚拟圆C1、C2和C3的中心D11可以是光源单元4的中心，并且可以是多个第三发光器件3A和3B之间的区域。第一虚拟圆C1的直径D1可以小于第一至第三开口之间的距离D5，其可以根据开口51、52和53的数量而变化。穿过多个第一发光器件1A、1B、1C、1D和1E的第二虚拟圆C2可以布置在第一至第三开口51、52和53的位置内侧。因此，光源单元4可以被布置在鉴于热特性的最优位置处。光源单元4可以被布置在第一虚拟圆C1的区域内。
图8是根据第二实施例的发光模块的侧剖视图。图9是沿线B-B截取的图8中的发光模块的剖视图。图10是沿线C-C截取的图9中的发光模块的剖视图。
参照图1和图8至图10，发光模块可以包括：光源单元4，其中光源单元4在电路板10上具有根据实施例的多个第一至第三发光器件1A、1B、1C、1D、1E、2A、2B、2C、2D、3A和3B；以及布置在光源单元4周围的反射构件61。
发光模块可以包括光源单元4，其中光源单元4在电路板10上具有根据图1所示的实施例的多个第一至第三发光器1A、1B、1C、1D、1E、2A、2B、2C、2D、3A和3B。参照第一实施例的描述将提供这种配置。
反射构件61可以被附着于电路板10上。反射构件61可以包围光源单元4并且可以反射被发出的光，其中该光源单元4具有根据图1所示实施例的多个第一至第三发光器件1A、1B、1C、1D、1E、2A、2B、2C、2D、3A和3B。
反射构件61可以具有反射表面，该反射表面反射来自第一至第三发光器件1A、1B、1C、1D、1E、2A、2B、2C、2D、3A和3B的光。反射构件61可以大致垂直于电路板10或者可以与电路板10的上表面形成锐角θ1。使用能够容易地反射光的材料，通过涂覆法或者沉积法可以形成反射表面。
与第二和第三发光器件2A、2B、2C、2D、3A和3B相比，第一发光器件1A、1B、1C、1D和1E可以更邻近反射构件61。
反射构件61可以包含树脂材料或金属材料。树脂材料可以包括诸如硅或环氧树脂的塑料材料或树脂材料。反射构件61可以包括诸如硅或环氧树脂的树脂材料，并且金属氧化物可以被添加进反射构件61的内部。金属氧化物可以具有比模塑构件的折射率更高的折射率，并且例如可以包括TiO2、Al2O3或SiO2。5W％或更多的金属氧化物可以被添加至反射构件，并且可以展现相对于入射光50％或以上(例如，78％或以上)的反射率。
当反射构件61由金属材料形成时，反射构件61可以与电路板10的第一至第三布线部间隔开，并且可以包含铝(Al)、银(Ag)、铝合金或银合金中的至少一种。
反射构件61的高度H1可以是允许将从光源单元4发射出的光的颜色混合的高度，但不限于此。
反射构件61的高度H1可以比图1和图9所示的第一虚拟圆C1的直径D1或者比反射构件61的直径大，以便最小化色感的差异。反射构件61的高度H1可以为大于等于图1和图9所示的第一虚拟圆C1的直径D1或反射构件61的直径的150％到小于等于图1和图9所示的第一虚拟圆C1的直径D1或反射构件61的直径的300％的范围。反射构件61的高度H1可以为图1和图9所示的第一虚拟圆C1的直径D1或反射构件61的直径的150％到250％的范围。当反射构件61的高度H1偏离该范围时，光反射效率或光提取效率可能降低，从而导致色感的差异或亮度降低。
本文中，热感测装置5可以被布置在反射构件61外侧。
发光模块可以被布置在电路板10上，并且可以包括布置在反射构件61内的透光构件67。透光构件67可以包含诸如硅或环氧树脂之类的透明树脂材料。荧光体可以不被添加至透光构件67中。作为另一个示例，分散剂、散射剂或荧光体中的至少一种可以被添加至透光构件67中，但透光构件67不限于此。
透光构件67可以接触电路板10的上表面和反射构件61的内表面。透光构件67的厚度可以大于等于反射构件61的高度，但不限于此。透光构件67的上表面可以包括凸面、凹面或平坦表面中的至少一种。
透光构件67的上直径可以比其下直径D3宽。
反射构件61可以被布置在图9所示的第一虚拟圆C1的边界线或其外部。从其顶部观察时，反射构件61可以具有圆形、椭圆形或多边形形状。
反射构件61可以被耦接至图9的电路板10的开口51、52和53。如图图9和图10所示，反射构件61的下部62可以被延伸到电路板10的开口51、52和53。电路板10的开口51、52和53可以在其不同的位置中支撑反射构件61的下部62。反射构件61可以被耦接到布置在电路板10中的多个开口51、52和53，并且可以被支撑在电路板10上。作为另一个示例，当反射构件61由金属材料形成时，通过绝缘材料可以将其与电路板10的金属层L1和布线层L4绝缘。
反射构件61可以被耦接到开口，并且可以接触电路板10的上表面(例如，保护层L3)。因此，反射构件61可以接触电路板10的上表面并且反射光。
如图10所示，反射构件61可以布置在电路板10的保护层L3的上表面上。反射构件61的下表面的宽度可以小于等于开口62的宽度W6，但不限于此。
如图10所示，反射构件61的下部62可以接触在开口51、52和53内电路板10的保护层L3、绝缘层L2和金属层L1。开口51、52和53的位置可以布置在不与电路板10的布线垂直重叠的区域中。因此，由于反射构件61可以防止电短路的发生。
发光模块可以降低所发射光的光通量、显色指数(CRI)和相关色温(CCT)的变化。此外，可以提高颜色均匀性，并且减小色感的差异。
图11是示出图10中反射构件的另一个示例的视图。
参照图11，反射层61A可以布置在反射构件61的内表面上。反射层61A可以接触电路板10的上表面(例如，保护层L3)，并且可以布置为以便不被电连接至电路板10内的布线部。作为另一个示例，反射层61A可以与电路板10的上表面(例如，保护层L3)间隔开或者不与电路板10的上表面(例如，保护层L3)直接接触。
图12是示出根据第三实施例的发光模块的视图，作为图9的发光模块的另一个示例。图13是沿线D-D截取的图12的发光模块的剖视图。
参照图12和图13，发光模块可以包括光源单元4(其具有布置在电路板10上的多个第一至第三发光器件1A、1B、1C、1D、1E、2A、2B、2C、2D、3A和3B)、布置在光源单元4周围的反射构件61、以及布置在反射构件61内的支撑突起65。
