CN102456726B

CN102456726B - 锗硅异质结双极晶体管

Info

Publication number: CN102456726B
Application number: CN 201010511184
Authority: CN
Inventors: 钱文生
Original assignee: Shanghai Hua Hong NEC Electronics Co Ltd
Current assignee: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp
Priority date: 2010-10-19
Filing date: 2010-10-19
Publication date: 2013-07-24
Anticipated expiration: 2030-10-19
Also published as: CN102456726A

Abstract

本发明公开了一种锗硅异质结双极晶体管，其集电区由形成于有源区中的离子注入区一加上形成于有源区两侧的场氧区底部的离子注入区二和离子注入区三组成。所述离子注入区三和场氧区底部表面相隔一纵向距离、其宽度和场氧区的宽度相同。离子注入区二位于离子注入区三的顶部、且离子注入区二的底部和离子注入区三交叠并连接。离子注入区一的深度大于场氧区的底部深度、离子注入区一的底部和离子注入区二相连接。离子注入区三的掺杂浓度大于离子注入区一和离子注入区二的掺杂浓度。通过赝埋层顶部场氧区中的深孔接触引出集电区。本发明能提高器件的击穿电压、维持较高的特征频率，还能降低集电区的串联电阻和降低器件的饱和压降。

Description

锗硅异质结双极晶体管

技术领域

本发明涉及一种半导体集成电路器件，特别是涉及一种锗硅异质结双极晶体管。

背景技术

饱和压降(Vcesat)是双极晶体管的一个重要性能参数，它反映了晶体管在一定的集电极电流下进入线形区所需要的Vce的大小，因此直接关系到晶体管正常工作时的直流功耗。降低饱和压降是降低双极晶体管直流功耗的必要手段，特别是对高压双极晶体管更有意义。在射频高压锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBT)中，为了在高击穿电压下维持较高的特征频率，不能一味以增加轻掺杂集电区厚度的方法增加晶体管击穿电压，而将晶体管两侧的赝埋层拉开距离，依靠集电区/基区结耗尽区的二维分布增加晶体管击穿电压，但带来的问题是横向轻掺杂集电区尺寸的加大也加大了集电区的串联电阻，因此也加大了饱和压降，特别是场氧区下轻掺杂集电区在硅中的深度较浅，更加增大了串联电阻和饱和压降。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种锗硅异质结双极晶体管，能降低集电区的串联电阻和降低器件的饱和压降。

为解决上述技术问题，本发明提供的锗硅异质结双极晶体管形成于P型硅衬底上，有源区由场氧区隔离，所述锗硅异质结双极晶体管包括：

一集电区，由形成于所述有源区中的离子注入区一加上形成于所述有源区两侧的所述场氧区底部的离子注入区二和离子注入区三组成；所述离子注入区一、离子注入区二、离子注入区三都具有第一导电类型；所述离子注入区三为一和所述场氧区底部表面相隔一纵向距离的深赝埋层、所述离子注入区三的宽度和所述场氧区的宽度相同；所述离子注入区二位于所述离子注入区三的顶部、且所述离子注入区二的底部和所述离子注入区三交叠并连接；所述离子注入区一的深度大于所述场氧区的底部深度、所述离子注入区一的底部和所述离子注入区二相连接；所述离子注入区三的掺杂浓度大于所述离子注入区一和所述离子注入区二的掺杂浓度。

一赝埋层，由形成于所述有源区两侧的场氧区底部的离子注入区四组成，所述离子注入区四具有第一导电类型；所述赝埋层在横向位置上和所述有源区相隔一横向距离、所述赝埋层的结深小于所述离子注入区二的结深并和所述离子注入区二交叠连接、所述赝埋层和所述离子注入区三相隔一纵向距离；所述赝埋层的掺杂浓度大于所述离子注入区一和所述离子注入区二的掺杂浓度；通过在所述赝埋层顶部的场氧区形成的深孔接触引出所述集电区电极。

一基区，由形成于所述硅衬底上的第二导电类型的锗硅外延层组成，包括一本征基区和一外基区，所述本征基区形成于所述有源区上部且和所述集电区形成接触，所述外基区形成于所述场氧区上部且用于形成基区电极。

一发射区，由形成于所述本征基区上部的第一导电类型多晶硅组成，和所述本征基区形成接触。

更优选择为，所述离子注入区一和所述离子注入区二的离子注入条件相同且工艺条件为：注入剂量1e12cm^-2～5e14cm^-2，注入能量为50KeV～500KeV。

