JPH04274374A - 太陽電池及びその製造方法 - Google Patents
太陽電池及びその製造方法Info
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- JPH04274374A JPH04274374A JP3059629A JP5962991A JPH04274374A JP H04274374 A JPH04274374 A JP H04274374A JP 3059629 A JP3059629 A JP 3059629A JP 5962991 A JP5962991 A JP 5962991A JP H04274374 A JPH04274374 A JP H04274374A
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/545—Microcrystalline silicon PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/548—Amorphous silicon PV cells
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は太陽電池及びその製造
方法に関し、特に、安価な下地基板上にｐｎ接合層を形
成してなるものにおいて、基板からｐｎ接合層への不純
物拡散の防止できる構造及びその構造を容易に得るため
の製造方法に関するものである。
方法に関し、特に、安価な下地基板上にｐｎ接合層を形
成してなるものにおいて、基板からｐｎ接合層への不純
物拡散の防止できる構造及びその構造を容易に得るため
の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図３は従来の薄膜太陽電池の断面構造図
であり、図において、６はメタラジカルグレードシリコ
ン（以下、ＭＧ−Ｓｉと略す）で作製された耐熱基板で
あり、４は耐熱基板６の上部に形成された薄膜シリコン
活性層、５は耐熱基板６から薄膜シリコン活性層４への
不純物拡散を防止するための拡散防止層であり、該拡散
防止層には基板６と活性層４との電気的コンタクトをと
るための開口部８が複数形成されている。また、３は薄
膜シリコン活性層４の表面に形成された微結晶シリコン
薄膜で、２は微結晶シリコン薄膜３の表面に形成された
透明電極、１は透明電極２上に形成されたグリッド電極
、７は耐熱基板６の裏面に形成された裏面金属電極であ
る。
であり、図において、６はメタラジカルグレードシリコ
ン（以下、ＭＧ−Ｓｉと略す）で作製された耐熱基板で
あり、４は耐熱基板６の上部に形成された薄膜シリコン
活性層、５は耐熱基板６から薄膜シリコン活性層４への
不純物拡散を防止するための拡散防止層であり、該拡散
防止層には基板６と活性層４との電気的コンタクトをと
るための開口部８が複数形成されている。また、３は薄
膜シリコン活性層４の表面に形成された微結晶シリコン
薄膜で、２は微結晶シリコン薄膜３の表面に形成された
透明電極、１は透明電極２上に形成されたグリッド電極
、７は耐熱基板６の裏面に形成された裏面金属電極であ
る。
【０００３】次に薄膜太陽電池の製造方法について図４
（ａ） 〜（ｄ）を用いて説明する。まず、図４（ａ）
に示すように、主に９９．８〜９９．９％の低純度の
ＭＧ−Ｓｉで作製される耐熱基板６を用意する。この耐
熱基板６の作製は、主に、耐熱性鋳型に粉末状のＭＧ−
Ｓｉを仕込み、１４１４℃以上の高熱で融解してプレス
成形することによって作製され、厚さは０． ２ｍｍ〜
２．０ｍｍ程度である。次に耐熱基板６からその上部に
形成する活性層への不純物拡散を抑えるための拡散防止
膜５を成膜する。この拡散防止膜５は光の裏面反射層と
しても作用する。この拡散防止膜５は絶縁膜であり、主
にＳｉＯ２ 膜が使われている。
（ａ） 〜（ｄ）を用いて説明する。まず、図４（ａ）
に示すように、主に９９．８〜９９．９％の低純度の
ＭＧ−Ｓｉで作製される耐熱基板６を用意する。この耐
熱基板６の作製は、主に、耐熱性鋳型に粉末状のＭＧ−
Ｓｉを仕込み、１４１４℃以上の高熱で融解してプレス
成形することによって作製され、厚さは０． ２ｍｍ〜
２．０ｍｍ程度である。次に耐熱基板６からその上部に
形成する活性層への不純物拡散を抑えるための拡散防止
膜５を成膜する。この拡散防止膜５は光の裏面反射層と
しても作用する。この拡散防止膜５は絶縁膜であり、主
にＳｉＯ２ 膜が使われている。
