CN102610522A - 双层栅沟槽mos结构中形成底部氧化层的方法 - Google Patents
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108735605A (zh) * | 2018-01-23 | 2018-11-02 | 西安龙腾新能源科技发展有限公司 | 改善沟槽底部场板形貌的屏蔽栅沟槽mosfet制造方法 |
CN110310992A (zh) * | 2018-03-27 | 2019-10-08 | 无锡华润上华科技有限公司 | 沟槽分离栅器件及其制造方法 |
CN111681963A (zh) * | 2020-08-11 | 2020-09-18 | 中芯集成电路制造(绍兴)有限公司 | 一种屏蔽栅场效应晶体管及其形成方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7253473B2 (en) * | 2004-10-18 | 2007-08-07 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
CN101131933A (zh) * | 2006-08-24 | 2008-02-27 | 上海华虹Nec电子有限公司 | 沟槽型mos晶体管的制造方法 |
CN101459135A (zh) * | 2007-12-14 | 2009-06-17 | 上海华虹Nec电子有限公司 | 沟槽型双层栅功率mos器件结构实现方法 |
CN101567320A (zh) * | 2009-06-04 | 2009-10-28 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 功率mos晶体管的制造方法 |
-
2011
- 2011-01-19 CN CN2011100215669A patent/CN102610522A/zh active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7253473B2 (en) * | 2004-10-18 | 2007-08-07 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
CN101131933A (zh) * | 2006-08-24 | 2008-02-27 | 上海华虹Nec电子有限公司 | 沟槽型mos晶体管的制造方法 |
CN101459135A (zh) * | 2007-12-14 | 2009-06-17 | 上海华虹Nec电子有限公司 | 沟槽型双层栅功率mos器件结构实现方法 |
CN101567320A (zh) * | 2009-06-04 | 2009-10-28 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 功率mos晶体管的制造方法 |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108735605A (zh) * | 2018-01-23 | 2018-11-02 | 西安龙腾新能源科技发展有限公司 | 改善沟槽底部场板形貌的屏蔽栅沟槽mosfet制造方法 |
CN110310992A (zh) * | 2018-03-27 | 2019-10-08 | 无锡华润上华科技有限公司 | 沟槽分离栅器件及其制造方法 |
KR20200136975A (ko) * | 2018-03-27 | 2020-12-08 | 씨에스엠씨 테크놀로지스 에프에이비2 코., 엘티디. | 트렌치 분리 게이트 디바이스 및 그 제조방법 |
KR102413945B1 (ko) * | 2018-03-27 | 2022-06-27 | 씨에스엠씨 테크놀로지스 에프에이비2 코., 엘티디. | 트렌치 분리 게이트 디바이스 및 그 제조방법 |
CN111681963A (zh) * | 2020-08-11 | 2020-09-18 | 中芯集成电路制造(绍兴)有限公司 | 一种屏蔽栅场效应晶体管及其形成方法 |
CN111681963B (zh) * | 2020-08-11 | 2020-11-20 | 中芯集成电路制造(绍兴)有限公司 | 一种屏蔽栅场效应晶体管及其形成方法 |
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