JP2007134940A - 差動電圧出力回路 - Google Patents
差動電圧出力回路 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007134940A JP2007134940A JP2005325802A JP2005325802A JP2007134940A JP 2007134940 A JP2007134940 A JP 2007134940A JP 2005325802 A JP2005325802 A JP 2005325802A JP 2005325802 A JP2005325802 A JP 2005325802A JP 2007134940 A JP2007134940 A JP 2007134940A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mos transistor
- current source
- type mos
- drain
- circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Logic Circuits (AREA)
Abstract
【課題】より安定した差動電圧出力を発生することが可能な差動電圧出力回路を提供する。
【解決手段】差動電圧出力回路100は、電源電位VDDにソースが接続された電流源用MOSトランジスタ3と、接地電位VSSに接続された定電流源4と、これらの間に直列に接続された、入力端子1にゲートが接続されたp型MOSトランジスタ5、入力端子1に入力が接続されたインバータ2の出力にゲートが接続されたp型MOSトランジスタ6、インバータ2の出力にゲートが接続されたn型MOSトランジスタ7、入力端子1にゲートが接続されたn型MOSトランジスタ8と、電流源用MOSトランジスタ3の電流を制御するコモンモードフィードバック回路11と、電流源用MOSトランジスタ3のゲートとこの電流源用MOSトランジスタ3のドレインとの間に接続された容量12を有する位相補償回路13とを備える。
【選択図】図1
【解決手段】差動電圧出力回路100は、電源電位VDDにソースが接続された電流源用MOSトランジスタ3と、接地電位VSSに接続された定電流源4と、これらの間に直列に接続された、入力端子1にゲートが接続されたp型MOSトランジスタ5、入力端子1に入力が接続されたインバータ2の出力にゲートが接続されたp型MOSトランジスタ6、インバータ2の出力にゲートが接続されたn型MOSトランジスタ7、入力端子1にゲートが接続されたn型MOSトランジスタ8と、電流源用MOSトランジスタ3の電流を制御するコモンモードフィードバック回路11と、電流源用MOSトランジスタ3のゲートとこの電流源用MOSトランジスタ3のドレインとの間に接続された容量12を有する位相補償回路13とを備える。
【選択図】図1
Description
本発明は、電圧入力信号に基づいて差動電圧信号を出力する差動電圧出力回路に関するものである。
従来、操作部と表示部を折り畳む折り畳み式の携帯電話として、操作部側に搭載されたLSIからフレキシブル配線(伝送線路)を介して画像データ信号やクロック信号等を表示部側に送信するものがある。この画像データやクロック信号は、LSIに含まれた差動電圧出力回路により差動電圧信号として出力される。
この差動電圧出力回路には、所定の信号が入力される入力端子に入力が接続されたインバータと、電源電位に接続された定電流源と、接地電位に接続された可変電流源と、入力端子にゲートが接続されるとともに可変電流源にソースが接続された第1のP型MOSトランジスタと、インバータの出力にゲートが接続されるとともに可変電流源にソースが接続された第2のP型MOSトランジスタと、インバータの出力にゲートが接続されるとともに、第1のP型MOSトランジスタのドレインにドレインが接続され定電流源にソースが接続された第1のN型MOSトランジスタと、入力端子にゲートが接続されるとともに、第2のP型MOSトランジスタのドレインにドレインが接続され定電流源にソースが接続された第2のN型MOSトランジスタと、第1のP型MOSトランジスタのドレインと第1のN型MOSトランジスタのドレインとの間に接続された第1の出力端子と、第2のP型MOSトランジスタのドレインと第2のN型MOSトランジスタのドレインとの間に接続された第2の出力端子と、第1の出力端子と第2の出力端子との間の電圧の分圧と基準電圧とを比較し、可変電流源に流れる電流を制御するための信号を可変電流源に出力するコモンモードフィードバック回路と、を備えるものがある(例えば、特許文献1参照。)。
この差動電圧出力回路は、上述のコモンモードフィードバック回路が出力端子間の中心電圧と基準電圧を比較し、その差が無くなるように可変電流源を制御することにより、出力の中心電圧が一定の差動電圧を発生することができる。