【０００４】次に、図４（ｂ） に示すように、基板６
と後にその上に形成する活性層の電気的コンタクトを得
るために拡散防止膜５を部分的にエッチングし、開口部
８を形成する。
と後にその上に形成する活性層の電気的コンタクトを得
るために拡散防止膜５を部分的にエッチングし、開口部
８を形成する。
【０００５】その後、図４（ｃ） に示すように、活性
層４ をＣＶＤや液相法で成膜する。この膜厚は数１０
〜１００μｍであり基板に比べると非常に薄い。次に、
ｐｎ接合を形成するために、活性層と反対導電型の微結
晶シリコン膜３を２００オングストローム程度をプラズ
マＣＶＤで形成する。他の方法としては不純物の拡散に
よっても接合を作製することができる。その場合は接合
深さは０．１から１．０μｍ程度になる。そして、その
上に透明電極２を形成する。
層４ をＣＶＤや液相法で成膜する。この膜厚は数１０
〜１００μｍであり基板に比べると非常に薄い。次に、
ｐｎ接合を形成するために、活性層と反対導電型の微結
晶シリコン膜３を２００オングストローム程度をプラズ
マＣＶＤで形成する。他の方法としては不純物の拡散に
よっても接合を作製することができる。その場合は接合
深さは０．１から１．０μｍ程度になる。そして、その
上に透明電極２を形成する。
【０００６】そして、図４（ｄ） に示すように、透明
電極２上に部分的にグリッド電極１を形成するとともに
、基板６の裏面に裏面金属電極７を設け、図３の薄膜太
陽電池を完成する。
電極２上に部分的にグリッド電極１を形成するとともに
、基板６の裏面に裏面金属電極７を設け、図３の薄膜太
陽電池を完成する。
【０００７】次に動作について簡単に説明する。太陽光
は透明電極２側から照射され、活性層４で光電変換され
る。発生した電気は一方は透明電極２を流れグリッド電
極１に集められ、もう一方は拡散防止膜５の開口部８か
ら基板６を流れ、裏面金属電極７から取り出される。従
って、基板６は導電性基板である必要がある。
は透明電極２側から照射され、活性層４で光電変換され
る。発生した電気は一方は透明電極２を流れグリッド電
極１に集められ、もう一方は拡散防止膜５の開口部８か
ら基板６を流れ、裏面金属電極７から取り出される。従
って、基板６は導電性基板である必要がある。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】従来の太陽電池は以上
のように構成されていたので、拡散防止膜５に開口部８
を設ける必要があり、この開口部８から少なからずとも
不純物が基板６から活性層４に拡散し、太陽電池の特性
が低下するという問題があった。
のように構成されていたので、拡散防止膜５に開口部８
を設ける必要があり、この開口部８から少なからずとも
不純物が基板６から活性層４に拡散し、太陽電池の特性
が低下するという問題があった。
【０００９】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、基板から活性層への不純物の拡
散を抑えることができ、しかも裏面コンタクトを簡単に
とることができる太陽電池の構造，及びその構造を簡易
に得るための製造方法を提供することを目的とする。
ためになされたもので、基板から活性層への不純物の拡
散を抑えることができ、しかも裏面コンタクトを簡単に
とることができる太陽電池の構造，及びその構造を簡易
に得るための製造方法を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】この発明に係る太陽電池
は、下地基板と、下地基板の第１主面上に形成された第
１導電型の第１の半導体層と、この上に形成された第２
導電型の第２の半導体層と、耐熱基板と第１の半導体層
との界面に形成された拡散防止膜と、下地基板の第２の
主面上に形成された第１の電極と、第２の半導体層上に
形成された第１の電極とを備え、第１の電極が下地基板
及び拡散防止膜に選択的に設けた開口部を介して第１の
半導体層に電気的に接続されていることを特徴とするも
のである。
は、下地基板と、下地基板の第１主面上に形成された第
１導電型の第１の半導体層と、この上に形成された第２
導電型の第２の半導体層と、耐熱基板と第１の半導体層
との界面に形成された拡散防止膜と、下地基板の第２の
主面上に形成された第１の電極と、第２の半導体層上に
形成された第１の電極とを備え、第１の電極が下地基板
及び拡散防止膜に選択的に設けた開口部を介して第１の
半導体層に電気的に接続されていることを特徴とするも