反射构件61可以被耦接至布置在电路板10中的多个开口51、52和53。反射构件61可以包含诸如硅或环氧树脂的塑料材料或树脂材料。反射构件61具有环形形状，并且可以被布置在光源单元4的周围。当从其顶部观察时，反射构件61可以具有圆形或多边形形状。
反射构件61中可以包括多个位于其中的支撑突起65。多个支撑突起65可以被布置在反射构件61内以彼此间隔开。
支撑突起65的高度可以与反射构件61的高度相同，并且可以向外暴露出。通过向外暴露，可以提高散热效率。
作为另一个示例，支撑突起65的高度可以低于反射构件61的高度，并且可以被嵌入反射构件61中。支撑突起65未通过反射构件61向外暴露，从而可以防止水分渗透。
多个支撑突起65可以布置在第一布线部21、22、23、24、25和26的布线区域上。支撑突起65可以被布置为与电路板10的第三布线部35和36的布线垂直地重叠。因此，可以将从电路板10的第三布线部35和36传导的热量散发。
单个突起65或多个支撑突起65可以布置在第一布线部21、22、23、24、25和26中的三个或更多布线上。例如，两个或更多突起65可以被布置在第一布线部21、22、23、24、25和26中的第二布线22和第三布线23(其被布置在连接端子11、12、13、14、15和16的相对侧)上。
多个支撑突起65可以由与反射构件61的材料不同的材料(例如，金属材料)形成。支撑突起可以由铝材料、铜材料或银材料形成，但不限于此。
如图13所示，每个支撑突起65的下部64可以穿透电路板10的通孔55被，并且可以被暴露于电路板10的下部。通过绝缘材料56可以将支撑突起65与金属层L1绝缘。支撑突起65可以不被电连接至电路板10的布线层L4。
由于多个支撑突起65被布置在第一布线部21、22、23、24、25和26上，所以可以将从被连接到第一布线部21、22、23、24、25和26的第一发光器件1A、1B、1C、1D和1E发射的热量有效散发。也就是说，可以对具有最高发热特性的第一发光器件1A、1B、1C、1D和1E进行热保护。
图14是图13的另一个示例。
参照图14，反射构件61内的支撑突起65可以接触第一布线部21、22、23、24、25和26的布线，如图12那样。因此，通过支撑突起65可以将从第一布线部21、22、23、24、25和26的布线传导的热量散发。也就是说，可以增大由于布线和支撑突起导致的散热表面积。
作为另一个示例，在反射构件61内的支撑突起65可以不与第一布线部21、22、23、24、25和26的布线相接触，并且可以接触电路板10的保护层L3的上表面。支撑突起65可以将从保护层L3传导的热量散发。
图15是根据第四实施例的发光模块的视图。
参照图15，发光模块可以包括光源单元4，其中光源单元4具有位于电路板10上的多个第一发光器件1A、1Aa、1B、1C、1D和1E以及布置为在第一发光器件1A、1Aa、1B、1C、1D和1E内侧的第二和第三发光器件2A、2B、2C、2D、3A和3B。根据第二实施例的反射构件61可以布置在光源单元4的周围。
多个第一发光器件1A、1Aa、1B、1C、1D和1E可以串联布置，并且可以沿着第一虚拟圆C1布置在第一虚拟圆C1内侧。
多个第一发光器件1A、1Aa、1B、1C、1D和1E可以被布置为使得相对器件可以彼此面对。例如，在第一发光器件1A、1Aa、1B、1C、1D和1E中，布置在相对侧(即，在第二和第三发光器件2A、2B、2C、2D、3A和3B的两个外侧)的至少一对器件1A和1D、1Aa和1C、或1B和1E可以彼此面对或者可以彼此对应。也就是说，当提供偶数个第一发光器件时，各对器件可以被布置为彼此面对。第一布线部21、22A、22、23、24、35、和26的布线可以将第一至第六器件1A、1Aa、1B、1C、1D和1E彼此串联连接。
多个第一发光器件1A、1Aa、1B、1C、1D和1E可以发射红光，并且可以布置在第二和第三发光器件2A、2B、2C、2D、3A和3B外侧。第二发光器件2A、2B、2C和2D可以发射绿光并且可以被布置在第三发光器件3A和3B的两侧。第三发光器件3A和3B可以发射蓝光，并且可以布置在第一发光器件1A、1Aa、1B、1C、1D和1E和第二发光器件2A、2B、2C和2D内侧。
图16是根据第四实施例的发光模块的视图。在描述图16时，将参照以上所公开实施例的描述来解释与以上所公开实施例相同的部分。
参照图16，发光模块可以包括电路板10(在其上布置有光源单元4)、以及反射构件61(其被布置在光源单元4的周围)。发光模块可以包括图8的透光构件67。
光源单元4可以包括多个第一发光器件1A、1B、1C、1D和1E，多个第二发光器件2A、2B、2C和2D，以及多个第三发光器件3A和3B。
多个第一发光器件1A、1B、1C、1D和1E可以通过第一布线部21、22、23、24、25和26彼此串联连接。连接至连接器(未示出)的第一和第二连接端子11和11A可以被布置在第一布线部21、22、23、24、25和26的两端。
多个第二发光器件2A、2B、2C和2D可以通过第二布线部31、32、33和34A彼此串联连接。连接至连接器的第三和第四连接端子12A和12B可以被布置在第二布线部31、32、33和34A的两端。
多个第三发光器件3A和3B可以通过第三布线部35A、35和36彼此串联连接。连接至连接器的第五和第六连接端子13A和13B可以被布置在第三布线部35A、35和36的两端。
布置有第一布线部21至26的布线21、22、23、24、25和26的区域可以被设置在第二布线部31、32、33和34A的外周。本文中，第二布线部31、32、33和34A可以不包括被连接至第三和第四连接端子12A和12B的连接线。
布置有第一布线部21至26的布线21、22、23、24、25和26的区域可以被设置在第三布线部35A、35和36的外部。本文中，第三布线部35A、35和36可以不包括被连接至第五和第六连接端子13A和13B的连接线。
第一布线部21、22、23、24、25和26的输出侧布线可以与第二布线部31、32、33和34A的输入侧布线隔离，并且第二布线部31、32、33和34A的输出侧布线可以与第三布线部35A、35和36的输入侧布线隔离。
