CN102569675A - 有机发光二极管显示装置及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

提供了一种有机发光二极管(OLED)显示装置及其制造方法。在OLED显示装置中，当基于作为边界的公共电极边缘区域来对利用用于数据布线的金属的现有的电源布线进行划分以使其用作布线以及用作电源布线时，通过利用用于阳极或阴极的金属增加布线的厚度来补偿减小的布线宽度，从而减小了左右边框宽度。

Description

有机发光二极管显示装置及其制造方法
技术领域
本发明涉及有机发光二极管(OLED)显示装置及其制造方法，更具体地，涉及一种能够减小其中的边框宽度的OLED显示装置及其制造方法。
背景技术
随着消费者对信息显示装置的兴趣逐渐增长以及对便携式(移动)信息装置的需求逐渐增加，对于替代阴极射线管(CRT)和常规的显示装置的轻薄的平板显示器(FPD)的研究和商业化正在积极地进行。
迄今，在FPD领域，更轻并且更省电的液晶显示器(LCD)变得突出。然而，LCD是光接收装置而不是光发射装置，其在亮度、对比度、视角等方面存在不足，所以能够克服这种不足的新颖的显示装置正在积极地开发中。
有机发光二极管(OLED)显示装置(一种新颖的显示装置)是自发光的，其具有优异的视角和对比度，因为其不需背光，所以OLED显示装置更加轻薄，并且在功耗方面具有优势。此外，OLED显示装置的优点在于其可用直流低电压驱动并且具有更快的响应速度，并且在制造成本上也具有优势。
与LCD或者等离子体显示板(PDP)不同，OLED显示装置的制造工艺仅包括沉积和封装工艺，因此是简单的。而且，当根据具有薄膜晶体管(TFT)作为各个像素中的开关元件的有源矩阵方案驱动OLED显示装置时，尽管施加低电流，但是可以得到同样的亮度，所以LED显示装置的优点在于，它可以消耗更少的功率并获得高精度和分辨率，并且可以在尺寸上增大。
将参照附图来具体地描述OLED显示装置的基本结构和操作特性。
图1是解释相关技术OLED显示装置的发光原理的图。
如图1所示，相关技术OLED显示装置包括OLED。OLED包括形成在作为像素电极的阳极18和作为公共电极的阴极28之间的有机化合物层30a、30b、30c、30d和30e。
有机化合物层30a、30b、30c、30d和30e包括空穴注入层30a、空穴传输层30b、发射层30c、电子传输层30d和电子注入层30e。
当将驱动电压施加至阳极18和阴极28时，穿过空穴传输层30b的空穴和穿过电子传输层30d的电子移向发射层30c以形成激子(excitor)，结果，发射层30c发出可见光线。
在OLED显示装置中，将具有OLED(具有前述结构)的像素按矩阵形式布置，并且通过数据电压和扫描电压选择性地进行控制，因而显示图像。
OLED显示装置分为无源矩阵显示装置和利用TFT作为开关元件的有源矩阵显示装置。其中，在有源矩阵显示装置中，选择性地开启TFT以选择像素，并且通过保持在存储电容器中的电压来保持像素的发光。
图2是相关技术OLED显示装置中的单个像素的等效电路图。具体地，图2是有源矩阵OLED显示装置中的相关技术2T1C像素(包括两个晶体管和一个电容器)的等效电路图。
参照图2，有源矩阵OLED显示装置的像素包括OLED、彼此交叉的数据线DL和选通线GL、开关TFT SW、驱动TFT DR和存储电容器Cst。
此处，开关TFT SW响应于来自选通线GL的扫描脉冲而接通，因而电连接在其源极和漏极之间的电流路径。在开关TFT SW的接通时段期间，通过开关TFT SW的源极和漏极将来自数据线DL的数据电压施加至驱动TFT DR的栅极和栅存储电容器Cst。
此处，驱动TFT DR根据施加至其栅极的数据电压来控制流过OLED的电流。存储电容器Cst存储数据电压和低电位电源电压VSS之间的电压，接着在一个帧周期期间均匀地保持该电压。
图3是示出相关技术OLED显示装置的使用状态的示例的图。
参照图3，相关技术OLED显示装置1包括：发光区域3，其包括OLED；以及电路单元30，其电连接至印刷电路板(PCB)并且将从PCB传送的信号传送至发光区域3。
