CN102576749B - 硅粉末的制造方法、多晶型太阳能电池板以及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种硅粉末的制造方法，包括：将纯度等级为99.999％以上的硅锭通过高压纯水切割制成粒径3mm以下的粗硅粉末的工序；利用选自喷射式粉碎、湿式粒化、超声波破坏、冲击波破坏中的至少一种方法，将所述粗硅粉末制成粒径0.01μm以上且10μm以下的硅粉末的工序。由此，提供一种从硅锭迅速地得到硅粉末且不使其纯度下降的技术。

Description

硅粉末的制造方法、多晶型太阳能电池板以及其制造方法
技术领域
本发明涉及硅粉末的制造方法及利用该方法制造的多晶型太阳能电池板。
背景技术
结晶型太阳能电池可主要区分为单晶型太阳能电池和多晶型太阳能电池。通常，如图1所示，结晶型太阳能电池将被掺杂成N型或P型的硅锭30用线31切割，或利用切割技术，切成厚度200μm左右；将切成的锭作为太阳能电池的主体的硅晶片而使用。硅锭30既可以是用切克劳斯基单晶生长法等而制成的单晶硅锭，也可以是使用称为浇铸法的熔化后的硅铸模而使其凝固的多晶硅锭。
为了用线切割硅锭，大多对锭30施加研磨磨料的同时，用线31进行切割，但为了使切出的晶片的厚度薄，正在改善进一步的设计(参照专利文献1等)。例如，专利文献1公开了如下技术，即、利用直径0.2mm左右的黄铜线即线31，通过放电加工将浸渍于电绝缘性的液体中的硅锭30切割。在此，也提出了使多条线平行地行进而同时切割多个部位等的设计。但是，即使利用专利文献1记载的技术，也仍然难以将所得到的晶片的厚度制成100μm以下。另外，通过线的切割，晶片表面附近往往会发生破损，当为了对其修复而利用化学药剂进行湿式处理时，往往会给太阳能电池的发电效率带来不良影响。
另外，作为多晶型太阳能电池用的硅基板的制造方法，也公知有将堆积于支承基板的硅粒子熔化而多晶化的方法(参照专利文献2)。图2表示的是硅多晶膜的制膜装置。将对硅阳极40施以电弧放电41而生成的硅粒子42(20nm以下)置于氩气43，然后通过输送管44而堆积于支承基板45；对堆积于支承基板45的硅粒子42照射高温等离子体46而使其熔化；用卤素灯47进行退火，制成多晶硅板；在分离室48将支承基板45和多晶硅板49分离。
另外，作为多晶型太阳能电池用的硅基板的制造方法，公知有如下方法，即，通过等离子体熔射法使平均粒径10μm的硅粉末堆积于碳基板上，其后使卤素灯的聚光部照射到所堆积的硅膜的表面，使熔融固体晶化(例如，参照专利文献3)。在专利文献3中，通过用超声波破坏法等将硅锭机械地粉碎、粉末化，可得到硅粉末。
另外，也公知通过用辊将硅锭粉碎，形成纯度高的硅粉末的方法(例如，参照专利文献4)。
另外，公知通过用等离子体将非晶硅层退火，使其多晶化的方法(例如，参照专利文献5)。
专利文献1：(日本)特开2000－263545号公报
专利文献2：(日本)特开平6－268242号公报
专利文献3：(日本)特开2000－279841号公报
专利文献4：(日本)特开昭57－067019号公报
专利文献5：(日本)特开平06－333953号公报
这样，对用于制造多晶型太阳能电池的晶体硅膜及晶体硅板进行制作的各种技术正在被探讨，但为了降低晶型太阳能电池的生产成本，重要的是要进一步降低硅基板或硅膜的制造成本。
另外，通常的硅锭如果是单晶硅则直径为300mm，即使是多晶硅，尽管形状不同，但也都是大致同样的尺寸，制作大面积的硅基板或硅膜较困难。
因此，在本发明中，对通过将硅锭粉碎而得到硅粉末，并以该硅粉末为晶型太阳能电池的硅原料的技术进行了研究。太阳能电池的硅基板或硅膜的纯度需要满足太阳能级硅(SOG－Si，通常99.999％以上)的标准。可是，难以将满足太阳能级硅的标准的硅锭以不使其纯度下降且低成本的方式进行粉末化。
即，为了将硅锭粉碎，通常使用粉碎机及辊来粉碎。可是，在粉碎时，构成粉碎机及辊的材料、尤其是来自金属材料的杂质污染会混入硅锭的粉碎物。因此，即使将满足太阳能级硅标准的硅锭粉碎，也得不到满足太阳能级硅标准的硅粉末。
如上述的专利文献2所述，对硅阳极施以电弧，可能会产生高纯度的硅粒子，但难以控制硅粉末的大小，因此，难以提高太阳能电池的特性，而且，为了使硅粉末均匀且均质地堆积于基板表面，制造设备需要大型化。
另外，如专利文献3所示，在通过超声波破坏等方法将硅锭粉末化的方法中，为了得到所希望的粒径(0.1～10μm)的硅粒子，需要花费很长时间。
发明内容
于是，本发明的目的在于，提供一种从硅锭迅速地得到硅粉末且不使纯度下降的技术。
另外，为了将掺杂剂导入硅晶膜而形成PN结，需要使含有掺杂剂的物质(通常为玻璃)堆积于硅晶膜使其热扩散，然后再去除上述物质，或者，将硅晶膜放置在含有掺杂剂的环境气体下，并导入掺杂剂。在这些方法中，或制造工序增加而需要很长时间，或需要使用危险性大的气体，或难以对导入硅膜的掺杂剂的浓度及掺杂剂的导入深度进行控制。
于是，本发明的目的在于，提供一种短时间且容易地形成具有PN结的多晶硅膜的技术。另外，由此提供一种可低成本地制造的太阳能电池板。
本发明的第一方面涉及利用硅粉末制造太阳能电池板的方法。
