CN102456705A - 有机发光显示装置及其制造方法 - Google Patents

有机发光显示装置及其制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN102456705A
CN102456705A CN2011100502502A CN201110050250A CN102456705A CN 102456705 A CN102456705 A CN 102456705A CN 2011100502502 A CN2011100502502 A CN 2011100502502A CN 201110050250 A CN201110050250 A CN 201110050250A CN 102456705 A CN102456705 A CN 102456705A
Authority
CN
China
Prior art keywords
film
electrode
display device
active layer
organic light
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN2011100502502A
Other languages
English (en)
Other versions
CN102456705B (zh
Inventor
崔宝京
曹圭湜
文相皓
崔埈厚
柳春其
朴鲜
朴锺贤
李律圭
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Display Co Ltd
Original Assignee
Samsung Mobile Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Mobile Display Co Ltd filed Critical Samsung Mobile Display Co Ltd
Publication of CN102456705A publication Critical patent/CN102456705A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN102456705B publication Critical patent/CN102456705B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1255—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs integrated with passive devices, e.g. auxiliary capacitors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
    • H01L27/1288—Multistep manufacturing methods employing particular masking sequences or specially adapted masks, e.g. half-tone mask
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
    • H01L29/49—Metal-insulator-semiconductor electrodes, e.g. gates of MOSFET
    • H01L29/4908—Metal-insulator-semiconductor electrodes, e.g. gates of MOSFET for thin film semiconductor, e.g. gate of TFT
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/852—Arrangements for extracting light from the devices comprising a resonant cavity structure, e.g. Bragg reflector pair
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H10K59/1216—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being capacitors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K59/876—Arrangements for extracting light from the devices comprising a resonant cavity structure, e.g. Bragg reflector pair

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

本发明提供有机发光显示装置，包括：缓冲层，设置于基板上，并包括折射率不同的多个绝缘膜，所述多个绝缘膜中的至少一个在同一面上形成为不同的厚度；薄膜晶体管的活性层，形成于所述缓冲层的厚度较厚的区域；像素电极，形成于所述缓冲层的厚度较薄的区域；薄膜晶体管的栅电极、源电极以及漏电极，所述栅电极隔着栅绝缘膜形成于所述活性层上，所述薄膜晶体管的源电极以及漏电极连接至所述活性层；发光层，形成于所述像素电极上；以及相对电极，隔着所述发光层与所述像素电极相对地设置。