更优选择为，所述离子注入区三是在浅沟槽形成后、场氧区形成前在所述浅沟槽底部进行离子注入形成，所述离子注入区三的注入剂量为1e14cm^-2～1e16cm^-2，注入能量为200kev～2000kev；第一导电类型为N型时，所述离子注入区三的注入杂质为磷或砷；或第一导电类型为P型时，所述离子注入区三的注入杂质为硼。

更优选择为，所述离子注入区一和所述离子注入区二是在浅沟槽形成后、场氧区形成前、所述有源区覆盖有硬掩模层时同时在所述有源区和所述浅沟槽底部进行离子注入形成。所述硬掩模层为氧化硅的单层结构、或氮化硅加氧化硅的双层结构，所述硬掩模层的总厚度小于2000埃。

更优选择为，所述赝埋层的离子注入区四是在浅沟槽形成后、场氧区形成前通过离子注入形成，该离子注入的工艺条件为：注入剂量1e14cm^-2～1e16cm^-2，注入能量1KeV～100KeV。

更优选择为，所述锗硅外延层采用第二导电类型杂质掺杂，该第二导电类型杂质掺杂的工艺为离子注入工艺，工艺条件为：注入剂量为1e14cm^-2～1e16cm^-2、注入能量为1KeV～50KeV；锗的分布为是梯形分布、或三角形分布。

更优选择为，所述发射区的第一导电类型多晶硅通过第一导电类型离子注入进行掺杂，所述第一导电类型离子注入的工艺条件为：注入剂量1e14cm^-2～1e16cm^-2，注入能量10KeV～200KeV。

更优选择为，所述锗硅异质结双极晶体管为NPN管时，所述第一导电类型为N型，所述第二导电类型为P型；所述锗硅异质结双极晶体管为PNP管时，所述第一导电类型为P型，所述第二导电类型为N型。

本发明的有益效果为：

1、本发明的集电区通过离子注入区一、离子注入区二、离子注入区三的设置，使所述集电区分为处于有源区中的纵向部分和处于场氧区底部的横向部分，使所述集电区/基区结耗尽区为二维结构，从而能提高器件的击穿电压、并能维持较高的特征频率。

2、本发明的离子注入区三的掺杂浓度为大于所述离子注入区一的掺杂浓度的高掺杂浓度，故能够减少场氧区下方的集电区的串联电阻即能降低集电区的横向串联电阻，从而也能降低器件的饱和压降。

3、本发明的离子注入区二增加了集电区的横向部分的结深，所述离子注入区二的结深能够设置的和所述离子注入一即集电区的纵向部分的结深相同，这样就能进一步的降低集电区的横向串联电阻。

4、本发明的集电区采用重掺杂的赝埋层并通过深孔接触引出集电区，相对于现有扩散区集电极串联电阻要大大降低。

附图说明

下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明：

图1是本发明实施例器件结构示意图；

图2A-图2G是本发明实施例制造方法过程中的器件结构示意图。

具体实施方式

如图1所示，是本发明实施例结构示意图。本发明实施例锗硅异质结双极晶体管形成于P型硅衬底101上，有源区由场氧区109隔离，所述锗硅异质结双极晶体管包括：

一集电区，由形成于所述有源区中的离子注入区一108a加上形成于所述有源区两侧的所述场氧区109底部的离子注入区二108b和离子注入区三105组成；所述离子注入区一108a、离子注入区二108b、离子注入区三105都具有第一导电类型；所述离子注入区三105为一和所述场氧区109底部表面相隔一纵向距离的深赝埋层107、所述离子注入区三105的宽度和所述场氧区109的宽度相同；所述离子注入区二108b位于所述离子注入区三105的顶部、且所述离子注入区二108b的底部和所述离子注入区三105交叠并连接；所述离子注入区一108a的深度大于所述场氧区109的底部深度、所述离子注入区一108a的底部和所述离子注入区二108b相连接；所述离子注入区三105的掺杂浓度大于所述离子注入区一108a和所述离子注入区二108b的掺杂浓度。

所述离子注入区一108a和所述离子注入区二108b是在浅沟槽形成后、场氧区109形成前、所述有源区覆盖有硬掩模层时同时在所述有源区和所述浅沟槽底部进行离子注入形成。所述硬掩模层为氧化硅的单层结构、或氮化硅加氧化硅的双层结构，所述硬掩模层的总厚度小于2000埃。所述离子注入区一108a和所述离子注入区二108b的离子注入条件相同且工艺条件为：注入剂量1e12cm^-2～5e14cm^-2，注入能量为50KeV～500KeV。