[1]多晶型太阳能电池板的制造方法，包括以下工序：将纯度等级为99.999％以上、掺杂成P型的硅锭通过高压纯水切割制成粒径3mm以下的粗硅粉末的工序；利用选自喷射式粉碎、湿式微粒化、超声波破坏、冲击波破坏中的至少一种方法，将所述粗硅粉末制成粒径0.01μm以上且10μm以下的含有硼的P型硅粉末的工序；将所得到的P型硅粉末涂敷于基板上，从而形成硅粉末层的工序；对所述硅粉末层的表面进行等离子体扫描使其熔化，然后使其再结晶化而形成P型多晶硅膜的工序；将形成有所述P型多晶硅膜的基板配置于等离子体反应室的工序；将含有磷或砷的气体导入到所述等离子体反应室而等离子化，且将所述P型多晶硅膜的表层N型化，从而形成PN结的工序；以及使进行了所述N型化的P型多晶硅膜的表层活性化的加热工序。
[2]多晶型太阳能电池板的制造方法，包括以下工序：将纯度等级为99.999％以上、掺杂成P型的硅锭通过高压纯水切割制成粒径3mm以下的粗硅粉末的工序；利用选自喷射式粉碎、湿式微粒化、超声波破坏、冲击波破坏中的至少一种方法，将所述粗硅粉末制成粒径0.01μm以上且10μm以下的含有硼的P型硅粉末的工序；将所得到的P型硅粉末涂敷于基板上，从而形成硅粉末层的工序；对所述硅粉末层的表面进行等离子体扫描使其熔化，然后使其再结晶化而形成P型多晶硅膜的工序；将形成有所述P型多晶硅膜的基板配置于等离子体反应室的工序；将含有磷或砷的固体载置于所述等离子体反应室，且将惰性气体导入到所述等离子体反应室而产生等离子体，然后使含有所述硼的P型多晶硅膜的表层N型化，从而形成PN结的工序；以及使进行了所述N型化的P型多晶硅膜的表层活性化的加热工序。
[3]多晶型太阳能电池板的制造方法，包括以下工序：将纯度等级为99.999％以上、掺杂成N型的硅锭通过高压纯水切割制成粒径3mm以下的粗硅粉末的工序；利用选自喷射式粉碎、湿式微粒化、超声波破坏、冲击波破坏中的至少一种方法，将所述粗硅粉末制成粒径0.01μm以上且10μm以下的含有磷或砷的N型硅粉末的工序；将所得到的N型硅粉末涂敷于基板上，从而形成硅粉末层的工序；以及通过对涂敷于所述基板上的N型硅粉末层的表面进行导入有硼粒子的等离子体扫描，形成在表层被P型化的N型多晶硅膜、即具有PN结的多晶硅膜的工序。
[4]如[1]-[3]中任一项所述的多晶型太阳能电池板的制造方法，其中，所述基板含有Al、Ag、Cu、Sn、Zn、In、Fe中的任一种元素。
[5]如[1]-[3]中任一项所述的多晶型太阳能电池板的制造方法，其中，扫描所述硅粉末层的表面的等离子体为大气压等离子体。
[6]如[1]-[3]中任一项所述的多晶型太阳能电池板的制造方法，其中，所述扫描速度为100mm/秒以上且2000mm/秒以下。
[7]多晶型太阳能电池板的制造方法，包括以下工序：将纯度等级为99.999％以上、掺杂成P型的硅锭通过高压纯水切割制成粒径3mm以下的粗硅粉末的工序；利用选自喷射式粉碎、湿式微粒化、超声波破坏、冲击波破坏中的至少一种方法，将所述粗硅粉末制成粒径0.01μm以上且10μm以下的含有硼的P型硅粉末的工序；将纯度等级为99.999％以上、掺杂成N型的硅锭通过高压纯水切割制成粒径3mm以下的粗硅粉末的工序；利用选自喷射式粉碎、湿式微粒化、超声波破坏、冲击波破坏中的至少一种方法，将所述粗硅粉末制成粒径0.01μm以上且10μm以下的含有磷或砷的N型硅粉末的工序；将所述N型硅粉末涂敷于基板上，从而形成N型硅粉末层的工序；将所述P型硅粉末涂敷于所述N型硅粉末的层上，从而形成P型硅粉末层的工序；以及对由所述N型硅粉末层和所述P型硅粉末层构成的硅粉末层的表面进行等离子体扫描使其熔化，然后使其再结晶化而形成具有PN结的多晶硅膜的工序。
根据本发明，能够从高纯度的硅锭以不使纯度下降的方式廉价且高效地制作硅粉末。另外，通过将涂敷技术和熔化、晶化技术组合，能够将涂敷于大面积的基板上的硅粉末制成多晶硅膜。
另外，根据本发明，能够短时间且容易地形成具有PN结的多晶硅膜，能够制造大面积的PN结型太阳能电池板。
附图说明
图1是表示用线切割硅锭的状态的图；
图2是表示多晶硅板的制造装置的概要图；
图3是表示从硅锭制造所希望的硅粉末的流程的图；
图4是为将硅粉末的涂敷膜制成硅多晶膜而使用的大气压等离子体装置的概要图；
图5是表示制造实施方式1的太阳能电池板的流程的图；
图6是表示制造实施方式2的太阳能电池板的流程的图；
图7是实施方式2使用的等离子体装置的概要图；
图8是表示制造实施方式3的太阳能电池板的流程的图；
符号说明
1   硅锭
2′ 硅粗粉末
2   硅粉末
3   基板
4   多晶硅膜
4a  多晶硅膜的底层
4b  多晶硅膜的表层
5   纹理构造
7   绝缘膜
8   电极
20  阴极
21  阳极
22  等离子体喷射口
23  等离子体
30  锭
31  线
40  硅阳极
41  电弧放电
42  硅粒子
43  氩气
44  输送管
45  支承基板
46  高温等离子体
47  卤素灯
48  分离室
49  多晶硅板
具体实施方式
1、关于硅粉末的制造方法
本发明的第一方面提供一种粉碎硅锭而制造硅粉末的方法。图3表示的是将硅锭1制成硅粉末2的流程。