Description

有机发光显示装置及其制造方法
技术领域
本发明涉及有机发光显示装置及其制造方法。
背景技术
有机发光显示装置不仅能做到轻薄，还具有视角广、响应速度快以及电耗低等优点，因而，其作为下一代显示装置而受人瞩目。
另外，实现出全彩(full color)的有机发光显示装置采用光学共振结构，所述光学共振结构使各个波长的光学长度发生变化，所述各个波长的光学长度是从不同颜色的各个像素(例如，红色像素、绿色像素、蓝色像素)的有机发光层射出的。
发明内容
本发明的目的在于提供一种光特性以及器件特性优良，且制造工序简单的有机发光显示装置及其制造方法。
根据本发明一方面，本发明提供一种有机发光显示装置，包括：缓冲层，设置于基板上，并包括折射率不同的多个绝缘膜，所述多个绝缘膜中的至少一个在同一面上形成为不同的厚度；薄膜晶体管的活性层，形成于所述缓冲层的厚度较厚的区域；像素电极，形成于所述缓冲层的厚度较薄的区域；薄膜晶体管的栅电极、源电极以及漏电极，所述栅电极隔着栅绝缘膜形成于所述活性层上，所述源电极以及漏电极连接于所述活性层；发光层，形成于所述像素电极上；以及相对电极，隔着所述发光层，与所述像素电极相对地设置。
根据本发明的另一特征，在所述多个绝缘膜中，形成为具有不同厚度的膜可以是所述缓冲层中的最上层膜。
根据本发明的另一特征，所述缓冲层中的最上层膜氢含量相比于所述最上层膜的下部膜低。
根据本发明的另一特征，所述活性层包括多晶硅，所述缓冲层中的最上层膜的下部膜，填充至所述多晶硅的缺陷位置，从而可以矫正缺陷。
根据本发明的另一特征，所述缓冲层中的最上层膜以及所述最上层膜的下部膜，分别可以是氧化硅以及氮化硅。
根据本发明的另一特征，所述缓冲层中厚度较厚的区域的截面形状，与所述活性层的蚀刻面的截面可以相同。
根据本发明的另一特征，所述多个绝缘膜中，相互邻近的膜的折射率可以不同。
根据本发明的另一特征，所述栅绝缘膜可以包括多个折射率不同的膜。
根据本发明的另一特征，在所述栅绝缘膜的多个膜可以为，接触所述活性层的膜的氢含量相比不接触所述活性层的膜低。
根据本发明的另一特征，所述活性层包括多晶硅，不接触于所述活性层的膜填充至所述多晶硅的缺陷位置，从而可以矫正所述缺陷。
根据本发明的另一特征，在所述栅绝缘膜的多个膜中，接触所述活性层的膜以及不接触所述活性层的膜分别可以是氧化硅以及氮化硅。
根据本发明的另一特征，所述像素电极可以为透明电极，所述相对电极可以为反射电极。
根据本发明的另一特征，还可包括电容器的下部电极和电容器的上部电极。所述下部电极形成于与所述活性层相同的层中，所述缓冲层的厚度较厚的区域，所述上部电极形成于与所述栅电极相同的层。
根据本发明的另一特征，所述下部电极的端部，与所述缓冲层的厚度厚的区域的端部的蚀刻面形状可以相同。
根据本发明的另一特征，所述下部电极包括多晶硅，所述栅绝缘膜的多个膜可以为，接触所述下部电极的膜的氢含量，相比不接触于所述下部电极的其他膜低。
根据本发明的另一特征，接触于所述下部电极的膜以及不接触于所述下部电极的膜，分别可以是氧化硅以及氮化硅。
根据本发明另一方面，本发明提供一种有机发光显示装置的制造方法，包括：在基板上形成缓冲层，所述缓冲层包括折射率不同的多个绝缘膜；在所述缓冲层上形成半导体层之后图案化所述半导体层，从而形成活性层，所述缓冲层被形成为：形成有所述活性层的区域相比于未形成有所述活性层的区域，厚度还厚；形成栅绝缘膜以覆盖所述活性层，在所述栅绝缘膜上的所述缓冲层厚度薄的区域中形成像素电极，隔着所述栅绝缘膜，在所述活性层上形成栅电极；形成层间绝缘膜，在所述层间绝缘膜上形成开口，以露出部分所述活性层以及部分像素电极；形成连接于所述活性层的源电极以及漏电极；以及形成覆盖所述源电极以及所述漏电极且具有开口的像素定义膜，所述开口露出所述像素电极。
根据本发明的其他特征，在所述基板上形成包括多个折射率不同的绝缘膜的缓冲层时，所述缓冲层中的最上层膜可以形成为比其他膜厚。
根据本发明的另一其他特征，可将所述缓冲层中的最上层膜，在同一面上形成为不同的厚度。
根据本发明的另一其他特征，以所述活性层作为遮盖掩模，可以将缓冲层蚀刻成具有不同的厚度。
根据本发明的另一其他特征，形成所述活性层时，可伴随着进行非晶硅的结晶化工序。
根据本发明的另一其他特征，可以以折射率不同的多个膜形成所述栅绝缘膜。
根据本发明的另一其他特征，可在与所述活性层相同的层，形成电容器下部电极，可在与所述栅电极相同的层形成电容器上部电极，其中，所述电容器下部电极包括与所述活性层相同的物质，所述电容器上部电极包括与所述栅电极相同的物质。
根据本发明的另一其他特征，将所述下部电极作为遮盖掩模，可以将缓冲层蚀刻成具有不同的厚度。
根据本发明的另一其他特征，形成所述源电极以及所述漏电极时，可去除部分所述上部电极，并向所述下部电极掺杂离子杂质。
如上所述的根据本发明的有机发光显示装置通过以像素区域和晶体管区域为单位，分别以不同的厚度形成像素电极以及活性层下部的缓冲层，从而可以提高由共振效果所引起的可再现的色度范围以及由矫正晶粒界面的缺陷所引起的器件特性。
并且，在用于图案化活性层的掩模工序中，通过不增加另外的掩模工序而蚀刻缓冲层，从而可以简化制造工序。
附图说明
图1至图8是概略示出根据本发明一实施例的有机发光显示装置的制造过程的截面图；
图9是概略示出根据所述制造方法形成的有机发光显示装置的截面图；
图10是概略示出根据本发明另一实施例的有机发光显示装置的截面图。
附图标记说明
1、2：有机发光显示装置； 10：基板；
11：缓冲层；             12：半导体层；
13：栅绝缘膜；           16：层间绝缘膜；
114：第一像素电极；      115：第二像素电极；
118：发光层；            119：相对电极；
212：活性层；            214：第一栅电极；
215：第二栅电极；        217a、217b：源电极、漏电极；
312：下部电极；          314：第一上部电极；
315：第二上部电极；      PXL：像素区域；