所述离子注入区三105是在浅沟槽形成后、场氧区109形成前在所述浅沟槽底部进行离子注入形成，所述离子注入区三105的注入剂量为1e14cm^-2～1e16cm^-2，注入能量为200kev～2000kev；第一导电类型为N型时，所述离子注入区三105的注入杂质为磷或砷；或第一导电类型为P型时，所述离子注入区三105的注入杂质为硼。

一赝埋层107，由形成于所述有源区两侧的场氧区109底部的离子注入区四组成，所述离子注入区四具有第一导电类型；所述赝埋层107在横向位置上和所述有源区相隔一横向距离即处于所述场氧区109底部的远离所述集电区的一侧、所述赝埋层107的结深小于所述离子注入区二108b的结深并和所述离子注入区二108b交叠连接、所述赝埋层107和所述离子注入区三105相隔一纵向距离；所述赝埋层107的掺杂浓度大于所述离子注入区一108a和所述离子注入区二108b的掺杂浓度；通过在所述赝埋层107顶部的场氧区109形成的深孔接触引出所述集电区电极。所述赝埋层107的离子注入区四是在浅沟槽形成后、场氧区109形成前通过离子注入形成，该离子注入的工艺条件为：注入剂量1e14cm^-2～1e16cm^-2，注入能量1KeV～100KeV。

一基区111，由形成于所述硅衬底101上的第二导电类型的锗硅外延层组成，包括一本征基区和一外基区，所述本征基区形成于所述有源区上部且和所述集电区形成接触，所述外基区形成于所述场氧区109上部且用于形成基区电极。所述本征基区的位置和大小由一基区窗口进行定义，所述基区窗口位于所述有源区上方且所述基区窗口的尺寸大于或等于所述有源区尺寸，所述基区窗口的位置和大小由基区窗口介质层110进行定义，所述基区窗口介质层110包括第一层氧化硅薄膜、第二层多晶硅薄膜，所述第一层氧化硅薄膜形成于所述硅衬底上、第二层多晶硅薄膜形成于所述第一层氧化硅薄膜上。所述锗硅外延层采用第二导电类型杂质掺杂，该第二导电类型杂质掺杂的工艺为离子注入工艺，工艺条件为：注入剂量为1e14cm^-2～1e16cm^-2、注入能量为1KeV～50KeV；锗的分布为是梯形分布、或三角形分布。

一发射区113，由形成于所述本征基区上部的第一导电类型多晶硅组成，和所述本征基区形成接触。所述发射区位置和大小由一发射区窗口进行定义，所述发射区窗口位于所述本征基区上方且所述发射区窗口的尺寸小于所述有源区尺寸，所述发射区窗口的位置和大小由发射区窗口介质层112进行定义，所述发射区窗口介质层112包括第三层氧化硅薄膜、第四层氮化硅薄膜，且所述第三层氧化硅薄膜形成于所述锗硅外延层上、所述第四层氮化硅薄膜形成于所述第三层氧化硅薄膜上。所述发射区113的第一导电类型多晶硅通过第一导电类型离子注入进行掺杂，所述第一导电类型离子注入的工艺条件为：注入剂量1e14cm^-2～1e16cm^-2，注入能量10KeV～200KeV。

上述结构中，在所述发射区113侧面形成有氧化硅侧墙116。所述发射区113和所述外基区的表面都覆盖有硅化物。所述深孔接触114是通过在所述赝埋层107顶部的场氧区109中开一深孔并在所述深孔中淀积钛/氮化钛阻挡金属层后、再填入钨形成。所述基区111电极和所述发射区113电极分别通过金属接触115引出。

上述结构中所述锗硅异质结双极晶体管为NPN管时，所述第一导电类型为N型，所述第二导电类型为P型；所述锗硅异质结双极晶体管为PNP管时，所述第一导电类型为P型，所述第二导电类型为N型。

