CN102566641A - 低噪声电流缓冲电路及电流电压转换器 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种低噪声电流缓冲电路包含有一第一晶体管，用来接收一输入电流；一第二晶体管，用来根据该第一晶体管所接收的该输入电流，由其汲极汲取一第一电流；一第三晶体管，用来输出该第一电流；一第四晶体管，用来根据该第三晶体管所输出的该第一电流，输出一第二电流至一输出电阻，以产生一输出电压；以及一回授电容，用来形成一负回授回路以消除该系统电压的噪声对该输出电压的影响。

Description

低噪声电流缓冲电路及电流电压转换器

技术领域

本发明涉及一种低噪声电流缓冲电路及电流电压转换器，尤指一种可降低一系统电压的噪声对一输出电压的影响的低噪声电流缓冲电路及电流电压转换器。

背景技术

电流电压转换器，如能带隙(bandgap)参考电路等，是利用一电流源输出一输入电流至一输出电阻以产生所需的一输出电压。在此传统的架构下，由于电流源易受一系统电压的噪声(noise)干扰，因此连带影响到输出电压，而无法将输出电压维持于一稳定范围。

请参考图1A及图1B，图1A为公知技术中用来产生零温度系数电压的一能带隙参考电路10的示意图，而图1B为公知技术中用来产生零温度系数电流的一能带隙参考电路12的示意图。在能带隙参考电路10中，一晶体管102(可视为一电流源)会将一输入电流Iin输出至一输出电阻Ro及一二极管Q1，以产生零温度系数的一输出电压Vout；相似地，在能带隙参考电路12中，一晶体管104(可视为一电流源)会将零温度系数的一输入电流Iin’输出至一输出电阻Ro’，以产生一输出电压Vout’。在此情况下，当一系统电压VDD受到噪声干扰时，输入电流Iin、Iin’亦会受到干扰，连带影响输出电压Vout、Vout’，使输出电压Vout、Vout’无法维持于一稳定范围。

举例来说，当系统电压VDD因噪声而上升时，晶体管102、104会输出较大的输入电流Iin、Iin’，因此造成输出电压Vout、Vout’增加，使得输出电压Vout、Vout’的准位大于稳定范围。有鉴于此，公知技术实有改进的必要。

发明内容

因此，本发明的主要目的即在于提供一种低噪声电流缓冲电路及电流电压转换器。

本发明公开一种低噪声电流缓冲电路，用于一电流电压转换器中降低一系统电压的噪声对一输出电压的影响。该低噪声电流缓冲电路包含有一第一电流镜、一第二电流镜及一回授电容。该第一电流镜包含有一第一晶体管，包含有一闸极、一汲极及一源极，该闸极耦接于该汲极，且该汲极接收一输入电流；以及一第二晶体管，包含有一闸极、一汲极及一源极，该闸极耦接于该第一晶体管的该闸极，用来根据该第一晶体管所接收的该输入电流，由该汲极汲取一第一电流。该第二电流镜包含有一第三晶体管，包含有一闸极、一汲极及一源极，该闸极耦接于该汲极，且该汲极耦接于该第二晶体管的该汲极，用来输出该第一电流；以及一第四晶体管，包含有一闸极、一汲极及一源极，该闸极耦接于该第三晶体管的该闸极，用来根据该第三晶体管所输出的该第一电流，输出一第二电流至一输出电阻，以产生该输出电压。该回授电容的一端耦接于该第二晶体管的该汲极与该第三晶体管的该汲极之间，另一端耦接于该第四晶体管的该汲极与该输出电阻之间，用来形成一负回授回路以消除该系统电压的噪声对该输出电压的影响。

