CN102548309A - 壳体及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种壳体,由铝或铝合金基体、依次形成于该铝或铝合金基体上的氮氧化铝层及氮化铝层构成,所述氮氧化铝层含有AlN相、Al203相及Al(N,O)固溶相。所述壳体具有良好的耐腐蚀性及装饰性外观。本发明还提供了所述壳体的制造方法。
Description
技术领域
本发明涉及一种壳体及其制造方法,特别涉及一种铝合金壳体及其制造方法。
背景技术
铝合金目前被广泛应用于航空、航天、汽车及微电子等工业领域。但铝合金的标准电极电位很低,耐腐蚀差,暴露于自然环境中会引起表面快速腐蚀。
提高铝合金耐腐蚀性的方法通常是在其表面形成保护性的膜层。传统的阳极氧化、烤漆及电镀等铝合金的表面处理方法存在生产工艺复杂、效率低、环境污染严重等缺点。而真空镀膜(PVD)技术虽是一种非常环保的镀膜工艺,且可镀制的膜层种类丰富、耐磨性能优异,但PVD工艺沉积的膜层大多以柱状晶形态生长,因此膜层存在大量的晶间间隙,导致膜层致密性不够而对铝合金的耐腐蚀性能的提高有限。
研究发现,于铝合金基体上溅镀铝层及氮氧化铝层,可显著提高铝合金基体的耐腐蚀性能。但由于在氮氧化铝层的制备过程中难以通过靶材功率、反应气体流量等参数的控制得到所需的颜色,使制得的氮氧化铝层容易出现异色、带蓝或带红等现象,如此严重影响了氮氧化铝层的美观,限制了氮氧化铝层作为装饰性膜层的应用。
发明内容
鉴于此,提供一种具有较好的耐腐蚀性及装饰性外观的铝或铝合金的壳体。
另外,还提供一种上述壳体的制造方法。
一种壳体,由铝或铝合金基体、依次形成于该铝或铝合金基体上的氮氧化铝层及氮化铝层构成,所述氮氧化铝层含有AlN相、Al2O3相及Al(N,O)固溶相。
一种壳体的制造方法,其包括如下步骤:
提供铝或铝合金基体;
以铝靶为靶材,以氮气和氧气为反应气体,于该铝或铝合金基体上磁控溅射形成氮氧化铝层,该氮氧化铝层含有AlN相、Al2O3相及Al(N,O)固溶相;
以铝靶为靶材,以氮气为反应气体,于该氮氧化铝层上磁控溅射形成氮化铝层。
所述氮氧化铝层致密性好且氮化铝层本身具有良好的耐腐蚀性,因此,经上述制造方法形成的壳体具有较好的耐腐蚀性。此外,所述氮化铝层的形成还能使所述壳体呈现出良好的装饰性外观。
附图说明
图1是本发明较佳实施方式壳体的剖视示意图;
图2为制造图1中壳体所用真空镀膜机的示意图。
主要元件符号说明
壳体 10
铝合金基体 11
氮氧化铝层 13
氮化铝层 15
镀膜机 100
镀膜室 20
真空泵 30
轨迹 21
靶材 22
气源 23
具体实施方式
请参阅图1,本发明一较佳实施例的壳体10包括铝或铝合金基体11、依次形成于该铝或铝合金基体11上的AlON(氮氧化铝)层及AlN(氮化铝)层15。所述壳体10可为3C电子产品的壳体,也可为建筑用件及汽车等交通工具的零部件等。
所述AlON层13及AlN层15均通过磁控溅射镀膜法形成。
所述AlON层13的厚度为0.5~1.5μm。所述AlON层13的颜色以不影响AlN层15的色调为佳,比如可为银色、白色及灰白色等浅色调。所述AlON层13中铝元素的质量百分含量为40%~65%,氧元素的质量百分含量为30%~45%,氮元素的质量百分含量为5%~15%。所述AlN层15的厚度为0.2~0.5μm。所述AlN层15中铝元素的质量百分含量为70%~90%,氮元素的质量百分含量为15%~30%。
请一并参阅图2所示,所述壳体10的制造方法主要包括如下步骤:
提供铝或铝合金基体11,将所述铝或铝合金基体11放入盛装有无水乙醇或丙酮溶液的超声波清洗器中进行震动清洗,以除去铝或铝合金基体11表面的杂质和油污。清洗完毕后烘干备用。