しかし、上記従来技術においては、コモンモードフィードバック回路により、信号をフィードバックする為、フィードバックループの位相が180°以上シフトすると発振が起こる可能性があるという問題があった。また、180°位相がシフトしなくても、位相余裕が足りない(位相余裕が60°以下)場合には回路が安定しない為、ステップ応答時に出力波形が波打つリンギングが生じ得るという問題があった。
米国特許6118438号明細書
本発明は、より安定した差動電圧出力を発生することが可能な差動電圧出力回路を提供することを目的とする。
本発明の一態様に係る実施例に従った差動電圧出力回路は、
所定の信号が入力される入力端子と、
前記入力端子に入力が接続された出力反転回路と、
第1の電位にソースが接続された電流源用MOSトランジスタと、
第2の電位に接続された定電流源と、
前記入力端子にゲートが接続されるとともに前記電流源用MOSトランジスタのドレインにソースが接続された第1の第1導電型MOSトランジスタと、
前記出力反転回路の出力にゲートが接続されるとともに前記電流源用MOSトランジスタのドレインにソースが接続された第2の第1導電型MOSトランジスタと、
前記出力反転回路の出力にゲートが接続されるとともに、前記第1の第1導電型MOSトランジスタのドレインにドレインが接続され前記定電流源にソースが接続された第1の第2導電型MOSトランジスタと、
前記入力端子にゲートが接続されるとともに、前記第2の第1導電型MOSトランジスタのドレインにドレインが接続され前記定電流源にソースが接続された第2の第2導電型MOSトランジスタと、
前記第1の第1導電型MOSトランジスタのドレインと前記第1の第2導電型MOSトランジスタのドレインとの間に接続された第1の出力端子と、
前記第2の第1導電型MOSトランジスタのドレインと前記第2の第2導電型MOSトランジスタのドレインとの間に接続された第2の出力端子と、
前記第1の出力端子と前記第2の出力端子との間の電圧の分圧と基準電圧とを比較し、前記電流源用MOSトランジスタに流れる電流を制御するための信号を前記電流源用MOSトランジスタのゲートに出力するコモンモードフィードバック回路と、
前記電流源用MOSトランジスタのゲートとこの電流源用MOSトランジスタのドレインとの間に接続された容量を有する位相補償回路と、
を備えることを特徴とする。
所定の信号が入力される入力端子と、
前記入力端子に入力が接続された出力反転回路と、
第1の電位にソースが接続された電流源用MOSトランジスタと、
第2の電位に接続された定電流源と、
前記入力端子にゲートが接続されるとともに前記電流源用MOSトランジスタのドレインにソースが接続された第1の第1導電型MOSトランジスタと、
前記出力反転回路の出力にゲートが接続されるとともに前記電流源用MOSトランジスタのドレインにソースが接続された第2の第1導電型MOSトランジスタと、
前記出力反転回路の出力にゲートが接続されるとともに、前記第1の第1導電型MOSトランジスタのドレインにドレインが接続され前記定電流源にソースが接続された第1の第2導電型MOSトランジスタと、
前記入力端子にゲートが接続されるとともに、前記第2の第1導電型MOSトランジスタのドレインにドレインが接続され前記定電流源にソースが接続された第2の第2導電型MOSトランジスタと、
前記第1の第1導電型MOSトランジスタのドレインと前記第1の第2導電型MOSトランジスタのドレインとの間に接続された第1の出力端子と、
前記第2の第1導電型MOSトランジスタのドレインと前記第2の第2導電型MOSトランジスタのドレインとの間に接続された第2の出力端子と、
前記第1の出力端子と前記第2の出力端子との間の電圧の分圧と基準電圧とを比較し、前記電流源用MOSトランジスタに流れる電流を制御するための信号を前記電流源用MOSトランジスタのゲートに出力するコモンモードフィードバック回路と、
前記電流源用MOSトランジスタのゲートとこの電流源用MOSトランジスタのドレインとの間に接続された容量を有する位相補償回路と、
を備えることを特徴とする。
本発明の差動電圧出力回路によれば、より安定した差動電圧出力を発生することができる。
本発明に係る差動電圧出力回路は、出力端子間の電圧を基準電圧と比較し、その電圧が等しくなるように電流源を制御するコモンモードフィードバック回路を設けることで差動出力電圧を基準電圧付近にコントロールしつつ、さらに、このコモンモードフィードバック回路の出力側に位相補償回路を設けることで、安定した出力電圧を発生するものである。
以下、本発明に係る各実施例について図面に基づいて説明する。
図1は、本発明の一態様である実施例1に係る差動電圧出力回路の要部の構成を示す図である。なお、ここでは、第1の電位を電源電位、第2の電位を接地電位とし、第1導電型をp型、第2導電型をn型として説明する。