本发明还公开一种电流电压转换器，可降低一系统电压的噪声对一输出电压的影响。该电流电压转换器包含有一电流源，用来产生一输入电流；一输出电阻，用来根据一第二电流产生一输出电压；以及一低噪声电流缓冲电路，耦接于该电流源与该输出电阻之间。该低噪声电流缓冲电路包含有一第一电流镜、一第二电流镜及一回授电容。该第一电流镜包含有一第一晶体管，包含有一闸极、一汲极及一源极，该闸极耦接于该汲极，且该汲极接收一输入电流；以及一第二晶体管，包含有一闸极、一汲极及一源极，该闸极耦接于该第一晶体管的该闸极，用来根据该第一晶体管所接收的该输入电流，由该汲极汲取一第一电流。该第二电流镜包含有一第三晶体管，包含有一闸极、一汲极及一源极，该闸极耦接于该汲极，且该汲极耦接于该第二晶体管的该汲极，用来输出该第一电流；以及一第四晶体管，包含有一闸极、一汲极及一源极，该闸极耦接于该第三晶体管的该闸极，用来根据该第三晶体管所输出的该第一电流，输出该第二电流至一输出电阻，以产生该输出电压。该回授电容的一端耦接于该第二晶体管的该汲极与该第三晶体管的该汲极之间，另一端耦接于该第四晶体管的该汲极与该输出电阻之间，用来形成一负回授回路以消除该系统电压的噪声对该输出电压的影响。

在此配合下列图示、实施例的详细说明及权利要求书，将上述及本发明的其它目的与优点详述于后。

附图说明

图1A为公知技术中用来产生零温度系数电压的一能带隙参考电路的示意图。

图1B为公知技术中用来产生零温度系数电流的一能带隙参考电路的示意图。

图2A为本发明实施例用来产生零温度系数电压的一能带隙参考电路的示意图。

图2B为本发明实施例用来产生零温度系数电流的一能带隙参考电路的示意图

图3为图2B中一低噪声电流缓冲电路的电路示意图。

图4为图2B中一低噪声电流缓冲电路的另一电路示意图。

图5A为图3中一低噪声电流缓冲电路的小信号模型的示意图。

图5B及图5C为图5A中小信号模型的噪声示意图。

图6A及图6B为图5A中低噪声电流缓冲电路的一开回路转移函数的示意图。

其中，附图标记说明如下：

10、12、20、22                                      能带隙参考电路

102、104、202、204、206、208、210、212、MNR1、      晶体管

MNR2、MNR3、MPR1、MN1、MN2、MN3、MP1、

MP2、MP3

214                                                 低噪声电流缓冲电路

Iin、Iin’、Iin1、Iin2、Iin3、Iin1’、Iin2’、Iin3’输入电流

Ro、Ro’                                            输出电阻

Q1                                                  二极管

Vout、Vout’                                        输出电压

VDD                                                 系统电压

I1、I2                                              电流

C_M1、C_M2                                            回授电容

FB                                                  负回授回路

FFP1、FFP2、FFP3                                    前馈路径

V_GN1、V_GN2、V_GN3、V_GP2、V_GP3、V_SN2、V_SN3            电压

gm_N1、gm_N2、gm_N3、gm_P2、gm_P3                        转导

A_open*f                                             开回路转移函数

C_GR2                                                寄生电容

具体实施方式

请参考图2A及图2B，图2A及图2B分别为本发明实施例能带隙参考电路20、22的示意图。能带隙参考电路20、22分别用来产生零温度系数电压及电流，其与能带隙参考电路10、12的结构大致相同，因此作用及结构相同的组件，其图标及符号与皆沿用图1A及图1B的图标及符号，以求简洁。简单来说，能带隙参考电路22与能带隙参考电路12的主要差异在于，能带隙参考电路22于晶体管208、210、212(可视为电流源)与输出电阻Ro’之间，增加一低噪声电流缓冲电路214，用来接收输入电流Iin1’、Iin2’、Iin3’，通过负回授降低系统电压VDD的噪声影响后，输出一电流I2至输出电阻Ro’，以产生不受系统电压VDD的噪声影响的输出电压Vout’，因此可将输出电压Vout’维持于一稳定范围。同样地，能带隙参考电路20与能带隙参考电路10的差异可参考以上叙述。