首先，要粉碎的硅锭1优选为满足太阳能级硅的标准的锭。满足太阳能级硅的标准的锭是指硅纯度为99.99wt％以上、优选99.999wt％以上、更优选99.9999wt％以上的锭。
要粉碎的硅锭1被掺杂成N型或P型。为了将硅锭1掺杂成N型，只要使砷或磷扩散于锭中即可。另一方面，为了将硅锭1掺杂成P型，只要使硼(B)扩散于锭中即可。
本发明的特征为，不会使硅锭的纯度降低，且会迅速地粉末化。具体而言，在本发明中，硅锭1的粉碎的特征为，分成以下两个工序来进行。通过以两个以上的工序来进行，能够将锭直接粉末化成所希望的粒径，还能够在短时间内粉末化。
粉碎的第一工序通过超高压水切割将硅锭1制成粒径约3mm以下、优选1mm以下的硅粗粉末2′(参照图3B)。超高压水切割是指利用超高压水的碰撞能量来切割物质的方法。超高压水可以是具有约300MPa的水压的水。超高压水切割可利用例如スギノマシン制的超高压水切割装置来进行。另外，此时使用的水优选为半导体工艺所使用的水平的比电阻18MΩ·cm的超纯水。
粉碎的第二工序通过湿式微粒化方法例如スギノマシン制星爆式粉碎装置或喷射式粉碎、超声波破坏或冲击波破坏将所得到的硅粗粉末2′制成粒径0.01μm以上且10μm以下、优选粒径0.03μm以上且3μm以下的硅粉末2。
湿式微粒化是指如下的湿式微粒化系统，即，对流路中的分散有被粉碎物的液体赋予245MPa这种超高压的压力能，使其暂时分支为两个流路然后在再次合流的部分使被粉碎物彼此碰撞，进行粉碎。湿式微粒化与喷射式粉碎、超声波破坏、冲击波破坏同样，都是不使用粉碎介质的粉碎方式，因此能够抑制杂质混入。
本发明的硅粉末2的粒径除考虑粉碎设备的能力、大量生产的生产时间以外，还要考虑用于将粒子熔化的时间等来设定。当硅粉末2的粒径为10μm以下时，能够使硅的熔化温度降低。由于通常的硅的熔化温度为1410℃，因此为了使硅熔化，需要大规模的炉子。可是，当硅粉末的粒径为10μm以下时，其熔点降低。例如，当将粒径制成10μm以下时，硅的熔点会成为约800℃。另一方面，当硅粉末的粒径超过10μm时，粒子间的接触面积不够充分，因此热传递不会提高，熔点不会充分下降。
如后所述，本发明的硅粉末2被涂敷在基板上，通过大气压等离子体将其熔化，然后进一步被冷却而再结晶化。实验发现，为了整体地缩短大气压等离子体的熔化时间、硅再结晶时间、适于生产的时间，优选将粒径设为10μm以下。
硅粉末2的下限不作特别限定，当基于粉碎设备的能力及使其熔化的机械能力时，只要为0.01μm以上即可。
根据本发明，不使太阳能电池的特性变差的杂质例如Al、Fe、Cr,、Ca、K等混入就能够得到硅粉末。即，能够在维持硅锭1的纯度的状态下将其粉末化。因而，如果硅锭1的纯度为99.99％以上(优选99.9999％以上)，则所得到的硅粉末的纯度也能够制成99.99％以上(优选99.9999％以上)。
2、关于太阳能电池板的制造方法
本发明的第二方面是，利用通过上述的方法而制得的硅粉末，制造太阳能电池板。下面，对使用本发明硅粉末的本发明太阳能电池板的制造方法进行说明。
本发明的太阳能电池板的制造方法具有如下工序：(1)第一工序，将硅粉末涂敷在太阳能电池的作为电极的基板的表面，形成硅粉末层；(2)第二工序，对涂敷于基板的硅粉末层的表面进行等离子体扫描，形成多晶硅膜。下面，对各工序进行说明。
(1)在第一工序中，将本发明的硅粉末均匀地涂敷在太阳能电池的作为电极的基板的表面，形成硅粉末层。
基板只要是Al、Ag、Cu、Fe等作为太阳能电池的背面电极而使用的金属基板或辊即可，不作特别限定。另外，基板3也可以是含有Sn、Zn、In且具有透明性，且导电性高的基板。如果使用具有透明性的基板，则能够使多个太阳能电池单元层叠。
硅粉末的涂敷既可以用涂刷器将干燥的硅粉末涂敷，也可以利用旋转涂敷机、脱模涂敷机、喷墨涂敷机或分配器等将硅粉末分散于溶剂而得到的墨水涂敷。上述墨水可通过使硅粉末分散于酒精等而得到。含有硅粉末的墨水可参照例如(日本)特开2004－318165号而得到。
硅粉末的向基板的涂敷量需要正确地调节，具体而言，优选设定为约2～112g/cm2。但是，形成于基板的硅粉末层的表面即使有些凹凸也无妨。理由是，如后所述，由于硅粉末被熔化，因此硅粉末层被平滑化。
(2)在第二工序中，对涂敷于基板的硅粉末层的表面进行等离子体扫描使其熔化，然后使其再结晶化，形成多晶硅膜。
对硅粉末层的表面进行扫描的等离子体的种类不作特别限定，例如，大气压等离子体。大气压等离子体装置的概要表示在图4中。如图4所示，大气压等离子体装置具有阴极20和阳极21。在阳极21上设有等离子体喷射口22。当对阴极20和阳极21之间施加DC电压时，就会发生电弧放电，因此通过使惰性气体(氮气等)流通，从等离子体喷射口22喷出等离子体23。这种大气压等离子体装置在例如(日本)特开2008－53632号公报等中有所记载。
在上述装置的可沿XYZ轴移动的载物台上搭载涂敷有硅粉末的基板，用大气压等离子体源对基板3的表面从一端扫描到另一端，进行热处理。大气压等离子体的温度通常为10000℃以上，但等离子体喷射口22的前端的温度调节为约2000℃。等离子体喷射口22配置为距基板的硅粉末约5mm。投入功率设为20kw，利用氮气将等离子体23压出而喷射到基板表面。来自喷射口22的等离子体23照射于基板面的40mm直径的区域。被等离子体23照射的区域的硅粉末进行熔化。