のである。
【００１１】また、この発明に係る太陽電池の製造方法
は、下地基板の第１主面上に絶縁材料からなる拡散防止
膜を形成する工程、拡散防止膜上に第１導電型の第１の
半導体層を形成する工程、第１の半導体層上に第２導電
型の第２の半導体層を形成する工程、下地基板の第２の
主面から耐熱基板及び拡散防止膜を選択的にエッチング
して第１の半導体層に達する開口部を形成する工程、こ
の開口部内及び下地基板の第２の主面上に第１の電極金
属を形成する工程、第２の半導体層上に第２の電極を形
成する工程を含むことを特徴とするものである。
は、下地基板の第１主面上に絶縁材料からなる拡散防止
膜を形成する工程、拡散防止膜上に第１導電型の第１の
半導体層を形成する工程、第１の半導体層上に第２導電
型の第２の半導体層を形成する工程、下地基板の第２の
主面から耐熱基板及び拡散防止膜を選択的にエッチング
して第１の半導体層に達する開口部を形成する工程、こ
の開口部内及び下地基板の第２の主面上に第１の電極金
属を形成する工程、第２の半導体層上に第２の電極を形
成する工程を含むことを特徴とするものである。
【００１２】
【作用】この発明における太陽電池は、下地基板及び拡
散防止膜に選択的に形成した開口部を介して、基板の第
２の主面上に形成した第１の電極と第１の半導体層との
電気的コンタクトをとるようにしたので、基板からの第
１，第２の半導体層への不純物拡散は拡散防止膜により
完全に防止される。
散防止膜に選択的に形成した開口部を介して、基板の第
２の主面上に形成した第１の電極と第１の半導体層との
電気的コンタクトをとるようにしたので、基板からの第
１，第２の半導体層への不純物拡散は拡散防止膜により
完全に防止される。
【００１３】また、この発明における太陽電池の製造方
法は、基板の第１の主面上に拡散防止膜，第１の半導体
層，第２の半導体層を形成後、基板及び拡散防止層に選
択的に開口部を形成し、該開口部内及び基板の第２の主
面上に第１の電極を形成するようにしたので、基板から
の第１，第２の半導体層への不純物拡散が拡散防止膜に
よって完全に防止される構造が得られる。
法は、基板の第１の主面上に拡散防止膜，第１の半導体
層，第２の半導体層を形成後、基板及び拡散防止層に選
択的に開口部を形成し、該開口部内及び基板の第２の主
面上に第１の電極を形成するようにしたので、基板から
の第１，第２の半導体層への不純物拡散が拡散防止膜に
よって完全に防止される構造が得られる。
【００１４】
【実施例】図１は本発明の一実施例による太陽電池の断
面構造を、また、図２（ａ） 〜（ｄ）は図１の太陽電
池の製造方法を示す各主要工程の断面構造を示しており
、これらの図において、従来例による図３，図４と同一
符号は同一または相当部分を示しており、その説明は省
略する。
面構造を、また、図２（ａ） 〜（ｄ）は図１の太陽電
池の製造方法を示す各主要工程の断面構造を示しており
、これらの図において、従来例による図３，図４と同一
符号は同一または相当部分を示しており、その説明は省
略する。
【００１５】次に本実施例による薄膜太陽電池の製法に
ついて図２に従って説明する。まず、図２（ａ） に示
すように、主に９９．８〜９９．９％の低純度のメタラ
ジカルグレードシリコン（ＭＧ−Ｓｉ）で作製した耐熱
基板６を用意する。この耐熱基板６は、耐熱性鋳型に粉
末状のＭＧ−Ｓｉを仕込み、高熱で融解してプレス成形
することによって作製され、その厚さは０． ２ｍｍ〜
２． ０ｍｍ程度である。次に耐熱基板６の第１の主面
上に耐熱基板６からの不純物拡散を抑えるための拡散防
止膜５を成膜する。この拡散防止膜５は光の裏面反射層
としても作用する。拡散防止膜は絶縁膜であり、主にＳ
ｉＯ２ 膜が使われている。ここで従来は基板６とその
上部に形成する活性層との電気的コンタクトを得るため
に拡散防止膜５を部分的にエッチングして開口部８を設
けていたが、本実施例ではこのような開口部は設けず、
全面に拡散防止膜を形成する。
ついて図２に従って説明する。まず、図２（ａ） に示
すように、主に９９．８〜９９．９％の低純度のメタラ
ジカルグレードシリコン（ＭＧ−Ｓｉ）で作製した耐熱
基板６を用意する。この耐熱基板６は、耐熱性鋳型に粉
末状のＭＧ−Ｓｉを仕込み、高熱で融解してプレス成形
することによって作製され、その厚さは０． ２ｍｍ〜
２． ０ｍｍ程度である。次に耐熱基板６の第１の主面
上に耐熱基板６からの不純物拡散を抑えるための拡散防
止膜５を成膜する。この拡散防止膜５は光の裏面反射層