TFT：晶体管区域          CAP：电容器区域。
具体实施方式
下面参考附图所图示的本发明的优选实施例，对本发明进行详细说明。
首先，如图1至图8所示，说明根据本发明一实施例的有机发光显示装置1及其制造方法。
图1至图8是概略示出根据本实施例的有机发光显示装置1的制造过程的截面图，图9是概略示出根据所述制造方法形成的有机发光显示装置1的截面图。
如图1所示，在基板10上依次形成缓冲层11以及半导体层12，所述缓冲层11包括具有不同折射率的多个绝缘膜11-1、11-2、11-3。
由可以使光透过的透明材质的玻璃材料或塑料材料形成基板10。
基板10上依次形成不同折射率的多个绝缘膜11-1、11-2、11-3，从而形成缓冲层11。图1图示了作为缓冲层11形成有三层膜，但这仅是一实施例，本发明并不限于此。即，可以形成最少两个以上具有不同折射率的膜。
可将多个绝缘膜11-1、11-2、11-3中最上层膜11-3的厚度形成为，相比最上层的下部膜11-2以及下部的膜11-1更厚。这是为了蚀刻最上层膜11-3，从而在同一面上分别形成具有不同的厚度的像素区域PXL、晶体管区域TFT以及电容器区域CAP，对此，在后面记述。
这种缓冲层11从整体上防止从基板10渗透杂质元素并平坦化基板10的表面。
并且，通过以不同折射率的多个绝缘膜11-1、11-2、11-3形成缓冲层11，从而，当从发光层118(参考图9)发出的光透过基板10时，起到将共振效果最大化的介电布拉格反射体(Dielectric Bragg Reflector：DBR)功能，从而可以提高色再现率。此时，多个绝缘膜11-1、11-2、11-3的折射率无需均不相同，只要相邻近的绝缘膜之间的折射率不同就可以。
并且，缓冲层11与活性层212的电特性相关，所述活性层212是指半导体层12将被图案化而形成的薄膜晶体管的活性层212(参考图3)。对此，在后面记述。
为了实现如上所述的功能，形成缓冲层11的多个绝缘膜11-1、11-2、11-3可以以多种物质形成。作为一实施例，可以以氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等形成所述缓冲层11。
在缓冲层11上形成半导体层12。可通过等离子体增强化学气相沉积(plasma enhanced chemical vapor deposition：PECVD)法、常压化学气相沉积(atmospheric pressure CVD：APCVD)法、低压化学气相沉积(low pressureCVD：LPCVD)法等多种沉积方法沉积缓冲层11以及半导体层12。
半导体层12可以是非晶硅(amorphous silicon)或多晶硅(poly silicon)。此时，还可以结晶化非晶硅来形成多晶硅。结晶化非晶硅的方法有：快速热退火(rapid thermal annealing：RTA)法、固相晶化(solid phase crystallization：SPC)法、准分子激光热退火(excimer laser annealing：ELA)法、金属诱发晶化(metal induced crystallization：MIC)法、金属诱发侧向晶化(metal inducedlateral crystallization：MILC)法、连续侧向结晶法(sequential lateralsolidification：SLS)法等多种。
如图2所示，在半导体层12上涂布光阻剂P，实施第一掩模工序，所述第一掩模工序使用具有光阻断部M11以及光透射部M12的第一光掩模M1。
虽未在所述图中详细地图示，但以曝光装置(未图示)曝光至第一光掩模M1之后，经过显影(developing)以及蚀刻(etching)工序。
如图3所示，作为第一掩模工序的结果，半导体层12被蚀刻从而图案化为薄膜晶体管的活性层212以及电容器的下部电极312。
此时，将残存于活性层212以及下部电极312上的光阻剂P’、所述活性层212以及下部电极312作为遮盖掩模，从而以不同的厚度蚀刻缓冲层11的最上层膜11-3。即，形成为：厚度d2相比厚度d1厚，所述厚度d2是指：直接接触于活性层212的缓冲层11的最上层膜11-3的厚度，和直接接触于下部电极312的最上层膜11-3的厚度；所述厚度d1是指：像素区域PXL的最上层膜11-3的厚度。
另外，形成活性层212的半导体层为多晶硅时，可实现高分辨率显示。这是由于多晶硅的载流子(carrior)迁移率高于非晶硅的载流子(carrior)迁移率。然而，多晶硅存在不完整缺陷(defect)，如存在于晶粒界面(crystal grainboundary)中的悬挂键(dangling bond)，该缺陷使如薄膜晶体管的阈值电压(Vth)等器件的电特性下降。可通过提供氢至活性层的缺陷位置(defect site)来矫正这种缺陷。
为了解决如上所述的问题，在根据本实施例的有机发光显示装置1中，缓冲层11的多个绝缘膜11-1、11-2、11-3中的至少一个膜形成为氢含量高的绝缘膜，所述缓冲层11位于活性层212和下部电极312的下部。但是，氢含量高的绝缘膜不形成于与活性层212以及下部电极312直接接触的膜上。本实施例中，下部膜11-2的氢含量高于缓冲层11的最上层膜11-3。例如，以氧化硅形成最上层膜11-3，以氮化硅形成下部膜11-2。
氢含量高的物质，如氮化硅，可以通过矫正多晶硅的缺陷位置来降低阈值电压，但是，由于杂质多且多孔(porous)，因此，若直接接触于活性层212，则可能对阈值电压的稳定性产生不良影响。从而，氮化硅和活性层212之间需要保护膜，可将氢含量相比于氮化硅低的氧化硅作为保护膜来使用。以适当的厚度形成这种保护膜，至少以1000
Figure BSA00000442753900071
以上的厚度形成保护膜才可以发挥保护膜功能。
实施例中，在同一条件下，以厚度分别为700
Figure BSA00000442753900072
以及3000
Figure BSA00000442753900073