请参考图3，图3为图2B中低噪声电流缓冲电路214的电路示意图。低噪声电流缓冲电路214主要包含有晶体管MNR1、MNR2、MNR3、MPR1、MN1、MN2、MN3、MP1、MP2、MP3及回授电容C_M1、C_M2，详细架构与连接方式如图3所示，即晶体管MNR1的闸极耦接于其汲极，晶体管MN1的闸极耦接于晶体管MNR1的闸极，晶体管MN2的源极耦接于晶体管MN1的汲极及与回授电容C_M1之间，晶体管MN3的源极耦接于晶体管MN2的汲极，晶体管MP1的闸极耦接于其汲极，且其汲极耦接于晶体管MN3的汲极，晶体管MP2的闸极耦接于晶体管MP1的闸极，回授电容C_M1的一端耦接于晶体管MN1的汲极与晶体管MN2的汲极之间，另一端耦接于晶体管MP3的汲极与输出电阻Rout’之间，回授电容C_M2耦接于晶体管MN2的闸极与汲极之间，其中，晶体管MNR1、MNR2、MNR3、MN1、MN2、MN3为N型金氧半(Metal oxide semiconductor，MOS)晶体管，而晶体管MPR1、、MP1、MP2、MP3为P型金氧半晶体管。

简单来说，晶体管MNR1与MN1、MP1与MP2分别形成电流镜，回授电容C_M1可形成一负回授回路FB以消除系统电压VDD的噪声对输出电压Vout’的影响；晶体管MN2、MN3、MP3为串接级以提供晶体管MN1、MP2较佳的电流匹配(current matching)，回授电容C_M2可进行米勒补偿以消除系统电压Vout’的噪声沿一前馈路径FFP1经由回授电容C_M1对该输出电压产生的前馈噪声(feed-forward noise)；晶体管MNR2、MNR3、MPR1分别对应于作为串接级的晶体管MN2、MN3、MP3。

详细来说，晶体管MNR1接收输入电流Iin3’，使得晶体管MN1根据输入电流Iin3’由其汲极汲取一电流I1。由于晶体管MP1与晶体管MN1串接，因此流经晶体管MN1的电流约与I1相同，使得晶体管MP2可根据电流I1输出电流I2至输出电阻Ro’，以产生输出电压Vout’。回授电容C_M1可形成负回授回路FB以消除系统电压VDD的噪声对输出电压Vout’的影响，而将输出电压Vout’维持于一稳定范围。举例来说，如图4所示，假设低噪声电流缓冲电路214仅包含晶体管MNR1、MN1、MP1、MP2及回授电容C_M1，当系统电压VDD因噪声而上升时，晶体管MP2会输出较大的电流I2，而造成输出电压Vout’增加，此时通过回授电容C_M1所形成的回授路径可使晶体管MN1的一汲极电压V_DN1上升，即可使晶体管MP2的一闸极电压V_GP2上升，以降低晶体管MP2所输出的电流I2，达到负回授的效果。

然而，若低噪声电流缓冲电路214仅包含晶体管MNR1、MN1、MP1、MP2及回授电容C_M1，则如图4所示，系统电压VDD的噪声会沿一前馈路径FFP2经由回授电容C_M1，对输出电压Vout’产生前馈噪声，因此低噪声电流缓冲电路214可包含作为串接级的晶体管MN2、MN3，以消除前馈路径FFP2。

请继续参考图3，晶体管MN2可避免系统电压VDD的噪声沿图4所示的前馈路径FFP2经由回授电容C_M1，对输出电压Vout’产生前馈噪声，而回授电容C_M2则用来进行米勒补偿，以消除系统电压VDD的噪声沿前馈路径FFP1经由回授电容C_M1对输出电压Vout’产生的前馈噪声，晶体管MN3则用来避免系统电压VDD的噪声影响回授电容C_M2的作用。举例来说，当系统电压VDD因噪声而上升时，晶体管MN2的一闸极电压V_GN2会跟着上升，由于晶体管MN2的电流I1是固定的(可视为一固定电流源)，因此会连带造成晶体管MN2的一源极电压V_SN2上升，再通过回授电容C_M1使输出电压Vout’增加，此时回授电容C_M2会进行米勒补偿降低晶体管MN2的闸极电压V_GN2，进而降低输出电压Vout’，以将输出电压Vout’维持于一稳定范围。值得注意的是，若系统电压VDD的噪声为高频噪声时，系统电压VDD的噪声会沿图3所示的一前馈路径FFP3经由回授电容C_M2产生前馈噪声，但此沿前馈路径FFP3的前馈噪声与由回授电容C_M1所形成的负回授回路FB上的负回授信号同相位，因此反而会加强负回授的效果，而有助于消除系统电压VDD的噪声对输出电压Vout’的影响，将输出电压Vout’维持于一稳定范围。

