CN110556485A - 显示装置及该显示装置的制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明的一实施例公开一种显示装置，包括：基板；显示部，布置于所述基板上，且配备有薄膜晶体管、与所述薄膜晶体管电连接的显示元件和夹设于所述薄膜晶体管与所述显示元件之间的平坦化层；以及薄膜封装层，密封所述显示部，其中，所述显示元件包括与所述薄膜晶体管电连接的第一电极，所述第一电极包括依次层叠的第一导电层、第二导电层及第三导电层，所述第二导电层的端部相比于所述第一导电层的端部及所述第三导电层的端部更向外部凸出。
Description
技术领域
本发明的实施例涉及一种显示装置及该显示装置的制造方法。
背景技术
随着以视觉方式呈现各种电信号信息的显示领域迅速发展，研究并开发了具有薄型化、轻量化、低功耗化等优异特性的多种显示装置。
另外，具有薄型化及柔性特征的显示装置为了阻断水分或氧气等从外部浸透而可以包括薄膜形态的封装层。然而，如果在薄膜封装层发生细小的裂纹等缺陷，则外部的水分和/或氧气可能通过该缺陷渗透至显示装置内而导致暗点等不良。
发明内容
本发明的实施例提供一种能够最小化可能在薄膜封装层发生的缺陷的显示装置。
本发明的一实施例公开一种显示装置，包括：基板；显示部，布置于所述基板上，且配备有薄膜晶体管、与所述薄膜晶体管电连接的显示元件和夹设于所述薄膜晶体管与所述显示元件之间的平坦化层；以及薄膜封装层，密封所述显示部，其中，所述显示元件包括与所述薄膜晶体管电连接的第一电极，所述第一电极包括依次层叠的第一导电层、第二导电层及第三导电层，所述第二导电层的端部相比于所述第一导电层的端部及所述第三导电层的端部更向外部凸出。
在本实施例中，所述第一导电层可以位于所述第三导电层下部，所述第二导电层的面积大于所述第一导电层的面积及所述第三导电层的面积，所述第一导电层的面积大于所述第三导电层的面积。
在本实施例中，所述第一导电层及所述第三导电层可以包含相同的材质。
在本实施例中，所述第一导电层及所述第三导电层可以包含氧化铟锡、氧化锌铟、氧化锌铟锡、氧化锌镓及氧化铟镓锌中至少一种，所述第二导电层包含银。
在本实施例中，所述显示部可以包括显示区域以及形成于所述显示区域的外围的非显示区域，所述平坦化层包括将所述平坦化层分割为中央部及外围部的分割区域，并且所述中央部的面积大于所述显示区域的面积。
在本实施例中，所述显示部还可以包括布置于所述非显示区域的电压线，所述电压线包括包含钛的第一层、包含铝的第二层以及包含钛的第三层。
在本实施例中，所述电压线可以包括被施加互不相同的电压的第一电压线及第二电压线，所述第一电压线包括：第一主电压线，以对应于所述显示区域的一侧的方式布置；以及第一连接部，从所述第一主电压线沿第一方向凸出，进而横穿所述分割区域，所述第二电压线包括：第二主电压线，包围所述第一主电压线的两端部和所述显示区域的剩余区域；以及第二连接部，从所述第二主电压线沿所述第一方向凸出，进而横穿所述分割区域，所述第一连接部及所述第二连接部与焊盘部连接。
在本实施例中，所述第一连接部及所述第二连接部各自的上表面及侧面可以在所述分割区域与所述薄膜封装层直接相接。
在本实施例中，所述薄膜封装层可以包括依次层叠的第一无机膜、有机膜及第二无机膜，所述第一无机膜在所述分割区域中与所述第一连接部及所述第二连接部所分别包括的所述第二层的侧面直接相接。
本发明的另一实施例公开一种显示装置的制造方法，包括如下步骤：在基板上形成薄膜晶体管；在所述基板上形成覆盖所述薄膜晶体管的平坦化层；以及在所述平坦化层上形成与所述薄膜晶体管连接的第一电极，其中，所述第一电极通过在所述平坦化层上依次层叠第一导电层、第二导电层及第三导电层之后依次分别对所述第三导电层、所述第二导电层及所述第一导电层进行图案化而形成，进行图案化后的所述第二导电层的面积形成为大于进行图案化后的所述第一导电层的面积及进行图案化后的所述第三导电层的面积。
除了前述的记载之外的其他方面、特征、优点可从附图、权利要求书以及对发明的详细说明中变得明确。
根据本发明的实施例，能够最小化可能在薄膜封装层发生的缺陷，进而最小化暗点等不良发生。当然，本发明的范围并不限定于这些效果。
附图说明
图1是示意性图示根据本发明的一实施例的显示装置的平面图。
图2是示意性图示图1的I-I'剖面的一示例的剖面图。
图3是示意性图示图1的显示装置的电压线及平坦化层的平面图。