根据通过电路单元30从PCB接收的信号，发光区域3输出显示图像。
相关技术OLED显示装置1包括外观玻璃2，外观玻璃2附接在相关技术OLED显示装置1的正面以用在移动通信终端或者例如数字电视和计算机等的信息终端中，通常，将外观玻璃2的外侧和发光区域3的外侧之间的间距称为边框宽度W′。
图4是示意性地示出在图3中例示的OLED显示装置中的边框区域的平面图。
参照图4，在相关技术OLED显示装置中，在基板10上形成显示显示信息的发光区域3，并且在发光区域3中形成多个OLED的像素(未示出)。
此处，选通驱动电路单元14位于发光区域3的一侧，并且电连接至PCB(未示出)以接收外部信号。
密封剂40形成在选通驱动电路单元14的外侧，以保护选通驱动电路单元14和发光区域3抵御例如外部水气和氧气等的杂质。
布线区域5位于选通驱动电路单元14和发光区域3之间，在布线区域5中布置有电源(GND)布线(未示出)、ON/OFF开关布线(未示出)、基准布线(未示出)等。
如上所述，将基板10的外侧和发光区域3的外侧之间的间距称为边框宽度W′，并且当边框宽度W′变大时，信息终端(例如移动电话等)的无效区域增大，破坏了外观或者设计。
具体地，当制造OLED显示装置时，通过利用左右边框部分将水平电源布线引入发光区域3中。此处，在配置利用左右边框在水平方向上引入的电源的情况下，在边框区域中需要附加的布线区域5以进行供电，这导致边框宽度W′增大。
即，随着OLED显示装置向高分辨率演进，使得在垂直方向上将电源布线引入发光区域3的电源布线布局是不可能的，所以需要在像素内的水平方向上设计电源布线。然而，此处，当水平地布置引入发光区域3的电源布线时，应当利用用于数据布线或选通布线的金属在左右布线区域5中设计电源布线，增加了布线区域5的宽度Y′，即增加了边框宽度W′。
发明内容
本发明的一个方面提供了一种具有减小的边框宽度的有机发光二极管(OLED)显示装置及其制造方法。
根据本发明的一个方面，提供了一种有机发光二极管(OLED)显示装置，其包括：发光区域，所述发光区域显示显示信息；多个像素，所述多个像素形成在所述发光区域中；数据驱动电路单元和选通驱动电路单元，所述数据驱动电路单元形成在所述发光区域的至少一侧，所述选通驱动电路单元形成在所述发光区域的至少一侧；布线区域，所述布线区域位于所述选通驱动电路单元和所述发光区域之间，并且在所述布线区域中布置有多条布线；第一电源布线和第二电源布线，所述第一电源布线和第二电源布线布置在所述布线区域中，并且由用于数据布线的金属制成；以及第一电源布线图案和第二电源布线图案，所述第一电源布线图案由用于阳极的金属制成并且连接至所述第一电源布线，所述第二电源布线图案由用于阳极的金属制成并且连接至所述第二电源布线。
所述第一电源布线图案可位于所述第一电源布线上，并且所述第二电源布线图案可位于所述第二电源布线上。
形成在所述布线区域中的所述布线可包括电源布线、ON/OFF开关布线或者基准布线，并且将信号或电源供应至所述发光区域的所述像素。
所述有机发光二极管(OLED)显示装置还可以包括：虚设布线，所述虚设布线布置在所述布线区域中，并且由用于选通布线的金属制成。
所述虚设布线可以电连接至所述第一电源布线或者所述第二电源布线。
根据本发明的另一方面，提供了一种用于有机发光二极管(OLED)显示装置的方法，所述方法包括：提供基板，所述基板被划分为输出图像的发光区域和位于所述发光区域外侧并且其中形成有多条布线的布线区域；在所述基板上形成薄膜晶体管(TFT)；在所述布线区域的所述基板上利用用于数据布线的金属形成第一电源布线和第二电源布线；在其上形成有TFT和所述第一电源布线和第二电源布线的所述基板上形成平坦化膜；在所述平坦化膜上形成阳极，通过利用用于所述阳极的金属在所述第一电源布线上形成第一电源布线图案，使得所述第一电源布线图案连接至所述第一电源布线，并且通过利用用于所述阳极的金属在所述第二电源布线上形成第二电源布线图案，使得所述第二电源布线图案连接至所述第二电源布线；在其上形成有所述阳极、所述第一电源布线图案和所述第二电源布线图案的所述基板上形成对像素区域进行划界的阻隔壁(barrier rib)；在其上形成有所述阻隔壁的所述基板上形成有机发光层；并且在所述有机发光层上形成阴极。
