JP5351132B2 - 多結晶型シリコン太陽電池パネルの製造方法 - Google Patents
多結晶型シリコン太陽電池パネルの製造方法 Download PDFInfo
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Description
[1]n型にドーピングされたシリコンからなる粉体状のターゲットを用いて、基板表面にアモルファスシリコン膜をスパッタ成膜する工程と、
前記アモルファスシリコン膜の表層を、p型ドーパントで10×10 16 /cm 2 〜10×10 18 /cm 2 の範囲のドーズ量でプラズマドーピングする工程と、
前記プラズマドーピングされたアモルファスシリコン膜にプラズマを走査してアモルファスシリコン膜を溶融させて多結晶シリコン膜とする工程と、
前記多結晶シリコン膜の一部をマスクし、前記p型ドーパントを除去できる厚みまで前記多結晶シリコン膜を部分的にエッチングする工程と、
前記マスクを除去し、前記多結晶シリコン膜のうち部分的にエッチングされた領域と、マスクがされエッチングがされなかった領域にそれぞれ電極を配置する工程と、
を有する、多結晶型シリコン太陽電池パネルの製造方法。
[2]p型にドーピングされたシリコンからなる粉体状のターゲットを用いて、基板表面にアモルファスシリコン膜をスパッタ成膜する工程と、
前記アモルファスシリコン膜の表層を、n型ドーパントで10×10 16 /cm 2 〜10×10 18 /cm 2 の範囲のドーズ量でプラズマドーピングする工程と、
前記プラズマドーピングされたアモルファスシリコン膜にプラズマを走査してアモルファスシリコン膜を溶融させて多結晶シリコン膜とする工程と、
前記多結晶シリコン膜の一部をマスクし、前記n型ドーパントを除去できる厚みまで前記多結晶シリコン膜を部分的にエッチングする工程と、
前記マスクを除去し、前記多結晶シリコン膜のうち部分的にエッチングされた領域と、マスクがされエッチングがされなかった領域にそれぞれ電極を配置する工程と、
を有する、多結晶型シリコン太陽電池パネルの製造方法。
[4]前記シリコンからなる粉体状のターゲットは、シリコンインゴットの切断において発生するシリコン粒子の回収物である、[1]または[2]に記載の製造方法。
[6]前記基板が導電体である、[1]または[2]に記載の製造方法。
[8]前記走査の速度が、100mm/秒以上2000mm/秒以下である、[1]または[2]に記載の製造方法。
まず、基板1が透明絶縁基板(ガラス基板など)である場合には、バックコンタクト式の太陽電池を作製することができる。バックコンタクト式の太陽電池は、受光面に配置された電極を有さず、受光面とは反対の面に陽極および陰極の両方を有する太陽電池をいう。
一方、基板1が導電体である場合には、両面コンタクト式の太陽電池とすることができる。両面コンタクト式の太陽電池は、受光面に一方の電極(表面電極)を有し、裏面に他方の電極を有する太陽電池であり、導電体である基板1が他方の電極として作用する。
2 テクスチャー
3 アモルファスシリコン膜
4 ドーピング層
5 多結晶シリコン膜
6 露出面
7 マスク
8 一方の電極
9 他方の電極
11 反射防止層
12a 露出面
12b 露出面
13a,13b 表面電極
20 陰極
21 陽極
22 プラズマ噴射口
23 プラズマ
30 インゴット
31 ワイヤ
40 シリコン陽極
41 アーク放電
42 シリコン粒子
43 アルゴンガス
44 輸送管
45 支持基板
46 高温プラズマ
47 ハロゲンランプ
48 分離室
49 多結晶シリコン板
50 大気圧プラズマ装置
60 スパッタ成膜装置
61 真空チャンバ
63 ターゲット
64 ターゲット載置用皿
65 アースシールド
66 基材
67 基材保持部
68 ガス導入装置
69 ガス排気装置
70 電源装置
71 制御装置
72 溝部
73 焼結体ターゲット
74 凹部
75 粉体状シリコンターゲット
Claims (8)
- n型にドーピングされたシリコンからなる粉体状のターゲットを用いて、基板表面にアモルファスシリコン膜をスパッタ成膜する工程と、
前記アモルファスシリコン膜の表層を、p型ドーパントで10×10 16 /cm 2 〜10×10 18 /cm 2 の範囲のドーズ量でプラズマドーピングする工程と、
前記プラズマドーピングされたアモルファスシリコン膜にプラズマを走査してアモルファスシリコン膜を溶融させて多結晶シリコン膜とする工程と、
前記多結晶シリコン膜の一部をマスクし、前記p型ドーパントを除去できる厚みまで前記多結晶シリコン膜を部分的にエッチングする工程と、
前記マスクを除去し、前記多結晶シリコン膜のうち部分的にエッチングされた領域と、マスクがされエッチングがされなかった領域にそれぞれ電極を配置する工程と、
を有する、多結晶型シリコン太陽電池パネルの製造方法。 - p型にドーピングされたシリコンからなる粉体状のターゲットを用いて、基板表面にアモルファスシリコン膜をスパッタ成膜する工程と、
前記アモルファスシリコン膜の表層を、n型ドーパントで10×10 16 /cm 2 〜10×10 18 /cm 2 の範囲のドーズ量でプラズマドーピングする工程と、
前記プラズマドーピングされたアモルファスシリコン膜にプラズマを走査してアモルファスシリコン膜を溶融させて多結晶シリコン膜とする工程と、
前記多結晶シリコン膜の一部をマスクし、前記n型ドーパントを除去できる厚みまで前記多結晶シリコン膜を部分的にエッチングする工程と、
前記マスクを除去し、前記多結晶シリコン膜のうち部分的にエッチングされた領域と、マスクがされエッチングがされなかった領域にそれぞれ電極を配置する工程と、
を有する、多結晶型シリコン太陽電池パネルの製造方法。 - 前記シリコンからなる粉体状のターゲットは、シリコンウェハの研磨工程において発生するシリコン粒子の回収物である、請求項1または2に記載の製造方法。
- 前記シリコンからなる粉体状のターゲットは、シリコンインゴットの切断において発生するシリコン粒子の回収物である、請求項1または2に記載の製造方法。
- 前記基板がガラスおよび石英のいずれかを含む、請求項1または2に記載の製造方法。
- 前記基板が導電体である、請求項1または2に記載の製造方法。
- 前記走査するプラズマが大気圧プラズマである、請求項1または2に記載の製造方法。
- 前記走査速度が、100mm/秒以上2000mm/秒以下である、請求項1または2に記載の製造方法。
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