第一至第六连接端子11、11A、12A、12B、13A和13B可以控制将电流提供到各第一至第三发光器件1A、1B、1C、1D、1E、2A、2B、2C、2D、3A和3B，以便根据其颜色来驱动发光器件1A、1B、1C、1D、1E、2A、2B、2C、2D、3A和3B。
多个第一发光器件1A、1B、1C、1D和1E可以布置在多个第二和第三发光器件2A、2B、2C、2D、3A和3B的外部与反射构件61之间。多个第一发光器件1A、1B、1C、1D和1E的数量可以比第二发光器件2A、2B、2C和2D的数量或第三发光器件3A和3B的数量多。
反射构件61可以布置在多个第一至第三发光器件1A、1B、1C、1D、1E、2A、2B、2C、2D、3A和3B的周围，即，在光源单元4的周围。反射构件61可以包含塑料或树脂材料中的至少一种，诸如硅或环氧树脂。由金属材料形成的反射层可以布置在反射构件61的内表面上。多个支撑突起可以布置在反射构件61内，但不限于此。
根据实施例的反射构件61可以被耦接至电路板10的开口51、52和53。
根据实施例的多个支撑突起可以被耦接到反射构件61的内部，但不限于此。
图17是根据第五实施例的发光模块的视图。
参照图17，发光模块可以包括电路板10、布置在电路板10上的根据实施例的光源单元4、布置在光源单元4上的反射构件61、布置在反射构件61内的透光构件67、以及布置在电路板10下方的散热器68。关于电路板10、光源单元4和反射构件61，请参照在上述实施例中公开的描述。
透光构件67可以包含诸如硅或环氧树脂的透明树脂材料。荧光体可以不被添加至透光性构件67中。作为另一个示例，诸如黄色的荧光体或者或红色荧光体可以被添加至透光构件67中，但透光构件67不限于此。
透光构件67可以接触电路板10的上表面和反射部件61的内表面。透光构件67的厚度可以等于或高于反射构件61的高度，但不限于此。透光构件67的上表面可以包括凸面、凹面或平坦表面中的至少一种。透光构件67的上直径可以比其下直径宽，但不限于此。
散热器68可以具有一个表面，该表面上布置有光源单元4。本文中，该一个表面可以是平坦表面，或者可以是具有预定弯曲部的表面。
散热器68的厚度可以比电路板10的厚度厚，并且可以比透光构件67的厚度薄。
散热器68可以具有散热鳍68A。散热鳍68A可以从散热器的一侧突出或向外延伸。在与其上布置有电路板10的表面相对的方向上，多个散热鳍68A可以突出。散热鳍68A可以扩大散热器68的散热面积，以提高发光模块的散热效率。散热鳍68A的侧截面形状可以是圆柱形、多棱柱形、或柱形，其中散热鳍68A的厚度在向外的方向上减小。
散热器68可以由具有优异散热效率的金属材料或者树脂材料形成，但是不限于此。例如，散热器68的材料可以包含铝(Al)、镍(Ni)、铜(Cu)、银(Ag)和锡(Sn)中的至少一种。
图18是示出具有根据实施例的发光模块的光单元的视图。
参照图18，光单元可以包括电路板10、布置在电路板10上的根据实施例的光源单元4、布置在光源单元4周围的反射构件61、布置在反射构件61内的透光构件67、布置在反射构件61上的光学构件69、以及布置在电路板10下方的散热器68。关于电路板10、光源单元4和反射构件61，请参照在上述实施例中公开的描述。
可以不形成布置在反射构件61内的透光构件67，但不限于此。
光学构件69可以包括扩散片、水平和/或垂直棱镜片、以及增亮片中的至少一个。扩散片可以将入射光扩散，水平和/或垂直棱镜片可以将入射光收集到可选区域上，并且增亮片可以再利用损失的光来提高亮度。
当透光构件67存在时，光学构件69可以接触透光构件67，但不限于此。透光构件67可以支撑光学构件69防止其下垂。
虽然在光学构件69被布置在单个发光模块上的结构中描述了光学构件69的宽度或面积，但是当布置有多个发光模块时，光学构件69可以被布置在多个发光模块上，但不限于此。
在实施例中，可以提高发光模块的颜色均匀性。在实施例中，通过根据发热特性在发光模块内布置发光器件的位置，可以提高发光模块的散热效率。在实施例中，通过基于散热来布置发射不同颜色的光的发光器件，可以最小化电路板的尺寸。在实施例中，可以提高发光模块和具有该发光模块的照明装置的可靠性。
图19是示出根据实施例发光器件被布置在电路板上的示例的视图。
参考图19，发光模块可以包括电路板10和在电路板10上的发光器件40。发光器件40可以是根据实施例的光源单元的发光器件中的一个，例如，第一至第三发光器件中的一个。
电路板10的焊盘P1和P2可以通过粘附构件98和99被电连接到发光器件40。
电路板10可以是金属芯PCB(MCPCB)、基于树脂的PCB或者柔性PCB(FPCB)，但是不限于此。
电路板10可以包括，例如，金属层L1、绝缘层L2、布线层L4和保护层L3，但不限于此。布线层L4可以包括焊盘P1和P2。
发光器件40可以包括本体90、多个电极92和93、发光芯片94、接合构件95以及模塑构件97。
本体90可以包括选自绝缘材料、透光材料和导电材料中的一种。例如，本体90可以由诸如聚邻苯二甲酰胺(PPA)的树脂材料、硅(Si)、金属材料、光敏玻璃(PSG)、蓝宝石(Al2O3)、环氧树脂模塑料(EMC)、聚合物组和基于塑料的印刷电路板(PCB)中的至少一种形成。例如，本体90可以由选自诸如聚邻苯二甲酰胺(PPA)的树脂材料、和硅或基环氧树脂的材料形成。从其顶部看时，本体90可以具有多边形形状、圆形或具有曲面的形状，但是实施例不限于此。
本体90可以包括腔91，该腔91设置有打开的上部和具有倾斜面的外围部。例如，至少两个电极92和93可以设置在腔91的底表面上。在腔91的底表面上电极92和93可以彼此间隔开。腔91可以具有宽度宽于上部宽度的下部，但实施例不限于此。
电极92和93可以包括金属材料，例如钛(Ti)、铜(Cu)、镍(Ni)、金(Au)、铬(Cr)、钽(Ta)、铂(Pt)、锡(Sn)、银(Ag)和磷(P)中的至少一种，并且可以被配置为单金属层或多金属层。
多个电极92与93之间的间隙部可以由与本体90相同或不同的绝缘材料形成，但实施例不限于此。