図1に示すように、差動電圧出力回路100は、所定の信号が入力される入力端子1と、この入力端子1に入力が接続され、入力された信号を反転させて出力する出力反転回路であるインバータ2と、第1の電位である電源電位VDDにソースが接続された可変電流源となる電流源用MOSトランジスタ(p型MOSトランジスタ)3と、第2の電位である接地電位VSSに接続された定電流源4と、入力端子1にゲートが接続されるとともに電流源用MOSトランジスタ3のドレインにソースが接続された第1の第1導電型MOSトランジスタであるp型MOSトランジスタ5と、インバータ2の出力にゲートが接続されるとともに電流源用MOSトランジスタ3のドレインにソースが接続された第2の第1導電型MOSトランジスタであるp型MOSトランジスタ6と、インバータ2の出力にゲートが接続されるとともに、p型MOSトランジスタ5のドレインにドレインが接続され定電流源4にソースが接続された第1の第2導電型MOSトランジスタであるn型MOSトランジスタ7と、入力端子1にゲートが接続されるとともに、p型MOSトランジスタ6のドレインにドレインが接続され定電流源4にソースが接続された第2の第2導電型MOSトランジスタであるn型MOSトランジスタ8と、を備えている。
さらに、差動電圧出力回路100は、p型MOSトランジスタ5のドレインとn型MOSトランジスタ7のドレインとの間に接続された第1の出力端子9と、p型MOSトランジスタ6ドレインとn型MOSトランジスタ8のドレインとの間に接続された第2の出力端子10と、第1の出力端子9と第2の出力端子10との間の電圧の分圧と基準電圧とを比較し、電流源用MOSトランジスタ3に流れる電流を制御するための信号をこの電流源用MOSトランジスタ3のゲートに出力するコモンモードフィードバック回路11と、電流源用MOSトランジスタ3のゲートとこの電流源用MOSトランジスタ3のドレインとの間に接続された容量12を有する位相補償回路13と、を備えている。
インバータ2は、入力端子1に入力された信号を反転させた信号をp型MOSトランジスタ6およびn型MOSトランジスタ7のゲートに出力する。 定電流源4は、差動電圧出力回路100に所定の定電流が流れるように設計されている
ここで、定電流源4の電流値(振幅レベル)の例として、IEEE 1596-3、もしくは TIA/EIA-644で規定された、小振幅差動インターフェイスの中で代表的な規格であるLVDS(Low-Voltage-Differential-Signal)では、振幅レベルは 250mV〜450mV(電流換算で2.5mA〜4.5mA)の範囲となっている。
ここで、定電流源4の電流値(振幅レベル)の例として、IEEE 1596-3、もしくは TIA/EIA-644で規定された、小振幅差動インターフェイスの中で代表的な規格であるLVDS(Low-Voltage-Differential-Signal)では、振幅レベルは 250mV〜450mV(電流換算で2.5mA〜4.5mA)の範囲となっている。
また、携帯製品向けのLVDSでは、伝送線路が短く、減衰が少ない為、より出力の振幅レベルを抑えたものを使う場合もあり、このような場合、例えば、振幅レベルが100mV〜200mV(電流換算で1.0mA〜2.0mA)の範囲となる。このような電流値の範囲を採用して、出力の振幅レベルを抑えることにより、差動電圧出力回路100が搭載される携帯製品の消費電流を低減し、また、EMIの発生を抑えることができる。
このように、定電流源4は、例えば、電流値の範囲が約1mAから約5mAの範囲で使用される。
コモンモードフィードバック回路11は、第1の出力端子9と第2の出力端子10との間の電圧を分圧する分圧回路14と、分圧回路の出力電圧と基準電圧Vrefとを比較し電流源用MOSトランジスタ3の電流を制御するための信号を出力する比較器15とを有する。このコモンモードフィードバック回路11が、可変電流源となる電流源用MOSトランジスタ3の電流をコモンモードフィードバックして制御し差動電圧出力回路100の差動電圧出力であるコモンモードレベルがばらつくのを抑える、すなわち、第1の出力端子9における電位と第2の出力端子10における電位との差が無くなるように制御するものである。
第1の出力端子9および第2の出力端子10は、入力端子1から入力された信号に基づいて、差動電圧を出力信号として出力する。
ここで、位相補償回路13により差動電圧出力回路100の出力の発振、リンギングを抑える原理について説明する。
先ず、比較のため、位相補償回路を含まない従来の差動電圧出力回路について小信号等価回路のモデルを用いて検討する。
図2は、位相補償回路を含まない従来の差動電圧出力回路の小信号等価回路を示す図である。図2に示すように、小信号等価回路は、コモンモードフィードバック回路を寄生容量C1、寄生抵抗R1を有する増幅回路11A、フィードバック先となる可変電流源である電流源用MOSトランジスタを寄生容量C2、寄生抵抗R2を有する増幅回路3Aとして規定される。ここでは、gm1をコモンモードフィードバック回路の入力トランジスタの相互コンダクタンス、gm2を可変電流源のトランジスタの相互コンダクタンスとする。また、容量12を容量Ccとして表す。