图4是将图2的A部分放大而示意性图示的剖面图。
图5是示意性图示图3的III-III'剖面的一示例的剖面图。
具体实施方式
本发明可施加多样的变换，并可具有多种实施例，对于特定实施例举例示于附图，并在具体说明中详细说明。参照结合附图而详细后述的实施例就会明白本发明的效果、特征以及达到目的的方法。然而本发明并不局限于以下披露的实施例，而是可以实现为多样的形态。
在以下的实施例中，第一、第二等术语并不具有限定性含义，其为了将一个构成要素与其他构成要素区分而使用。
在以下的实施例中，只要上下文中没有明确表示不同的含义，则单数的表述包括复数的表述。
在以下的实施例中，“包括”或“具有”等术语表示说明书中记载的特征或构成要素的存在，其并非预先排除一个以上的其他特征或构成要素附加的可能性。
在以下的实施例中，记载为膜、区域、构成要素等部分位于其他部分上方或者上面时，不仅包括紧邻其他部分而位于上方的情形，而且还包括其中间夹设有其他膜、区域、构成要素等的情形。
在附图中，为了便于说明，构成要素的大小可能被夸张或缩小。例如，为了便于说明而将图中所示的各个构造的大小和厚度任意表示，本发明并非一定要局限于图示情形。
在某个实施例可不同地实现的情况下，特定的工序顺序也可以与所记载的顺序不同地执行。例如，连续说明的两个工序可实质上同时执行，且还可以按相反于所记载的顺序的顺序进行。
以下，参照附图，对本发明的实施例进行详细的说明，当参照附图进行说明时，相同或对应的构成要素使用相同的附图符号。
图1是示意性图示关于本发明的一实施例的显示装置的平面图，图2是示意性图示图1的I-I'剖面的一示例的剖面图，图3是示意性图示图1的显示装置的电压线及平坦化层的平面图，图4是将图2的A部分放大而示意性图示的剖面图，图5是示意性图示图3的III-III'剖面的一示例的剖面图。
以下，参照图1至图5，对显示装置10及其制造过程进行说明。
参照图1至图5，涉及本发明的一实施例的显示装置10可包括基板101、位于基板101上的显示部100以及密封显示部100的薄膜封装层300。
基板101可以包括多种材料。例如，基板101可以利用以SiO2为主要成分的透明玻璃材质构成。然而，基板101并不一定限定于此，也可以利用透明的塑料材质形成。塑料材质可以是聚醚砜(PES：polyethersulphone)、聚丙烯酸酯(PAR：polyacrylate)、聚醚酰亚胺(PEI：polyetherimide)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN：polyethyelenen napthalate)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET：polyethylene terephthalate)、聚苯硫醚(PPS：polyphenylenesulfide)、聚烯丙基酯(polyallylate)、聚酰亚胺(polyimide)、聚碳酸酯(PC)、三乙酸纤维素(TAC)、醋酸丙酸纤维素(CAP：cellulose acetate propionate)等。
另外，对于向基板101方向呈现画像的背面发光型而言，基板101应该利用透明的材质形成。然而，对于向基板101的反方向呈现画像的前面发光型而言，基板101无需一定利用透明的材质形成。在这种情况下，可以利用金属形成基板101。在利用金属形成基板101的情况下，基板101可以包含铁、铬、锰、镍、钛、钼、不锈钢(SUS)，因瓦(Invar)合金、因科乃尔(Inconel)合金、可伐(Kovar)合金等。
显示部100形成于基板101上。显示部100可以包括呈现用户能够识别的画像的显示区域DA以及位于显示区域DA的外围的非显示区域NDA。
在显示区域DA可以布置有多个像素P。多个像素P可以位于数据线DL与扫描线SL的交叉区域，在非显示区域NDA可以布置有向显示元件100b等供应电源的电压线200。并且，在非显示区域NDA可以布置有将电信号从电源供应装置(未图示)或信号生成装置(未图示)传递至显示区域DA的焊盘部150。
在基板101上可以形成缓冲层102。缓冲层102可以在基板101的上部提供平坦面，并且能够阻断通过基板101浸透的异物或湿气。例如，缓冲层102可以含有氧化硅、氮化硅、氧氮化硅、氧化铝、氮化铝、氧化钛或氮化钛等无机物，或者聚酰亚胺、聚酯、丙烯酸等有机物，也可以利用举例说明的材料中多个层叠体形成。