另一方面，请参考图5A，图5A为图3中低噪声电流缓冲电路214的小信号模型的示意图。由图3中低噪声电流缓冲电路214的电路示意图至图5A中低噪声电流缓冲电路214的小信号模型间的转换，当为本领域普通技术人员所熟知，于此不再赘述。在图5A中，虚线部分的负回授回路FB即为图3中负回授回路FB，而转导gm_N1、gm_N2、gm_N3、gm_P2、gm_P3则分别对应于晶体管MN1、MN2、MN3、MP2、MP3，其余电阻及电容为相对应的寄生电阻及寄生电容，于此不逐一叙述。由图5A可知，通过回授电容C_M1形成负回授回路FB后，转导gm_N2、gm_N3、gm_P2、gm_P3可作为增益级，而转导gm_P2会进行反向的动作，因此可以消除系统电压VDD的噪声对输出电压Vout’的影响。

此外，请参考图5B及图5C，图5B及图5C为图5A中小信号模型的噪声示意图。图5B中虚线部分表示由转导gm_N1、gm_N2、gm_N3、gm_P2、gm_P3进入的噪声，其中，转导gm_P2直接与系统电压VDD连结，所以噪声较大。图5B中虚线部分所示的噪声可由5A图中负回授回路FB进行抵消，图5C中虚线部分的前馈路径FFP1、FFP3则分别为图3中前馈路径FFP1、FFP3，换句话说，系统电压VDD的噪声由晶体管MN2进入后，会沿前馈路径FFP1、FFP3对输出电压Vout’产生前馈噪声。

在图5C中，由于晶体管MN2是源极随耦(source follower)，因此晶体管MN2的一源极电压V_SN2为闸极电压V_GN2的分压

因此系统电压VDD的噪声会沿前馈路径FFP1影响输出电压Vout’，此时回授电容C_M2会进行米勒补偿，以消除系统电压VDD的噪声对输出电压Vout’的影响。而当系统电压VDD的噪声为高频噪声时，系统电压VDD的噪声前馈路径FFP3经由回授电容C_M2产生前馈噪声，但此沿前馈路径FFP3的前馈噪声与由回授电容C_M1所形成的负回授回路FB上的负回授信号同相，因此反而会加强负回授的效果，而有助于消除系统电压VDD的噪声对输出电压Vout’的影响，将输出电压Vout’维持于一稳定范围。

更进一步地，图5A中负回授回路FB通过推导得一开回路转移函数(openloop transfer function)A_open*f，以清楚其特性。一开路增益A_open可表示如下：

$A_{\mathrm{open}}\≅[{\mathrm{gm}}_{N2}\·\left(\frac{1}{{\mathrm{gm}}_{N3}}\right|\left|\frac{1}{{\mathrm{sC}}_{\mathrm{SN}3}}\right)]\·[{\mathrm{gm}}_{N3}\·\left(\frac{1}{{\mathrm{gm}}_{P1}}\right|\left|\frac{1}{{\mathrm{sC}}_{\mathrm{GP}2}}\right)]\·$

$[-{\mathrm{gm}}_{P2}\·\frac{1}{{\mathrm{gm}}_{P3}}]\·[{\mathrm{gm}}_{P3}\·\left({\mathrm{Ro}}^{\text{'}}\right|\left|\frac{1}{\mathrm{sCo}}\right|\left|(\frac{1}{{\mathrm{gm}}_{N2}}+\frac{1}{{\mathrm{sC}}_{M1}})\right)]$