形成在所述布线区域中的所述布线可以包括电源布线、ON/OFF开关布线或者基准布线，并且将信号或电源供应至所述发光区域的所述像素。
所述方法还可以包括：在所述布线区域的所述基板上利用用于选通布线的金属形成虚设布线。
所述虚设布线可以电连接至所述第一电源布线或者所述第二电源布线。
所述阻隔壁可以形成为覆盖所述第一电源布线图案并露出所述第二电源布线图案。
用于所述阴极的金属可以形成为连接至露出的所述第二电源布线图案。
根据本发明的实施方式，在OLED显示装置及其制造方法中，当基于作为边界的公共电极边缘区域来对利用用于数据布线的金属的现有的电源布线进行划分，以使其用作布线并且用作电源布线时，通过利用用于阳极或阴极的金属增加布线的厚度来补偿减小的布线宽度，从而减小了左右边框宽度。因而，由于减小了边框宽度，减少了不必要空间的使用而不会破坏外观或者设计。
当结合附图时，本发明的前述的和其它的目的、特征、方面和优点将从本发明的以下具体描述中变得更加明显。
附图说明
图1是解释相关技术有机发光二极管(OLED)显示装置的发光原理的图。
图2是相关技术OLED显示装置中的单个像素的等效电路图。
图3是示出相关技术OLED显示装置的使用状态的示例的图。
图4是示意性地示出在图3中所例示的OLED显示装置中的边框区域的平面图。
图5是示意性地示出根据本发明的实施方式的OLED显示装置的内部配置的平面图。
图6是示意性地示出在图5中所例示的OLED显示装置中的边框区域的平面图。
图7是沿在图5中所例示的OLED显示装置的线B-B′截取的截面图。
图8A至图8I是顺序地示出用于制造在图7中所例示的OLED显示装置的方法的截面图。
具体实施方式
将参照附图具体描述根据本发明的实施方式的OLED显示装置和制造方法。
图5是示意性地示出根据本发明的实施方式的OLED显示装置的内部配置的平面图。
图6是示意性地示出在图5中所例示的OLED显示装置中的边框区域的平面图。具体地，图6是“A”部分的放大图。
参照图5和图6，根据本发明的实施方式的OLED显示装置100包括：发光区域103，其形成在特定基板110上，以显示显示信息；以及OLED的多个像素，其形成在发光区域103中。
此处，数据驱动电路单元113形成在发光区域103的上侧，并且选通驱动单元114形成在左侧和右侧。数据驱动电路单元113和选通驱动电路单元114电连接至PCB112以接收外部信号。
密封剂140形成在选通驱动电路单元114的外侧，以保护选通驱动电路单元114和发光区域103抵御例如外部水气和氧气等的杂质。
布线区域105位于选通驱动电路单元114和发光区域103之间。电源布线151、ON/OFF开关布线(未示出)、基准布线153等布置在布线区域105中。
此处，电源布线151是连接至面板的基准电压的布线，并且ON/OFF开关布线用于在驱动期间接通或断开开关TFT以改变扫描。
而且，基准布线153是连接至输入数据信号的基准电压的布线，并且附图标记152表示数据布线。
如上所述，将基板110的外侧和发光区域103的外侧之间的间距称为边框宽度(W)，并且当边框宽度W变大时，信息终端(例如移动电话等)的无效区域增大，破坏了外观或者设计。
随着OLED显示装置100向高分辨率演进，在垂直方向上引入发光区域3的电源布线的布局是不可能的，所以需要在像素内的水平方向上设计电源布线。此处，在相关技术中，当水平地布置引入发光区域3的电源布线时，应当利用用于数据布线或选通布线的金属在左右布线区域5中设计电源布线，增加了边框宽度W。在本发明的实施方式中，基于作为边界的公共电极边缘区域来对现有的电源布线151进行划分，以使其用作布线(未示出)并且用作电源布线，并且此处，通过利用用于阳极或阴极的金属增加布线的厚度来补偿减小的布线宽度，从而减小了左右边框宽度。
也就是说，在OLED显示装置100中，将布置在边框区域中的布线用作用于对发光区域103内的像素111进行操作的电源，在这种情况下，当使用在阳极下面的用于数据布线或选通布线的金属时，金属固定地占据边框区域。