如图2A至图2G所示，是本发明实施例制造方法过程中的器件结构示意图。本发明实施例制造方法包括如下步骤：

步骤一、如图2A所示，在P型衬底101上淀积硬掩膜层氧化硅102和氮化硅103，光刻、刻蚀形成场氧区109的浅沟槽104。所述硬掩模层的总厚度小于2000埃。进行高能量、大剂量注入形成深赝埋层即所述离子注入区三105。所述离子注入区三105的注入剂量为1e14cm^-2～1e16cm^-2，注入能量为200kev～2000kev；第一导电类型为N型时，所述离子注入区三105的注入杂质为磷或砷；或第一导电类型为P型时，所述离子注入区三105的注入杂质为硼。

步骤二、如图2B所示，光刻定义赝埋层107区域，以所述光刻胶105为掩模进行大剂量、低能量第一导电类型的离子注入形成赝埋层107。该离子注入的工艺条件为：注入剂量1e14cm^-2～1e16cm^-2，注入能量1KeV～100KeV。

步骤三、如图2C所示，在所述硅衬底101的形成所述锗硅异质结双极晶体管的区域带硬掩膜层多次进行集电区注入，形成具有第一导电类型的低掺杂集电区，所述低掺杂集电区包括离子注入区一108a、离子注入区二108b。其中所述离子注入区一108a和所述离子注入区二108b是在浅沟槽104形成后、场氧区109形成前、所述有源区覆盖有硬掩模层时同时在所述有源区和所述浅沟槽104底部进行离子注入形成，即采用相同的离子注入工艺同时形成所述离子注入区一108a和所述离子注入区二108b，其中所述离子注入区一108a的注入时要穿过所述硬掩模层，而所述离子注入区二108b的注入则为直接注入到沟槽底部的硅衬底101中。所述离子注入区一108a和所述离子注入区二108b的离子注入工艺条件为：注入剂量1e12cm^-2～5e14cm^-2，注入能量为50KeV～500KeV。上述的所述硬掩模层为氧化硅的单层结构、或氮化硅加氧化硅的双层结构，所述硬掩模层的总厚度小于2000埃。

步骤四、如图2D所示，在所述浅沟槽104中淀积场氧形成场氧区109，并通过机械化学抛光形成平坦化。

步骤五、如图2E所示，淀积基区窗口介质层110，所述基区窗口介质层110能为氧化硅、氮化硅、多晶硅的单层或复层结构；刻蚀所述基区窗口介质层110形成基区窗口，所述基区窗口位于所述有源区上方且所述基区窗口的尺寸大于或等于所述有源区尺寸；生长锗硅外延层薄膜，在位掺杂第二导电类型杂质，并刻蚀所述有源区外具有多晶硅结构的所述锗硅外延层和所述基区窗口介质层110形成基区111。所述基区111包括一本征基区和一外基区，所述本征基区形成于所述有源区上部且和所述集电区形成接触，所述外基区形成于所述场氧区109上部且用于形成基区电极。所述锗硅外延层还离子注入工艺进行第二导电类型杂质掺杂，工艺条件为：注入剂量为1e14cm^-2～1e16cm^-2、注入能量为1KeV～50KeV；锗的分布为是梯形分布、或三角形分布。

步骤六、如图2F所示，淀积发射区窗口介质层112，所述发射区窗口介质层112为氧化硅、氮化硅组成的单层或复层结构；刻蚀所述发射区窗口介质层112形成发射区窗口，所述发射区窗口位于所述本征基区上方且所述发射区窗口的尺寸小于所述有源区尺寸；淀积多晶硅并进行重掺杂离子注入，该重掺杂离子注入的工艺条件为：注入杂质为第一导电类型离子、注入剂量1e14cm^-2～1e16cm^-2，注入能量10KeV～200KeV；刻蚀所述多晶硅和所述发射区窗口介质层112形成发射区113。接着在进行高剂量的第二导电类型的外基区离子注入。

步骤七、如图2G所示，制作发射极侧墙116，所述发射极侧墙能为氧化硅侧墙或氮化硅侧墙。

步骤八、如图2G所示，自对准在所述发射区113和所述外基区的表面形成硅化物。

步骤九、如图1所示，淀积层间膜，刻蚀所述层间膜形成接触孔和深接触孔；并在所述接触孔中填入金属分别形成基极和发射极的金属接触115；在所述深接触孔淀积钛/氮化钛阻挡金属层后、再填入钨形成所述深孔接触114，所述通过所述深孔接触114和所述赝埋层106接触引出所述集电区电极。接着再进行后道工艺。

以上通过具体实施例对本发明进行了详细的说明，但这些并非构成对本发明的限制。在不脱离本发明原理的情况下，本领域的技术人员还可做出许多变形和改进，这些也应视为本发明的保护范围。