发光芯片94可以被布置在多个电极92和93中的至少一个上。通过使用接合构件95，发光芯片94可以被接合或倒装接合至电极92和93中的至少一个上。接合构件95可以包括包含(Ag)的粘膏材料。
通过粘附构件98和99，可以将多个电极92和93电连接至电路板10的布线层L4的焊盘P1和P2上。
发光芯片94可以选择性地发射在可见光波长与紫外(UV)波长之间范围内的光。例如，发光芯片94可以选自红色LED芯片、蓝色LED芯片、绿色LED芯片、黄绿色LED芯片、UV LED芯片和白色LED芯片。发光芯片94包括III-V族元素和/或II-VI族元素的化合物半导体。虽然在实施例中发光芯片94被布置在具有横向型电极结构的芯片结构中，但是发光芯片94可以被布置在具有垂直型电极结构(其中在垂直方向上布置有两个电极)的芯片结构中。通过诸如导线96的电连接构件将发光芯片94电连接到多个电极92和93。
发光器件40可以是发射红光的第一发光器件，并且在第一发光器件中，发光芯片94可以由红色LED芯片形成或者可以包括UV LED芯片和红色荧光体。
发光器件40可以是发射绿光的第二发光器件，并且在第二发光器件中，发光芯片94可以由绿色LED芯片形成或者可以包括UV LED芯片和绿色荧光体。
发光器件40可以是发射蓝光的第三发光器件，并且在第三发光器件中，发光芯片94可以由蓝色LED芯片形成或者可以包括UV LED芯片和蓝色荧光体。至少一个发光芯片94可以被布置在腔91中。至少两个发光芯片可以彼此并联或串联连接，但实施例不限于此。
具有树脂材料的模塑构件97可以形成在腔91中。模塑构件97可以包括诸如硅或环氧树脂的透明材料，并且可以形成为单层或多层结构。模塑构件97的顶表面可以包括平面形状、凹形状和凸形状中的至少一种。例如，模塑构件97的定表面可以是凹的或凸的，并且可以作为发光芯片94的发光表面。
模塑构件97可以包括荧光体，用于转换从被包含在诸如硅或环氧树脂的树脂材料中的发光芯片94发射的光的波长。荧光体可以包括选自YAG、TAG、硅酸盐、氮化物、以及基于氧氮化物的材料中的一种。荧光体可以包括红色荧光体、黄色荧光体和绿色荧光体中的至少一种，但是实施例不限于此。
光学透镜(未示出)可以被设置在模塑构件97上，并且可以由折射率范围为1.4至1.7的透明材料形成。此外，光学透镜可以包括透明树脂材料，诸如具有1.49的折射率的聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、具有1.59的折射率的聚碳酸酯、和环氧树脂(EP)、或透明玻璃。
图20是示出根据实施例的发光模块的发光器件的第一改型示例的视图。
参照图20，发光模块可以包括电路板10以及在电路板10上的发光器件40A。发光器件40A可以是根据实施例的光源单元的发光器件中的一个，例如，第一至第三发光器件中的一个。
电路板10的焊盘P1和P2可以通过粘附构件161和162被电连接到发光器件40A。
电路板10可以是金属芯PCB(MCPCB)、基于树脂的PCB或者柔性PCB(FPCB)，但是不限于此。
发光器件40A可以包括：衬底111、第一半导体层113、发光结构120、电极层131、绝缘层133、第一电极135、第二电极137、第一连接电极141、第二连接电极143和支撑层140。
衬底111可以使用透光的、绝缘的或导电的衬底。例如，衬底111可以使用蓝宝石(Al2O3)、SiC、Si、GaAs、GaN、ZnO、GaP、InP、Ge和Ga2O3中的至少一种。衬底111可以被限定为在其上堆叠有多个半导体层的生长衬底。多个凸部(未示出)可以形成在衬底111的顶表面或底表面的至少一个或全部上，以提高光提取效率。每个凸部的侧横截面形状可以包括半球形、半椭圆形、或多边形中的至少一种。本文中，在发光器件40A中可以去除衬底111，并且在这种情况下，第一半导体层113或者第一导电半导体层115可以被布置为发光器件40A的顶层。
第一半导体层113可以形成在衬底111下方。可以使用II-V化合物半导体形成第一半导体层113。第一半导体层113可以形成为使用II-V化合物半导体的至少一层或多层。第一半导体层113可以具有使用III-V化合物半导体的半导体层，该III-V化合物半导体包括GaN、InN、AlN、InGaN、AlGaN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaAs、GaAsP、AlGaInP和GaP中至少一种。第一半导体层113可以具有经验式InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1、0≤y≤1、0≤x+y≤1)，并且可以由缓冲层和未掺杂半导体层中的至少一种形成。缓冲层可以减小衬底和氮化物半导体层之间的晶格常数差异，并且未掺杂半导体层可以提高半导体的晶体质量。本文中，也可以不形成第一半导体层113。
发光结构120可以形成在第一半导体层113的下方。发光结构120可以由II-V和III-V化合物半导体选择性地形成，并且发射在紫外波段到可见光波段波长范围内的预定峰值波长。
发光结构120包括第一导电半导体层115、第二导电半导体层119、以及形成在第一导电半导体层115与第二导电半导体层119之间的有源层117。在层115、117和119中每个的上方或下方至少一个上还可以布置另外的半导体层，但实施例不限于此。
第一导电半导体层115可以被布置在第一半导体层113下方，并且可以被实施为掺杂有第一导电掺杂剂的半导体，例如n型半导体层。第一导电半导体层115包括经验式InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1、0≤y≤1、0≤x+y≤1)。第一导电半导体层115的材料可以选自III-V化合物半导体，诸如GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP和AlGaInP。第一导电掺杂剂是n型掺杂剂，其包括诸如Si、Ge、Sn、Se和Te的掺杂剂。