としても作用する。拡散防止膜は絶縁膜であり、主にＳ
ｉＯ２ 膜が使われている。ここで従来は基板６とその
上部に形成する活性層との電気的コンタクトを得るため
に拡散防止膜５を部分的にエッチングして開口部８を設
けていたが、本実施例ではこのような開口部は設けず、
全面に拡散防止膜を形成する。
【００１６】その後、第１導電型の薄膜シリコンからな
る活性層４をＣＶＤ法や液相法で成膜する。この活性層
４の膜厚は数１０〜１００μｍと基板に比べて非常に薄
く形成する。
る活性層４をＣＶＤ法や液相法で成膜する。この活性層
４の膜厚は数１０〜１００μｍと基板に比べて非常に薄
く形成する。
【００１７】次に、ｐｎ接合を作るために，活性層４上
に第２導電型の微結晶シリコン膜３を２００オングスト
ローム程度プラズマＣＶＤで形成する。他の方法として
は、不純物の拡散によっても接合を作製することができ
る。その場合は接合深さは０． １ μｍから１． ０
μｍ程度になる。そしてその上に透明電極２を形成する
。
に第２導電型の微結晶シリコン膜３を２００オングスト
ローム程度プラズマＣＶＤで形成する。他の方法として
は、不純物の拡散によっても接合を作製することができ
る。その場合は接合深さは０． １ μｍから１． ０
μｍ程度になる。そしてその上に透明電極２を形成する
。
【００１８】次に、図２（ｂ） に示すように、薬品で
基板を第２の主面側からエッチングし、部分的にＳｉＯ
２ からなる拡散防止膜５を露出させる。このとき、透
明電極２や活性層４などが薬品でおかされないように基
板６部分以外を樹脂等（図示せず）で覆っておくとよい
。エッチングは通常、フッ酸と硝酸の混合液で行われる
。通常シリコンはこの薬品でエッチングされるが、基板
に高純度のシリコン基板を用いていた場合は一様にエッ
チングされるために部分的に穴を開けることができなか
った。 しかし我々の実験で、基板６に低純度のＭＧ−Ｓｉを用
いた場合は一様にエッチングされずに部分的にエッチン
グされることがわかった。この選択的なエッチングは主
に不純物が蓄積した結晶粒界でのエッチング速度が異常
に速いために起こると思われる。また結晶粒径を基板作
製時に調整することによって、裏面のコンタクトの間隔
を調整することができる。
基板を第２の主面側からエッチングし、部分的にＳｉＯ
２ からなる拡散防止膜５を露出させる。このとき、透
明電極２や活性層４などが薬品でおかされないように基
板６部分以外を樹脂等（図示せず）で覆っておくとよい
。エッチングは通常、フッ酸と硝酸の混合液で行われる
。通常シリコンはこの薬品でエッチングされるが、基板
に高純度のシリコン基板を用いていた場合は一様にエッ
チングされるために部分的に穴を開けることができなか
った。 しかし我々の実験で、基板６に低純度のＭＧ−Ｓｉを用
いた場合は一様にエッチングされずに部分的にエッチン
グされることがわかった。この選択的なエッチングは主
に不純物が蓄積した結晶粒界でのエッチング速度が異常
に速いために起こると思われる。また結晶粒径を基板作
製時に調整することによって、裏面のコンタクトの間隔
を調整することができる。
【００１９】このようにして薬品処理によって部分的に
穴を開けることができるが、薬品によって同時に拡散防
止膜５や活性層４もエッチングしてしまう可能性がある
。しかし、これはフッ酸と硝酸の混合比を適当に加減す
ることによって選択的に基板６材料であるシリコンだけ
をエッチングし、拡散防止膜５の材料であるＳｉＯ２
はエッチングされ難い条件が得られるので、容易に拡散
防止膜５の部分でエッチングを止めることができる。
穴を開けることができるが、薬品によって同時に拡散防
止膜５や活性層４もエッチングしてしまう可能性がある
。しかし、これはフッ酸と硝酸の混合比を適当に加減す
ることによって選択的に基板６材料であるシリコンだけ
をエッチングし、拡散防止膜５の材料であるＳｉＯ２
はエッチングされ難い条件が得られるので、容易に拡散
防止膜５の部分でエッチングを止めることができる。
【００２０】次に、図２（ｃ） に示すように、エッチ
ングによって開いた基板６の開口部に露出している拡散
防止膜５を希フッ酸で除去する。希フッ酸はシリコンは
エッチングしないため、活性層４をエッチングすること
はない。
ングによって開いた基板６の開口部に露出している拡散
防止膜５を希フッ酸で除去する。希フッ酸はシリコンは
エッチングしないため、活性層４をエッチングすること
はない。
【００２１】さらに、図２（ｄ） に示すように、基板