的氧化硅形成缓冲层11的最上层膜11-3，在其下部形成氮化硅，测量阈值电压时，氧化硅的厚度厚的部位相比于厚度薄的部位，阈值电压的变化量减少了约2倍，从而可确认器件的特性稳定。
如上所述，在本实施例中，包括氧化硅的缓冲层11，其最上层膜11-3的厚度，在晶体管区域TFT和电容器区域CAP中形成得厚，在需要DBR功能的像素区域PXL中将最上层膜11-3形成得薄，从而可以同时解决显示装置的色再现率问题和器件的电特性问题。
如上所述，将活性层212和下部电极312作为遮盖掩模用于蚀刻最上层膜11-3的厚度，因此，在蚀刻最上层膜11-3时无需增加另外的掩模工序。并且，最上层膜11-3和活性层212、以及最上层膜11-3和下部电极312的蚀刻面形成相同的截面形状。
对缓冲层11的蚀刻工序之后，通过如剥离(stripping)或灰化(ashing)等一系列工序来去除残存于活性层212以及下部电极312上的光阻剂P’。
另外，在本实施例中通过蚀刻缓冲层11的最上层膜11-3来调整厚度，但本发明并不限于此。即，根据需要，可通过蚀刻不是最上层膜11-3的其它膜来调整厚度。只是，在这种情况下，在形成活性层212和下部电极312之前蚀刻缓冲层11，因此可能会增加另外的掩模工序。
图4是概略示出根据本实施例的有机发光显示装置1的第二掩模工序结果的截面图。
如图4所示，栅绝缘膜13层叠于图3的第一掩模工序的产物上，栅绝缘膜13上依次层叠包括透明导电物以及金属的层(未图示)之后，同时图案化透明导电物以及包括金属的层。
图案化的结果，栅绝缘膜13上的像素区域PXL依次形成包括透明导电物的第一像素电极114以及包括金属的第二像素电极115。即，在缓冲层11最上层膜11-3的厚度薄的区域，形成第一像素电极114以及第二像素电极115。并且，在晶体管区域TFT中依次形成有包括透明导电物的第一栅电极214以及包括金属的第二栅电极215，在电容器区域CAP中同时形成包括透明导电物的电容器第一上部电极314以及包括金属的第二上部电极315。
栅绝缘膜13可以包括选自氧化硅、氮化硅、氮氧化硅的一种以上的物质，栅绝缘膜13起到电容器的介电膜的作用。
以相同的透明导电物形成第一像素电极114、第一栅电极214以及电容器第一上部电极314。透明导电物可包括选自氧化铟锡(indium tin oxide：ITO)、氧化铟锌(indium zink oxide：IZO)、氧化锌(zink oxide：ZnO)、氧化铟(indiumoxide：In2O3)、氧化镓铟(indium galium oxide：IGO)以及氧化锌铝(aluminiumzink oxide：AZO)的至少一种以上物质。
以相同的金属材料形成第二像素电极115、第二栅电极215以及第二上部电极315，且可以以选自铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)、铜(Cu)的一种以上的金属，以单层或多层形成第二像素电极115、第二栅电极215以及第二上部电极315，这些金属与所述透明导电物的蚀刻率不同。
如上所述的结构物上掺杂离子杂质。可以掺杂的离子杂质有B离子或P离子，以薄膜晶体管的活性层212为对象，以1×1015atoms/cm2以上的浓度来掺杂D1。
此时，使用第一栅电极214以及第二栅电极215作为自对准(selfalign)掩模，来掺杂离子杂质至活性层212，由此，活性层212具有掺杂离子杂质的源区域212a以及漏区域212b、以及在源区域212a以及漏区域212b之间的沟道区域212c。即，使用第一栅电极214以及第二栅电极215作为自对准掩模，从而不增加另外的光掩模就可以形成源区域212a以及漏区域212b。
图5是概略示出根据本实施例的有机发光显示装置1的第三掩模工序结果的截面图。
如图5所示，图4的第二掩模工序的产物上层叠有层间绝缘膜16，图案化层间绝缘膜16形成：第一接触孔C1以及第二接触孔C2，所述第一接触孔C1以及所述第二接触孔C2露出第一像素电极114以及第二像素电极115；第三接触孔C3以及第四接触孔C4，所述第三接触孔C3以及第四接触孔C4露出活性层212的部分源区域212a以及部分漏区域212b；第五接触孔C5，所述第五接触孔C5露出电容器的第一上部电极314以及第二上部电极315。
图6以及图7是概略示出根据本实施例的有机发光显示装置1的第四掩模工序的截面图。
如图6所示，依次在图5的第三掩模工序的产物上形成金属层17、在金属层17上形成光阻剂P，所述金属层17是成为源电极以及漏电极的材料。然后，实施第四掩模工序，所述第四掩模工序使用具有光阻断部M41以及光透射部M42的第四光掩模M4。
如图7所示，在层间绝缘膜16上形成源电极217a以及漏电极217b。形成源电极217a以及漏电极217b的金属是选自铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)、铜(Cu)的一种以上的金属，可以以单层或多层形成源电极217a以及漏电极217b。
形成源电极217a以及漏电极217b时，一同蚀刻第二像素电极115和第二上部电极315。此时，若形成源电极217a以及漏电极217b的金属和形成第二像素电极115以及第二上部电极315的金属为相同的材料，则使用相同的蚀刻液进行一次蚀刻工序就可以图案化源电极217a以及漏电极217b。若形成源电极217a以及漏电极217b的金属和形成第二像素电极115以及第二上部电极315的金属为相互不同的材料，则形成源电极217a以及漏电极217b的金属被一次蚀刻液蚀刻，从而形成源电极217a和漏电极217b的图案，以二次蚀刻液去除第二像素电极115以及第二上部电极315。
上述蚀刻工序之后，以电容器下部电极312为对象掺杂离子杂质。在掺杂之前，电容器是金属氧化物半导体(Metal Oxide Semiconductor，MOS)CAP结构，但是在掺杂之后，电容器形成相比MOSCAP结构静电容量大的金属-绝缘体-金属(Metal-Insulator-Metal，MIM)CAP结构，因此可以使静电容量最大化。从而，MIMCAP结构以相比MOSCAP结构小的面积也可以实现相同的静电容量，因此，以电容器面积所能够减小的幅度来增大第一像素电极114，从而可以提高开口率。