在基板101上可以布置有薄膜晶体管100a以及与薄膜晶体管100a电连接的显示元件100b。
薄膜晶体管100a可以包括活性层103、栅电极105、源电极107及漏电极108。在下文中，对薄膜晶体管100a是活性层103、栅电极105、源电极107及漏电极108依次形成的顶栅型(top gate type)的情况进行说明。然而本实施例并不限定于此，可以采用底栅型(bottomgate type)等多种类型的薄膜晶体管100a。
活性层103可以包含诸如非晶硅(amorphous silicon)或多晶硅(polycrystalline silicon)等半导体物质。然而，本实施例并不限定于此，活性层103可以包含多种物质。作为选择性的实施例，活性层103可以包含有机半导体物质等。作为又一选择性的实施例，活性层103可以包含氧化物半导体物质。例如，活性层103可以包含诸如锌(Zn)、铟(In)、镓(Ga)、锡(Sn)、镉(Cd)、锗(Ge)等12、13、14族金属元素以及从其组合中选择的物质的氧化物。
栅极绝缘膜(gate insulating layer)104形成于活性层103上。栅极绝缘膜104可以由利用氧化硅和/或氮化硅等无机物质构成的膜形成为多层或单层。栅极绝缘膜104起到使活性层103与栅电极105绝缘的作用。栅极绝缘膜104不仅可以形成于显示区域DA，还可以延伸至非显示区域NDA的一部分而形成。
栅电极105形成于栅极绝缘膜104的上部。栅电极105可以与向薄膜晶体管100a施加导通/截止信号的栅极线(未图示)连接。
栅电极105可以利用低电阻金属材料构成。例如，栅电极105可以利用铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)、铜(Cu)中一种以上的物质形成为单层或多层。
在栅电极105上形成有层间绝缘膜106。层间绝缘膜106使源电极107及漏电极108与栅电极105绝缘。层间绝缘膜106不仅可以形成于显示区域DA，还可以延伸至非显示区域的一部分而形成。
层间绝缘膜106可以由利用无机物质构成的膜形成为多层或单层。例如，无机物质可以是金属氧化物或金属氮化物，具体而言，无机物质可以包含氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)或氧化锌(ZrO2)等。
在层间绝缘膜106上可以形成源电极107及漏电极108。源电极107及漏电极108形成为与活性层103的区域接触。源电极107及漏电极108可以利用铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)、铜(Cu)中一种以上的物质形成为单层或多层。例如，源电极107及漏电极108可以具有包含钛(Ti)的第一层、包含铝(Al)的第二层以及包含钛(Ti)的第三层的层叠结构。
在薄膜晶体管100a上形成有平坦平坦化层109。平坦化层109消除了由薄膜晶体管100a引起的阶梯差，从而防止由于下部凹凸导致在显示元件100b发生不良的情形。平坦化层109可以由利用有机物质构成的膜形成为单层多层。有机物质可以包含诸如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA：Polymethylmethacrylate)或聚苯乙烯(PS：Polystylene)等一般通用高分子、具有酚类基的高分子衍生物、丙烯酸类高分子、酰亚胺类高分子、芳基醚类高分子、酰胺类高分子、氟类高分子、对二甲苯类高分子、乙烯醇类高分子及其共混物等。并且，平坦化层109也可以形成为无机绝缘膜与有机绝缘膜的复合层叠体。
平坦化层109可以包括在非显示区域NDA内包围显示区域DA的分割区域V。分割区域V可以通过去除平坦化层109的一部分而形成，并且防止水分从外部沿着利用有机物质构成的平坦化层109浸透至显示区域DA。平坦化层109可以被分割区域V分割为中央部109a及外围部109b，并且中央部109a的面积可以大于显示区域DA的面积。
在平坦化层109上形成有显示元件100b。作为一例，显示元件100b可以是有机发光元件，该有机发光元件配备有第一电极111、与第一电极111对向的第二电极113以及夹设于第一电极111与第二电极113的中间层112。