有源层117布置在第一导电半导体层115下方，选择性地包括单量子阱、多量子阱(MQW)、量子线结构、或者量子点结构，并且包括阱层和势垒层周期。阱层/势垒层周期包括多对InGaN/GaN、GaN/AlGaN、AlGaN/AlGaN、InGaN/AlGaN、InGaN/InGaN、AlGaAs/GaA、InGaAs/GaAs、InGaP/GaP、AlInGaP/InGaP和InP/GaAs中的至少一种。
第二导电半导体层119布置在有源层117下方。第二导电半导体层119包括例如经验式InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1、0≤y≤1、0≤x+y≤1)。第二导电半导体层119可以由GaN、InN、AlN、InGaN、AlGaN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP和AlGaInP中的至少一种化合物半导体形成。第二导电半导体层119是p型半导体层，并且第一导电掺杂剂是p型掺杂剂，可以包括Mg、Zn、Ca、Sr和Ba。
作为另一个示例，在发光结构120中，可以使用p型半导体层实现第一导电半导体层115，并且可以使用n型半导体层实现第二导电半导体层119。具有与第二导电半导体层119相反极性的第三导电半导体层可以形成在第二导电半导体层119上。另外，使用n-p结结构、p-n结结构、n-p-n结结构、以及p-n-p结结构中的至少一种结构可以实现发光结构120。
电极层131形成在第二导电半导体层119的下方。电极层131可以包括反射层。电极层131可以包括与发光结构120的第二导电半导体层119接触的欧姆接触层。反射层的材料可以选自具有70％或更高反射率的材料，例如，金属Al、Ag、Ru、Pd、Rh、Pt、Ir和两个或更多以上金属的合金。反射层的金属可以接触第二导电半导体层119的下方。欧姆接触层的材料可以选自可透光材料、金属或非金属材料。
电极层131可以包括可透光电极层/反射层的层叠结构，并且可透光电极层可以由氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、铟锌锡氧化物(IZTO)、铟铝锌氧化物(IAZO)、铟镓锌氧化物(IGZO)、铟镓锡氧化物(IGTO)、AZO、氧化锑锡(ATO)、GZO、Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au、Hf、和由上述材料的选择组合形成的材料形成。金属反射层可以布置在可透光电极层下方，并且可以由Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au、Hf和由上述材料的选择组合形成的材料形成。作为另一个示例，反射层可以由分布式布拉格反射(DBR)结构形成，其中具有不同折射率的两层交替布置。
诸如粗糙部之类的光提取结构可以形成在第二导电半导体层119和电极层131中的至少一层的表面处，并且光提取结构可以改变入射光的临界角以提高光提取效率。
绝缘层133可以布置在电极层131的下方，并且可以布置在第二导电半导体层119的下表面、第二导电半导体层119和有源层117的侧表面、以及第一导电半导体层115的部分区域处。绝缘层133形成在除了电极层131、第一电极135和第二电极137的发光结构120的下部区域处，以电保护发光结构120的下部。
绝缘层133包括由具有Al、Cr、Si、Ti、Zn和Zr中至少一种的氧化物、氮化物和氟化物中的至少一种形成的绝缘材料或绝缘树脂。例如，绝缘层133可以选择性地由SiO2、Si3N4、Al2O3或TiO2形成。绝缘层133可以被形成为单层或多层，但是实施例不限于此。形成绝缘层133是为了防止在形成用于接合发光结构120下方的金属层时发光结构120中的中间层不足。
绝缘层133可以由DBR结构形成，其中具有不同折射率的第一层和第二层交替布置。第一层可以由SiO2、Si3N4、Al2O3和TiO2中的任意一种形成，并且第二层可以由不同于第一层的材料的任意一种材料形成，但实施例不限于此。另外，第一层和第二层可以由相同的材料形成，或者由具有三层或更多层的一对形成。在这种情况下，可以不形成电极层。
第一电极135可以布置在第一导电半导体层115的部分区域下方，并且第二电极137可以布置在部分电极层131的下方。第一连接电极141布置在第一电极135下方，并且第二连接电极143布置在第二电极137的下方。
第一电极135可以被电连接到第一导电半导体层115和第一连接电极141，并且第二电极137可以被电连接到第二导电半导体层119和第二连接电极143。
第一电极135和第二电极137可以由Cr、Ti、Co、Ni、V、Hf、Ag、Al、Ru、Rh、Pt、Pd、Ta、Mo、W或其合金中的至少一种形成，并且可以形成为单层或多层。第一电极135和第二电极137可以由相同的堆叠结构或不同的堆叠结构形成。诸如手臂或手指结构的电流扩散图案还可以形成在第一电极135和第二电极137的至少一个上。此外，可以形成一个或多个第一电极135和第二电极137，并且第一电极135和第二电极137的数量没有限制。第一连接电极141和第二连接电极143中的至少一个可以被布置为多个，但实施例不限于此。
第一连接电极141和第二连接电极143提供用于供电的引线功能和散发路径。第一连接电极141和第二连接电极143的形状可以包括圆形、多边形、圆柱形和多边形棱柱形状中的至少一种。第一连接电极141和第二连接电极143可以由Ag、Al、Au、Cr、Co、Cu、Fe、Hf、In、Mo、Ni、Si、Sn、Ta、Ti、W和上述金属的选择性合金中的至少一种形成。第一连接电极141和第二连接电极143可以用In、Sn、Ni、Cu中的至少一种金属和其选择性合金来电镀，以提高与第一电极135和第二电极137的粘合力。
支撑层140可以包括导热材料，并且被布置在第一电极135、第二电极137、第一连接电极141和第二连接电极143的外围处。第一连接电极141和第二连接电极143的下表面可以被暴露于支撑层140的下表面。