图8是概略示出根据本实施例的有机发光显示装置1的第五掩模工序结果的截面图。
如图8所示，在图7的第四掩模工序的产物上层叠绝缘层18，图案化绝缘层18，从而形成露出第一像素电极114的上部的开口C6。
所述开口C6除起到定义发光区域的作用之外，还扩大了第一像素电极114的边缘和相对电极119(参考图9)之间的间隔来防止电场集中于第一像素电极114边缘的现象，从而起到防止第一像素电极114和相对电极119发生短路的作用。
图9是概略示出根据所述制造方法形成的有机发光显示装置的截面图。
如图9所示，第一像素电极114上形成有发光层118。发光层118可以是低分子有机物或高分子有机物。发光层118为低分子有机物时，可以以发光层118为中心层叠空穴传输层(hole transport layer：HTL)、空穴注入层(holeinjection layer：HIL)、电子传输层(electron transport layer：ETL)以及电子注入层(electron injection layer：EIL)等。除此之外，根据需求还可层叠多种层。此时，可使用的有机材料包括但不限于：酞菁铜(CuPc：copperphthalocyanine)、N，N’-二(萘-1-基)-N，N′-二苯基-联苯胺(N，N′-Di(naphthalene-1-yl)-N，N′-diphenyl-benzidine，简称为NPB)、三-8-羟基喹啉铝(tris-8-hydroxyquinoline aluminum)(Alq3)等。
另外，发光层118为高分子有机物时，除了发光层118之外还可以包括空穴传输层(HTL)。空穴传输层可以使用聚-(2，4)-乙烯-二羟基噻吩(PEDOT：poly-(2，4)-ethylene-dihydroxy thiophene)或聚苯胺(PANI：polyaniline)等。此时，可使用的有机材料有聚亚苯基乙烯(Poly-Phenylenevinylene：PPV)类以及聚芴(Polyfluorene)类等高分子有机物。
发光层118上沉积相对电极119，所述相对电极119作为公共电极。根据本实施例的有机发光显示装置1，第一像素电极114作为阳极来使用，将相对电极119作为阴极来使用。当然，还可以使用为相反的电极的极性。
可以以包括反射物质的反射电极构成相对电极119。此时，所述相对电极119可以包括选自铝(Al)、镁(Mg)、锂(Li)、钙(Ca)、LiF/Ca以及LiF/Al的一种以上的物质。
相对电极119形成为具有反射电极，从而，从发光层118发出的光被相对电极119反射而透过由透明导电物形成的第一像素电极114，向基板10一侧释放。此时，如上所述，形成于第一像素电极114下部且具有不同折射率的多个绝缘膜11-1、11-2、11-3的缓冲层11起到DBR作用，从而形成共振结构。
另外，为了最大化共振效果，起到DBR功能的多个绝缘膜11-1、11-2、1-3的各厚度优选为最大不超过700
Figure BSA00000442753900111
然而，如上所示，为了提高以多晶硅形成的活性层212以及下部电极312的器件特性，氢含量高的氮化硅形成于不与活性层212以及下部电极312直接接触的膜11-2上，作为对其的保护膜，在晶体管区域TFT和电容器区域CAP中，在直接接触于活性层212和下部电极312的最上层膜11-3上形成氢含量低的氧化硅，所述氧化硅的厚度至少在1000
Figure BSA00000442753900112
以上。从而，如本实施例，通过以不同的厚度形成于像素区域PXL和晶体管区域TFT以及电容器区域CAP，缓冲层11可以起到显示装置的DBR作用以及保护层作用。由此，可以同时解决显示装置的色再现率问题和器件的电特性问题。
图10是概略示出根据本发明另一实施例的有机发光显示装置2的截面图。下面，以与前述实施例的不同点为主进行说明。
如图10所示，基板10上形成有包括多个绝缘膜11-1、11-2、11-3的缓冲层11。缓冲层11的最上层膜11-3形成为：在晶体管区域TFT以及电容器区域CAP，其厚度厚，而在像素区域PXL，其厚度薄，优选为在像素区域PXL中至少以700以下的厚度形成、在晶体管区域TFT以及电容器区域CAP中至少以1000以上的厚度形成。
缓冲层中的最上层膜11-3上形成活性层212和电容器下部电极312，形成包括多个膜13-1、13-2的绝缘膜13，以覆盖所述活性层212和所述电容器下部电极312。
在本实施例中，栅绝缘膜13包括折射率不同的多个膜13-1、13-2。由此，在第一像素电极114的下部一同形成有栅绝缘膜13以及缓冲层11，从而增加了共振结构的DBR功能，由此可以进一步提高色再现率。其中，栅绝缘膜13包括折射率不同的多个膜13-1、13-2；缓冲层11包括多个折射率不同的膜11-1、11-2、11-3。
另外，在所述图中图示了形成两层膜作为栅绝缘膜13，但是，本发明并不限于此。然而，栅绝缘膜13的厚度过于厚时难以形成沟道，且栅绝缘膜13起到电容器的介电膜作用，因此，若栅绝缘膜13厚度变得过厚，则静电容量可能会减少，因此，将栅绝缘膜13优选形成为栅绝缘膜13的整体厚度不宜过厚。
在本实施例中，将栅绝缘膜13形成为接触于活性层212的膜13-1相比不接触于活性层212的膜13-2氢含量低。例如，以氧化硅形成直接接触活性层212的膜13-1，以氮化硅形成不直接接触活性层212的膜13-2，从而氮化硅可以矫正以多晶硅形成的活性层212的缺陷，氧化硅可以起到对氮化硅的保护膜功能。
本发明参考附图所图示的实施例进行说明，但这只是示例性的实施例，所属技术领域的普通技术人员应该了解本发明可以有多种变形和等同的其他实施例。因而，本发明所要保护的真正的范围应由权利要求所要保护的技术思想所决定。