第一电极111可以形成于平坦化层109上，并且与薄膜晶体管100a电连接。
作为一例，第一电极111可以是反射电极。例如，第一电极111可以具有利用Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr及其化合物等形成的反射膜和形成于反射膜上的透明或半透明电极层。透明或半透明电极层可以具有氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌铟锡(ITZO)、氧化锌镓(GZO)及氧化铟镓锌(IGZO)中的至少一种。作为一例，如图4所示，第一电极111可以具有作为透明或半透明电极层的第一导电层111a、包含银的第二导电层111b以及作为透明或半透明电极层的第三导电层111c的层叠结构。
第一电极111可以具有多种形态，例如，可以通过光刻法图案化为岛状形态而形成。具体而言，第一电极111可以在依次层叠第一导电层111a、第二导电层111b及第三导电层111c之后，以与层叠顺序相反的顺序分别通过湿式蚀刻对第三导电层111c、第二导电层111b及第一导电层111a进行图案化而形成。
当对第三导电层111c进行蚀刻时，第二导电层111b不被蚀刻。为此，第三导电层111c可以使用能够选择性地仅对包含ITO等的透明或半透明电极层进行蚀刻的第一蚀刻剂来进行蚀刻。例如，能够选择性地仅对第三导电层111c进行蚀刻的第一蚀刻剂可以是ITO专用蚀刻剂。另外，第一导电层111a处于被第二导电层111b覆盖的状态，并且当对第三导电层111c进行蚀刻时，第二导电层111b不被蚀刻，因此当对第三导电层111c进行蚀刻时，第一导电层111a也不会被蚀刻。
在对第三导电层111c进行蚀刻并图案化之后，使用第二蚀刻剂对第二导电层111b进行蚀刻并图案化。第二蚀刻剂可以具有与第一蚀刻剂不同的组成。例如，第二蚀刻剂可以是能够对第一导电层111a、第二导电层111b及第三导电层111c一同进行蚀刻的蚀刻剂。即，第二蚀刻剂可以是以往在第一导电层111a、第二导电层111b及第三导电层111c层叠的状态下同时对第一导电层111a、第二导电层111b及第三导电层111c进行蚀刻而形成第一电极111时使用的蚀刻剂。
另外，以往在使用第二蚀刻剂而同时对第一导电层111a、第二导电层111b及第三导电层111c进行蚀刻时，第一导电层111a及第三导电层111c的蚀刻速率(etchrate)远小于第二导电层111b的蚀刻速率，为了防止蚀刻之后产生残渣，需要进行过蚀刻。例如，以往当使用第二蚀刻剂同时对第一导电层111a、第二导电层111b及第三导电层111c进行蚀刻时，进行约80秒以上的蚀刻，因此在显示装置10内的其他布线发生损伤，通过这样的过程，包含于第二导电层111b的银的离子被还原而析出，从而由于银的颗粒可能导致在布线或电极发生不良。然而，根据本发明，依次分别对第三导电层111c、第二导电层111b及第一导电层111a进行蚀刻，因此能够最小化第二导电层111b的蚀刻时间。例如，第二导电层111b可以进行约4至7秒的蚀刻，进而进行图案化，因此能够防止由于第二蚀刻剂导致在其他布线等发生损伤的情形。
第一导电层111a可以利用与第三导电层111c相同的材质形成。因此，第一导电层111a可以通过使用第一蚀刻剂而进行图案化。但是，在对第一导电层111a进行蚀刻时为了防止在平坦化层109上产生残渣，可以使蚀刻工序进行的时间长于第三导电层111c的蚀刻时间。例如，第三导电层111c可以经历两次分别为7秒至12秒的蚀刻，而第一导电层111a可以经历两次分别为15秒至25秒的蚀刻。
另外，当对第一导电层111a进行蚀刻时，第三导电层111c也可以一同被蚀刻。因此，第一导电层111a的面积可以形成为大于第三导电层111c的面积。并且，同上所述，最小化第二导电层111b的蚀刻时间，从而第二导电层111b的面积可以形成为大于第一导电层111a的面积。因此，第二导电层111b的端部可以相比于第一导电层111a的端部及第三导电层111c的端部更向外部凸出。
作为选择性的实施例，为了防止银的凝集现象，包含银的第二导电层111b还可以包括原子半径与银相同或者小于银的合金元素。合金元素可以包括锌(Zn)、镍(Ni)、钴(Co)、铜(Cu)、镓(Ga)、锗(Ge)、铂(Pt)、锑(Sb)、锰(Mn)、钨(W)及钼(Mo)中的至少一种。