提供一镀膜机100,将所述铝或铝合金基体11置于该镀膜机100内,采用磁控溅射镀膜法依次于铝或铝合金基体11上形成AlON层13及AlN层15。
所述镀膜机100包括一镀膜室20及连接在镀膜室20的一真空泵30,真空泵30用以对镀膜室20抽真空。该镀膜室20内设有工件架(未图示)、二靶材22。工件架带动铝或铝合金基体11沿圆形轨迹21运行,且铝或铝合金基体11在沿轨迹21运行时亦自转。二靶材22相对地设置在轨迹21的内外侧。每一靶材22的两端均设有气源23,该气源23输出气体粒子轰击相应的靶材的表面,以使靶材表面溅射出粒子。当铝或铝合金基体11穿过二靶材22之间时,将镀上第一靶材22表面溅射出的粒子。在本实施例中,靶材22为铝靶。
于该铝或铝合金基体11上形成AlON层13的具体操作方法及工艺参数为:对该镀膜室20进行抽真空处理至真空度为8.0×10-3Pa,以氩气为工作气体,以氮气及氧气为反应气体,向镀膜室20内通入流量为100~200sccm的氩气、流量为10~100sccm的氮气及流量为10~100sccm的氧气,设置所述工件架的公转速度为0.5~3.0r/min(revolution per minute,转/分钟),加热所述镀膜室20至100~150℃(即溅射温度为100~150℃);开启已置于所述真空镀膜机100中的靶材22的电源,设定其功率为5~10kw,于铝或铝合金基体11上施加-100~-300V的偏压,并设置占空比为30~70%,沉积Al ON层13。沉积该AlON层13的时间为30~120min。
于该铝或铝合金基体11上形成AlN层15的具体操作及工艺参数如下:停止通入反应气体氧气,调节氩气的流量为120~180s ccm、氮气的流量为10~100sccm,设置靶材22的电源功率为8~10kw,于铝或铝合金基体11上施加-150~-250V的偏压,保持所述溅射温度不变,沉积AlN层15。沉积该AlN层15的时间为15~40min。
在所述AlON层13的形成过程中,Al不仅能与N、O形成Al(N,O)固溶相,还能分别与N、O形成AlN相、Al2O3相。AlN相、Al2O3相及Al(N,O)固溶相多相混合物同时生长,能互相抑制柱状晶体的生长,如此可显著提高该AlON层13的致密性。所述AlON层13致密性的提高,可大大增强铝或铝合金基体11的耐腐蚀性。形成的所述AlN层15本身具有良好的耐腐蚀性。因此,经上述制造方法形成的壳体10具有较好的耐腐蚀性。
另外,在保证壳体10具有较好的耐腐蚀性的同时,还可通过对反应气体氮气的流量及沉积时间的控制来改变AlN层15的各组分的含量,从而使AlN层15呈现出银色、蓝色、黄色及紫色等颜色以及上述颜色的过渡色,以丰富所述壳体10的装饰性外观。
下面通过实施例来对本发明进行具体说明。
实施例1
(1)镀膜前处理
将所述铝或铝合金基体11放入盛装有无水乙醇溶液的超声波清洗器中进行震动清洗,清洗时间为30min。
(2)磁控溅射形成AlON层13
对该镀膜室20进行抽真空处理至本底真空度为8.0×10-3Pa,向镀膜室20内通入流量为150sccm的氩气、流量为40sccm的氮气及流量为60sccm的氧气,设置所述工件架的公转速度为0.5r/min,加热所述镀膜室20至120℃(即溅射温度为120℃);开启已置于所述真空镀膜机100中的靶材22的电源,设定其功率为8kw,于铝或铝合金基体11上施加-200V的偏压,并设置占空比为50%,沉积AlON层13。沉积该AlON层13的时间为60min。
(2)磁控溅射形成AlN层15
停止通入氧气,调节氩气的流量为150sccm、氮气的流量为60sccm,设置靶材22的电源功率为8kw,于铝或铝合金基体11上施加-200V的偏压,保持所述溅射温度不变,沉积AlN层15。沉积该AlN层15的时间为30min。