Claims (25)

1.一种有机发光显示装置，包括：
缓冲层，设置于基板上，并包括折射率不同的多个绝缘膜，所述多个绝缘膜中的至少一个在同一面上形成为不同的厚度；
薄膜晶体管的活性层，形成于所述缓冲层的厚度较厚的区域；
像素电极，形成于所述缓冲层的厚度较薄的区域；
薄膜晶体管的栅电极、源电极以及漏电极，所述栅电极隔着栅绝缘膜形成于所述活性层上，所述源电极以及漏电极连接于所述活性层；
发光层，形成于所述像素电极上；以及
相对电极，隔着所述发光层，与所述像素电极相对地设置。
2.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，
在所述多个绝缘膜中，形成为具有不同厚度的膜是所述缓冲层中的最上层膜。
3.根据权利要求2所述的有机发光显示装置，其中，
所述缓冲层中的最上层膜的氢含量，相比所述最上层膜的下部膜低。
4.根据权利要求3所述的有机发光显示装置，其中，
所述活性层包括多晶硅，
所述缓冲层中的最上层膜的下部膜，填充至所述多晶硅的缺陷位置，以矫正所述缺陷。
5.根据权利要求3所述的有机发光显示装置，其中，
所述缓冲层中的最上层膜以及所述最上层膜的下部膜，分别是氧化硅以及氮化硅。
6.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，
所述缓冲层中厚度较厚的区域的端部形状，与所述活性层的蚀刻面的端部形状相同。
7.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，
所述多个绝缘膜中相互邻近的膜的折射率不同。
8.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，
所述栅绝缘膜包括多个折射率不同的膜。
9.根据权利要求8所述的有机发光显示装置，其中，
在所述栅绝缘膜的多个膜中，接触于所述活性层的膜的氢含量，相比不接触于所述活性层的膜低。
10.根据权利要求8所述的有机发光显示装置，其中，
所述活性层包括多晶硅，
不接触于所述活性层的膜填充至所述多晶硅的缺陷位置，以矫正所述缺陷。
11.根据权利要求8所述的有机发光显示装置，其中，
在所述栅绝缘膜的多个膜中，接触所述活性层的膜以及不接触所述活性层的膜分别是氧化硅以及氮化硅。
12.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，
所述像素电极为透明电极，所述相对电极为反射电极。
13.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，还包括：
电容器的下部电极，形成于与所述活性层相同的层中所述缓冲层的厚度较厚的区域；以及
电容器的上部电极，形成于与所述栅电极相同的层。
14.根据权利要求13所述的有机发光显示装置，其中，
所述下部电极的端部，与所述缓冲层的厚度较厚的区域的端部的蚀刻面形状相同。
15.根据权利要求13所述的有机发光显示装置，其中，
所述下部电极包括多晶硅，所述栅绝缘膜的多个膜中，接触于所述下部电极的膜的氢含量，相比不接触于所述下部电极的其他膜低。
16.根据权利要求15所述的有机发光显示装置，其中，
接触于所述下部电极的膜以及不接触于所述下部电极的膜，分别是氧化硅以及氮化硅。
17.一种有机发光显示装置的制造方法，包括：
在基板上形成缓冲层，所述缓冲层包括折射率不同的多个绝缘膜；
在所述缓冲层上形成半导体层之后图案化所述半导体层，以形成活性层，要形成为所述活性层的区域的缓冲层的厚度，相比不形成所述活性层的区域的厚度厚；
形成栅绝缘膜，所述栅绝缘膜覆盖所述活性层，在所述栅绝缘膜上的所述缓冲层厚度薄的区域形成像素电极，隔着所述栅绝缘膜，在所述活性层上形成栅电极；
形成层间绝缘膜，在所述层间绝缘膜上形成开口，以露出部分所述活性层以及部分所述像素电极；
形成连接于所述活性层的源电极以及漏电极；以及
形成覆盖所述源电极以及所述漏电极且具有开口的像素定义膜，所述开口露出所述像素电极。
18.根据权利要求17所述的有机发光显示装置的制造方法，其中，
在所述基板上形成包括多个折射率不同的绝缘膜的缓冲层时，所述缓冲层中的最上层膜形成为比其他膜厚。
19.根据权利要求18所述的有机发光显示装置的制造方法，其中，
将所述缓冲层中的最上层膜，在同一面上形成为不同的厚度。
20.根据权利要求19所述的有机发光显示装置的制造方法，其中，
以所述活性层作为遮盖掩模，将缓冲层蚀刻成具有不同的厚度。
21.根据权利要求17所述的有机发光显示装置的制造方法，其中，
形成所述活性层时，伴随着进行非晶硅的结晶化工序。
22.根据权利要求17所述的有机发光显示装置的制造方法，其中，
所述栅绝缘膜，由折射率不同的多个膜形成。
23.根据权利要求17所述的有机发光显示装置的制造方法，其中，
在与所述活性层相同的层，形成电容器下部电极，并且在与所述栅电极相同的层形成电容器上部电极，其中，所述电容器下部电极包括与所述活性层相同的物质，所述电容器上部电极包括与所述栅电极相同的物质。
24.根据权利要求23所述的有机发光显示装置的制造方法，其中，
以所述下部电极作为遮盖掩模，将缓冲层蚀刻成具有不同的厚度。
25.根据权利要求23所述的有机发光显示装置的制造方法，其中，
形成所述源电极以及所述漏电极时，去除部分所述上部电极，向所述下部电极掺杂离子杂质。
CN201110050250.2A 2010-10-25 2011-02-28 有机发光显示装置及其制造方法 Active CN102456705B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100104242A KR101782557B1 (ko) 2010-10-25 2010-10-25 유기 발광 디스플레이 장치 및 그 제조 방법
KR10-2010-0104242 2010-10-25