Claims

1.一种锗硅异质结双极晶体管，形成于P型硅衬底上，有源区由场氧区隔离，其特征在于，所述锗硅异质结双极晶体管包括：

一集电区，由形成于所述有源区中的离子注入区一加上形成于所述有源区两侧的所述场氧区底部的离子注入区二和离子注入区三组成；所述离子注入区一、离子注入区二、离子注入区三都具有第一导电类型；所述离子注入区三为一和所述场氧区底部表面相隔一纵向距离的深赝埋层、所述离子注入区三的宽度和所述场氧区的宽度相同；所述离子注入区二位于所述离子注入区三的顶部、且所述离子注入区二的底部和所述离子注入区三交叠并连接；所述离子注入区一的深度大于所述场氧区的底部深度、所述离子注入区一的底部和所述离子注入区二相连接；所述离子注入区三的掺杂浓度大于所述离子注入区一和所述离子注入区二的掺杂浓度；

一赝埋层，由形成于所述有源区两侧的场氧区底部的离子注入区四组成，所述离子注入区四具有第一导电类型；所述赝埋层在横向位置上和所述有源区相隔一横向距离、所述赝埋层的结深小于所述离子注入区二的结深并和所述离子注入区二交叠连接、所述赝埋层和所述离子注入区三相隔一纵向距离；所述赝埋层的掺杂浓度大于所述离子注入区一和所述离子注入区二的掺杂浓度；通过在所述赝埋层顶部的场氧区形成的深孔接触引出所述集电区电极；

一基区，由形成于所述硅衬底上的第二导电类型的锗硅外延层组成，包括一本征基区和一外基区，所述本征基区形成于所述有源区上部且和所述集电区形成接触，所述外基区形成于所述场氧区上部且用于形成基区电极；

2.如权利要求1所述锗硅异质结双极晶体管，其特征在于：所述离子注入区一和所述离子注入区二的离子注入条件相同且工艺条件为：注入剂量1e12cm^-2～5e14cm^-2，注入能量为50KeV～500KeV。

3.如权利要求1所述锗硅异质结双极晶体管，其特征在于：所述离子注入区三是在浅沟槽形成后、场氧区形成前在所述浅沟槽底部进行离子注入形成，所述离子注入区三的注入剂量为1e14cm^-2～1e16cm^-2，注入能量为200kev～2000kev；第一导电类型为N型时，所述离子注入区三的注入杂质为磷或砷；或第一导电类型为P型时，所述离子注入区三的注入杂质为硼。

4.如权利要求2所述锗硅异质结双极晶体管，其特征在于：所述离子注入区一和所述离子注入区二是在浅沟槽形成后、场氧区形成前、所述有源区覆盖有硬掩模层时同时在所述有源区和所述浅沟槽底部进行离子注入形成。

5.如权利要求4所述锗硅异质结双极晶体管，其特征在于：所述硬掩模层为氧化硅的单层结构、或氮化硅加氧化硅的双层结构，所述硬掩模层的总厚度小于2000埃。

6.如权利要求1所述锗硅异质结双极晶体管，其特征在于：所述赝埋层的离子注入区四是在浅沟槽形成后、场氧区形成前通过离子注入形成，该离子注入的工艺条件为：注入剂量1e14cm^-2～1e16cm^-2，注入能量1KeV～100KeV。

7.如权利要求1所述锗硅异质结双极晶体管，其特征在于：所述锗硅外延层采用第二导电类型杂质掺杂，该第二导电类型杂质掺杂的工艺为离子注入工艺，工艺条件为：注入剂量为1e14cm^-2～1e16cm^-2、注入能量为1KeV～50KeV；锗的分布为梯形分布、或三角形分布。

8.如权利要求1所述锗硅异质结双极晶体管，其特征在于：所述发射区的第一导电类型多晶硅通过第一导电类型离子注入进行掺杂，所述第一导电类型离子注入的工艺条件为：注入剂量1e14cm^-2～1e16cm^-2，注入能量10KeV～200KeV。

9.如权利要求1～7所述锗硅异质结双极晶体管，其特征在于：所述锗硅异质结双极晶体管为NPN管时，所述第一导电类型为N型，所述第二导电类型为P型；所述锗硅异质结双极晶体管为PNP管时，所述第一导电类型为P型，所述第二导电类型为N型。