CN102604113A - 一种碳化硼先驱体的制备方法 - Google Patents
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Abstract
一种碳化硼先驱体的制备方法,包括以下步骤:(1)按硼烷:一官能度烯烃:二官能度烯烃的质量比为1:(0.1~20):(0.1~20)的比例取料;(2)在带搅拌、蒸馏装置的反应器中,加入一官能度烯烃或/和二官能度烯烃;然后将反应器反复抽真空、充干燥氮气至少三次,并将反应器预冷至-2~-35℃;(3)加入硼烷;在N2气氛保护下,室温下持续搅拌反应,搅拌速率为60~240r/min,反应2~72h;(4)将体系以0.1~30℃/min的升温速率升温至30~400℃,经减压蒸馏去除体系中溶剂成分;冷却至室温,即成。利用本发明制备碳化硼先驱体,生产成本低,制得的碳化硼先驱体溶解性好,产率高。
Description
技术领域
本发明涉及一种碳化硼先驱体的制备方法。
背景技术
目前,可被广泛接受的碳化硼模型是:B11C组成的二十面体和C-B-C链构成的菱面体。由于碳原子和硼原子半径相似,存在类质同相替代,因而碳化硼中的碳硼比并不固定,多在1:4附近变化,且当碳硼比=1:4时,碳化硼的各项性能最好。碳化硼(B4C)是共价键很强的化合物(共价键占90%以上),熔点高(2450℃),密度低(2.519g/cm3,是陶瓷材料中最轻的材料),加之具有较高的弹性模量,用于工程陶瓷、宇航、军事装甲和核工业等领域是非常理想的。由于其硬度仅次于金刚石和立方氮化硼,居目前人工合成物质中第三位,尤其是近于恒定的高温硬度,使其成为最有发展前途的高温耐磨材料之一;由于它密度低,力学性能好,因而可应用于防弹装甲材料;由于它有很强的耐腐蚀能力,可作为重要的特种耐腐蚀材料;此外,碳化硼材料由于其具有较大的热中子俘获截面,具有极好的吸收中子和抗辐射性能,被国际公认推荐为最佳的核反应堆控制材料和屏蔽材料。
碳化硼陶瓷的制备方法很多,如热压烧结法、放电等离子烧结法、反应烧结法和先驱体转化法等。其中,先驱体转化法因具有成型方便,烧成温度低,元素组成可设计与调节等优点,成为碳化硼陶瓷较理想的制备方法。但现有的先驱体转化法存在的不足是:生产成本较高,制得的碳化硼先驱体溶解性较差,且产率较低。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是,提供一种生产成本较低,所制得碳化硼先驱体溶解性好、产率高的碳化硼先驱体的制备方法。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是:一种碳化硼先驱体的制备方法,包括以下步骤:
(1)按硼烷:一官能度烯烃R-CH2=CH2:二官能度烯烃CH2=CH2-R-CH2=CH2的质量比为1:(0.1~20):(0.1~20)的比例取料备用;
式中R为烃基;
(2)在带搅拌、蒸馏装置的反应器中,加入步骤(1)所述一官能度烯烃或/和二官能度烯烃;然后将反应器反复抽真空、充干燥氮气至少三次,以排除其中的空气和水分,并将反应器预冷至-2~-35℃;
(3)在步骤(2)所述反应器中,加入步骤(1)所述硼烷;在N2气氛保护下,将反应器置于室温环境,持续搅拌反应,搅拌速率为60~240r/min,反应2~72 h;
(4)在N2气氛保护下,将体系以0.1~30℃/min的升温速率升温至30~400℃,经减压蒸馏去除体系中溶剂成分;冷却至室温,即成。
进一步,步骤(1)中,所述硼烷可为硼烷络合物或五硼烷,优选硼烷络合物;所述一官能度烯烃可为1-辛烯、苯乙烯或1-戊烯,优选苯乙烯;所述二官能度烯烃可为1,5-己二烯、1,7-辛二烯或1,6-庚二烯,优选1,5-己二烯。
进一步,步骤(2)中,反应器预冷至-5~-15℃。
进一步,步骤(3)中,反应时间优选3~20h。
进一步,步骤(4)中,升温速率优选1~10℃/min,最终温度优选200~400℃。
