CN108930024A - 电子设备的外壳及电子设备 - Google Patents

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Abstract

本公开是关于一种电子设备的外壳及电子设备，该电子设备的外壳包括：不锈钢材质的外壳本体；所述外壳本体的表面依次沉积有至少一个过渡层，以及，银色膜层；所述银色膜层的表层为使用离子源离化后的氮气氮化所述银色膜层生成的氮化层；所述过渡层，用于增强所述银色膜层与所述外壳本体之间的结合力。本公开提供的电子设备的外壳及电子设备，通过在沉积有过渡层的外壳本体上，沉积银色膜层，并对该银色膜层的表层使用离子源离化后的氮气氮化，可以得到耐酸碱、震动耐磨性能高的银色外壳，从而使得安装有银色外壳的电子设备可以满足消费者的实际使用需求，提高了用户体验。

Description

电子设备的外壳及电子设备
技术领域
本公开涉及电子设备技术，特别涉及一种电子设备的外壳及电子设备。
背景技术
终端生产商为了能够使其生产的终端迎合消费者的需求，不仅在终端的智能化上下足了功夫，同时还会为终端设计不同颜色的外壳，来吸引消费者的目光。
相关技术中，终端生产商会采用物理气相沉积(Physical Vapor Deposition，简称：PVD)法，在不锈钢材质的外壳本体上直接沉积金属银或者铝形成的银色膜层，来形成银色的外壳。但是，通过上述方式所生产的银色的外壳不耐酸碱、震动耐磨性能差，使得安装有该银色的外壳的终端，无法满足消费者的实际使用需求。
发明内容
为克服相关技术中存在的问题，本公开提供一种电子设备的外壳及电子设备。技术方案如下：
根据本公开实施例的第一方面，提供一种电子设备的外壳，包括：不锈钢材质的外壳本体；
所述外壳本体的表面依次沉积有至少一个过渡层，以及，银色膜层；
所述银色膜层的表层为使用离子源离化后的氮气氮化所述银色膜层生成的氮化层；
所述过渡层，用于增强所述银色膜层与所述外壳本体之间的结合力。
本公开的实施例提供的技术方案可以包括以下有益效果：通过在沉积有过渡层的外壳本体上，沉积银色膜层，并对该银色膜层的表层使用离子源离化后的氮气氮化，可以得到耐酸碱、震动耐磨性能高的银色外壳，从而使得安装有银色外壳的电子设备可以满足消费者的实际使用需求，提高了用户体验。
可选的，所述过渡层为不锈钢层、镍层或银铝镍层。
本公开的实施例提供的技术方案可以包括以下有益效果：可以根据实际需求，选择不锈钢层、镍层或银铝镍层作为过渡层，以增强所述银色膜层与所述外壳本体之间的结合力。通过这种方式，可以扩展得到耐酸碱、震动耐磨性能高的银色外壳的实现方式。
可选的，所述至少一个过渡层为三个，分别为不锈钢层、镍层、银铝镍层；
所述不锈钢层、所述镍层、所述银铝镍层依次沉积在所述外壳本体上。
本公开的实施例提供的技术方案可以包括以下有益效果：通过在依次沉积有不锈钢层、镍层、银铝镍层的外壳本体上，沉积银色膜层，可以增强所述银色膜层与所述外壳本体之间的结合力，同时扩展了得到耐酸碱、震动耐磨性能高的银色外壳的实现方式。
可选的，所述不锈钢层的厚度在10纳米至100纳米之间。
本公开的实施例提供的技术方案可以包括以下有益效果：通过选取厚度在10纳米至100纳米之间的不锈钢层作为过渡层，可以在增强银色膜层与外壳本体之间的结合力，降低电子设备的外壳的生产成本。
可选的，所述镍层的厚度在20纳米至60纳米之间。
本公开的实施例提供的技术方案可以包括以下有益效果：通过选取厚度在20纳米至60纳米之间的镍层作为过渡层，可以在增强银色膜层与外壳本体之间的结合力，降低电子设备的外壳的生产成本。
可选的，所述银铝镍层的厚度在10纳米至20纳米之间。
本公开的实施例提供的技术方案可以包括以下有益效果：通过选取厚度在10纳米至20纳米之间的银铝镍层作为过渡层，可以在增强银色膜层与外壳本体之间的结合力，降低电子设备的外壳的生产成本。