支撑层140被用作支撑发光器件40A的层。支撑层140由绝缘材料形成，并且绝缘材料由诸如硅树脂或环氧树脂的树脂层形成。作为另个一示例，绝缘材料可以包括糊膏或绝缘油墨。绝缘材料可以由包括单独的或组合的下述材料的树脂形成：聚丙烯酸酯树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、不饱和聚酯树脂、聚苯醚树脂(PPE)、聚苯醚(PPO)树脂、聚苯硫醚树脂、氰酸酯树脂、苯并环丁烯(BCB)、聚酰胺-胺(PAMAM)树枝状聚合物以及聚丙烯-亚胺(PPI)树枝状聚合物、PAMAM内部结构以及具有有机硅外表面的PAMAM-有机硅(OS)。支撑层140可以由与绝缘层133不同的材料形成。
诸如具有Al、Cr、Si、Ti、Zn和Zr中至少一种的氧化物、氮化物、氟化物和硫化物之类的化合物中的至少一种可以被添加至支撑层140。本文中，被添加至支撑层140的化合物可以是热扩散剂，并且热扩散剂可以被用作预定尺寸的粉末颗粒、晶粒、填料和添加剂。热扩散剂包括陶瓷材料，陶瓷材料包括低温共烧陶瓷(LTCC)、高温共烧陶瓷(HTCC)、矾土、石英、锆酸钙、镁橄榄石、SiC、石墨、熔融石英、莫来石、堇青石、氧化锆、氧化铍和氮化铝中的至少一种。在诸如氮化物或氧化物之类的绝缘材料中，陶瓷材料可以由具有比氮化物或氧化物更高热导率的金属氮化物形成，并且金属氮化物可以包括，例如，具有140W/mK或更大热导率的材料。陶瓷材料可以是诸如SiO2、SixOy、Si3N4、SixNy、SiOxNy、Al2O3、BN、SiC(SiC-BeO)、BeO、CeO和AlN的陶瓷系列。导热材料可以包括碳成分(金刚石、碳纳米管(CNT))。
发光器件40A的第一连接电极141和第二连接电极143可以通过粘附构件161和162被安装在焊盘P1和P2(其被布置在电路板10上)上。保护层(未示出)可以被布置在电路板10的上表面上。保护层可以包含反射材料，并且例如，可以由诸如白色抗蚀剂材料之类的抗蚀剂材料形成，但实施例不限于此。
图21是示出根据实施例的发光模块的发光器件的第二改型示例的视图。
参照图21，发光模块可以包括电路板10和位于电路板10上的发光器件40B。发光器件40B可以是根据实施例的光源单元的发光器件中的一个，例如，第一至第三发光器件中的一个。
发光器件40B可以包括衬底111、第一半导体层113、发光结构120、电极层131、绝缘层133、第一电极135、第二电极137、第一连接电极141、第二连接电极143和支撑层140。衬底111和第一半导体层113可以被去除。
发光器件40B和电路板10可以通过连接电极161和162彼此连接。电路板10的焊盘P1和P2可以通过连接电极161和162被附着到发光器件40B。
连接电极161和162可以包括导电凸块，即，焊料凸块。单个连接电极161或162或多个连接电极161和163可以被布置在各个电极135和137下方，但实施例不限于此。绝缘层33可以暴露第一电极135和第二电极137，并且连接电极161和162可以连接第一电极135和第二电极137、以及电路板10的焊盘P1和P2。
图22是示出根据实施例的发光模块的发光器件的第三改型示例的视图。
参照图22，发光模块可以包括电路板10和位于电路板10上的发光器件40C。发光器件40C可以是根据实施例的光源单元的发光器件中的一个，例如，第一至第三发光器件中的一个。
电路板10可以是金属芯PCB(MCPCB)、基于树脂的PCB或者柔性PCB(FPCB)，但是不限于此。
发光器件40C可以被连接至电路板10。发光器件40C包括发光结构225和多个电极245和247。发光结构225可以由II-VI化合物半导体层(例如III-V化合物半导体层或II-VI化合物半导体层)形成。多个电极245和247被选择性地连接到发光结构225的半导体层以提供电力。
发光结构225包括第一导电半导体层222、有源层223以及第二导电半导体层224。发光器件40C可以包括衬底221。衬底221被布置在发光结构225上。衬底221可以是，例如，可透光的衬底、绝缘衬底或导电衬底。
电极245和247被布置在发光器件40C的下部上，并且电极245和247包括第一电极245和第二电极247。第一电极245和第二电极247在发光器件40C下方彼此间隔开。第一电极245电连接到第一导电半导体层222，第二电极247电连接到第二导电半导体层224。第一电极245和第二电极247的底部的形状可以是多边形或圆形，或者被形成为对应于电路板10的焊盘P1和P2的形状。第一电极245和第二电极247中每个的下表面区域的尺寸可以被形成为对应于第一电极415和第二电极417中每个的上表面的尺寸。
在衬底221与发光结构225之间，发光器件40C可以包括缓冲层(未示出)和未掺杂半导体层(未示出)中的至少一种。缓冲层是用于减轻衬底221与半导体层的晶格常数之间差异的层，并且可以选择性地由II-VI化合物半导体形成。未掺杂的III-V化合物半导体层还可以形成在缓冲层的下方，但实施例不限于此。衬底221可以被去除。当衬底221被去除时，第一导电半导体层222的上表面或者另一个半导体层的上表面可以被暴露。
发光器件40C包括第一电极层241和第二电极层242、第三电极层243、以及绝缘层231和233。第一电极层241和第二电极层242中的每个可以形成为单层或多层，并且可以作为电流扩散层。第一电极层241和第二电极层242可以包括布置在发光结构225下方的第一电极层241以及布置在第一电极层241下方的第二电极层242。第一电极层241扩散电流，而第二电极层242反射入射光。
第一电极层241和第二电极层242可以由不同的材料形成。第一电极层241可以由可透光材料(例如，金属氧化物或金属氮化物)形成。第一电极层可以选择性地选自ITO、ITO氮化物(ITON)、IZO、IZO氮化物(IZON)、IZTO、IAZO、IGZO、IFTO、AZO、ATO和GZO。第二电极层242可以与第一电极层241的下表面接触并且用作反射电极层。第二电极层242包括，例如Ag、Au或Al。当第一电极层241的部分区域被去除时，第二电极层242可以与发光结构225的下表面部分地接触。