$\≅-[{\mathrm{gm}}_{N2}\·{\mathrm{Ro}}^{\text{'}}]\·\left[\frac{{\mathrm{gm}}_{P2}}{{\mathrm{gm}}_{P1}}\right]\·\frac{1+s\·\frac{C_{M1}}{{\mathrm{gm}}_{N2}}}{(1+{\mathrm{sRo}}^{`}{C}_{M1})(1+s\·\frac{{\mathrm{sC}}_{\mathrm{GP}2}}{{\mathrm{gm}}_{P1}})(1+s\·\frac{\mathrm{sCo}}{{\mathrm{gm}}_{N2}})(1+s\·\frac{{\mathrm{sC}}_{\mathrm{SN}3}}{{\mathrm{gm}}_{N3}})}$

再加上一频率响应f可表示为：

$f=\frac{\frac{1}{{\mathrm{gm}}_{N2}}+\frac{1}{{\mathrm{gm}}_{\mathrm{NR}2}}}{(\frac{1}{{\mathrm{gm}}_{N2}}+\frac{1}{{\mathrm{gm}}_{\mathrm{NR}2}})+\frac{{\mathrm{sC}}_{\mathrm{GP}2}}{{\mathrm{sC}}_{M1}}}\≅\frac{\frac{1}{{\mathrm{gm}}_{N2}}}{\frac{1}{{\mathrm{gm}}_{N2}}+\frac{{\mathrm{sC}}_{\mathrm{GP}2}}{{\mathrm{sC}}_{M1}}}=\left(\frac{C_{M1}}{{\mathrm{gm}}_{N2}}\right)\·\left(\frac{s}{1+s\·\frac{C_{M1}}{{\mathrm{gm}}_{N2}}}\right)$

可得开回路转移函数A_open*f：

$A_{\mathrm{open}}\·f=-\left[\frac{{\mathrm{gm}}_{P2}}{{\mathrm{gm}}_{P1}}\right]\·({\mathrm{Ro}}^{\text{'}}\·C_{M1})\·\frac{s}{(1+{\mathrm{sRo}}^{\text{'}}{C}_{M1})(1+s\·\frac{{\mathrm{sC}}_{\mathrm{GP}2}}{{\mathrm{gm}}_{P1}})(1+s\·\frac{\mathrm{sCo}}{{\mathrm{gm}}_{N2}})(1+s\·\frac{{\mathrm{sC}}_{\mathrm{SN}3}}{{\mathrm{gm}}_{N3}})}$

另外，为了避免制程不匹配而造成形成电流镜的晶体管MNR1、MN1、MP1、MP2产生变异过大的电流I1、I2，晶体管MNR1、MN1、MP1、MP2的尺寸会较其它晶体管的尺寸大。因此，负回授回路FB上回授电容C_M1会形成一主极点(dominant pole)，而晶体管MP2的寄生电容C_GR2较其它晶体管的寄生电容大，所以会形成一第二极点。如此一来，低噪声电流缓冲电路214的开回路转移函数A_open*f可如图6A及图6B所示。由图6A及图6B可知，由于开回路转移函数A_open*f在频率为0时有个零点(zero)，即频率为0时负回授回路FB无作用(回授电容C_M1开路)，因此增益随频率增加而增加，直到主极点1/Ro’C_M1后持平，而第二极点gm_P1/C_GP2后开始下降，其余极点可依此类推。由此可知，负回授回路FB主要作用的频率范围为1/Ro’C_M1～gm_P1/C_GP2，而此范围下开回路转移函数A_open*f分子项Ro’C_M1会与分母相消，因此回路增益为gm_P2/gm_P1(即抵消系统电压VDD的噪声的强度)。由上述可推知，本发明可藉由调整1/Ro’C_M1与gm_P1/C_GP2，即输出电阻Ro’、回授电容C_M1及晶体管MP1的尺寸，以调整主要作用的频率范围，而可藉由调整gm_P2/gm_P1，即晶体管MP2、MP1的尺寸比，以调整回路增益。