扫描速度优选设为100mm/秒～2000mm/秒，例如，设为约1000mm/秒。当扫描速度为100mm/秒以下时，成为基底的基板3熔化，往往会给所得到的多晶硅膜4(参照图5)带来不良影响。另外，当扫描速度为2000mm以上时，仅硅粒子2的上部被熔化。另外，为了以2000mm/秒以上的速度进行扫描，装置系统变得大型化。
也可以在将等离子体压出的惰性气体中混合微量的氢气。通过混合微量的氢，能够去除硅粒子表面的氧化膜，且能够得到晶体缺陷少的多晶硅膜。
大气压等离子体23的在基板表面的温度可通过大气压电源的功率及喷射口22和基板之间的间隔等任意控制。适当控制大气压等离子体23的在基板表面的温度，调节硅粉末的熔化条件。
硅粉末熔化以后，通过进一步接触惰性气体(氮气等)而冷却，能够将硅多晶化。由此，在基板的表面形成多晶硅膜。此时，当使已熔化的硅粉末骤冷时，就成为结晶体粒径小的多晶硅。因此，尽可能地优选快速冷却，以使晶体粒径成为0.05μm以下。
这样，本发明由于将配置于基板的硅制成硅粉末，因此与通常的使块状硅熔化的方式不同，能够用大气压等离子体23使其熔化。因此，能够使配置于大面积的基板的硅粉末熔化、再结晶化。
如上所述，本发明的特征为，短时间且容易地在多晶硅膜上形成PN结。形成PN结的方法在下面的实施方式中进行详细说明。
[实施方式1]
在实施方式1中，对多晶硅膜形成以后通过等离子体掺杂而形成PN结的方式进行说明。
图5A～E是表示实施方式1的太阳能电池板的制造方法的流程的图。如图5A～E所示，实施方式1的太阳能电池板的制造方法具有如下工序：(1)形成硅粉末层2的第一工序(图5A)；(2)对硅粉末层的表面进行等离子体扫描使其熔化，然后使其再结晶化而形成多晶硅膜4的第二工序(图5B)；(3)将多晶硅膜4的表面加工成凹凸状(纹理化)的第三工序(参照图5C)；(4)使多晶硅膜的表层掺杂而在多晶硅膜4上形成PN结的第四工序(参照图5D)；(5)在多晶硅膜4的表层的表面形成绝缘膜7的第五工序(参照图5E)。
在第三工序中，将多晶硅膜4的表面加工成凹凸状的方法不作特别限定，既可以用酸或碱(KOH等)进行处理，也可以用三氟化氯气体(ClF3)或六氟化硫(SF6)等气体等离子体进行加工。具体的纹理构造5不作特别限定，只要采用公知的构造即可。通常，将太阳能电池的硅膜的入射面制成纹理构造5，来抑制在入射面的反射。
在第四工序中，对多晶硅膜的表层4b掺杂。掺杂剂的种类只要通过多晶硅膜是否被掺杂成N型或P型来选择即可。例如，在多晶硅膜被掺杂成N型的情况下，作为掺杂剂，只要使用硼，就能够形成PN结。另一方面，在多晶硅膜被掺杂成P型的情况下，作为掺杂剂，只要使用磷或砷，就能够形成PN结。
在本实施方式中，特征为，通过等离子体照射进行掺杂。为了利用等离子体进行掺杂，只要通过如下方式将掺杂剂导入多晶硅膜4的表层4b即可，即，使含有掺杂剂的气体等离子化，然后照射到多晶硅膜4的表层4b，或在含有掺杂剂的固体存在的情况下，将惰性气体等离子化，然后照射到多晶硅膜4的表层4b。
将含有掺杂剂的气体等离子化而导入到多晶硅膜4的表层4b的方法在例如(日本)特开2000－174287及美国专利申请公开第2004/0219723中有所公开。另外，在含有掺杂剂的固体存在的情况下将惰性气体等离子化而导入到多晶硅膜4的表层4b的方法在例如(日本)特开平9－115851中有所公开。
用等离子体使多晶硅膜的表层掺杂的工序既可以是在第二工序之后第三工序之前，也可以是在第三工序之后。
这样，通过用等离子体对多晶硅膜的表层4b掺杂，能够形成底层4a为N型且表层4b为P型的多晶硅膜4或底层4a为P型且表层4b为N型的多晶硅膜4。由此，能够形成P型区域和N型区域相接的PN结。
另外，在将掺杂剂导入基板3的多晶硅膜4的表层4b之前工序中，也可以利用惰性气体将表层4b非晶化。当表层4b被非晶化时，能够使掺杂剂的导入量均匀化。
另外，优选对导入了掺杂剂的多晶硅膜4的表层4b进行短时间加热而使所导入的掺杂剂活性化。通常，在半导体工序中，也具有对硅表面进行离子注入，然后利用灯等，在短时间内将非晶质化的硅恢复到结晶状态的工序，但在与其相同的条件下，能够使其活性化。活性化也可以利用闪光灯及激光等瞬间热处理(RTA)技术来进行，但在本发明中，考虑生产成本及设备成本的降低，优选利用在将硅粉末的涂敷膜2变换为多晶膜4时所使用的大气压等离子体进行活性化。即，边扫描基板，边对表层4b照射大气压等离子体。但是，由于不需要使硅膜完全熔化，因此，与使硅粉末熔化时相比，照射低温的大气压等离子体，来促进表层4b的活性化。
在此使用的大气压等离子体由例如氮气来压出，投入功率为20kw，对基板面的直径40mm的区域进行照射。等离子体的喷射口配置于距基板面15mm的位置。以1000mm/秒的速度从基板的一端扫描到另一端，其后，利用氮气等惰性气体进行冷却，使多晶硅膜4的表层4b活性化。
在第五工序中，在多晶硅膜4的表层4b的表面进一步形成以防反射及防止结晶端的电特性劣化为目的的绝缘膜7(图5E)。绝缘膜7只要是氮化硅膜等即可，可通过溅射法来形成。另外，将绝缘膜7的表面的局部蚀刻，在蚀刻部形成线状电极8。电极8只要是银等即可。