可选的，所述银色膜层为混合有银和有机树脂的膜层，或者，所述银色膜层为混合有银铝和有机树脂的膜层。
本公开的实施例提供的技术方案可以包括以下有益效果：通过在沉积有过渡层的外壳本体上，沉积混合有银和有机树脂的银色膜层，或者，沉积混合有银铝和有机树脂的银色膜层，并对该银色膜层的表层使用离子源离化后的氮气氮化，可以得到耐酸碱、震动耐磨性能高的银色外壳，从而使得安装有银色外壳的电子设备可以满足消费者的实际使用需求，提高了用户体验。
可选的，所述银色膜层采用PVD射频磁控溅射法沉积在所述至少一个过渡层中最上面的过渡层的表面。
本公开的实施例提供的技术方案可以包括以下有益效果：通过在沉积有过渡层的外壳本体上，采用PVD射频磁控溅射法沉积银色膜层，并对该银色膜层的表层使用离子源离化后的氮气氮化，可以得到耐酸碱、震动耐磨性能高的银色外壳，从而使得安装有银色外壳的电子设备可以满足消费者的实际使用需求，提高了用户体验。
可选的，所述有机树脂为有机硅树脂或环氧树脂。
本公开的实施例提供的技术方案可以包括以下有益效果：通过在沉积有过渡层的外壳本体上，沉积混合有有机硅树脂或环氧树脂的银色膜层，并对该银色膜层的表层使用离子源离化后的氮气氮化，可以得到耐酸碱、震动耐磨性能高的银色外壳，从而使得安装有银色外壳的电子设备可以满足消费者的实际使用需求，提高了用户体验。
可选的，所述银色膜层的厚度在300纳米至2000纳米之间。
本公开的实施例提供的技术方案可以包括以下有益效果：通过在沉积有过渡层的外壳本体上，沉积厚度在300纳米至2000纳米之间的银色膜层，并对该银色膜层的表层使用离子源离化后的氮气氮化，可以得到耐酸碱、震动耐磨性能高的银色外壳，从而使得安装有银色外壳的电子设备可以满足消费者的实际使用需求，提高了用户体验，降低了电子设备的外壳的生产成本。
可选的，所述银色膜层中有机树脂的体积含量在0.5％至20％之间。
本公开的实施例提供的技术方案可以包括以下有益效果：通过在沉积有过渡层的外壳本体上，沉积含有体积含量在0.5％至20％之间的有机树脂的银色膜层，并对该银色膜层的表层使用离子源离化后的氮气氮化，可以得到耐酸碱、震动耐磨性能高的银色外壳，从而使得安装有银色外壳的电子设备可以满足消费者的实际使用需求，提高了用户体验，降低了电子设备的外壳的生产成本。
可选的，所述氮化层的厚度在10纳米至50纳米之间。
本公开的实施例提供的技术方案可以包括以下有益效果：通过沉积在外壳本体上的银色膜层的表层使用离子源离化后的氮气氮化，得到10纳米至50纳米之间厚度的氮化层，可以提高银色膜层的耐酸碱、震动耐磨性能，从而得到耐酸碱、震动耐磨性能高的银色外壳，从而使得安装有银色外壳的电子设备可以满足消费者的实际使用需求，提高了用户体验，降低了电子设备的外壳的生产成本。
根据本公开实施例的第二方面，提供一种电子设备，包括第一方面任一项所述的电子设备的外壳。
本公开的实施例提供的技术方案可以包括以下有益效果：通过在沉积有过渡层的外壳本体上，沉积银色膜层，并对该银色膜层的表层使用离子源离化后的氮气氮化，可以得到耐酸碱、震动耐磨性能高的银色外壳，从而使得安装有银色外壳的电子设备可以满足消费者的实际使用需求，提高了用户体验。
应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本公开。
附图说明
此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本公开的实施例，并与说明书一起用于解释本公开的原理。
图1是根据一示例性实施例示出的一种电子设备的示意图；
图2是根据一示例性实施例示出的一种电子设备的外壳的局部示意图；
图3是根据另一示例性实施例示出的一种电子设备的外壳的局部示意图；
图4是根据一示例性实施例示出的一种电子设备1100的框图。
通过上述附图，已示出本公开明确的实施例，后文中将有更详细的描述。这些附图和文字描述并不是为了通过任何方式限制本公开构思的范围，而是通过参考特定实施例为本领域技术人员说明本公开的概念。