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN102456705A true CN102456705A (zh) 2012-05-16
CN102456705B CN102456705B (zh) 2016-09-07

Family

ID=45972215

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201110050250.2A Active CN102456705B (zh) 2010-10-25 2011-02-28 有机发光显示装置及其制造方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US8866145B2 (zh)
JP (1) JP5851192B2 (zh)
KR (1) KR101782557B1 (zh)
CN (1) CN102456705B (zh)
TW (1) TWI559520B (zh)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103456738A (zh) * 2012-06-05 2013-12-18 群康科技(深圳)有限公司 薄膜晶体管基板以及显示器
CN105932037A (zh) * 2016-05-12 2016-09-07 京东方科技集团股份有限公司 一种有机电致发光显示基板及其制备方法、显示装置
CN108269944A (zh) * 2016-12-30 2018-07-10 乐金显示有限公司 显示装置
CN108615799A (zh) * 2016-12-09 2018-10-02 清华大学 光调制的半导体场效应晶体管和集成电路
CN109659445A (zh) * 2018-12-19 2019-04-19 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其显示屏
CN104979405B (zh) * 2015-07-22 2019-05-21 京东方科技集团股份有限公司 一种薄膜晶体管、阵列基板及显示装置
CN110556485A (zh) * 2018-05-31 2019-12-10 三星显示有限公司 显示装置及该显示装置的制造方法
CN110993627A (zh) * 2020-01-02 2020-04-10 昆山国显光电有限公司 阵列基板及其制备方法、显示面板

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101711191B1 (ko) * 2010-10-28 2017-03-02 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법
KR101834464B1 (ko) * 2011-11-25 2018-03-06 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법
KR101898247B1 (ko) * 2012-05-08 2018-09-12 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 다이오드 표시장치 및 그 제조방법
KR101904466B1 (ko) * 2012-05-08 2018-12-03 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법
KR101954984B1 (ko) * 2012-09-25 2019-03-08 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 어레이 기판, 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
JP6174893B2 (ja) * 2013-04-16 2017-08-02 ローム株式会社 半導体装置および半導体装置の製造方法
KR102116493B1 (ko) * 2013-05-23 2020-06-08 삼성디스플레이 주식회사 유기발광표시장치 및 이의 제조방법
KR102134845B1 (ko) * 2013-07-12 2020-07-17 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 디스플레이 장치와, 이의 제조 방법
CN103928634B (zh) * 2014-03-24 2016-05-25 京东方科技集团股份有限公司 有机电致发光器件及其制备方法、显示装置
CN105118849B (zh) * 2015-09-22 2018-07-31 上海和辉光电有限公司 一种触控式有机发光显示面板
US9997846B1 (en) * 2017-02-21 2018-06-12 Ford Global Technologies, Llc Window electrical terminals
CN107768412B (zh) * 2017-10-26 2023-10-27 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法和显示面板
KR102484320B1 (ko) * 2017-12-28 2023-01-02 엘지디스플레이 주식회사 박막트랜지스터 어레이 기판 및 그의 제조방법과 이를 포함하는 유기발광표시장치
KR102555411B1 (ko) * 2018-10-16 2023-07-13 엘지디스플레이 주식회사 발광 소자를 포함하는 디스플레이 장치
KR20200052782A (ko) * 2018-11-07 2020-05-15 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치
CN110429115B (zh) * 2019-07-23 2021-04-27 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及显示装置
KR20220044038A (ko) 2020-09-29 2022-04-06 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5328861A (en) * 1991-11-25 1994-07-12 Casio Computer Co., Ltd. Method for forming thin film transistor
KR100552967B1 (ko) * 2003-09-18 2006-02-15 삼성에스디아이 주식회사 이중 버퍼층을 갖는 능동 매트릭스 유기전계발광소자 및그의 제조방법
CN101740609A (zh) * 2008-11-13 2010-06-16 索尼株式会社 显示装置
US20100193790A1 (en) * 2009-01-30 2010-08-05 Samsumg Mobile Display Co., Ltd. Flat panel display apparatus and method of manufacturing the same

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4578618B2 (ja) * 1999-05-15 2010-11-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及びその作製方法
JP4011344B2 (ja) * 2001-12-28 2007-11-21 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US6841433B2 (en) * 2001-12-29 2005-01-11 Lg.Philips Lcd Co., Ltd. Method of fabricating polysilicon thin film transistor
KR100543008B1 (ko) 2003-10-14 2006-01-20 삼성에스디아이 주식회사 평판 표시 장치 및 그의 제조 방법
KR100656497B1 (ko) * 2004-02-09 2006-12-11 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광표시장치 및 그의 제조방법
JP4809627B2 (ja) 2004-05-21 2011-11-09 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置及びその作製方法
JP4609044B2 (ja) * 2004-11-18 2011-01-12 セイコーエプソン株式会社 発光装置、発光装置の製造方法、及び電子機器
JP4410123B2 (ja) 2005-02-10 2010-02-03 株式会社東芝 有機ｅｌディスプレイ
JP4678319B2 (ja) * 2006-03-15 2011-04-27 セイコーエプソン株式会社 発光装置および電子機器
GB0706653D0 (en) * 2007-04-04 2007-05-16 Cambridge Display Tech Ltd Organic thin film transistors
JP2009117181A (ja) * 2007-11-06 2009-05-28 Hitachi Displays Ltd 有機ｅｌ表示装置およびその製造方法
KR101415768B1 (ko) 2007-12-10 2014-07-08 엘지전자 주식회사 전력 절감을 위한 피크 제어 방법
JP5007246B2 (ja) * 2008-01-31 2012-08-22 三菱電機株式会社 有機電界発光型表示装置及びその製造方法
KR100943187B1 (ko) 2008-05-20 2010-02-19 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
JP2010097697A (ja) * 2008-10-14 2010-04-30 Seiko Epson Corp 有機ｅｌ装置、有機ｅｌ装置の製造方法、及び電子機器
KR101065413B1 (ko) 2009-07-03 2011-09-16 삼성모바일디스플레이주식회사 유기전계발광표시장치 및 그의 제조방법