[实施方式2]
在实施方式1中，对在形成了多晶硅膜以后通过进行等离子体掺杂而形成PN结的方式进行了说明。在实施方式2中，对在同一工序中进行硅粉末层的熔化和掺杂的方式进行说明。
图6A～D是表示实施方式2的太阳能电池板的制造方法的流程的图。如图6A～D所示，实施方式2的太阳能电池板的制造方法具有如下工序：(1)形成硅粉末层2的第一工序(图6A)；(2)对硅粉末层的表面进行等离子体扫描使其熔化，然后使其再结晶化形成多晶硅膜的第二工序(图6B)；(3)将多晶硅膜4的表面加工成凹凸状(纹理化)的第三工序(参照图6C)；(4)在多晶硅膜4的表层4b的表面形成绝缘膜7的第四工序(参照图6D)。
在上述的本实施方式中，特征为，同时进行等离子体照射的硅粉末的熔化(第二工序)和等离子体照射的掺杂。为了同时进行硅粉末的熔化和等离子体掺杂，只要用导入了掺杂剂的等离子体对涂敷于基板的硅粉末层的表面进行扫描使硅粉末熔化即可。
掺杂剂的种类只要通过第一工序涂敷的硅粉末是否被掺杂成N型或P型来选择即可。例如，在硅粉末被掺杂成N型的情况下，作为掺杂剂，只要使用硼，就能够形成PN结。另一方面，在多晶硅膜被掺杂成P型的情况下，作为掺杂剂，只要使用磷或砷，就能够形成PN结。
为了将掺杂剂导入等离子体，只要将掺杂剂的固体粒子导入到等离子体即可。例如，如图7所示，通过使掺杂剂的固体粒子与惰性气体一同流入到等离子体装置的阴极20和阳极21之间，能够使掺杂剂的固体粒子导入到等离子体。图7所示的装置可通过对例如(日本)特开2008－53634公开的装置进行改造来得到，以使其能够从惰性气体的入口导入掺杂剂的固体粒子。
这样，通过利用如图7所示的大气压等离子体装置对硅粉末层的表面进行扫描，能够在同一工序中进行硅粉末层的熔化和掺杂。由此，能够在一道工序中形成底层4a为N型且表层4b为P型的多晶硅膜4或底层4a为P型且表层4b为N型的多晶硅膜4。
另外，在本实施方式中，硅粉末事先进行了N型掺杂，作为导入到等离子体的掺杂剂，优选使用硼。理由是，通过掺杂剂使用硼，能够实现安全且可靠的掺杂。
另一方面，在硅粉末事先进行了P型掺杂的情况下，作为掺杂剂，需要使用磷或砷的粒子。但是，磷粒子导入到等离子体时，就会燃烧，不能扩散到硅粉末层。另外，从安全性的观点出发，不优选砷的粒子。
[实施方式3]
在实施方式1及2中，对通过等离子体掺杂而形成PN结的方式进行了说明。在实施方式3中，对通过将进行了P型掺杂的硅粉末和进行了N型掺杂的硅粉末层叠而形成PN结的方式进行说明。
图8A～D是表示实施方式3的制造方法的流程图。如图8A～D所示，实施方式3的太阳能电池板的制造方法具有如下工序：(1)形成硅粉末层2的第一工序(参照图8A)；(2)对硅粉末层的表面进行等离子体扫描使其熔化，然后使其再结晶化而形成多晶硅膜4的第二工序(图8B)；(3)将多晶硅膜4的表面加工成凹凸状(纹理化)的第三工序(参照图8C)；(4)在多晶硅膜4的表层4b的表面形成绝缘膜7的第四工序(参照图8D)。
在本实施方式中，形成硅粉末层2的第一工序包含：在基板上涂敷进行了N型掺杂的硅粉末2a而形成硅粉末2a的层的工序；其后在硅粉末2a的层上涂敷进行了P型掺杂的硅粉末2b而形成硅粉末2b的层的工序。即、在本实施方式中，特征为，涂敷于基板上的硅粉末层由底层的进行了N型掺杂的硅粉末2a的层和上层的进行了P型掺杂的硅粉末2b的层构成。
另外，进行了N型掺杂的硅粒子2a的层和进行了P型掺杂的硅粉末2b的层的厚度既可以相同，也可以根据目的而不同。
在第二工序中，这样对由底层的进行了N型掺杂的硅粉末2a的层和上层的进行了P型掺杂的硅粉末2b的层构成的硅粉末层进行等离子体扫描使其熔化，然后使其再结晶化。由此，能够形成底层4a为N型且表层4b为P型的多晶硅膜4。
在本实施方式中，对包含底层4a为N型且表层4b为P型的多晶硅膜4的太阳能电池板的制造方法进行了说明，但N型区域和P型区域的位置也可以相反。即，在第一工序中，也可以在基板上涂敷进行了P型掺杂的硅粉末2b，形成硅粉末2b的层，然后在硅粉末2b的层上涂敷进行了N型掺杂的硅粉末2a，形成硅粉末2a的层。
[实验例1]
在基板(尺寸：370mm(X轴)×470mm(Y轴))上涂敷约1μm的粒径的硅粉末。在实验例1中，使用导入了硼的P型硅粉末。硅粉末的涂敷用涂刷器进行，设为约30μm的厚度的涂敷膜。
利用如图4所示的大气压等离子体装置，边沿X轴方向扫描，边从基板的一端到另一端照射等离子体，使硅粉末熔化、再结晶化。等离子体照射区域为直径40mm。将等离子体压出的惰性气体采用含有微量氢气的氮气。
如果从一端到另一端的扫描已结束，就沿Y轴方向移动40mm，再次边沿X轴方向扫描，边照射等离子体。重复进行该操作，使配置于基板上的全部硅粉末带状地再结晶化，制成大致均质的多晶硅膜。多晶硅膜的厚度为15μm。
接着，将所形成的多晶硅膜的表面加工成凹凸状(纹理化)(参照图5C)。然后，将纹理化后的P型多晶硅膜的表层进行N型掺杂(参照图5D)。
在本实验例中，利用等离子体掺杂，将磷(P)或砷(砷、As)导入到P型多晶硅膜的表层。具体而言，(1)可将含有磷(P)或砷(As)的气体等离子化而导入到多晶硅膜的表层，或者，(2)可在含有磷(P)或砷(As)的固体存在的情况下，将惰性气体等离子化而导入到多晶硅膜的表层，但并不局限于这两种方法。