值得注意的是，本发明的主要精神，在于利用低噪声电流缓冲电路214接收电流源的输入电流，并通过负回授降低系统电压VDD的噪声影响后，输出一电流I2至输出电阻Ro’，以产生不受系统电压VDD的噪声影响的输出电压Vout’，因此可将输出电压维持于一稳定范围。本领域普通技术人员当可依此进行修饰或变化，而不限于此。举例来说，本发明不限于能带隙参考电路，只要是利用电流源产生输出电压的电流电压转换器皆可使用；此外，虽然能带隙参考电路22是将电流I2至输出电阻Ro’以产生输出电压Vout’，但产生输出电压方式亦可如能带隙参考电路20，将电流I2输出至输出电阻Ro及二极管Q1或其它组件，而不限于此；另外，低噪声电流缓冲电路214亦可如图4所示，仅包含晶体管MNR1、MN1、MP1、MP2及回授电容C_M1，唯其会因系统电压VDD的噪声沿前馈路径FFP2对输出电压Vout’产生前馈噪声，而无法像图3中低噪声电流缓冲电路214较佳地消除系统电压VDD的噪声对输出电压Vout’的影响。

在公知技术中，因电流源易受一系统电压的噪声干扰，因此连带影响到输出电压，而无法将输出电压维持于一稳定范围。相较之下，本发明利用低噪声电流缓冲电路214接收电流源的输入电流，通过负回授降低系统电压VDD的噪声影响后，输出一电流I2以产生不受系统电压VDD的噪声影响的输出电压，因此可将输出电压维持于一稳定范围。

以上所述仅为本发明的优选实施例，凡依本发明权利要求所做的均等变化与修饰，皆应属本发明的涵盖范围。

Claims (14)

1.一种低噪声电流缓冲电路，用于一电流电压转换器中降低一系统电压的噪声对一输出电压的影响，其特征在于，包含有：

一第一电流镜，包含有：

一第一晶体管，包含有一闸极、一汲极及一源极，该闸极耦接于该汲极，且该汲极接收一输入电流；以及

一第二晶体管，包含有一闸极、一汲极及一源极，该闸极耦接于该第一晶体管的该闸极，用来根据该第一晶体管所接收的该输入电流，由该汲极汲取一第一电流；

一第二电流镜，包含有：

一第三晶体管，包含有一闸极、一汲极及一源极，该闸极耦接于该汲极，且该汲极耦接于该第二晶体管的该汲极，用来输出该第一电流；以及

一第四晶体管，包含有一闸极、一汲极及一源极，该闸极耦接于该第三晶体管的该闸极，用来根据该第三晶体管所输出的该第一电流，输出一第二电流至一输出电阻，以产生该输出电压；以及

一回授电容，其一端耦接于该第二晶体管的该汲极与该第三晶体管的该汲极之间，另一端耦接于该第四晶体管的该汲极与该输出电阻之间，用来形成一负回授回路以消除该系统电压的噪声对该输出电压的影响。

2.如权利要求1所述的低噪声电流缓冲电路，其特征在于，还包含一串接级，其一端耦接于该第二晶体管的该汲极及与该回授电容之间，另一端耦接于该第三晶体管的该汲极，用来避免该系统电压的噪声经由该回授电容，对该输出电压产生前馈噪声。

3.如权利要求2所述的低噪声电流缓冲电路，其特征在于，该串接级包含有：

一第五晶体管，包含有一闸极、一汲极及一源极，该源极耦接于该第二晶体管的该汲极及与该回授电容之间，用来避免该系统电压的噪声经由该回授电容对该输出电压产生前馈噪声；以及

一第二回授电容，耦接于该第五晶体管的该闸极与该汲极之间，用来进行米勒补偿以消除该系统电压的噪声经由该第五晶体管的该闸极及该回授电容对该输出电压产生的前馈噪声。

4.如权利要求3所述的低噪声电流缓冲电路，其特征在于，还包含一第六晶体管，其包含有一闸极、一汲极及一源极，该源极耦接于该第四晶体管的该汲极，且该汲极耦接于该回授电容与该输出电阻之间；其中该串接级还包含有一第七晶体管，其包含有一闸极、一汲极及一源极，该源极耦接于该第五晶体管的该汲极，且该汲极耦接于该第三晶体管的该汲极。