利用本发明制成的碳化硼先驱体主要由B、C、O、H等元素组成,根据需要,可以制成液态、粘稠态、固态等交联度不同的先驱体,用于制备陶瓷纤维、陶瓷块状材料和陶瓷基复合材料。
与现有技术相比,本发明具有以下优点:所用原料硼烷、一官能度烯烃(R-CH2=CH2)、二官能度烯烃(CH2=CH2-R-CH2=CH2)易得,价格较低;工艺简单,无需过滤操作,无需催化剂;所得聚合物具有良好的溶解性能,通过控制反应条件,可以得到不同状态的聚合物;目标产物的产率可达85%以上;制造成本低。
附图说明
图1为本发明实施例1所得碳化硼先驱体的红外光谱图;
图2为本发明实施例1所得碳化硼先驱体烧成产物的XRD谱图。
具体实施方式
以下结合实施例对本发明作进一步说明。
实施例1
本实施例包括以下步骤:
(1)取硼烷络合物40ml,1,5-己二烯20g,备用;
(2)在带搅拌、蒸馏装置的250ml三口烧瓶中,加入步骤(1)所述1,5-己二烯;然后对三口烧瓶进行抽真空、充干燥氮气至压力表归零,反复三次,以排除其中的空气和水分,再将反应器预冷至-10℃;
(3)在步骤(2)所述反应器中,加入步骤(1)所述硼烷;在N2气氛保护下,在室温下持续搅拌反应,搅拌速率为240r/min,反应7h;
(4)在N2气氛保护下,将体系以2℃/min的升温速率将温度升至260℃,减压蒸馏除去体系中溶剂成分;冷却至室温,即成。
图1为产物的红外谱图,分析可知,所得目标产物中含有B-C、B-O化学键。在氮气氛围下,将所得目标产物置于管式炉中烧至1200℃,得到黑色固体产物,对所得黑色固体产物进行XRD分析;由图2可知,在20°和35°附近存在碳化硼的典型衍射峰,说明产物中存在硼碳键,即所得目标产物为碳化硼先驱体。
实施例2
(1)取五硼烷40ml,1-辛烯20g,备用;
(2)在带搅拌、蒸馏装置的250ml三口烧瓶中,加入步骤(1)所述1-辛烯;然后对三口烧瓶进行抽真空、充干燥氮气至压力表归零,反复三次,以排除其中的空气和水分,再将反应器预冷至-5℃;
(3)在步骤(2)所述反应器中,加入步骤(1)所述五硼烷;在N2气氛保护下,在室温下持续搅拌反应,搅拌速率为200r/min,反应10h;
(4)在N2气氛保护下,将体系以3℃/min的升温速率将温度升至240℃,减压蒸馏除去体系中溶剂成分;冷却至室温,即成。
经分析,所得聚合物中主要含有B-C、B-O化学键。在氮气气氛下将合成产物置于管式炉中烧至1000℃,得到黑色固体,对所得黑色固体产物进行XRD分析表明,产物中存在硼碳键。
实施例3
(1)取硼烷络合物60ml,1,5-己二烯20g,1-辛烯10g,备用;
(2)在带搅拌、蒸馏装置的250ml三口烧瓶中,加入步骤(1)所述1-辛烯,1,5-己二烯;然后对三口烧瓶进行抽真空、充干燥氮气至压力表归零,反复三次,以排除其中的空气和水分,再将反应器预冷至-15℃;
(3)在步骤(2)所述反应器中,加入步骤(1)所述硼烷络合物;在N2气氛保护下,在室温下持续搅拌反应,搅拌速率为180r/min,反应11h;
(4)在N2气氛保护下,将体系以2℃/min的升温速率将温度升至250℃,减压蒸馏除去体系中溶剂成分;冷却至室温,即成。
经分析,所得聚合物中主要含有B-C、B-O化学键。在氮气气氛下将合成产物置于管式炉中烧至1200℃,得到了黑色固体,对所得黑色固体产物进行XRD分析表明,产物中存在硼碳键。
实施例4
(1)取硼烷络合物40ml,1,7-辛二烯10g,苯乙烯20g,备用;
(2)在带搅拌、蒸馏装置的250ml三口烧瓶中,加入步骤(1)所述1-辛烯,1,5-己二烯;然后对三口烧瓶进行抽真空、充干燥氮气至压力表归零,反复三次,以排除其中的空气和水分,再将反应器预冷至-10℃;
(3)在步骤(2)所述反应器中,加入步骤(1)所述硼烷络合物;在N2气氛保护下,在室温下持续搅拌反应,搅拌速率为120r/min,反应15h;
(4)在N2气氛保护下,将体系以2℃/min的升温速率将温度升至250℃,减压蒸馏除去体系中溶剂成分;冷却至室温,即成。