因而，在本发明的实施方式中，基于作为边界的公共电极边缘区域来对现有的电源布线151进行划分，以使其用作布线并且用作电源布线，并且此处，通过利用用于阳极或阴极的金属增加布线的厚度来补偿形成在边框区域中的减小的布线宽度，从而减小了布线区域105的宽度Y，即，减小了边框宽度W。在这种情况下，由于划分的布线的电源通过基于作为边界的公共电极边缘区域的公共电极彼此开路(即，各个电源并不连接)，所以可以使用分离的电源。因而，可以提供用在发光区域103中的电源而无需增加用于电源布线的边框区域。
图7是沿在图5中所例示的OLED显示装置的线B-B′截取的截面图。在图7中，从图的左边顺序地例示了发光区域、有机发光层边缘区域、公共电极边缘区域和栅极驱动电路单元。
如图7所示，在根据本发明的实施方式的OLED显示装置中，第一有源层124a和第二有源层124b(各自由多晶硅制成)形成在基板110上，基板110由例如透明玻璃、塑料等的绝缘材料制成。
此处，为了便于说明起见，假设开关TFT和驱动TFT形成在发光区域中并且选通驱动TFT形成在选通驱动电路单元中。即，例如，第一有源层124a形成在发光区域的基板110上，并且第二有源层124b形成在选通驱动电路单元的基板110上。
此处，在本发明的实施方式中，将第一有源层124a和第二有源层124b由多晶硅制成的情况作为示例，但是本发明不限于此，并且第一有源层124a和第二有源层124b可以由氢化非晶硅或者氧化物半导体制成。
由氮化硅(SiNx)、二氧化硅(SiO2)等制成的栅绝缘层115a形成在包括第一有源层124a和第二有源层124b的基板110上，并且第一栅极121a、选通线(未示出)、存储电极(未示出)和第二栅极121b(以下，将第一栅极121a、选通线、存储电极和第二栅极121b共同称为“选通布线”)形成在栅绝缘层115a上。
此处，第一栅极121a和第二栅极121b分别位于第一有源层124a和第二有源层124b的上面。
由用于选通布线的金属制成的虚设布线(dummy wiring)120可以形成在有机发光层边缘区域和公共电极边缘区域中。作为参考，有机发光层边缘区域和公共电极边缘区域是指布线区域。
由氮化硅、二氧化硅等制成的第一钝化层115b形成在其上已形成有第一栅极121a、选通线、存储电极和第二栅极121b的基板110上，并且在第一钝化层115b上形成有数据线(未示出)、驱动电压线(未示出)、第一源极122a和第一漏极123a、以及第二源极122b和第二漏极123b(以下，将数据线、驱动电压线、第一源极122a和第一漏极123a、以及第二源极122b和第二漏极123b共同称为“数据布线”)。
此处，第一源极122a和第一漏极123a基于第一栅极121a彼此面对，并且第二源极122b和第二漏极123b基于第二栅极121b彼此面对。
而且，第一源极122a和第一漏极123a分别通过第一接触孔电连接至第一有源层124a的源区域和漏区域，并且第二源极122b和第二漏极123b分别通过第二接触孔电连接至第二有源层124b的源区域和漏区域。
此处，第一电源布线130和第二电源布线135(各自由用于数据布线的金属制成)可以分别形成在有机发光层边缘区域和公共电极边缘区域中。第二电源布线135可以是基准布线并且可以通过第三接触孔电连接至下面的虚设布线120。然而，本发明不限于此，第一电源布线130和虚设布线120可以通过第三接触孔电连接。
由氮化硅、二氧化硅等制成的第二钝化膜115c形成在其上已形成有数据线、驱动电压线、第一源极122a和第一漏极123a以及第二源极122b和第二漏极123b的基板110上，并且由例如photoacryl等的有机绝缘材料制成的平坦化膜115d形成在第二钝化膜115c上。
此处，露出第一漏极123a的第四接触孔形成在平坦化膜115d和第二钝化膜115c中，并且选择性地去除有机发光层边缘区域和公共电极边缘区域中的平坦化膜115d和第二钝化膜115c的部分，以露出第一电源布线130和第二电源布线135。
像素电极118和连接电极(未示出)形成在平坦化膜115d上。像素电极118和连接电极由例如铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)等的透明导电材料或者例如铝、银、其合金等的反射导电材料制成。