再次参照图2，第二电极113可以是透明或者半透明电极，并且可以利用包含Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Ag、Mg及其化合物的功函数小的金属薄膜形成。并且，还可以利用ITO、IZO、ZnO或In2O3等用于形成透明电极的物质在金属薄膜上形成辅助电极层或汇流电极(bus electrode)。因此，第二电极113可以使从包含于中间层112的有机发光层发出的光透射。即，从有机发光层发出的光可以直接向第二电极113侧发出，或者被由反射电极构成的第一电极111反射而向第二电极113侧发出。
然而，本实施例的显示部100并不限定于前面发光型，也可以是从有机发光层发出的光向基板101侧发出的背面发光型。在这种情况下，第一电极111可以利用透明或者半透明电极构成，第二电极113可以利用反射电极构成。并且，本实施例的显示部100也可以是向前面及背面双向发出光的双面发光型。
另外，利用绝缘物在第一电极111上形成有像素定义膜119。像素定义膜119可以利用选自由聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、苯并环丁烯及酚醛树脂构成的组中的一种以上的有机绝缘物质通过旋转涂覆等方法形成。像素定义膜119使第一电极111的预定区域暴露，并且在暴露的区域布置包括有机发光层的中间层112。即，像素定义膜119定义有机发光元件的像素区域。
包含于中间层112的有机发光层可以是低分子有机物或高分子有机物，并且除了有机发光层以外，中间层112还可以选择性地包括诸如空穴传输层(HTL：hole transportlayer)、空穴注入层(HIL：hole injection layer)、电子传输层(ETL：electron transportlayer)及电子注入层(EIL：electron injection layer)等功能层。
另外，在非显示区域NDA可以布置有电压线200以及将平坦化层109分割成中央部109a和外围部109b的分割区域V。电压线200的至少一部分布置于分割区域V。即，电压线200的一部分可以在分割区域V暴露。
电压线200可以包括第一电压线210及第二电压线220。作为一例，第一电压线210可以是第一电源电压(ELVDD)线，第二电压线220可以是第二电源电压(ELVSS)线。第二电压线220可以与第二电极113连接。在图2中，图示了第二电压线220与第二电极113通过布线116连接的示例，然而本发明并不限定于此，第二电压线220可以与第二电极113直接相接。
第一电压线210可以包括以对应于显示区域DA的一侧的方式布置的第一主电压线212和第一连接部214。例如，在显示区域DA是矩形的情况下，第一主电压线212可以以与显示区域DA的任意一条边对应的方式布置。第一主电压线212可以与任意一条边平行，并且具有任意一条边的长度以上的长度。与第一主电压线212对应的任意一条边可以是与焊盘部150邻近的边。
第一连接部214可以从第一主电压线212沿第一方向凸出，进而横穿分割区域V。在此，第一方向作为从显示区域DA朝向焊盘部150的方向，第一连接部214可以与焊盘部150连接。第一主电压线212可以被中央部109a覆盖，然而第一连接部214至少可以在直到形成中间层112的过程为止在分割区域V暴露。
第二电压线220可以包括：第二主电压线222，包围第一主电压线212的两端部和显示区域DA的剩余区域；以及第二连接部224，从第二主电压线222沿第一方向凸出，进而横穿分割区域V。第二连接部224可以与焊盘部150连接，并且至少直到形成中间层112的过程为止在分割区域V暴露。
另外，电压线200可以利用与源电极107及漏电极108相同的物质形成。例如，如图5所示，电压线200可以具有包含钛(Ti)的第一层200a、包含铝(Al)的第二层200b以及包含钛(Ti)的第三层200c的层叠结构。此时，铝(Al)的蚀刻速率大于钛(Ti)的蚀刻速率。因此，当对第一电极111进行图案化时，若与以往相同地使用第二蚀刻剂同时对第一导电层111a、第二导电层111b及第三导电层111c进行蚀刻，则在分割区域V暴露的第一连接部214及第二连接部224的第二层200b过渡地暴露于第二蚀刻剂，从而第二层200b的侧面被过蚀刻，进而在包含钛(Ti)的第三层200c发生不良，其结果，第一连接部214和第二连接部224的阶梯覆盖性(step coverage)低下，从而在分割区域V中与其相接的薄膜封装层300可能发生裂痕等损伤。