(1)为了利用含有磷(P)或砷(As)的气体进行掺杂，只要例如将用He稀释的PH4气体(5％)导入到配置有基板且保持为1Pa的真空容器；用13.56MHz、2000W的电感耦合等离子体(ICP)放电，使所导入的PH4进行等离子体分解；将500KHz的高频施加于50W的下部电极进行掺杂即可。在基板3的尺寸大的情况下，需要大面积地产生功率，因此优选采用多头螺旋管方式的、电介质分割方式的电感耦合等离子体(ICP)装置。
当然，等离子体源不局限于ICP，也可以利用平行平板电极、ECR、螺旋波、微波及DC放电。下部电极也不局限于500kHz的低频电源，也可以进行100Hz以上13.56MHz的频率的电力施加及DC施加。
(2)为了利用含有磷(P)或砷(As)的固体进行掺杂，在真空容器内配置平行平板电极，在一电极上载置具有多晶硅膜的基板，且在另一相对的电极上载置含有磷(P)或砷(As)的固体(例如，磷(P)或砷(As)的烧结材料)；将13.56MHz的高频连接于上下电极；将惰性气体(例如，氦气)导入，在20Pa的压力下进行30秒放电。通过对平行平板电极中的载置有基板的电极施加100W的电力，且对载置有含磷(P)或砷(As)的固体(例如，磷(P)或砷(As)的烧结材料)的对抗电极施加1000W的电力，能够将掺杂剂导入到多晶硅膜的表层。
另外，(2)为了利用含有磷(P)或砷(As)的固体进行掺杂，也可以在真空腔室内载置上述固体(例如，烧结材料)和具有多层硅膜的基板；将惰性气体导入，利用ICP、ECR、螺旋波、微波及DC放电，产生等离子体；在等离子体中混入掺杂剂，将掺杂剂导入到多晶硅膜的表层。
接着，在多晶硅膜的表面上进一步形成以防反射及防止结晶端的电特性劣化为目的的绝缘膜(参照图5E)。另外，将绝缘膜的表面的局部蚀刻，在蚀刻部形成线状的电极。
这样得到的太阳能电池的开路电压为0.6V(10cm2换算)，可得到不比现有市场销售的结晶型太阳能电池逊色的数据。
[实验例2]
在实验例1中，对使用含有硼(B)的硅粉末的实验例进行了说明。在实验例2中，对使用含有磷(P)或砷(As)的硅粉末的实验例进行说明。
在基板上涂敷约1μm的粒径的进行了N型掺杂的硅粉末。硅粉末的涂敷用涂刷器进行，制成约30μm的厚度的涂敷膜。利用如图7所示的大气压等离子体装置，边沿X轴方向扫描，边从基板的一端到另一端将硼粒子导入等离子体内边照射等离子体，将硅粉末熔化、再结晶化。等离子体照射区域为直径40mm。压出等离子体的惰性气体设为含有微量氢气的氮气。
此时，将硼粒子导入大气压等离子体源中，使硼粒子熔化，且使硼分子扩散到硅粉末2表面附近。硼粒子为1μm以下且0.02μm以上的粒径是理想的。
如果从一端到另一端的扫描已结束，就沿Y轴方向移动40mm，再次边沿X轴方向扫描，边照射等离子体。重复进行该操作，使配置于基板上的全部硅粉末带状地再结晶化，制成大致均质的多晶硅膜。多晶硅膜的厚度为15μm。在多晶化后的硅的表面附近扩散有2微米左右的硼。
接着，将所形成的多晶硅膜的表面加工成凹凸状(纹理化)。然后，在多晶硅膜的表层形成绝缘膜。另外，将绝缘膜的表面的局部蚀刻，在蚀刻部形成线状的电极。
这样得到的太阳能电池的开路电压为0.6V(10cm2换算)，可得到不比现有市场销售的结晶型太阳能电池逊色的数据。
[实验例3]
在实验例1及2中，对通过等离子体掺杂而形成PN结的实验例进行了说明。在实验例3中，对通过使用P型硅粉末及N型硅粉末而形成PN结的实验例进行说明。
在基板上涂敷约0.1μm的粒径的N型硅粉末，形成厚度15μm的N型硅粉末的层。接着，在N型硅粉末的层上涂敷约0.1μm的粒径的P型硅粉末，形成厚度15μm的P型硅粉末的层。
然后，利用如图4所示的大气压等离子体装置，边沿X轴方向扫描，边从基板的一端到另一端照射等离子体，使P型硅粉末及N型硅粉末熔化、再结晶化。等离子体照射区域为直径40mm。压出等离子体的惰性气体采用含有微量氢气的氮气。
如果从一端到另一端的扫描已结束，就沿Y轴方向移动40mm，再次边沿X轴方向扫描，边照射等离子体。重复进行该操作，使配置于基板上的全部硅粉末带状地再结晶化，制成大致均质的多晶硅膜。多晶硅膜的厚度为约15μm。
接着，将所形成的多晶硅膜4的表面加工成凹凸状(纹理化)。然后，在多晶硅膜的表层的表面进一步形成以防反射及防止结晶端的电特性劣化为目的的绝缘膜。另外，将绝缘膜的表面的局部蚀刻，在蚀刻部形成线状的电极。
这样得到的太阳能电池的开路电压为0.6V(10cm2换算)，可得到不比现有市场销售的结晶型太阳能电池逊色的数据。
本申请主张基于2009年10月23日申请的(日本)特愿2009－244623、2009年12月25日申请的(日本)特愿2009－294153及2009年12月25日申请的(日本)特愿2009－294154的优先权。该申请说明书记载的内容都被本申请说明书所引用。
产业上的可利用性
本发明提供的硅粉末可作为结晶型太阳能电池的硅原料而使用。另外，根据本发明，能够廉价且高效地提供大面积的太阳能电池板。

Claims (7)

1.多晶型太阳能电池板的制造方法，包括以下工序：