此处，作为阳极的像素电极118通过第四接触孔电连接至第一漏极123a。
此处，第一电源布线图案130′通过利用用于阳极的金属形成在第一电源布线130上，并且第二电源布线图案135′形成在第二电源布线135上。
如上所述，当将水平布线引入发光区域并使用时，在第一电源布线图案130′和第二电源布线图案135′之间必须存在间隙以将其分离。
这样，第一电源布线图案130′形成在第一电源布线130上并且连接至第一电源布线130，得到第一电源布线130的厚度显著增大的效果。因而，在具有相同布线电阻的情况下可以减小布线宽度。
而且，第二电源布线图案135′形成在第二电源布线135上，并且虚设布线120形成在其下面并且连接至第二电源布线135，得到第二电源布线135的厚度显著增大的效果。因而，在具有相同布线电阻的情况下可以减小布线宽度。
此处，参考字母H表示阳极孔，并且阻隔壁125形成在其上已形成有像素电极118、第一电源布线图案130′和第二电源布线图案135′的基板110上。
此处，阻隔壁125像堤(bank)一样围绕像素电极118的外围部分以限定开口，并且由有机绝缘材料或者无机绝缘材料制成。阻隔壁125也可以由包括黑色素的光敏剂制成，在这种情况下，阻隔壁125充当遮光部件。
根据本发明的实施方式的阻隔壁125覆盖形成在有机发光层边缘区域中的第一电源布线图案130′，并且露出形成在公共电极边缘区域中的第二电源布线图案135′的部分，但是本发明不限于此。
特定的有机发光层126形成在其上已形成有阻隔壁125的基板110上。
此处，有机发光层126可以具有包括发光的发光层和用于提高发光层的发光效率的辅助层的多层结构。辅助层可以包括用于平衡电子和空穴的电子传输层和空穴传输层、以及用于增强电子和空穴的注入的电子注入层和空穴注入层。
作为阴极的公共电极128形成在有机发光层上。此处，公共电极128接收公共电压，并且可以由包括钙(Ca)、钡(Ba)、镁(Mg)、铝(Al)、银(Ag)等的反射导电材料或者例如ITO和IZO等的透明导电材料制成。
用于构成公共电极128的阴极的金属连接至第二电源布线图案135′的露出部分。
这样，注意到，当使用例如虚设布线120、第一电源布线图案130′、第二电源布线图案135′等的虚设电极时，可以得到电源布线130和135的厚度显著增大的效果，所以减小了布线电阻。
此处，由于布线电阻减小，可以减小电源布线130和135的宽度，并且可以通过减小的宽度(即，图6中的“α”)另外形成不同的信号线或布线。
例如，当使用虚设电极时，与没有使用虚设电极的情况相比，横向电阻可以减小至大约1/13，并且当没有使用虚设电极时，需要具有大约600μm的宽度的布线区域，但是当使用虚设电极时，仅需要具有大约550μm的宽度的布线区域。结果，剩余的50μm可以用于不同区域中的信号线或布线。
下面将参照附图具体地描述根据本发明的实施方式的用于制造OLED显示装置的方法。
图8A至图8I是顺序地示出用于制造在图7中所例示的OLED显示装置的方法的截面图。图8A至图8I按照附图中从左边的顺序示出了用于制造发光区域、有机发光层边缘区域、公共电极边缘区域和选通驱动电路单元的方法的情况作为示例。
如图8A所示，缓冲层(未示出)和硅膜形成在由例如透明玻璃、塑料等的绝缘材料制成的基板110上。
此处，缓冲层用于防止出现在基板110内的例如钠(Na)等的杂质在处理期间渗入上层。
硅膜可以由非晶硅或多晶硅制成，但是在本发明的实施方式中，将利用多晶硅形成TFT的情况作为示例。此处，可以通过在基板110上沉积非晶硅，并且接着执行各种结晶方法来形成多晶硅。这将在下面进行描述。
首先，可以根据多种方法来沉积非晶硅。沉积非晶硅的典型方法包括低压化学气相沉积(LPCVD)和等离子体增强化学气相沉积(PECVD)。
用于对非晶硅进行结晶的方法包括在高温炉中对非晶硅进行热处理的固相结晶(SPC：solid phase crystallization)方法以及利用激光的准分子激光退火(ELA：eximerlaser annealing)方法。