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5328861A (en) * 1991-11-25 1994-07-12 Casio Computer Co., Ltd. Method for forming thin film transistor
KR100552967B1 (ko) * 2003-09-18 2006-02-15 삼성에스디아이 주식회사 이중 버퍼층을 갖는 능동 매트릭스 유기전계발광소자 및그의 제조방법
CN101740609A (zh) * 2008-11-13 2010-06-16 索尼株式会社 显示装置
US20100193790A1 (en) * 2009-01-30 2010-08-05 Samsumg Mobile Display Co., Ltd. Flat panel display apparatus and method of manufacturing the same

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103456738A (zh) * 2012-06-05 2013-12-18 群康科技(深圳)有限公司 薄膜晶体管基板以及显示器
CN104979405B (zh) * 2015-07-22 2019-05-21 京东方科技集团股份有限公司 一种薄膜晶体管、阵列基板及显示装置
CN105932037A (zh) * 2016-05-12 2016-09-07 京东方科技集团股份有限公司 一种有机电致发光显示基板及其制备方法、显示装置
CN105932037B (zh) * 2016-05-12 2018-10-12 京东方科技集团股份有限公司 一种有机电致发光显示基板及其制备方法、显示装置
CN108615799A (zh) * 2016-12-09 2018-10-02 清华大学 光调制的半导体场效应晶体管和集成电路
CN108615799B (zh) * 2016-12-09 2020-07-28 清华大学 光调制的半导体场效应晶体管和集成电路
CN108269944A (zh) * 2016-12-30 2018-07-10 乐金显示有限公司 显示装置
US10741615B2 (en) 2016-12-30 2020-08-11 Lg Display Co., Ltd. Display device
CN110556485A (zh) * 2018-05-31 2019-12-10 三星显示有限公司 显示装置及该显示装置的制造方法
CN110556485B (zh) * 2018-05-31 2024-02-27 三星显示有限公司 显示装置及该显示装置的制造方法
CN109659445A (zh) * 2018-12-19 2019-04-19 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其显示屏
CN110993627A (zh) * 2020-01-02 2020-04-10 昆山国显光电有限公司 阵列基板及其制备方法、显示面板

Also Published As

Publication number Publication date
TW201218375A (en) 2012-05-01
KR20120042525A (ko) 2012-05-03
CN102456705B (zh) 2016-09-07
US8866145B2 (en) 2014-10-21
TWI559520B (zh) 2016-11-21
JP2012093748A (ja) 2012-05-17
US20120097967A1 (en) 2012-04-26
KR101782557B1 (ko) 2017-09-28
JP5851192B2 (ja) 2016-02-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102456705B (zh) 有机发光显示装置及其制造方法
US9184219B2 (en) Method of manufacturing an organic light-emitting display device
US9136506B2 (en) Thin-film transistor array substrate, organic light-emitting display having the same, and method of manufacturing the organic light-emitting display
KR101714026B1 (ko) 유기 발광 디스플레이 장치 및 그 제조 방법
CN102447074B (zh) 有机发光显示装置及其制造方法
CN102544057B (zh) 有机发光显示装置及其制造方法
US20120074388A1 (en) Organic Light-Emitting Display Device and Method of Manufacturing the Same
CN102931198B (zh) 薄膜晶体管阵列衬底和包括其的有机发光显示器及其制造方法
US8742425B2 (en) Thin film transistor array substrate, organic light-emitting display device comprising the same, and method of manufacturing the same
CN102569343A (zh) 有机发光显示装置及其制造方法
CN102386207A (zh) 有机发光显示设备及其制造方法
US8729552B2 (en) Backplane for flat panel display apparatus, flat panel display apparatus including the same, and method of manufacturing backplane for flat panel display apparatus
US20130112976A1 (en) Thin-film transistor array substrate, organic light-emitting display including the same, and method of manufacturing the same
CN102931209A (zh) 有机发光显示装置及其制造方法
CN102916014B (zh) 薄膜晶体管阵列基板、有机发光显示装置及其制造方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
ASS Succession or assignment of patent right

Owner name: SAMSUNG MONITOR CO., LTD.

Free format text: FORMER OWNER: SAMSUNG MOBILE DISPLAY CO., LTD.

Effective date: 20121029

C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
TA01 Transfer of patent application right

Effective date of registration: 20121029

Address after: Gyeonggi Do, South Korea

Applicant after: Samsung Display Co., Ltd.

Address before: Gyeonggi Do, South Korea

Applicant before: Samsung Mobile Display Co., Ltd.

C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant