JP3310326B2 - 光電変換装置の作製方法 - Google Patents
光電変換装置の作製方法Info
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1804—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic System
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Description
【０００１】
【発明の利用分野】本発明は太陽光等の光を電気に変換
する光電変換装置に関し、特に安価な光電変換装置を提
供する方法に関するものである。
する光電変換装置に関し、特に安価な光電変換装置を提
供する方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来より知られた光電変換装置として
は、主として珪素半導体を使用したものが主流であり、
特別の用途用としてガリ砒素半導体等の化合物半導体が
実用化されていた。珪素半導体を使用した光電変換装置
にあっては、使用する珪素半導体の材料として、単結晶
半導体、多結晶半導体あるいはアモルファスシリコン等
の非晶質半導体を使用しており、各々の材料によりその
得意とする領域があり、その領域に応じて使い分けられ
ている。
は、主として珪素半導体を使用したものが主流であり、
特別の用途用としてガリ砒素半導体等の化合物半導体が
実用化されていた。珪素半導体を使用した光電変換装置
にあっては、使用する珪素半導体の材料として、単結晶
半導体、多結晶半導体あるいはアモルファスシリコン等
の非晶質半導体を使用しており、各々の材料によりその
得意とする領域があり、その領域に応じて使い分けられ
ている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】単結晶半導体を使用し
た光電変換装置にあっては、光電変換効率が高く、大き
な出力を提供できるため主として電力用として期待され
ているが、材料コスト等が高価なため、価格の低下が望
まれている。また、多結晶半導体を使用した光電変換半
導体装置にあっては、単結晶半導体に比べてその材料コ
ストは低いが、光電変換効率も若干低く、それでもより
コストを安くすることが望まれていた。また、アモルフ
ァスシリコン半導体を使用した光電変換装置にあって
は、低コストを期待されて登場したにもかかわらず、単
結晶および多結晶半導体に比べてそれほどコストは低く
なく、しかも光電変換効率が半分以下という状態で、光
電変換効率の向上と低コスト化の両方を求められてい
た。
た光電変換装置にあっては、光電変換効率が高く、大き
な出力を提供できるため主として電力用として期待され
ているが、材料コスト等が高価なため、価格の低下が望
まれている。また、多結晶半導体を使用した光電変換半
導体装置にあっては、単結晶半導体に比べてその材料コ
ストは低いが、光電変換効率も若干低く、それでもより
コストを安くすることが望まれていた。また、アモルフ
ァスシリコン半導体を使用した光電変換装置にあって
は、低コストを期待されて登場したにもかかわらず、単
結晶および多結晶半導体に比べてそれほどコストは低く
なく、しかも光電変換効率が半分以下という状態で、光
電変換効率の向上と低コスト化の両方を求められてい
た。
【０００４】さらに、最近は地球上の資源を節約するこ
とおよび地球環境を保護する動きが広く産業界に求めら
れている。特にこの省資源および地球環境の保護の点か
ら太陽電池等の光電変換装置に注目が集まっている。と
ころが、これらの省資源および地球環境問題に効果を期
待されている太陽電池自身を製造する際に十分な省資源
化が行えず、低い製造歩留りおよび無駄な原材料の使用
等の問題が発生していた。
とおよび地球環境を保護する動きが広く産業界に求めら
れている。特にこの省資源および地球環境の保護の点か
ら太陽電池等の光電変換装置に注目が集まっている。と
ころが、これらの省資源および地球環境問題に効果を期
待されている太陽電池自身を製造する際に十分な省資源
化が行えず、低い製造歩留りおよび無駄な原材料の使用
等の問題が発生していた。
【０００５】本発明は上記の如き、光電変換装置のコス
ト高を解決しかつ高い光電変換効率を実現可能な光電変
換装置を実現すると同時に、省資源を実現することを目
的とするものである。
ト高を解決しかつ高い光電変換効率を実現可能な光電変
換装置を実現すると同時に、省資源を実現することを目
的とするものである。
【０００６】
【課題を解決する為の手段】すなわち、基板の両面（表
面及び裏面）に光電変換装置を形成した後、基板の表面
及び裏面を相互に分離するために基板を二つに割って、
各々を光電変換装置として利用することを特徴とする。
面及び裏面）に光電変換装置を形成した後、基板の表面
及び裏面を相互に分離するために基板を二つに割って、
各々を光電変換装置として利用することを特徴とする。
【０００７】通常の光電変換装置に使用される基板とし
ては、２インチウエファーで０．２ｍｍから０．３ｍ
ｍ、４インチウエファーで０．３から０．５ｍｍ、５イ
ンチあるいは６インチウエファーで０．４から０．６ｍ
ｍそして８インチウエファーでは約０．５ｍｍから０．
７ｍｍ程度の厚さのものが一般的であり、光電変換装置
の基板を大きくするに従い、その厚みも厚くなる傾向が
ある。光電変換装置においては、一定の厚み約０．１５
から０．３ｍｍ程度さえ得られれば、その他は不要な部
分でありウエファーの面積が増すに従い、光電変換装置
として利用していない不要な部分も同時に発生すること
となり、資源の無駄づかいとなっている。
ては、２インチウエファーで０．２ｍｍから０．３ｍ
ｍ、４インチウエファーで０．３から０．５ｍｍ、５イ
ンチあるいは６インチウエファーで０．４から０．６ｍ
ｍそして８インチウエファーでは約０．５ｍｍから０．
７ｍｍ程度の厚さのものが一般的であり、光電変換装置
の基板を大きくするに従い、その厚みも厚くなる傾向が
ある。光電変換装置においては、一定の厚み約０．１５
から０．３ｍｍ程度さえ得られれば、その他は不要な部
分でありウエファーの面積が増すに従い、光電変換装置
として利用していない不要な部分も同時に発生すること
となり、資源の無駄づかいとなっている。
【０００８】そのため、本発明のように基板の両面に光
電変換装置を形成あるいはその領域を確保した後に基板
の厚み方向に２つに分離することとで省資源が可能とな
る。特に光電変換装置の一方の電極を基板の裏面側より
取り出す構造の場合、基板を半分の厚さにすることで、
光電変換装置として最も変換効率がよく適当である０．
２から０．３ｍｍ程度の厚さとすることができ、光電変
換装置としての利用に都合がよい。
電変換装置を形成あるいはその領域を確保した後に基板
の厚み方向に２つに分離することとで省資源が可能とな
る。特に光電変換装置の一方の電極を基板の裏面側より
取り出す構造の場合、基板を半分の厚さにすることで、
光電変換装置として最も変換効率がよく適当である０．
２から０．３ｍｍ程度の厚さとすることができ、光電変
換装置としての利用に都合がよい。
【０００９】また、半導体集積回路に使用する基板ウエ
ファーにあっては、その要求仕様のレベルが相当高く、
ウエファー製造メーカーにあっては相当量の規格外品が
発生することが多い。この規格外となる原因としては、
ウエファーの格子欠陥、外見上の傷、不純物量等である
が、半導体集積回路の要求仕様のレベルが高すぎるため
に多量に発生することになる。
ファーにあっては、その要求仕様のレベルが相当高く、
ウエファー製造メーカーにあっては相当量の規格外品が
発生することが多い。この規格外となる原因としては、
ウエファーの格子欠陥、外見上の傷、不純物量等である
が、半導体集積回路の要求仕様のレベルが高すぎるため
に多量に発生することになる。
【００１０】一方、光電変換装置に要求される基板仕様
はそれ程レベルが高くないので、半導体用として規格外
となったウエファーでも十分に光電変換装置の要求仕様
を満たしているものがある。 そのためこのような半導
体用では規格外品となった基板を使用することで、より
安価な光電変換装置を資源を節約して実現することが可
能となる。
はそれ程レベルが高くないので、半導体用として規格外
となったウエファーでも十分に光電変換装置の要求仕様
を満たしているものがある。 そのためこのような半導
体用では規格外品となった基板を使用することで、より
安価な光電変換装置を資源を節約して実現することが可
能となる。
【００１１】さらにまた、規格外のウエファーではなく
合格品であっても、半導体製品を製造する際に、プロセ
スの条件出しや練習のためにウエファーを使用すること
がある。このようなウエファーの反対面側に光電変換領
域を形成し、その基板を厚さ方向に２つに分離すること
で、光電変換装置を完成して、資源の節約および材料コ
ストをさげることも可能であった。以下に実施例を示し
本発明を説明する。
合格品であっても、半導体製品を製造する際に、プロセ
スの条件出しや練習のためにウエファーを使用すること
がある。このようなウエファーの反対面側に光電変換領
域を形成し、その基板を厚さ方向に２つに分離すること
で、光電変換装置を完成して、資源の節約および材料コ
ストをさげることも可能であった。以下に実施例を示し
本発明を説明する。
【００１２】
【実施例】本実施例においては、６インチの外径で、厚
さが約０．５５ｍｍの規格外ウエファーを使用して、本
発明の光電変換装置を作製した。また、このウエファー
の抵抗値は約３ΩｃｍでＰ型のものを使用した。また、
図１には本発明の光電変換装置の作製工程を示す概略図
を示した。以下この図に従って作製方法を説明する。
さが約０．５５ｍｍの規格外ウエファーを使用して、本
発明の光電変換装置を作製した。また、このウエファー
の抵抗値は約３ΩｃｍでＰ型のものを使用した。また、
図１には本発明の光電変換装置の作製工程を示す概略図
を示した。以下この図に従って作製方法を説明する。
【００１３】まず、前処理として純水、アセトン、トリ
クロロエタン等を使用し基板１の表面の汚染を除去す
る。次に酸素雰囲気下でトリクレンを窒素気体でバブリ
ングしながら少量導入し、約１２００度の温度で約３０
分間酸化膜をウエファー１の両面に形成した後、所定の
マスクを使用し、公知のフォトリソプロセスによりこの
酸化膜をパターニングして、光電変換領域の周辺部２を
残して図１（Ａ）の状態を得る。このように、酸化処理
の際に塩素を導入することで、基板１中のアルカリ物質
（ナトリウム等）を酸化膜中にトラップすることがで
き、光電変換装置に高い信頼性を与えることが可能とな
る。
クロロエタン等を使用し基板１の表面の汚染を除去す
る。次に酸素雰囲気下でトリクレンを窒素気体でバブリ
ングしながら少量導入し、約１２００度の温度で約３０
分間酸化膜をウエファー１の両面に形成した後、所定の
マスクを使用し、公知のフォトリソプロセスによりこの
酸化膜をパターニングして、光電変換領域の周辺部２を
残して図１（Ａ）の状態を得る。このように、酸化処理
の際に塩素を導入することで、基板１中のアルカリ物質
（ナトリウム等）を酸化膜中にトラップすることがで
き、光電変換装置に高い信頼性を与えることが可能とな
る。
【００１４】次に、酸化膜が除去された基板面に対し
て、リンを不純物として導入し、Ｐ型の半導体基板中に
異なる導電型の不純物領域であるＮ型の領域３を形成
し、半導体基板と不純物領域との間に接合部（ＰＮ接合
部）を形成する。この導入方法としては公知のイオンイ
ンプラ法や有機樹脂あるいは酸化珪素形成用アルコール
溶液中に不純物源を混入した不純物源をこれら基板表面
に塗布し拡散する方法やプラズマドーピング等の手段を
使用してこのＮ型の不純物領域３を形成し図１（Ｂ）の
状態を得ることができる。
て、リンを不純物として導入し、Ｐ型の半導体基板中に
異なる導電型の不純物領域であるＮ型の領域３を形成
し、半導体基板と不純物領域との間に接合部（ＰＮ接合
部）を形成する。この導入方法としては公知のイオンイ
ンプラ法や有機樹脂あるいは酸化珪素形成用アルコール
溶液中に不純物源を混入した不純物源をこれら基板表面
に塗布し拡散する方法やプラズマドーピング等の手段を
使用してこのＮ型の不純物領域３を形成し図１（Ｂ）の
状態を得ることができる。
【００１５】さらにこのＮ型の不純物領域３上に銅や銀
等の金属粒子を含んだ金属ペーストを印刷法等により所
定のパターンに形成し光照射面の取り出し電極４として
形成する。この印刷の後、１５０度から３００度程度の
低温にて１０から３０分間、このパターンの電極を焼成
し、取り出し電極４を完成させ、図１（Ｃ）の状態を得
ることができる。
等の金属粒子を含んだ金属ペーストを印刷法等により所
定のパターンに形成し光照射面の取り出し電極４として
形成する。この印刷の後、１５０度から３００度程度の
低温にて１０から３０分間、このパターンの電極を焼成
し、取り出し電極４を完成させ、図１（Ｃ）の状態を得
ることができる。
【００１６】次に、この上面に反射防止膜の機能と表面
保護膜の機能を兼ね備えたパッシベーション膜５を公知
の蒸着法等で所定の厚さ本実施例の場合は５００から８
００Åの厚さに形成して、基板１の両面に光電変換装置
を形成した。
保護膜の機能を兼ね備えたパッシベーション膜５を公知
の蒸着法等で所定の厚さ本実施例の場合は５００から８
００Åの厚さに形成して、基板１の両面に光電変換装置
を形成した。
【００１７】最後に、この基板の片面上にレジストやワ
ックス等の有機樹脂を厚く形成し、表面の保護を十分に
行った後、この有機樹脂が形成された面をテーブルの上
に載せて真空チャックにより基板をテーブルに固定す
る。この後、基板に平行になるようにワイヤーソーでこ
の基板を半分の厚さになるように切断し、約半分の厚さ
を持つ２つの光電変換装置に分離する。
ックス等の有機樹脂を厚く形成し、表面の保護を十分に
行った後、この有機樹脂が形成された面をテーブルの上
に載せて真空チャックにより基板をテーブルに固定す
る。この後、基板に平行になるようにワイヤーソーでこ
の基板を半分の厚さになるように切断し、約半分の厚さ
を持つ２つの光電変換装置に分離する。
【００１８】この後、光電変換装置の上面に形成された
有機樹脂を除去し、必要があれば、この切断された基板
面上に裏面の電極６を形成して図１（Ｄ）のように光電
変換装置を完成させる。この光電変装置の厚さは約０．
３ｍｍであり、光電変換装置としては都合のよい厚さで
あった。
有機樹脂を除去し、必要があれば、この切断された基板
面上に裏面の電極６を形成して図１（Ｄ）のように光電
変換装置を完成させる。この光電変装置の厚さは約０．
３ｍｍであり、光電変換装置としては都合のよい厚さで
あった。
【００１９】また、基板を２つに分離する際に、本実施
例では保護膜を形成して、テーブルに固定したが、この
構成に限定されることはなく、ウエファーとほぼ同じ外
径の金属筒に接着し、この金属筒を固定して、ウエファ
ーを分離することも可能である。 さらに図２に示すよ
うにこの基板１を複数個ワックス７等を介して、ウエフ
ァーの円筒８を接着形成し、この円筒８を固定して、通
常のシリコンインゴットからウエファーを切り出すよう
に、基板１を２つに分離することも可能である。この場
合、分離のための固定が容易であり、通常の手段を利用
して、分離することが可能であるので、より安価な光電
変換装置を提供することができる。
例では保護膜を形成して、テーブルに固定したが、この
構成に限定されることはなく、ウエファーとほぼ同じ外