６の開口部分とコンタクトをとるために裏面からアルミ
ニウム等の金属を設け、裏面金属電極７を形成する。基
板１の開口部分の穴が奥深い場合はアルミが侵入しにく
いが、この場合、アルミが溶けた状態で真空雰囲気にし
、穴部分の気体を無くした後、大気圧にすればアルミが
穴部分に侵入するので、容易にコンタクトをとることが
できる。
６の開口部分とコンタクトをとるために裏面からアルミ
ニウム等の金属を設け、裏面金属電極７を形成する。基
板１の開口部分の穴が奥深い場合はアルミが侵入しにく
いが、この場合、アルミが溶けた状態で真空雰囲気にし
、穴部分の気体を無くした後、大気圧にすればアルミが
穴部分に侵入するので、容易にコンタクトをとることが
できる。
【００２２】最後に基板６のエッチング時に透明電極２
や活性層４などが薬品で侵されないように設けていた保
護用の樹脂（図示せず）を取り払った後、透明電極３上
に部分的にグリッド電極を形成し、本実施例の太陽電池
を完成する。
や活性層４などが薬品で侵されないように設けていた保
護用の樹脂（図示せず）を取り払った後、透明電極３上
に部分的にグリッド電極を形成し、本実施例の太陽電池
を完成する。
【００２３】次に、本実施例の太陽電池の動作を簡単に
説明する。太陽光は透明電極２側から照射され、薄膜シ
リコン活性層４で光電変換される。発生した電気の内、
一方は透明電極２を流れてグリッド電極４に集められ、
ここから取り出される。もう一方は拡散防止膜５，基板
６の開口部から裏面金属電極を流れ、基板６の裏面側か
ら取り出される。
説明する。太陽光は透明電極２側から照射され、薄膜シ
リコン活性層４で光電変換される。発生した電気の内、
一方は透明電極２を流れてグリッド電極４に集められ、
ここから取り出される。もう一方は拡散防止膜５，基板
６の開口部から裏面金属電極を流れ、基板６の裏面側か
ら取り出される。
【００２４】このような本実施例によれば、基板６及び
拡散防止膜５に開口孔部を形成し、該開口部を介して基
板の裏面電極と活性層との電気的コンタクトを取るよう
にしたので、拡散防止膜５により、基板６から活性層４
への不純物拡散を完全に防止でき、これにより太陽電池
の高効率化が実現できる。また、基板６からの不純物拡
散の心配がないので、基板６の材料として安価なメタラ
ジカルなグレードものを有効に利用でき、太陽電池の低
価格化を図ることができる。
拡散防止膜５に開口孔部を形成し、該開口部を介して基
板の裏面電極と活性層との電気的コンタクトを取るよう
にしたので、拡散防止膜５により、基板６から活性層４
への不純物拡散を完全に防止でき、これにより太陽電池
の高効率化が実現できる。また、基板６からの不純物拡
散の心配がないので、基板６の材料として安価なメタラ
ジカルなグレードものを有効に利用でき、太陽電池の低
価格化を図ることができる。
【００２５】また、本実施例では、基板６の材料として
、薬品処理等で部分的にエッチング可能なＭＧ−Ｓｉを
用い、これを部分的にエッチングすることによって裏面
から開口部を形成し、基板裏面電極７と活性層４との電
気的コンタクトをとるようにしたので、上述のように基
板からの不純物拡散が抑えられ高効率な太陽電池を安価
にしかも容易に作製することができる。
、薬品処理等で部分的にエッチング可能なＭＧ−Ｓｉを
用い、これを部分的にエッチングすることによって裏面
から開口部を形成し、基板裏面電極７と活性層４との電
気的コンタクトをとるようにしたので、上述のように基
板からの不純物拡散が抑えられ高効率な太陽電池を安価
にしかも容易に作製することができる。
【００２６】なお、上記実施例では太陽電池基板６とし
て、ＭＧ−Ｓｉ基板を用いたが、これはＭＧ−Ｓｉ基板
に限定されるものではなく、薬品処理等で部分的にエッ
チング可能な物質であればよい。例えば、我々の実験で
、高純度のシリコンであっても基板作製時に急冷するこ
とによって基板が部分的に脆くなり、薬品によって部分
的にエッチングされることがわかったので、このような
基板を用いるようにしてもよい。さらには、上記実施例
では基板材料として導電性のものを用いるようにしたが
、これは絶縁性のものであってもよい。
て、ＭＧ−Ｓｉ基板を用いたが、これはＭＧ−Ｓｉ基板
に限定されるものではなく、薬品処理等で部分的にエッ
チング可能な物質であればよい。例えば、我々の実験で
、高純度のシリコンであっても基板作製時に急冷するこ
とによって基板が部分的に脆くなり、薬品によって部分