实施例2
(1)镀膜前处理
将所述铝或铝合金基体11放入盛装有无水乙醇溶液的超声波清洗器中进行震动清洗,清洗时间为30min。
(2)磁控溅射形成AlON层13
对该镀膜室20进行抽真空处理至本底真空度为8.0×10-3Pa,向镀膜室20内通入流量为150sccm的氩气、流量为20sccm的氮气及流量为30sccm的氧气,设置所述工件架的公转速度为0.5r/min,加热所述镀膜室20至120℃(即溅射温度为120℃);开启已置于所述真空镀膜机100中的靶材22的电源,设定其功率为8kw,于铝或铝合金基体11上施加-200V的偏压,并设置占空比为50%,沉积AlON层13。沉积该AlON层13的时间为60min。
(3)磁控溅射形成AlN层15
停止通入氧气,调节氩气的流量为150sccm、氮气的流量为40sccm,设置靶材22的电源功率为8kw,于铝或铝合金基体11上施加-200V的偏压,保持所述溅射温度不变,沉积AlN层15。沉积该AlN层15的时间为30min。
对所述壳体10进行35℃中性盐雾(NaCl浓度为5%)测试。结果表明,由本发明较佳实施例1及2所制得的壳体10均在48小时后才出现腐蚀现象,且经所述制造方法形成于铝或铝合金基体11表面的AlN层15完好、未发生脱落及异色等现象。可见,由本发明较佳实施例的制造方法制得的壳体10具有良好的耐腐蚀性,且经长时间使用后仍具有较好的装饰性外观。
Claims (9)
1.一种壳体,其特征在于:该壳体由铝或铝合金基体、依次形成于该铝或铝合金基体上的氮氧化铝层及氮化铝层构成,所述氮氧化铝层含有AlN相、Al2O3相及Al(N,O)固溶相。
2.如权利要求1所述的壳体,其特征在于:所述氮氧化铝层中中铝元素的质量百分含量为40%~65%,氧元素的质量百分含量为30%~45%,氮元素的质量百分含量为5%~15%。
3.如权利要求1所述的壳体,其特征在于:所述氮化铝层中铝元素的质量百分含量为70%~90%,氮元素的质量百分含量为15%~30%。
4.如权利要求1所述的壳体,其特征在于:所述氮氧化铝层及氮化铝层通过磁控溅射镀膜法形成。
5.如权利要求1所述的壳体,其特征在于:所述氮氧化铝层的厚度为0.5~1.5μm。
6.一种壳体的制造方法,其包括如下步骤:
提供铝或铝合金基体;
以铝靶为靶材,以氮气和氧气为反应气体,于该铝或铝合金基体上磁控溅射形成氮氧化铝层,该氮氧化铝层含有AlN相、Al2O3相及Al(N,O)固溶相;
以铝靶为靶材,以氮气为反应气体,于该氮氧化铝层上磁控溅射形成氮化铝层。
7.如权利要求6所述的壳体的制造方法,其特征在于:溅射所述氮氧化铝层的工艺参数为:氮气的流量为10~100sccm,氧气的流量为10~100sccm,以氩气为工作气体,氩气流量为100~200sccm,铝靶的功率为5~10kw,溅射温度为100~150℃。
8.如权利要求7所述的壳体的制造方法,其特征在于:溅射所述氮氧化铝层的时间为30~120min。
9.如权利要求6所述的壳体的制造方法,其特征在于:溅射所述氮化铝层的工艺参数为:以氩气为工作气体,氩气的流量为120~180sccm,氮气的流量为10~100sccm,铝靶的电源功率为8~10kw,于铝或铝合金基体上施加-150~-250V的偏压,溅射温度为100~150℃,溅射时间为15~40min。
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C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
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