径の金属筒に接着し、この金属筒を固定して、ウエファ
ーを分離することも可能である。 さらに図２に示すよ
うにこの基板１を複数個ワックス７等を介して、ウエフ
ァーの円筒８を接着形成し、この円筒８を固定して、通
常のシリコンインゴットからウエファーを切り出すよう
に、基板１を２つに分離することも可能である。この場
合、分離のための固定が容易であり、通常の手段を利用
して、分離することが可能であるので、より安価な光電
変換装置を提供することができる。
【００２０】また、分離の際に使用するのはワイヤーソ
ーだけではなく、内周刃、外周刃等のブレードを使用し
た切断や放電加工さらにはレーザー加工等の技術も使用
することは可能である。
ーだけではなく、内周刃、外周刃等のブレードを使用し
た切断や放電加工さらにはレーザー加工等の技術も使用
することは可能である。
【００２１】さらにまた、上記の実施例中の製造工程に
追加して、基板洗浄の後にヒドラジンを使用して、基板
表面が凹凸表面となるようにエッチング処理を施し、光
電変換装置の照射された光を有効に利用するように光路
長を意図的に長くしたバイオレットセル構成とすること
も可能であり、光電変換効率の向上に大きく寄与するこ
とができた。
追加して、基板洗浄の後にヒドラジンを使用して、基板
表面が凹凸表面となるようにエッチング処理を施し、光
電変換装置の照射された光を有効に利用するように光路
長を意図的に長くしたバイオレットセル構成とすること
も可能であり、光電変換効率の向上に大きく寄与するこ
とができた。
【００２２】
【発明の効果】本発明の構成をとることで、資源を有効
に利用した光電変換装置を提供することができると同時
に、安価な光電変換装置を提供することができる。さら
に、半導体装置製造等で不要あるいは規格外となって通
常は廃棄されるような基板をも有効に利用することがで
きるようになった。また、両面に光電変換装置を形成し
た場合、生産性が向上し、コストをさげる効果がある。
に利用した光電変換装置を提供することができると同時
に、安価な光電変換装置を提供することができる。さら
に、半導体装置製造等で不要あるいは規格外となって通
常は廃棄されるような基板をも有効に利用することがで
きるようになった。また、両面に光電変換装置を形成し
た場合、生産性が向上し、コストをさげる効果がある。
【図１】本発明の光電変換装置の製造方法を示す概略工
程図。
程図。
【図２】複数の基板を円筒上に接着した様子を示す概略
図。
図。
１・・・・基板 ２・・・・酸化膜 ３・・・・不純物領域 ４・・・・電極
Claims (4)
- 【請求項１】基板の表面及び裏面に光電変換装置の光照
射面となる領域を設けて両面基板を形成し、前記両面基板の側壁面を円筒の内径内に固定して、該両
面基板を面内平行に切断して、それぞれ片面に前記光照
射面となる領域が設けられた基板を形成することを特徴
とする 光電変換装置の作製方法。 - 【請求項２】基板の表面及び裏面に光電変換装置の光照
射面となる領域を設けて両面基板を形成し、前記両面基板の側壁面を円筒の内径内に固定して、該両
面基板を面内平行に切断し 、前記両面基板を切断した面に電極を形成することを特徴
とする光電変換装置の作製方法。 - 【請求項３】半導体基板の表面及び裏面の一部に該半導
体基板と異なる導電型の不純物領域を設けて該半導体基
板と該不純物領域との間に接合部を形成した後、前記不
純物領域上に電極を設けて、両面半導体基板を形成し、 前記両面半導体基板の側壁面を円筒の内径内に固定し
て、該両面半導体基板を面内平行に切断して、それぞれ
片面に前記不純物領域、前記接合部及び前記電極が形成
された半導体基板を形成する ことを特徴とする光電変換
装置の作製方法。 - 【請求項４】半導体基板の表面及び裏面の一部に該半導
体基板と異なる導電型の不純物領域を設けて該半導体基
板と該不純物領域との間に接合部を形成した後、前記不
純物領域上に第１の電極を設けて、両面半導体基板を形
成し、 前記両面半導体基板の側壁面を円筒の内径内に固定し
て、該両面半導体基板を面内平行に切断し、 前記両面半導体基板を切断した面に第２の電極を形成す
ることを特徴とする光電変換装置の作製方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12259592A JP3310326B2 (ja) | 1992-04-16 | 1992-04-16 | 光電変換装置の作製方法 |
| US08/046,841 US5489555A (en) | 1992-04-16 | 1993-04-14 | Method for forming a photoelectric conversion device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12259592A JP3310326B2 (ja) | 1992-04-16 | 1992-04-16 | 光電変換装置の作製方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05299674A JPH05299674A (ja) | 1993-11-12 |
| JP3310326B2 true JP3310326B2 (ja) | 2002-08-05 |
Family
ID=14839824
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12259592A Expired - Fee Related JP3310326B2 (ja) | 1992-04-16 | 1992-04-16 | 光電変換装置の作製方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5489555A (ja) |
| JP (1) | JP3310326B2 (ja) |
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| KR101323226B1 (ko) * | 2009-10-23 | 2013-10-30 | 파나소닉 주식회사 | 다결정형 태양전지 패널의 제조 방법 |
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| US9572254B2 (en) | 2012-01-17 | 2017-02-14 | Xerox Corporation | Suspended lattice for electrical interconnects |
| US9196503B2 (en) * | 2012-08-23 | 2015-11-24 | Michael Xiaoxuan Yang | Methods for fabricating devices on semiconductor substrates |
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| JPS57204116A (en) * | 1981-06-09 | 1982-12-14 | Mitsubishi Electric Corp | Manufacture of semiconductor device |
| US4602120A (en) * | 1983-11-25 | 1986-07-22 | Atlantic Richfield Company | Solar cell manufacture |
| US4897141A (en) * | 1984-12-06 | 1990-01-30 | Valtech Corporation | Method for preparing semiconductor wafers |
| US4803375A (en) * | 1985-12-27 | 1989-02-07 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Image sensors and methods of manufacturing same including semiconductor layer over entire substrate surface |
| US5024867A (en) * | 1987-10-28 | 1991-06-18 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Dopant film and methods of diffusing impurity into and manufacturing a semiconductor wafer |
| JPH01293613A (ja) * | 1988-05-23 | 1989-11-27 | Naoetsu Denshi Kogyo Kk | ディスクリート素子用基板及びその製造方法 |
| US5240882A (en) * | 1988-06-28 | 1993-08-31 | Naoetsu Electronics Co. | Process and apparatus for making discrete type substrates by re-slicing a wafer |
| US4997793A (en) * | 1989-11-21 | 1991-03-05 | Eastman Kodak Company | Method of improving cleaving of diode arrays |
| JPH0797653B2 (ja) * | 1991-10-01 | 1995-10-18 | 工業技術院長 | 光電変換素子 |
-
1992
- 1992-04-16 JP JP12259592A patent/JP3310326B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1993
- 1993-04-14 US US08/046,841 patent/US5489555A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5489555A (en) | 1996-02-06 |
| JPH05299674A (ja) | 1993-11-12 |
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