的にエッチングされることがわかったので、このような
基板を用いるようにしてもよい。さらには、上記実施例
では基板材料として導電性のものを用いるようにしたが
、これは絶縁性のものであってもよい。
【００２７】また、上記実施例では、薄膜シリコンから
なる活性層４上に微結晶シリコン薄膜３を設け、これに
より太陽電池のｐｎ接合を構成するようにしたが、ｐｎ
接合を構成する半導体層の材料はシリコンのみに限定さ
れるものではなく、これは他の材料であっても構わない
。
なる活性層４上に微結晶シリコン薄膜３を設け、これに
より太陽電池のｐｎ接合を構成するようにしたが、ｐｎ
接合を構成する半導体層の材料はシリコンのみに限定さ
れるものではなく、これは他の材料であっても構わない
。
【００２８】
【発明の効果】以上のようにこの発明では、基板及び拡
散防止膜に選択的に形成した開口部を介して、基板の裏
面上に形成した電極と活性層との電気的コンタクトをと
るようにしたので、拡散防止膜により基板から活性層へ
の不純物拡散が完全に防止できる高効率の太陽電池が得
られるという効果がある。また基板から活性層への不純
物拡散が完全に防止できるので、基板材料として低純度
のものを有効に利用でき、太陽電池を低価格化も実現で
きるという効果がある。また、さらには、基板に薬品処
理等で部分的にエッチング可能な物質を用いたので、基
板の開口部形成が容易に行え、製造工程の簡略化が図れ
るという効果がある。
散防止膜に選択的に形成した開口部を介して、基板の裏
面上に形成した電極と活性層との電気的コンタクトをと
るようにしたので、拡散防止膜により基板から活性層へ
の不純物拡散が完全に防止できる高効率の太陽電池が得
られるという効果がある。また基板から活性層への不純
物拡散が完全に防止できるので、基板材料として低純度
のものを有効に利用でき、太陽電池を低価格化も実現で
きるという効果がある。また、さらには、基板に薬品処
理等で部分的にエッチング可能な物質を用いたので、基
板の開口部形成が容易に行え、製造工程の簡略化が図れ
るという効果がある。
【図１】この発明の一実施例による太陽電池の断面構造
を示す図である。
を示す図である。
【図２】この発明の一実施例による太陽電池の製造方法
を各主要工程別に示す図である。
を各主要工程別に示す図である。
【図３】従来の太陽電池の断面構造を示す図である。
【図４】従来の太陽電池の製造方法を各主要工程別に示
す図である。
す図である。
１ グリッド電極
２ 透明電極
３ 微結晶シリコン薄膜
４ 薄膜シリコン活性層
５ 拡散防止膜
６ 耐熱基板
７ 裏面金属電極
８ 開口部
Claims (2)
- 【請求項１】 下地基板と、該下地基板の第１主面上
に形成された第１導電型の第１の半導体層と、該第１の
半導体層上に形成された第２導電型の第２の半導体層と
、上記下地基板と上記第１の半導体層との界面に形成さ
れた、下地基板から上記第１，第２の半導体層への不純
物拡散を防止するための拡散防止膜と、上記下地基板の
第２の主面上に形成された第１の電極と、上記第２の半
導体層上に形成された第２の電極とを備え、上記第１の
電極は、上記下地基板及び上記拡散防止膜に部分的に設
けた開口部を介して上記第１の半導体層に電気的に接続
されていることを特徴とする太陽電池。 - 【請求項２】 下地基板の第１主面上に絶縁材料から
なる拡散防止膜を形成する工程と、該拡散防止膜上に第
１導電型の第１の半導体層を形成する工程と、該第１の
半導体層上に第２導電型の第２の半導体層を形成する工
程と、上記下地基板の第２の主面から該下地基板及び上
記拡散防止膜を部分的にエッチングし、これらに上記第
１の半導体層に達する開口部を形成する工程と、該開口
部内及び上記下地基板の第２の主面上に第１の電極金属
を形成する工程と、上記第２の半導体層上に第２の電極
を金属形成する工程とを含むことを特徴とする太陽電池
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3059629A JPH04274374A (ja) | 1991-02-28 | 1991-02-28 | 太陽電池及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3059629A JPH04274374A (ja) | 1991-02-28 | 1991-02-28 | 太陽電池及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04274374A true JPH04274374A (ja) | 1992-09-30 |