この小信号等価回路の伝達関数の極を考えた場合、2個の主要な極が存在し、それぞれ周波数ωP1=1/C1R1、周波数ωP2=1/C2R2と表わされる。なお、他にもこの回路には高い周波数に極が存在するが、位相特性に影響を与えない為、省略する。
次に、本実施例の位相補償回路13を有する差動電圧出力回路100について検討する。図3は、位相補償回路を含む実施例1の差動電圧出力回路100の小信号等価回路を示す図である。図3に示すように、小信号等価回路は、増幅回路11Aと増幅回路3Aとの間にCcで規定される容量12を有する位相補償回路13が接続されている。この小信号等価回路の2つの主要な極は、それぞれ周波数ωP1=1/gm2R1R2Cc、周波数ωP2=gm2/(C1+C2)と表せられる。
上記のような極を有する従来および実施例1の小信号等価回路のオープンループゲインと位相特性を図4に示す。図4のオープンループゲインに示すように、小信号等価回路に容量Ccを挿入することで、第1の極を低周波側へ、第2の極を高周波側へシフトさせ、極を分離できるのが分かる。そして、小信号等価回路に容量Ccを挿入することで、単位利得周波数(図4中において、実施例1をA1、B1で示し、従来をA2、B2で示す。)での位相余裕度が48°から86°へと改善(位相余裕度が60°以上)していることが分かる。
このように、コモンモードフィードバック回路11の出力側で、容量12を有する位相補償回路13を電流源用MOSトランジスタ3のゲートとこの電流源用MOSトランジスタ3のドレインとの間に接続するように設けることにより、位相余裕度が向上され、差動電圧出力回路100の出力の発振、リンギングを抑えることができる。
以上のように、本実施例に係る差動電圧出力回路によれば、容量を有する位相補償回路を電流源用MOSトランジスタのゲートとこの電流源用MOSトランジスタのドレインとの間に接続するように設けることにより、位相余裕度を向上させるので、差動電圧出力のさらなる安定化を図ることができる。
なお、本実施例において、上記電流源用MOSトランジスタには、p型MOSトランジスタを用いた場合について説明したが、電流源用MOSトランジスタとしてn型MOSトランジスタを用いても、同様の作用・効果を奏することができる。
実施例1では、位相補償回路として、容量を有する構成について述べた。既述のように、電流源用MOSトランジスタのゲートとこの電流源用MOSトランジスタのドレインとの間に容量を接続することで差動電圧出力回路の位相余裕度を向上させることができる。しかし、例えば、容量をシリコンウェーハ(Silicon-Wafer)のシリコン層で形成する場合、容量を設けることで回路面積が大きくなり、使用できる容量値に制約を受ける場合がある。
そこで、本実施例では、位相余裕度を向上させるために位相補償回路がさらに該容量に直列に接続された抵抗を有する構成について述べる。
図5は、本発明の一態様である実施例2に係る差動電圧出力回路200の要部構成を示す図である。なお、実施例1と同様の符号を付された構成は、実施例1と同様の構成である。
図5に示すように、位相補償回路213は、電流源用型MOSトランジスタ3のゲートとこの電流源用型MOSトランジスタ3のドレインとの間で容量12と直列に接続された抵抗16をさらに有する。
ここで、本実施例においても、差動電圧出力回路の小信号等価回路を実施例1と同様に考えた場合のオープンループゲインと位相特性について検討する。なお、この小信号等価回路のモデルにおいては、容量12を容量Cc、抵抗16を抵抗Rcとして表す。
図6は、実施例2の差動電圧出力回路の小信号等価回路を実施例1のオープンループゲインと位相特性を示す図である。図6の位相特性において、第1の極と第2の極との間に、ゼロ点が存在していることがわかる。このゼロ点の周波数は、周波数ωZ≒1/RcCcで表わすことができる。この抵抗Rcと容量Ccを最適化することで位相余裕度を増やすことができる。すなわち、容量Ccを大きくせずに抵抗Rcを利用することで、位相余裕度を増加させる効果を期待できる。図6では、小信号等価回路に直列接続された容量Cc、抵抗Rcを挿入することで、単位利得周波数(図6中において、A3、B3で示す。)での位相余裕度が48°から90°へと改善していることが分かる。
なお、直列に接続された容量12、抵抗16の図6に示す順番を反対に接続しても同様の効果がある。
以上のように、本実施例に係る差動電圧出力回路によれば、容量の拡大を実施例1よりも抑えて、位相余裕度を向上させるので、差動電圧出力のさらなる安定化を図るとともに、例えば、シリコンウェーハに容量を形成する場合には、回路面積の縮小化を図ることができる。
実施例1では、可変電流源である電流源用MOSトランジスタが電源電位に接続され、定電流源が接地電位に接続された構成について述べたが、本実施例においては、該電流源用MOSトランジスタが接地電位に接続され、定電流源が電源電位に接続された構成について述べる。