对于激光结晶，通常使用利用具有脉冲形式的激光的ELA，最近，正在研究连续横向固化(SLS：sequential lateral solidification)，其通过在水平方向上生长晶粒而显著地提高了结晶特性。
之后，通过光刻工艺选择性地去除硅膜，以形成由多晶硅制成的第一有源层124a和第二有源层124b。
此处，为了便于说明起见，假设开关TFT和驱动TFT形成在发光区域中并且选通驱动TFT形成在选通驱动电路单元中。即，例如，第一有源层124a形成在发光区域的基板110上，并且第二有源层124b形成在选通驱动电路单元的基板110上。
此处，如上所述，在本发明的实施方式中，将第一有源层124a和第二有源层124b由多晶硅制成的情况作为示例，但是本发明不限于此，并且第一有源层124a和第二有源层124b可以由氢化非晶硅或者氧化物半导体制成。
同时，当第一有源层124a和第二有源层124b由氢化非晶硅制成时，可以与非晶硅一起沉积n+非晶硅并图案化，以形成电阻接触部件，在这种情况下，TFT可以形成为具有顶栅结构，而不是共面结构。这样，不管构成第一有源层124a和第二有源层124b的材料以及TFT的对应结构如何，本发明均可适用。
接着，如图8B所示，由氮化硅、二氧化硅等制成的栅绝缘层115a形成在其上形成有第一有源层124a和第二有源层124b的基板110上，以在栅绝缘层115a上形成第一栅极121a、选通线(未示出)、存储电极(未示出)和第二栅极121b。
此处，通过在基板110的整个表面上沉积第一导电膜并且通过光刻工艺选择性地将第一导电膜图案化来形成第一栅极121a、选通线、存储电极和第二栅极121b。
此处，第一导电膜可以由低电阻率不透明导电材料制成，例如，诸如铝(Al)、铝合金等的铝基金属，诸如银(Ag)、银合金等的银基金属，诸如铜(Cu)、铜合金等的铜基金属，诸如钼(Mo)、钼合金等的钼基金属，铬(Cr)，钽(Ta)，钛(Ti)等。而且，第一导电膜可以具有多层结构，该多层结构包括各自具有不同的物理特性的两个导电膜。当第一导电膜具有多层结构时，一个导电膜可以由低电阻率的金属制成，例如，铝基金属、银基金属、铜基金属等，能够减小信号延迟或者电压降，并且另一导电膜可以由与ITO和IZO具有优异的物理和化学电接触特性的不同材料制成，例如钼基金属、铬、钛、钽等。
第一栅极121a、选通线、存储电极和第二栅极121b各自的侧面可以向基板110的表面倾斜，在这种情况下，倾角可以在30°至80°的范围内。
第一栅极121a和第二栅极121b分别布置在第一有源层124a和第二有源层124b上。
此处，如上所述，虚设布线120(由用于选通布线的金属制成)可以形成在有机发光层边缘区域和公共电极边缘区域中。
接着，如图8C所示，由氮化硅、二氧化硅等制成的第一钝化膜115b形成在其上形成有第一栅极121a、选通线、存储电极和第二栅极121b的基板110的整个表面上，并且通过光刻工艺选择性地去除第一钝化膜115b和栅绝缘膜115a，以形成露出第一有源层124a的源区域和漏区域的第一接触孔150a以及露出第二有源层124b的源区域和漏区域的第二接触孔150b。
而且，通过光刻工艺选择性地去除第一钝化膜115b，以形成露出虚设布线120的第三接触孔150c。
接着，如图8D所示，第二导电膜形成在其上形成有第一钝化膜115b的基板110的整个表面上，接着，通过光刻工艺选择性地去除第二导电膜，以形成由第二导电膜形成的数据线(未示出)、驱动电压线(未示出)、第一源极122a和第一漏极123a以及第二源极122b和第二漏极123b。
此处，第一源极122a和第一漏极123a基于第一栅极121a彼此面对，并且第二源极122b和第二漏极123b基于第二栅极121b彼此面对。
而且，通过第一接触孔分别将第一源极122a和第一漏极123a电连接至第一有源层124a的源区域和漏区域，并且通过第二接触孔分别将第二源极122b和第二漏极123b电连接至第二有源层124b的源区域和漏区域。
此处，第一电源布线130和第二电源布线135(各自由用于数据布线的金属制成)可以分别形成在有机发光层边缘区域和公共电极边缘区域中。第二电源布线135可以是基准布线并且可以通过第三接触孔电连接至下面的虚设布线120。然而，本发明不限于此，第一电源布线130可以通过第三接触孔电连接至虚设布线120。