Family
ID=13118720
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3059629A Pending JPH04274374A (ja) | 1991-02-28 | 1991-02-28 | 太陽電池及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04274374A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4324647A1 (de) * | 1992-07-22 | 1994-01-27 | Mitsubishi Electric Corp | Dünnfilm-Solarzelle und Herstellungsverfahren für diese, Ätzverfahren, automatisches Ätzgerät und Verfahren zur Herstellung einer Halbleitereinrichtung |
| US6229084B1 (en) | 1998-09-28 | 2001-05-08 | Sharp Kabushiki Kaisha | Space solar cell |
| KR20130070697A (ko) * | 2011-12-20 | 2013-06-28 | 주식회사 포스코 | 다층 확산방지막을 포함하는 태양전지 |
| KR20130070696A (ko) * | 2011-12-20 | 2013-06-28 | 주식회사 포스코 | 확산방지막을 포함하는 태양전지 |
-
1991
- 1991-02-28 JP JP3059629A patent/JPH04274374A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4324647A1 (de) * | 1992-07-22 | 1994-01-27 | Mitsubishi Electric Corp | Dünnfilm-Solarzelle und Herstellungsverfahren für diese, Ätzverfahren, automatisches Ätzgerät und Verfahren zur Herstellung einer Halbleitereinrichtung |
| FR2694133A1 (fr) * | 1992-07-22 | 1994-01-28 | Mitsubishi Electric Corp | Cellule solaire à film mince et procédé de production d'une telle cellule, ainsi qu'un procédé d'attaque, un dispositif d'attaque automatique et un procédé pour produire un dispositif semi-conducteur. |
| US5963790A (en) * | 1992-07-22 | 1999-10-05 | Mitsubshiki Denki Kabushiki Kaisha | Method of producing thin film solar cell |
| DE4324647C2 (de) * | 1992-07-22 | 2000-03-02 | Mitsubishi Electric Corp | Dünnfilm-Solarzelle und Herstellungsverfahren für diese |
| US6229084B1 (en) | 1998-09-28 | 2001-05-08 | Sharp Kabushiki Kaisha | Space solar cell |
| KR20130070697A (ko) * | 2011-12-20 | 2013-06-28 | 주식회사 포스코 | 다층 확산방지막을 포함하는 태양전지 |
| KR20130070696A (ko) * | 2011-12-20 | 2013-06-28 | 주식회사 포스코 | 확산방지막을 포함하는 태양전지 |
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