作为另一个示例，第一电极层241和第二电极242可以与全向反射器(ODR)层堆叠。ODR结构可以由具有低折射率的第一电极层241和第二电极层242(其是与第一电极层241接触的高反射金属材料)的堆叠结构形成。第一电极层241和第二电极层242可以由ITO/Ag的堆叠结构形成。在第一电极层241与第二电极层242之间的界面处可以提高全向反射角。
作为另一个示例，第二电极层242可以被去除，并且可以形成为另一种材料的反射层。使用DBR结构可以形成该反射层。DBR结构包括具有不同折射率的两个介电层交替布置的结构，并且可以包括，例如从SiO2层、Si3N4层、TiO2层、Al2O3层和MgO层中选择的不同的一个。作为又一个示例，电极层241和242可以包括DBR结构和ODR结构，并且在这种情况下，可以设置具有98％或更大光反射率的发光器件40C。由于使用倒装法，从第二电极层242反射的光通过发光器件40C中的衬底221发射，所以大部分光可以被垂直地向上发射。
第三电极层243布置在第二电极层242的下方，并且与第一电极层241和第二电极层242电绝缘。第三电极层243包括Ti、Cu、Ni、Au、Cr、Ta、Pt、Sn、Ag和P中的至少一种金属。第一电极245和第二电极247被布置在第三电极层243的下方。绝缘层231和233阻挡第一电极层241和第二电极层242、第三电极层243、第一电极245和第二电极247与发光结构225之间不必要的接触。绝缘层231和233包括第一绝缘层231和233。第一绝缘层231布置在第三电极层243与第二电极层242之间。第二绝缘层233布置在第三电极层243与第一电极245或第二电极247之间。第一电极245和第二电极247可以包括相同的材料作为焊盘P1和P2。
第三电极层243连接到第一导电半导体层222。第三电极层243的连接部244可以突出作为通过发光结构225的下部的通过结构(via structure)，并且可以与第一导电半导体层222接触。连接部244可以被布置为多个。第一绝缘层231的部分232沿着连接部244的外围延伸以阻挡第三电极层243与第一电极层241和第二电极层242、以及第二导电半导体层224与有源层233之间的电连接。绝缘层可以布置在发光结构225的侧表面处用于侧表面保护，但是实施例不限于此。
第二电极247布置在第二绝缘层233的下方，并且通过第二绝缘层233的开口区域与第一电极层241和第二电极层242中的至少一个相接触或者相连接。第一电极245布置在第二绝缘层233的下方，并且通过第二绝缘层233的开口区域连接至第三电极层243。因此，第一焊盘247的突起248通过第一电极241和第二电极242电连接至第二导电半导体层224，并且第二焊盘248的突起246通过第三电极层243电连接到第一导电半导体层222。
在发光器件40C的下部处，第一电极245和第二电极247彼此间隔开，并且面向电路板10的焊盘P1和P2。第一电极245和第二电极247可以包括多边形形状的凹部271和273，并且凹部271和273朝着发光结构255凸出地形成。凹部271和273可以形成为深度与第一电极245和第二电极247的厚度相同或更小，并且凹部271和273的深度可以增大第一电极245和第二电极247的表面积。
接合构件255和257被分别布置在第一电极245与第一焊盘P1之间的区域中以及第二电极247与第二焊盘P2之间的区域中。接合构件255和257可以包括导电材料，并且具有布置在凹部271与273处的部分。因为接合构件255和257被布置在凹部271和273处，因此可以增大接合构件255和257与第一电极245和第二电极247之间的接触面积。因此，由于第一电极245和第二电极247以及第一焊盘P1和第二焊盘P2彼此接合，所以可以提高发光器件40C的电可靠性和散热效率。
接合构件255和257可以包括焊料膏材料。焊料膏材料包括Au、Sn、Pb、Cu、Bi、In和Ag中的至少一种。由于接合构件255和257直接将热量传导到电路板10，因此，与使用封装的结构相比较，可以提高热传导效率。另外，由于接合构件255和257是与第一电极245和第二电极247的热膨胀系数具有小差异的材料，所以可以提高热传导效率。
作为另一个示例，接合构件255和257可以包括导电膜，该导电膜包括绝缘膜内的一个或多个导电颗粒。例如，导电颗粒可以包括金属、金属合金或碳中的至少一种。导电颗粒可以包括Ni、Ag、Au、Al、Cr、Cu和C中的至少一种。导电膜可以包括各向异性导电膜或各向异性导电粘合剂。
例如热传导膜之类的粘合构件可以被包括在发光器件40C与电路板10之间。热传导膜可以使用聚酯树脂(诸如聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚萘二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸丁二醇酯)、聚酰亚胺树脂、丙烯酸树脂、苯乙烯基树脂(诸如聚苯乙烯树脂和丙烯腈-苯乙烯树脂)、聚碳酸酯树脂、聚乳酸树脂、和聚氨酯树脂。此外，热传导膜可以包括聚烯烃树脂(诸如聚乙烯、聚丙烯和乙烯-丙烯共聚物)、乙烯树脂(诸如聚氯乙烯树脂和聚偏二氯乙烯树脂)、聚酰胺树脂、硫基树脂、聚醚酮醚基树脂、芳化基树脂、或上述树脂的混合物中的至少一种。
发光器件40C可以通过电路板10的表面以及发光结构225的侧表面和上表面发射光，以提高光提取效率。发光器件40C可以被直接结合在电路板10上，从而简化工艺。此外，因为发光器件40C的散热提高，所以发光器件40C可以被有效地在应用在照明领域中。
图23是示出依赖于根据实施例的发光模块电路板中布线的图案间隔的电压比较的曲线图。图24中的(A)图和(B)图是示出依赖于根据实施例发光模块电路板中电路图案的布线宽度的电流量比较的视图。
参照图23，当导体间隔增加至0.3mm或以上时，额定电压显著地增大。
图24中的(A)图是示出根据电路板上布线的导体横截面积的电流允许值的曲线图。图24中的(B)图是示出导体的横截面积与导体宽度之间关系的曲线图。如图24中的(A)图和(B)图所示，当布置在电路板上的布线的导体横截面积1/2OZ、1OZ、2OZ和3OA改变时，导体宽度增加，因此，电流允许值增加。图案1/2OZ具有17.5μm的厚度，图案1OZ具有35μm的厚度，图案2OZ具有70μm的厚度，并且图案3OZ具有105μm的厚度。本文中，如图24中的(A)图所示，电流允许上升温度随着导体横截面积和电流增大而增大。