将纯度等级为99.999％以上、掺杂成P型的硅锭通过高压纯水切割制成粒径3mm以下的粗硅粉末的工序；
利用选自喷射式粉碎、湿式微粒化、超声波破坏、冲击波破坏中的至少一种方法，将所述粗硅粉末制成粒径0.01μm以上且10μm以下的含有硼的P型硅粉末的工序；
将所得到的P型硅粉末涂敷于基板上，从而形成硅粉末层的工序；
对所述硅粉末层的表面进行等离子体扫描使其熔化，然后使其再结晶化而形成P型多晶硅膜的工序；
将形成有所述P型多晶硅膜的基板配置于等离子体反应室的工序；
将含有磷或砷的气体导入到所述等离子体反应室而等离子化，且将所述P型多晶硅膜的表层N型化，从而形成PN结的工序；以及
使进行了所述N型化的P型多晶硅膜的表层活性化的加热工序。
2.多晶型太阳能电池板的制造方法，包括以下工序：
将纯度等级为99.999％以上、掺杂成P型的硅锭通过高压纯水切割制成粒径3mm以下的粗硅粉末的工序；
利用选自喷射式粉碎、湿式微粒化、超声波破坏、冲击波破坏中的至少一种方法，将所述粗硅粉末制成粒径0.01μm以上且10μm以下的含有硼的P型硅粉末的工序；
将所得到的P型硅粉末涂敷于基板上，从而形成硅粉末层的工序；
对所述硅粉末层的表面进行等离子体扫描使其熔化，然后使其再结晶化而形成P型多晶硅膜的工序；
将形成有所述P型多晶硅膜的基板配置于等离子体反应室的工序；
将含有磷或砷的固体载置于所述等离子体反应室，且将惰性气体导入到所述等离子体反应室而产生等离子体，然后使含有所述硼的P型多晶硅膜的表层N型化，从而形成PN结的工序；以及
使进行了所述N型化的P型多晶硅膜的表层活性化的加热工序。
3.多晶型太阳能电池板的制造方法，包括以下工序：
将纯度等级为99.999％以上、掺杂成N型的硅锭通过高压纯水切割制成粒径3mm以下的粗硅粉末的工序；
利用选自喷射式粉碎、湿式微粒化、超声波破坏、冲击波破坏中的至少一种方法，将所述粗硅粉末制成粒径0.01μm以上且10μm以下的含有磷或砷的N型硅粉末的工序；
将所得到的N型硅粉末涂敷于基板上，从而形成硅粉末层的工序；以及
通过对涂敷于所述基板上的N型硅粉末层的表面进行导入有硼粒子的等离子体扫描，形成在表层被P型化的N型多晶硅膜、即具有PN结的多晶硅膜的工序。
4.如权利要求1～3中任一项所述的多晶型太阳能电池板的制造方法，其中，
所述基板含有Al、Ag、Cu、Sn、Zn、In、Fe中的任一种元素。
5.如权利要求1～3中任一项所述的多晶型太阳能电池板的制造方法，其中，
扫描所述硅粉末层的表面的等离子体为大气压等离子体。
6.如权利要求1～3中任一项所述的多晶型太阳能电池板的制造方法，其中，
所述扫描速度为100mm/秒以上且2000mm/秒以下。
7.多晶型太阳能电池板的制造方法，包括以下工序：
将纯度等级为99.999％以上、掺杂成P型的硅锭通过高压纯水切割制成粒径3mm以下的粗硅粉末的工序；
利用选自喷射式粉碎、湿式微粒化、超声波破坏、冲击波破坏中的至少一种方法，将所述粗硅粉末制成粒径0.01μm以上且10μm以下的含有硼的P型硅粉末的工序；
将纯度等级为99.999％以上、掺杂成N型的硅锭通过高压纯水切割制成粒径3mm以下的粗硅粉末的工序；
利用选自喷射式粉碎、湿式微粒化、超声波破坏、冲击波破坏中的至少一种方法，将所述粗硅粉末制成粒径0.01μm以上且10μm以下的含有磷或砷的N型硅粉末的工序；
将所述N型硅粉末涂敷于基板上，从而形成N型硅粉末层的工序；
将所述P型硅粉末涂敷于所述N型硅粉末的层上，从而形成P型硅粉末层的工序；以及
对由所述N型硅粉末层和所述P型硅粉末层构成的硅粉末层的表面进行等离子体扫描使其熔化，然后使其再结晶化而形成具有PN结的多晶硅膜的工序。
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Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201251077A (en) * 2011-06-07 2012-12-16 Kuo-Ching Chiang Solar cell having non-planar junction and the method of the same
JP5627560B2 (ja) * 2011-12-02 2014-11-19 三菱電機株式会社 微粒子製造塗布装置および微粒子塗布方法
KR101455290B1 (ko) 2012-01-31 2014-11-03 전북대학교산학협력단 플라즈마 용사 공정과 어닐링 공정을 이용한 태양광용 다결정 실리콘 박막의 제조 방법
DE102014111781B4 (de) * 2013-08-19 2022-08-11 Korea Atomic Energy Research Institute Verfahren zur elektrochemischen Herstellung einer Silizium-Schicht
KR101642026B1 (ko) * 2013-08-19 2016-07-22 한국원자력연구원 전기화학적 실리콘 막 제조방법