经分析,所得聚合物中主要含有B-C、B-O化学键。在氮气气氛下将合成产物置于管式炉中烧至1100℃,得到了黑色固体,对所得黑色固体产物进行XRD分析表明,产物中存在硼碳键。
实施例5
(1)取五硼烷40ml,1,5-己二烯10g,1-戊烯10g,备用;
(2)在带搅拌、蒸馏装置的250ml三口烧瓶中,加入步骤(1)所述1-戊烯,1,5-己二烯;然后对三口烧瓶进行抽真空、充干燥氮气至压力表归零,反复三次,以排除其中的空气和水分,再将反应器预冷至-12℃;
(3)在步骤(2)所述反应器中,加入步骤(1)所述五硼烷;在N2气氛保护下,在室温下持续搅拌反应,搅拌速率为150r/min,反应13h;
(4)在N2气氛保护下,将体系以1.5℃/min的升温速率将温度升至270℃,减压蒸馏除去体系中溶剂成分;冷却至室温,即成。
经分析,所得聚合物中主要含有B-C、B-O化学键。在氮气气氛下将合成产物置于管式炉中烧至1000℃,得到了黑色固体,对所得黑色固体产物进行XRD分析表明,产物中存在硼碳键。
实施例6
(1)取硼烷络合物120ml,1,6-庚二烯30g,1-戊烯30g,备用;
(2)在带搅拌、蒸馏装置的250ml三口烧瓶中,加入步骤(1)所述1,6-庚二烯,1-戊烯;然后对三口烧瓶进行抽真空、充干燥氮气至压力表归零,反复三次,以排除其中的空气和水分,再将反应器预冷至-8℃;
(3)在步骤(2)所述反应器中,加入步骤(1)所述硼烷络合物;在N2气氛保护下,在室温下持续搅拌反应,搅拌速率为100r/min,反应19h;
(4)在N2气氛保护下,将体系以3℃/min的升温速率将温度升至300℃,减压蒸馏除去体系中溶剂成分;冷却至室温,即成。
经分析,所得聚合物中主要含有B-C、B-O化学键。在氮气气氛下将合成产物置于管式炉中烧至1100℃,得到了黑色固体,对所得黑色固体产物进行XRD分析表明,产物中存在硼碳键。
Claims (7)
1.一种碳化硼先驱体的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
(1)按硼烷:一官能度烯烃R-CH2=CH2:二官能度烯烃CH2=CH2-R-CH2=CH2的质量比为1:(0.1~20):(0.1~20)的比例取料备用;
式中R为烃基;
(2)在带搅拌、蒸馏装置的反应器中,加入步骤(1)所述一官能度烯烃或/和二官能度烯烃;然后将反应器反复抽真空、充干燥氮气至少三次,以排除其中的空气和水分,并将反应器预冷至-2~-35℃;
(3)在步骤(2)所述反应器中,加入步骤(1)所述硼烷;在N2气氛保护下,将反应器置于室温环境,持续搅拌反应,搅拌速率为60~240r/min,反应2~72 h;
(4)在N2气氛保护下,将体系以0.1~30℃/min的升温速率升温至30~400℃,经减压蒸馏去除体系中溶剂成分;冷却至室温,即成。
2.根据权利要求1所述的碳化硼先驱体的制备方法,其特征在于:步骤(1)中,所述硼烷为硼烷络合物或五硼烷;所述一官能度烯烃为1-辛烯、苯乙烯或1-戊烯;所述二官能度烯烃为1,5-己二烯、1,7-辛二烯或1,6-庚二烯。
3.根据权利要求1或2所述的碳化硼先驱体的制备方法,其特征在于:步骤(2)中,反应器预冷至-5~-15℃。
4.根据权利要求1或2所述的碳化硼先驱体的制备方法,其特征在于:步骤(3)中,反应时间为3~20h。
5.根据权利要求3所述的碳化硼先驱体的制备方法,其特征在于:步骤(3)中,反应时间为3~20h。
6.根据权利要求1或2所述的碳化硼先驱体的制备方法,其特征在于:步骤(4)中,升温速率为1~10℃/min,最终温度为200~400℃。
7.根据权利要求5所述的碳化硼先驱体的制备方法,其特征在于:步骤(4)中,升温速率为1~10℃/min,最终温度为200~400℃。
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