此处，第二导电膜可以由低电阻率不透明导电材料制成，例如，诸如铝(Al)、铝合金等的铝基金属，诸如银(Ag)、银合金等的银基金属，诸如铜(Cu)、铜合金等的铜基金属，诸如钼(Mo)、钼合金等的钼基金属，铬(Cr)，钽(Ta)，钛(Ti)等。而且，第二导电膜可以具有多层结构，该多层结构包括各自具有不同的物理特性的两个导电膜。当第二导电膜具有多层结构时，一个导电膜可以由低电阻率的金属制成，例如，铝基金属、银基金属、铜基金属等，能够减小信号延迟或者电压降，并且另一导电膜可以由与ITO和IZO具有优异的物理和化学电接触特性的不同材料制成，例如钼基金属、铬、钛、钽等。
数据线、驱动电压线、第一源极122a和第一漏极123a以及第二源极122b和第二漏极123b各自的侧面可以按大约30°至80°向基板110的表面倾斜。
其后，如图8E所示，由氮化硅、二氧化硅等制成的第二钝化膜115c形成在其上形成有数据线、驱动电压线、第一源极122a和第一漏极123a、第二源极122b和第二漏极123b以及第一电源布线130和第二电源布线135的基板110的整个表面上，并且接着由例如photoacryl的有机绝缘材料制成的平坦化膜115d形成在第二钝化膜115c上。
之后，通过光刻工艺选择性地去除平坦化膜115d和第二钝化膜115c，以形成第四接触孔150d，同时，选择性地去除有机发光层边缘区域和公共电极边缘区域中的平坦化膜115d和第二钝化膜115c，以露出第一电源布线130和第二电源布线135。
接着，如图8F所示，将第三导电膜沉积在其上形成有平坦化膜115d的基板110的整个表面上，接着，通过光刻工艺选择性地将其去除，以形成由第三导电膜形成的像素电极118和连接电极(未示出)。
此处，第三导电膜可以由例如ITO和IZO等的透明导电材料制成。
而且，将作为阳极的像素电极118通过第四接触孔电连接至第一漏极123a。
此处，通过利用用于阳极的金属将第一电源布线图案130′形成在第一电源布线130上，并且将第二电源布线图案135′形成在第二电源布线135上。
如上所述，当将水平布线引入发光区域并使用时，在第一电源布线图案130′和第二电源布线图案135′之间具有特定的间隙。
这样，由于第一电源布线图案130′形成在第一电源布线130上并且连接至第一电源布线130，可以得到显著增大第一电源布线130的厚度的效果，所以在具有相同的布线电阻的情况下可以减小布线宽度。
而且，由于第二电源布线图案135′形成在第二电源布线135上，并且虚设布线120形成在第二电源布线135下面并且连接至第二电源布线135，可以得到显著增大第二电源布线135的厚度的效果，所以在具有相同的布线电阻的情况下可以减小布线宽度。
下面，如图8G所示，对子像素进行划界的阻隔壁125形成在其上形成有像素电极118、连接电极、第一电源布线图案130′和第二电源布线图案135′的基板110上。
此处，阻隔壁125像堤一样围绕像素电极118的外围部分以限定开口，并且由有机绝缘材料或者无机绝缘材料制成。阻隔壁125也可以由包括黑色素的光敏剂制成，在这种情况下，阻隔壁125充当遮光部件。
根据本发明的实施方式的阻隔壁125覆盖形成在有机发光层边缘区域中的第一电源布线图案130′，并且露出形成在公共电极边缘区域中的第二电源布线图案135′的部分，但是本发明不限于此。
而且，如图8H所示，有机发光层126形成在其上形成有阻隔壁125的基板110上。
如上所述，有机发光层126可以具有包括发光的发光层和用于提高发光层的发光效率的辅助层的多层结构。辅助层可以包括用于平衡电子和空穴的电子传输层和空穴传输层以及用于增强电子和空穴的注入的电子注入层和空穴注入层。
如图8I所示，将作为阴极的公共电极128形成在其上形成有有机发光层的基板110上。
此处，公共电极128接收公共电压，并且可以由包括钙(Ca)、钡(Ba)、镁(Mg)、铝(Al)、银(Ag)等的反射导电材料或者例如ITO和IZO等的透明导电材料制成。
将用于构成公共电极128的阴极的金属连接至第二电源布线图案135′的露出部分。