5.如权利要求4所述的低噪声电流缓冲电路，其特征在于，该第一晶体管、该第二晶体管、该第五晶体管及该第七晶体管为N型金氧半晶体管，该第三晶体管、该第四晶体管及该第六晶体管为P型金氧半晶体管。

6.如权利要求1所述的低噪声电流缓冲电路，其特征在于，该第三晶体管的尺寸、该回授电容的电容值及该输出电阻的电阻值相关于该系统电压的一特定频段的噪声。

7.如权利要求1所述的低噪声电流缓冲电路，其特征在于，该第四晶体管及该第三晶体管的尺寸比是相关于该系统电压的噪声对该输出电压的影响。

8.一种电流电压转换器，可降低一系统电压的噪声对一输出电压的影响，其特征在于，包含有：

一电流源，用来产生一输入电流；

一输出电阻，用来根据一第二电流产生一输出电压；以及

一低噪声电流缓冲电路，耦接于该电流源与该输出电阻之间，包含有：

一第一电流镜，包含有：

一第一晶体管，包含有一闸极、一汲极及一源极，该闸极耦接于该汲极，且该汲极接收一输入电流；以及

一第二晶体管，包含有一闸极、一汲极及一源极，该闸极耦接于该第一晶体管的该闸极，用来根据该第一晶体管所接收的该输入电流，由该汲极汲取一第一电流；

一第二电流镜，包含有：

一第三晶体管，包含有一闸极、一汲极及一源极，该闸极耦接于该汲极，且该汲极耦接于该第二晶体管的该汲极，用来输出该第一电流；以及

一第四晶体管，包含有一闸极、一汲极及一源极，该闸极耦接于该第三晶体管的该闸极，用来根据该第三晶体管所输出的该第一电流，输出该第二电流至一输出电阻，以产生该输出电压；以及

一回授电容，其一端耦接于该第二晶体管的该汲极与该第三晶体管的该汲极之间，另一端耦接于该第四晶体管的该汲极与该输出电阻之间，用来形成一负回授回路以消除该系统电压的噪声对该输出电压的影响。

9.如权利要求8所述的电流电压转换器，其特征在于，还包含一串接级，其一端耦接于该第二晶体管的该汲极及与该回授电容之间，另一端耦接于该第三晶体管的该汲极，用来避免该系统电压的噪声经由该回授电容，对该输出电压产生前馈噪声。

10.如权利要求9所述的电流电压转换器，其特征在于，该串接级包含有：

一第五晶体管，包含有一闸极、一汲极及一源极，该源极耦接于该第二晶体管的该汲极及与该回授电容之间，用来避免该系统电压的噪声经由该回授电容对该输出电压产生前馈噪声；以及

一第二回授电容，耦接于该第五晶体管的该闸极与该汲极之间，用来进行米勒补偿以消除该系统电压的噪声经由该第五晶体管的该闸极及该回授电容对该输出电压产生的前馈噪声。

11.如权利要求10所述的电流电压转换器，其特征在于，还包含一第六晶体管，其包含有一闸极、一汲极及一源极，该源极耦接于该第四晶体管的一汲极，且该汲极耦接于该回授电容与该输出电阻之间；其中该串接级还包含有一第七晶体管，其包含有一闸极、一汲极及一源极，该源极耦接于该第五晶体管的该汲极，且该汲极耦接于该第三晶体管的该汲极。

12.如权利要求11所述的电流电压转换器，其特征在于，该第一晶体管、该第二晶体管、该第五晶体管及该第七晶体管为N型金氧半晶体管，该第三晶体管、该第四晶体管及该第六晶体管为P型金氧半晶体管。

13.如权利要求8所述的电流电压转换器，其特征在于，该第三晶体管的尺寸、该回授电容的电容值及该输出电阻的电阻值是相关于该系统电压的一特定频段的噪声。

14.如权利要求8所述的电流电压转换器，其特征在于，该第四晶体管及该第三晶体管的尺寸比是相关于该系统电压的噪声对该输出电压的影响。

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