根据实施例的发光模块和/或具有该发光模块的光单元可以被应用至照明装置中。照明装置可以包括诸如室内灯、室外灯、路灯、汽车灯、移动装置的头灯或尾灯、以及指示灯之类的装置。
根据实施例的发光模块和/或具有该发光模块的光单元可以被应用至显示装置中。显示装置可以被设置为在诸如液晶显示面板的面板的背面辐射光的模块或单元。
在说明书中对于“一个实施例”、“一实施例”、“示例性实施例”等的任何引用，意指与该实施例相关联描述的特定特征、结构或者特性被包括在本发明的至少之一实施例中。在说明书中的各个地方出现的这样的术语并不必然都指代相同的实施例。更进一步地，当特定特征、结构或特性与任何实施例相关联描述时，应当认为产生与其他实施例相关联的这样的特征、结构或特性处于本领域技术人员的能力范围之内。
虽然已经参照许多说明性实施例描述了实施例，但是应该理解本领域技术人员能想到将属于本公开的精神和原理范围的许多其他的变型和实施例。更具体地，在本公开、附图和所附权利要求的范围内，主题组合布置的组成部件和/或布置可以有各种变型和修改。除了组成部件和/或布置的变型或修改之外，替代使用对本领域技术人员也将是显而易见的。

Claims (19)

1.一种发光模块，包括：
电路板；以及
光源单元，布置在所述电路板上，
其中所述光源单元包括发射不同颜色的光的多个第一发光器件、多个第二发光器件和多个第三发光器件，
所述多个第一发光器件布置在所述多个第二发光器件和所述多个第三发光器件的外周，
所述多个第二发光器件布置在所述多个第三发光器件的两侧，
所述多个第一发光器件彼此串联连接并且发射波长比从所述第二发光器件和第三发光器件发射的光的波长长的光，
所述多个第二发光器件彼此串联连接并且发射波长比从所述第三发光器件发射的光的波长长的光，
所述多个发光器件彼此串联连接，以及
所述第一发光器件、所述第二发光器件和所述第三发光器件的数量互不相同。
2.一种发光模块，包括：
电路板；以及
光源单元，布置在所述电路板上，
其中所述光源单元包括发射不同颜色的光的多个第一发光器件、多个第二发光器件和多个第三发光器件，
所述多个第一发光器件布置在所述多个第二发光器件和所述多个第三发光器件的外周，
所述多个第二发光器件布置在所述多个第三发光器件的两侧，
所述电路板包括第一布线部、第二布线部和第三布线部，其中所述第一布线部将所述多个第一发光器件彼此串联连接，所述第二布线部将所述多个第二发光器件彼此串联连接，所述第三布线部将所述多个第三发光器件彼此串联连接，
所述第一布线部在所述电路板上布置在所述第二布线部和第三布线部外侧，
所述第一布线部包括多个布线，并且所述多个布线中的每个布线具有比所述第二布线部和第三布线部中的每个布线的上部面积更宽的上部面积，以及
所述第一发光器件、所述第二发光器件以及所述第三发光器件中每种器件的数量根据所发射光的波长增大而增大。
3.根据权利要求1或2所述的发光模块，其中所述发光模块包括布置在所述电路板上且布置在所述光源单元周围的反射构件，
与所述第二发光器件相比较，所述多个第一发光器件更邻近所述反射构件。
4.根据权利要求3所述的发光模块，其中所述多个第一发光器件的数量大于所述多个第二发光器件的数量，以及
所述多个第二发光器件的数量大于所述多个第三发光器件的数量。
5.根据权利要求3所述的发光模块，其中所述第一发光器件具有比所述第二发光器件和第三发光器件的发热特性更高的发热特性。
6.根据权利要求3所述的发光模块，其中所述第一发光器件发射红光，
所述第二发光器件发射绿光，以及
所述第三发光器件发射蓝光。
7.根据权利要求3所述的发光模块，其中所述多个第二发光器件布置在穿过所述多个第一发光器件以所述多个第三发光器件的中心为中心的虚拟圆的内侧，以及
所述多个第三发光器件布置在穿过所述多个第二发光器件以所述多个第三发光器件的中心为中心的虚拟圆的内侧。
8.根据权利要求3所述的发光器件，其中所述多个第一发光器件的输出端连接至所述多个第二发光器件的输入端，以及
所述多个第二发光器件的输出端被连接至所述多个第三发光器件的输入端。
9.根据权利要求3所述的发光模块，其中所述多个第一发光器件布置为，使得至少一对第一发光器件在所述第二发光器件和第三发光器件的两个外侧彼此对应，以及
所述多个第二发光器件布置为，使得至少两对第二发光器件在所述第三发光器件的两个外侧彼此对应。
10.根据权利要求3所述的发光模块，其中所述电路板包括多个开口，所述反射构件的下部耦接到所述多个开口，
所述多个开口布置在穿过所述多个第一发光器件的虚拟圆的外侧。
11.根据权利要求10所述的发光模块，其中所述反射构件具有19mm至30mm的下直径，并且所述反射构件的直径比所述虚拟圆的直径大。
12.根据权利要求10所述的发光模块，其中所述发光模块包括在所述反射构件内的透光构件。
13.根据权利要求3所述的发光模块，其中所述发光模块包括多个支撑突起，所述多个支撑突起布置在所述反射构件内以彼此间隔开，且朝向所述电路板突出，以及
所述支撑突起包含金属材料。
14.根据权利要求13所述的发光模块，其中所述多个支撑突起穿透至所述电路板。
15.根据权利要求13所述的发光模块，其中所述多个支撑突起中的至少一个与所述电路板的多个布线中的至少一个接触。
16.根据权利要求13所述的发光模块，其中所述多个支撑突起具有与所述反射构件相同的高度。
17.根据权利要求3所述的发光模块，其中所述发光模块包括热感测装置，所述热感测装置布置在所述反射构件的外侧。
18.根据权利要求3所述的发光模块，其中所述反射构件具有比下直径宽的上直径，以及
所述反射构件具有从所述电路板起算的高度，所述高度大于所述下直径。
19.根据权利要求3所述的发光模块，所述第二发光器件的数量为所述第三发光器件的数量的200％或更多，以及
所述第一发光器件的数量为所述第三发光器件的数量的125％或更多。
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