TWI503174B (zh) * 2013-12-26 2015-10-11 Univ Far East The process of making the powder by arc
US9559245B2 (en) 2015-03-23 2017-01-31 Sunpower Corporation Blister-free polycrystalline silicon for solar cells
CN104973601A (zh) * 2015-07-06 2015-10-14 杭州钦耀纳米科技有限公司 一种超纯超细金属硅粉的生产方法
JP6339994B2 (ja) * 2015-12-08 2018-06-06 パナソニック株式会社 放電破砕装置及び放電破砕方法
JP7401279B2 (ja) 2019-12-06 2023-12-19 株式会社アドバンテック 対象物を加熱及び冷却するためのステージ
JP7458337B2 (ja) 2021-02-09 2024-03-29 株式会社アドバンテック 対象物を加熱及び冷却するためのステージ

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01246816A (ja) * 1988-03-29 1989-10-02 Mitsui Toatsu Chem Inc 多結晶シリコン膜の形成法
JPH0487325A (ja) * 1990-07-31 1992-03-19 Tonen Corp 多結晶膜の作製法
JP3310326B2 (ja) * 1992-04-16 2002-08-05 株式会社半導体エネルギー研究所 光電変換装置の作製方法
JP3222245B2 (ja) * 1993-02-26 2001-10-22 キヤノン株式会社 光起電力素子用半導体積層膜の連続形成装置及び方法
JPH06268242A (ja) * 1993-03-17 1994-09-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd シリコン基板の製造方法および結晶質シリコン太陽電池
JPH06271309A (ja) * 1993-03-22 1994-09-27 Sumitomo Sitix Corp 多結晶シリコンの破砕方法
DE4316626A1 (de) * 1993-05-18 1994-11-24 Wacker Chemitronic Verfahren und Vorrichtung zur Zerkleinerung von Halbleitermaterial
JP3862305B2 (ja) * 1995-10-23 2006-12-27 松下電器産業株式会社 不純物の導入方法及びその装置、並びに半導体装置の製造方法
JPH10261812A (ja) * 1997-03-18 1998-09-29 Kawasaki Steel Corp ｐｎ接合シリコン基板の製造方法
JPH11260721A (ja) * 1998-03-13 1999-09-24 Toshiba Corp 多結晶薄膜シリコン層の形成方法および太陽光発電素子
JPH11261089A (ja) * 1998-03-16 1999-09-24 Toshiba Corp 太陽電池の製造方法
JP3490297B2 (ja) * 1998-06-30 2004-01-26 株式会社東芝 多結晶半導体素子及びその製造方法
JP2000101109A (ja) * 1998-09-24 2000-04-07 Toshiba Corp 太陽電池素子用基板、太陽電池素子及びその製造方法
JP2000279841A (ja) * 1999-03-31 2000-10-10 Toshiba Corp シリコン粉末の製造方法
JP2001189478A (ja) * 1999-12-28 2001-07-10 Sanyo Electric Co Ltd 半導体素子及びその製造方法
JP3712588B2 (ja) * 2000-03-28 2005-11-02 株式会社スギノマシン 噴流衝合装置
JP2004204094A (ja) * 2002-12-26 2004-07-22 Jsr Corp シリコン膜形成用組成物およびシリコン膜の形成方法
JP5286499B2 (ja) * 2006-08-28 2013-09-11 国立大学法人広島大学 半導体膜の製造方法、半導体素子の製造方法、電気光学装置、電子機器
US20090242010A1 (en) * 2008-03-27 2009-10-01 Twin Creeks Technologies, Inc. Method to Form a Photovoltaic Cell Comprising a Thin Lamina Bonded to a Discrete Receiver Element
JP5042101B2 (ja) * 2008-03-28 2012-10-03 三菱電機株式会社 太陽電池およびその製造方法

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