具体实施方式
这里将详细地对示例性实施例进行说明，其示例表示在附图中。下面的描述涉及附图时，除非另有表示，不同附图中的相同数字表示相同或相似的要素。以下示例性实施例中所描述的实施方式并不代表与本公开相一致的所有实施方式。相反，它们仅是与如所附权利要求书中所详述的、本公开的一些方面相一致的装置和方法的例子。
PVD是指利用物理过程实现物质转移，即将原子或分子由源转移到基材表面上的过程。PVD的作用是可以使某些有特殊性能(例如强度高、耐磨性、散热性、耐腐性等)的微粒喷涂在性能较低的母体上，使得母体具有更好的性能。
图1是根据一示例性实施例示出的一种电子设备的示意图。如图1所示，以电子设备为终端为例，相关技术中，终端生产商在生产终端的外壳时，会采用PVD法在不锈钢材质的外壳本体上直接沉积金属银或者铝形成的银色膜层，以形成银色的外壳。
但是，通过上述方式所生产的银色的外壳不耐酸碱、震动耐磨性能差，使得安装有外壳的终端，无法满足消费者的实际使用需求。
考虑到上述问题，本公开提供了一种电子设备的外壳，通过在沉积有过渡层的外壳本体上，沉积银色膜层，并对该银色膜层的表层使用离子源离化后的氮气氮化，可以得到耐酸碱、震动耐磨性能高的银色外壳，从而使得安装有银色外壳的电子设备可以满足消费者的实际使用需求，提高了用户体验。这里所说的电子设备可以为任一需要安装银色外壳的电子设备。例如，终端，计算机，服务器等。
下面以具体地实施例对本公开的技术方案进行详细说明。下面这几个具体的实施例可以相互结合，对于相同或相似的概念或过程可能在某些实施例不再赘述。下述申请文件中，表面是指朝向电子设备的外部的一面，表层是指朝向电子设备的外部的一层。
图2是根据一示例性实施例示出的一种电子设备的外壳的局部示意图。如图2所示，该电子设备的外壳包括不锈钢材质的外壳本体。其中，
外壳本体的表面依次沉积有至少一个过渡层，以及，银色膜层；
银色膜层的表层为使用离子源离化后的氮气氮化银色膜层生成的氮化层；
过渡层，用于增强银色膜层与外壳本体之间的结合力。
上述过渡层有一个或多个。图2示出的是以一个过渡层为例的电子设备的外壳。
可选的，当外壳本体的表面沉积有一个过渡层时，该过渡层例如可以为不锈钢(SUS)层、镍(Ni)层或银铝镍(AgAlNi)层等。
可选的，当外壳本体的表面沉积有多个过渡层时，每个过渡层例如可以为SUS层、Ni层或AgAlNi层。各过渡层相同或不同。例如，以外壳本体的表面沉积有两个过渡层为例，一个过渡层可以为SUS层，另一个过渡层可以为Ni层，或者，两个过渡层均为SUS层。
本公开不限定上述过渡层的厚度，具体可以根据实际需求设定。例如，当过渡层为SUS层时，过渡层的厚度可以在10纳米至100纳米之间。当过渡层为Ni层时，过渡层的厚度可以在20纳米至60纳米之间。当过渡层为AgAlNi层时，过渡层的厚度可以在10纳米至20纳米之间。
可选的，所述银色膜层为混合有银(Ag)和有机树脂的膜层，或者，所述银色膜层为混合有银铝(AgAl)和有机树脂的膜层。其中，这里所说的有机树脂可以为有机硅树脂或环氧树脂等。该有机树脂可以为透明有机树脂，也可以为半透明有机树脂。上述银色膜层的厚度可以在300纳米至2000纳米之间。上述银色膜层中有机树脂的体积含量例如可以在0.5％至20％之间。
可选的，上述氮化层的厚度在10纳米至50纳米之间。
下面对如何采用PVD法获得上述电子设备的外壳进行说明，具体地：
1、采用机械表面处理技术，对外壳本体进行抛光、拉丝、喷砂等处理，以消除因加工工艺，导致外壳本体的外观出现毛刺、飞边、折痕、划痕、磕碰伤等缺陷。
2、对采用机械表面处理技术处理后的外壳本体进行清洗，从而实现清洁外壳本体的目的。
3、在PVD炉内，对清洗后的外壳本体采用等离子体轰击清洗，从而实现进一步清洁外壳本体的目的。
4、采用PVD法，在清洗后的外壳本体的表面沉积至少一层过渡层，以增强银色膜层与外壳本体之间的结合力。
5、采用PVD法，在至少一个过渡层中最上面的过渡层的表面沉积银色膜层。
这里所说的PVD法例如可以为PVD射频磁控溅射法。
6、使用离子源离化后的氮气轰击银色膜层，对银色膜层进行氮化处理，以使银色膜层的表层氮化。
通过这种方式，可以增强银色膜层的震动耐磨性能和耐酸碱性能，弥补了采用PVD法不能在不锈钢材质的壳体本体的表面制造耐酸碱、震动耐磨性能高的银色膜层的空缺。
本公开提供的电子设备的外壳，通过在沉积有过渡层的外壳本体上，沉积银色膜层，并对该银色膜层的表层使用离子源离化后的氮气氮化，可以得到耐酸碱、震动耐磨性能高的银色外壳，从而使得安装有银色外壳的电子设备可以满足消费者的实际使用需求，提高了用户体验。
下面通过一个具体的示例，来对本公开提供的电子设备的外壳进行示例性说明。
图3是根据另一示例性实施例示出的一种电子设备的外壳的局部示意图。如图3所示，在本示例中，外壳本体的表面沉积有3个过渡层，分别为SUS层、Ni层、AgAlNi层。其中，SUS层、Ni层、AgAlNi层依次沉积在外壳本体上。SUS层的厚度在10纳米至100纳米之间，Ni层的厚度在20纳米至60纳米之间，AgAlNi层的厚度可以在10纳米至20纳米之间。
银色膜层为混合有银铝和有机树脂的膜层。银色膜层沉积在AgAlNi层的表面。其中，银色膜层的厚度在300纳米至2000纳米之间，银色膜层中有机树脂的体积含量在0.5％至20％之间。
使用离子源离化后的氮气氮化银色膜层生成的氮化层(即银色膜层的表层)的厚度在10纳米至50纳米之间。
下面对如何采用PVD法获得上述电子设备的外壳进行说明，具体地：
1、采用机械表面处理技术，对外壳本体进行抛光、拉丝、喷砂等处理，以消除因加工工艺，导致外壳本体的外观出现毛刺、飞边、折痕、划痕、磕碰伤等缺陷。
2、对采用机械表面处理技术处理后的外壳本体进行清洗，从而实现清洁外壳本体的目的。
3、在PVD炉内，对清洗后的外壳本体采用等离子体轰击清洗，从而实现进一步清洁外壳本体的目的。
4、采用PVD法，在清洗后的外壳本体的表面依次沉积SUS层、Ni层、AgAlNi层，以增强银色膜层与外壳本体之间的结合力。
5、采用PVD射频磁控溅射法，在AgAlNi层的表面沉积银色膜层。
6、使用离子源离化后的氮气轰击银色膜层，对银色膜层进行氮化处理，以使银色膜层的表层氮化。
通过这种方式，可以增强银色膜层的震动耐磨性能和耐酸碱性能，弥补了采用PVD法不能在不锈钢材质的壳体本体的表面制造耐酸碱、震动耐磨性能高的银色膜层的空缺。
本公开提供的电子设备的外壳，通过在沉积有过渡层的外壳本体上，沉积银色膜层，并对该银色膜层的表层使用离子源离化后的氮气氮化，可以得到耐酸碱、震动耐磨性能高的银色外壳，从而使得安装有银色外壳的电子设备可以满足消费者的实际使用需求，提高了用户体验。
本公开还提供了一种电子设备，该电子设备可以包括前述实施例提供的电子设备的外壳，其实现原理和技术效果类似，此处不再赘述。
图4是根据一示例性实施例示出的一种电子设备1100的框图。例如，电子设备1100可以是移动电话，计算机，数字广播终端，消息收发设备，游戏控制台，平板设备，医疗设备，健身设备，个人数字助理等。
参照图4，电子设备1100可以包括以下一个或多个组件：处理组件1102，存储器1104，电源组件1106，多媒体组件1108，音频组件1110，输入/输出(I/O)的接口1112，传感器组件1114，以及通信组件1116。
处理组件1102通常控制电子设备1100的整体操作，诸如与显示，电话呼叫，数据通信，相机操作和记录操作相关联的操作。处理组件1102可以包括一个或多个处理器1120来执行指令。此外，处理组件1102可以包括一个或多个模块，便于处理组件1102和其他组件之间的交互。例如，处理组件1102可以包括多媒体模块，以方便多媒体组件1108和处理组件1102之间的交互。