図7は、本発明の一態様である実施例3に係る差動電圧出力回路300の要部構成を示す図である。なお、実施例1と同様の符号を付された構成は、実施例1と同様の構成である。ここでは、第1の電位を接地電位、第2の電位を電源電位とし、第1導電型をn型、第2導電型をp型として説明する。
図7に示すように、差動電圧出力回路300は、所定の信号が入力される入力端子1と、この入力端子1に入力が接続されたインバータ2と、第1の電位である接地電位VSSにソースが接続された可変電流源となる電流源用MOSトランジスタ(n型MOSトランジスタ)33と、第2の電位である電源電位VDDに接続された定電流源34と、入力端子1にゲートが接続されるとともに、定電流源34にソースが接続されたp型MOSトランジスタ5と、インバータ2の出力にゲートが接続されるとともに定電流源34にソースが接続されたp型MOSトランジスタ6と、インバータ2の出力にゲートが接続されるとともに、p型MOSトランジスタ5のドレインにドレインが接続され、電流源用MOSトランジスタ33のドレインにソースが接続されたn型MOSトランジスタ7と、入力端子1にゲートが接続されるとともに、p型MOSトランジスタ6のドレインにドレインが接続され、電流源用MOSトランジスタ33のドレインにソースが接続されたn型MOSトランジスタ8と、を備えている。
さらに、差動電圧出力回路300は、p型MOSトランジスタ5のドレインとn型MOSトランジスタ7のドレインとの間に接続された第1の出力端子9と、p型MOSトランジスタ6のドレインとn型MOSトランジスタ8のドレインとの間に接続された第2の出力端子10と、第1の出力端子9と第2の出力端子10との間の電圧の分圧と基準電圧とを比較し、電流源用MOSトランジスタ33に流れる電流を制御するための信号をこの電流源用MOSトランジスタ33のゲートに出力するコモンモードフィードバック回路11と、電流源用MOSトランジスタ33のゲートとこの電流源用MOSトランジスタ33のドレインとの間に接続された容量12を有する位相補償回路313と、を備えている。
このように、コモンモードフィードバック回路11の出力側で、容量12を有する位相補償回路313を電流源用MOSトランジスタ33のゲートとこの電流源用MOSトランジスタ33のドレインとの間に接続するように設けることにより、位相余裕度が向上され、差動電圧出力回路300の出力の発振、リンギングを抑えることができる。
また、可変電流源となる電流源用MOSトランジスタ33が電源電位VDDではなく、より電位が安定した接地電位VSSに接続されているので、より安定してコモンモードフィードバック制御し、差動電圧出力回路300の差動電圧出力であるコモンモードレベルがばらつくのを抑えることができる。
以上のように、本実施例に係る差動電圧出力回路によれば、容量を有する位相補償回路を電流源用MOSトランジスタのゲートとこの電流源用MOSトランジスタのドレインとの間に接続するように設けることにより、位相余裕度を向上させるので、差動電圧出力のさらなる安定化を図ることができる。
実施例3では、位相補償回路として、容量を有する構成について述べたが、本実施例においては、実施例2と同様に、位相余裕度を向上させるために位相補償回路がさらに該容量に直列に接続された抵抗を有する構成について述べる。
図8は、本発明の一態様である実施例4に係る差動電圧出力回路400の要部構成を示す図である。なお、実施例3と同様の符号を付された構成は、実施例3と同様の構成である。
図8に示すように、位相補償回路413は、電流源用型MOSトランジスタ33のゲートとこの電流源用型MOSトランジスタ33のドレインとの間で容量12と直列に接続された抵抗16をさらに有する。
これにより、実施例2で説明したように、抵抗16と容量12との値を最適化することで位相余裕度を増やすことができ、容量12を大きくせずに、差動電圧出力回路400の単位利得周波数での位相余裕度を改善することができる。
以上のように、本実施例に係る差動電圧出力回路によれば、容量の拡大を実施例3よりも抑えて、位相余裕度を向上させるので、差動電圧出力のさらなる安定化を図るとともに、例えば、シリコンウェーハに容量を形成する場合には、回路面積の縮小化を図ることができる。
1 入力端子
2 インバータ
3、33 電流源用MOSトランジスタ
3A 増幅回路
4、34 定電流源
5、6 p型MOSトランジスタ
7、8 n型MOSトランジスタ
9 第1の出力端子
10 第2の出力端子
11 コモンモードフィードバック回路
11A 増幅回路
12 容量
13、213、313、413 位相補償回路
14 分圧回路
15 比較器
16 抵抗
100、200、300、400 差動電圧出力回路
2 インバータ
3、33 電流源用MOSトランジスタ
3A 増幅回路
4、34 定電流源
5、6 p型MOSトランジスタ
7、8 n型MOSトランジスタ
9 第1の出力端子
10 第2の出力端子
11 コモンモードフィードバック回路
11A 増幅回路
12 容量
13、213、313、413 位相補償回路