这样，注意到，当使用例如虚设布线120、第一电源布线图案130′、第二电源布线图案135′等的虚设电极时，可以得到电源布线130和135的厚度显著增大的效果，所以减小了布线电阻。
此处，由于布线电阻减小，电源布线130和135的宽度可以减小，并且可以通过减小的宽度另外形成不同的信号线或布线。
由于本发明在不脱离其特性的情况下可以以几种形式具体实施，因此也应理解的是，除非另外指出，否则上述实施方式不限于上述描述的任何细节，而应在所附权利要求限定的范围内广泛地解读，因此，所附权利要求因此旨在包括落入权利要求的界限内的所有改变和修改或者这种界限的等价物。

Claims (11)

1.一种用于有机发光二极管(OLED)显示装置的方法，所述方法包括：
提供基板，所述基板被划分为输出图像的发光区域和位于所述发光区域外侧并且其中形成有多条布线的布线区域；
在所述基板上形成薄膜晶体管(TFT)；
在所述布线区域的所述基板上利用用于数据布线的金属形成第一电源布线和第二电源布线；
在其上形成有TFT和所述第一电源布线和所述第二电源布线的所述基板上形成平坦化膜；
在所述平坦化膜上形成阳极，通过利用用于所述阳极的金属在所述第一电源布线上形成第一电源布线图案，使得所述第一电源布线图案连接至所述第一电源布线，并且通过利用用于所述阳极的金属在所述第二电源布线上形成第二电源布线图案，使得所述第二电源布线图案连接至所述第二电源布线；
在其上形成有所述阳极、所述第一电源布线图案和所述第二电源布线图案的所述基板上形成对像素区域进行划界的阻隔壁；
在其上形成有所述阻隔壁的所述基板上形成有机发光层；以及
在所述有机发光层上形成阴极。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，形成在所述布线区域中的所述布线包括电源布线、ON/OFF开关布线或者基准布线，并且将信号或电源供应至所述发光区域的像素。
3.根据权利要求1所述的方法，所述方法还包括：
在所述布线区域的所述基板上利用用于选通布线的金属形成虚设布线。
4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述虚设布线电连接至所述第一电源布线或者所述第二电源布线。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述阻隔壁形成为覆盖所述第一电源布线图案并露出所述第二电源布线图案。
6.根据权利要求5所述的方法，其中，用于所述阴极的金属形成为连接至露出的所述第二电源布线图案。
7.一种有机发光二极管(OLED)显示装置，所述有机发光二极管(OLED)显示装置包括：
发光区域，所述发光区域显示显示信息；
多个像素，所述多个像素形成在所述发光区域中；
数据驱动电路单元和选通驱动电路单元，所述数据驱动电路单元形成在所述发光区域的至少一侧，所述选通驱动电路单元形成在所述发光区域的至少一侧；
布线区域，所述布线区域位于所述选通驱动电路单元和所述发光区域之间，并且在所述布线区域中布置有多条布线；
第一电源布线和第二电源布线，所述第一电源布线和所述第二电源布线布置在所述布线区域中，并且由用于数据布线的金属制成；以及
第一电源布线图案和第二电源布线图案，所述第一电源布线图案由用于阳极的金属制成并且连接至所述第一电源布线，所述第二电源布线图案由用于阳极的金属制成并且连接至所述第二电源布线。
8.根据权利要求7所述的显示装置，其中，所述第一电源布线图案位于所述第一电源布线上，并且所述第二电源布线图案位于所述第二电源布线上。
9.根据权利要求7所述的显示装置，其中，形成在所述布线区域中的所述布线包括电源布线、ON/OFF开关布线或者基准布线，并且将信号或电源供应至所述发光区域的所述像素。
10.根据权利要求7所述的显示装置，所述显示装置还包括：
虚设布线，所述虚设布线布置在所述布线区域中，并且由用于选通布线的金属制成。
11.根据权利要求10所述的显示装置，其中，所述虚设布线电连接至所述第一电源布线或者所述第二电源布线。
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