存储器1104被配置为存储各种类型的数据以支持在电子设备1100的操作。这些数据的示例包括用于在电子设备1100上操作的任何应用程序或方法的指令，联系人数据，电话簿数据，消息，图片，视频等。存储器1104可以由任何类型的易失性或非易失性存储设备或者它们的组合实现，如静态随机存取存储器(SRAM)，电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)，可擦除可编程只读存储器(EPROM)，可编程只读存储器(PROM)，只读存储器(ROM)，磁存储器，快闪存储器，磁盘或光盘。
电源组件1106为电子设备1100的各种组件提供电力。电源组件1106可以包括电源管理系统，一个或多个电源，及其他与为电子设备1100生成、管理和分配电力相关联的组件。
多媒体组件1108包括在电子设备1100和用户之间的提供一个输出接口的触控显示屏。在一些实施例中，触控显示屏可以包括液晶显示器(LCD)和触摸面板(TP)。如果屏幕包括触摸面板，屏幕可以被实现为触摸屏，以接收来自用户的输入信号。触摸面板包括一个或多个触摸传感器以感测触摸、滑动和触摸面板上的手势。触摸传感器可以不仅感测触摸或滑动动作的边界，而且还检测与触摸或滑动操作相关的持续时间和压力。在一些实施例中，多媒体组件1108包括一个前置摄像头和/或后置摄像头。当电子设备1100处于操作模式，如拍摄模式或视频模式时，前置摄像头和/或后置摄像头可以接收外部的多媒体数据。每个前置摄像头和后置摄像头可以是一个固定的光学透镜系统或具有焦距和光学变焦能力。
音频组件1110被配置为输出和/或输入音频信号。例如，音频组件1110包括一个麦克风(MIC)，当电子设备1100处于操作模式，如呼叫模式、记录模式和语音识别模式时，麦克风被配置为接收外部音频信号。所接收的音频信号可以被进一步存储在存储器1104或经由通信组件1116发送。在一些实施例中，音频组件1110还包括一个扬声器，用于输出音频信号。
I/O接口1112为处理组件1102和外围接口模块之间提供接口，上述外围接口模块可以是键盘，点击轮，按钮等。这些按钮可包括但不限于：主条按钮、音量按钮、启动按钮和锁定按钮。
传感器组件1114包括一个或多个传感器，用于为电子设备1100提供各个方面的状态评估。例如，传感器组件1114可以检测到电子设备1100的打开/关闭状态，组件的相对定位，例如组件为电子设备1100的显示器和小键盘，传感器组件1114还可以检测电子设备1100或电子设备1100一个组件的位置改变，用户与电子设备1100接触的存在或不存在，电子设备1100方位或加速/减速和电子设备1100的温度变化。传感器组件1114可以包括接近传感器，被配置用来在没有任何的物理接触时检测附近物体的存在。传感器组件1114还可以包括光传感器，如CMOS或CCD图像传感器，用于在成像应用中使用。在一些实施例中，该传感器组件1114还可以包括加速度传感器，陀螺仪传感器，磁传感器，压力传感器或温度传感器。
通信组件1116被配置为便于电子设备1100和其他设备之间有线或无线方式的通信。电子设备1100可以接入基于通信标准的无线网络，如WiFi，2G或3G，或它们的组合。在一个示例性实施例中，通信组件1116经由广播信道接收来自外部广播管理系统的广播信号或广播相关信息。在一个示例性实施例中，通信组件1116还包括近场通信(NFC)模块，以促进短程通信。例如，在NFC模块可基于射频识别(RFID)技术，红外数据协会(IrDA)技术，超宽带(UWB)技术，蓝牙(BT)技术和其他技术来实现。
在示例性实施例中，电子设备1100可以被一个或多个应用专用集成电路(ASIC)、数字信号处理器(DSP)、数字信号处理设备(DSPD)、可编程逻辑器件(PLD)、现场可编程门阵列(FPGA)、控制器、微控制器、微处理器或其他电子元件实现。