14 分圧回路
15 比較器
16 抵抗
100、200、300、400 差動電圧出力回路
Claims (5)
- 所定の信号が入力される入力端子と、
前記入力端子に入力が接続された出力反転回路と、
第1の電位にソースが接続された電流源用MOSトランジスタと、
第2の電位に接続された定電流源と、
前記入力端子にゲートが接続されるとともに前記電流源用MOSトランジスタのドレインにソースが接続された第1の第1導電型MOSトランジスタと、
前記出力反転回路の出力にゲートが接続されるとともに前記電流源用MOSトランジスタのドレインにソースが接続された第2の第1導電型MOSトランジスタと、
前記出力反転回路の出力にゲートが接続されるとともに、前記第1の第1導電型MOSトランジスタのドレインにドレインが接続され前記定電流源にソースが接続された第1の第2導電型MOSトランジスタと、
前記入力端子にゲートが接続されるとともに、前記第2の第1導電型MOSトランジスタのドレインにドレインが接続され前記定電流源にソースが接続された第2の第2導電型MOSトランジスタと、
前記第1の第1導電型MOSトランジスタのドレインと前記第1の第2導電型MOSトランジスタのドレインとの間に接続された第1の出力端子と、
前記第2の第1導電型MOSトランジスタのドレインと前記第2の第2導電型MOSトランジスタのドレインとの間に接続された第2の出力端子と、
前記第1の出力端子と前記第2の出力端子との間の電圧の分圧と基準電圧とを比較し、前記電流源用MOSトランジスタに流れる電流を制御するための信号を前記電流源用MOSトランジスタのゲートに出力するコモンモードフィードバック回路と、
前記電流源用MOSトランジスタのゲートとこの電流源用MOSトランジスタのドレインとの間に接続された容量を有する位相補償回路と、
を備えることを特徴とする差動電圧出力回路。 - 前記位相補償回路は、前記電流源用型MOSトランジスタのゲートとこの電流源用型MOSトランジスタのドレインとの間で前記容量と直列に接続された抵抗をさらに有することを特徴とする請求項1に記載の差動電圧出力回路。
- 前記コモンモードフィードバック回路は、前記第1の出力端子と前記第2の出力端子との間の電圧を分圧する分圧回路と、前記分圧回路の出力電圧と前記基準電圧とを比較し前記電流源用MOSトランジスタの電流を制御するための信号を出力する比較器と、を有することを特徴とする請求項1に記載の差動電圧出力回路。
- 前記第1の電位は、接地電位であり、
前記第2の電位は、電源電位であり、
前記電流源用MOSトランジスタは、n型MOSトランジスタであり、
前記第1導電型MOSトランジスタは、n型MOSトランジスタであり、
前記第2導電型MOSトランジスタは、p型MOSトランジスタである
ことを特徴とする請求項1ないし3の何れかに記載の差動電圧出力回路。 - 前記定電流源の電流値の範囲が約1mAから約5mAの範囲であることを特徴とする請求項1ないし4の何れかに記載の差動電圧出力回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005325802A JP2007134940A (ja) | 2005-11-10 | 2005-11-10 | 差動電圧出力回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005325802A JP2007134940A (ja) | 2005-11-10 | 2005-11-10 | 差動電圧出力回路 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007134940A true JP2007134940A (ja) | 2007-05-31 |
Family
ID=38156244
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005325802A Pending JP2007134940A (ja) | 2005-11-10 | 2005-11-10 | 差動電圧出力回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2007134940A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7924094B2 (en) | 2008-06-02 | 2011-04-12 | Renesas Electronics Corporation | Amplifier and offset regulating circuit |
US9712159B2 (en) | 2013-12-27 | 2017-07-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Differential signal driving circuit |