在示例性实施例中，还提供了一种包括指令的非临时性计算机可读存储介质，例如包括指令的存储器1104，上述指令可由电子设备1100的处理器1120执行。例如，非临时性计算机可读存储介质可以是ROM、随机存取存储器(RAM)、CD-ROM、磁带、软盘和光数据存储设备等。
上述电子设备1100还可以包括下述外壳，具体地：
该外壳包括：不锈钢材质的外壳本体；
外壳本体的表面依次沉积有至少一个过渡层，以及，银色膜层；
银色膜层的表层为使用离子源离化后的氮气氮化银色膜层生成的氮化层；
过渡层，用于增强银色膜层与外壳本体之间的结合力。
可选的，上述过渡层为不锈钢层、镍层或银铝镍层。
可选的，上述至少一个过渡层为三个，分别为不锈钢层、镍层、银铝镍层；
不锈钢层、镍层、银铝镍层依次沉积在外壳本体上。
可选的，上述不锈钢层的厚度在10纳米至100纳米之间。
可选的，上述镍层的厚度在20纳米至60纳米之间。
可选的，上述银铝镍层的厚度在10纳米至20纳米之间。
可选的，上述银色膜层为混合有银和有机树脂的膜层，或者，银色膜层为混合有银铝和有机树脂的膜层。
可选的，上述银色膜层采用PVD射频磁控溅射法沉积在至少一个过渡层中最上面的过渡层的表面。
可选的，上述有机树脂为有机硅树脂或环氧树脂。
可选的，上述银色膜层的厚度在300纳米至2000纳米之间。
可选的，上述银色膜层中有机树脂的体积含量在0.5％至20％之间。
可选的，上述氮化层的厚度在10纳米至50纳米之间。
本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的公开后，将容易想到本公开的其它实施方案。本申请旨在涵盖本公开的任何变型、用途或者适应性变化，这些变型、用途或者适应性变化遵循本公开的一般性原理并包括本公开未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的，本公开的真正范围和精神由下面的权利要求书指出。
应当理解的是，本公开并不局限于上面已经描述并在附图中示出的精确结构，并且可以在不脱离其范围进行各种修改和改变。本公开的范围仅由所附的权利要求书来限制。

Claims (13)

1.一种电子设备的外壳，其特征在于，包括：不锈钢材质的外壳本体；
所述外壳本体的表面依次沉积有至少一个过渡层，以及，银色膜层；
所述银色膜层的表层为使用离子源离化后的氮气氮化所述银色膜层生成的氮化层；
所述过渡层，用于增强所述银色膜层与所述外壳本体之间的结合力。
2.根据权利要求1所述的外壳，其特征在于，所述过渡层为不锈钢层、镍层或银铝镍层。
3.根据权利要求1所述的外壳，其特征在于，所述至少一个过渡层为三个，分别为不锈钢层、镍层、银铝镍层；
所述不锈钢层、所述镍层、所述银铝镍层依次沉积在所述外壳本体上。
4.根据权利要求3所述的外壳，其特征在于，所述不锈钢层的厚度在10纳米至100纳米之间。
5.根据权利要求3所述的外壳，其特征在于，所述镍层的厚度在20纳米至60纳米之间。
6.根据权利要求3所述的外壳，其特征在于，所述银铝镍层的厚度在10纳米至20纳米之间。
7.根据权利要求1所述的外壳，其特征在于，所述银色膜层为混合有银和有机树脂的膜层，或者，所述银色膜层为混合有银铝和有机树脂的膜层。
8.根据权利要求7所述的外壳，其特征在于，所述银色膜层采用PVD射频磁控溅射法沉积在所述至少一个过渡层中最上面的过渡层的表面。
9.根据权利要求7所述的外壳，其特征在于，所述有机树脂为有机硅树脂或环氧树脂。
10.根据权利要求7所述的外壳，其特征在于，所述银色膜层的厚度在300纳米至2000纳米之间。
11.根据权利要求7所述的外壳，其特征在于，所述银色膜层中有机树脂的体积含量在0.5％至20％之间。
12.根据权利要求1所述的外壳，其特征在于，所述氮化层的厚度在10纳米至50纳米之间。
13.一种电子设备，其特征在于，包括如权利要求1-12任一项所述的电子设备的外壳。
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