JP2020170910A (ja) * | 2019-04-02 | 2020-10-15 | セイコーエプソン株式会社 | Lvdsドライバー回路、集積回路装置、発振器、電子機器及び移動体 |
-
2005
- 2005-11-10 JP JP2005325802A patent/JP2007134940A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7924094B2 (en) | 2008-06-02 | 2011-04-12 | Renesas Electronics Corporation | Amplifier and offset regulating circuit |
US9712159B2 (en) | 2013-12-27 | 2017-07-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Differential signal driving circuit |
JP2020170910A (ja) * | 2019-04-02 | 2020-10-15 | セイコーエプソン株式会社 | Lvdsドライバー回路、集積回路装置、発振器、電子機器及び移動体 |
JP7238553B2 (ja) | 2019-04-02 | 2023-03-14 | セイコーエプソン株式会社 | Lvdsドライバー回路、集積回路装置、発振器、電子機器及び移動体 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7746047B2 (en) | Low dropout voltage regulator with improved voltage controlled current source | |
JP3575453B2 (ja) | 基準電圧発生回路 | |
US7391276B2 (en) | Oscillation apparatus capable of compensating for fluctuation of oscillation frequency | |
US8487700B2 (en) | Pre-driver and digital transmitter using the same | |
KR101209405B1 (ko) | 저위상 노이즈 증폭기 회로 | |
US6998917B2 (en) | Common-mode feedback circuit and differential operational amplifier circuit having stable operation and low power consumption | |
US20140022023A1 (en) | Temperature-insensitive ring oscillators and inverter circuits | |
JP2006340266A (ja) | 差動信号伝送回路および差動信号伝送装置 | |
Ballo et al. | Active load with cross‐coupled bulk for high‐gain high‐CMRR nanometer CMOS differential stages | |
US8558581B2 (en) | Analog rail-to-rail comparator with hysteresis | |
JP4614234B2 (ja) | 電源装置およびそれを備える電子機器 | |
JP2007134940A (ja) | 差動電圧出力回路 | |
JP4578896B2 (ja) | クロックバッファ回路 | |
JP2005020591A (ja) | 可変利得増幅器、これを用いた光ピックアップ信号処理用および携帯無線端末送受信信号処理用lsi | |
JP2010178094A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
JP2005198084A (ja) | 差動発振回路 | |
JP2006340096A (ja) | 電圧電流変換回路 | |
JP2018504842A (ja) | 差動回路におけるプロセス又は条件変動にわたってトランスコンダクタンス又はゲインを較正するための方法及び装置 | |
JP2008092310A (ja) | 電圧制御電流源回路 | |
US9337789B2 (en) | Differential receiver | |
US10999055B2 (en) | SerDes systems and differential comparators | |
JP5702624B2 (ja) | 電流電圧変換回路、発振回路 | |
JP5195145B2 (ja) | 差動増幅器 | |
JP2007336025A (ja) | Ota回路 | |
JP2007329838A (ja) | 演算増幅回路 |