并且，由于包含铝(Al)的第二层200b的蚀刻而产生电子，产生的电子与存在于第二蚀刻剂内的银离子结合，进而银离子被还原，从而银粒子颗粒可能吸附于第一连接部214或第二连接部224上。吸附的银粒子可能通过清洗工序等而转移至第一电极111。因此，第一电极111可能发生由于银颗粒造成的不良。
然而，根据本发明，第一电极111的第三导电层111c、第二导电层111b及第一导电层111a依次分别进行蚀刻，因此可以最小化对第二导电层111b进行蚀刻的第二蚀刻剂的使用时间，从而能够最小化第一连接部214及第二连接部224暴露于第二蚀刻剂的时间。因此，在第二导电层111b的蚀刻过程中，能够防止或最小化在第二层200b发生的损伤。并且，由于第一层200a、第二层200b及第三层200c不受对第一导电层111a及第三导电层111c蚀刻时使用的第一蚀刻剂的影响，因此在形成第一电极111时，第一连接部214及第二连接部224的阶梯覆盖性不会降低，据此能够防止在覆盖第一连接部214及第二连接部224的薄膜封装层300发生裂痕等损伤。并且，由于防止或最小化第二层200b的损伤，因此可以防止或最小化存在于第二蚀刻剂内的银离子被还原为银颗粒而被析出的现象，从而防止由于银颗粒造成的暗点不良等。
另外，在分割区域V内可以形成坝部109c。坝部109c能够在形成用于密封显示部100的薄膜封装层300的有机膜330时阻断有机物向基板101的边缘位置方向流动，从而防止形成有机膜330的边末端(Edge tail)。
坝部109c可以在与平坦化层109相同的层利用相同的材质而形成。但是，并不限定于此，坝部109c也可以构成为两层以上。例如，在坝部109c具有两层结构的情况下，下部层可以利用与平坦化层109相同的材质构成，上部层可以利用与像素定义膜119相同的材质构成。并且，坝部109c可以构成为两个以上的多个。在坝部109c构成为多个的情况下，越向基板101的外围，坝部109c的高度可以越大。
薄膜封装层300可以密封显示部100，进而防止外部的氧气及水分等浸透至显示部100。薄膜封装层300可以包括至少一个无机膜310、320和至少一个有机膜330。在图2中，以薄膜封装层300包括依次层叠的第一无机膜310、有机膜330及第二无机膜320的情形为例进行了图示，然而本发明并不限于此。即，薄膜封装层300还可以包括交替布置的多个附加的无机封装膜及有机封装膜，并且无机封装膜及有机封装膜的层叠次数不受限制。
有机膜330例如可以包括选自由丙烯酸树脂、甲基丙烯酸树脂、聚异戊二烯、乙烯基树脂、环氧类树脂、聚氨酯类树脂、纤维素类树脂及二萘嵌苯类树脂构成的组中的一种以上的物质。
第一无机膜310及第二无机膜320例如可以包括选自由氮化硅、氮化铝、氮化锆、氮化钛、氮化铪、氮化钽、氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化锡、氧化铈及氧氮化硅(SiON)构成的组中的一种以上的物质。
另外，当形成有机膜330时，坝部109c阻断有机物向基板101的边缘位置方向流动，因此有机膜330将位于坝部109c的内侧。与此相反，第一无机膜310及第二无机膜320可以形成为大于有机膜330，并且形成为覆盖外围部109b。因此，分割区域V被第一无机膜310及第二无机膜320覆盖。此时，同上所述，在分割区域V暴露的第一连接部214及第二连接部224的阶梯覆盖性不会降低，因此能够防止在形成于第一连接部214及第二连接部224上部的第一无机膜310及第二无机膜320发生不良。因此，能够防止外部的水分或氧气等浸透至显示元件，从而能够最小化暗点等不良发生。
另外，第一无机膜310可以在分割区域V与第一连接部214及第二连接部224各自的上表面及侧面直接相接。尤其，根据本发明，第一连接部214及第二连接部224的第二层200b的引入现象被防止，因此第一无机膜310可以与第二层200b的侧面直接相接。
并且，第一无机膜310及第二无机膜320可以向外围部109b的外侧延伸，第一无机膜310及第二无机膜320可以在外围部109b的外侧彼此相接。
如此，已参考图中所示的一实施例而说明了本发明，然而这只不过是示例性的，如果是本领域中具有基本知识的人员就会理解可由此实现多种多样的变形以及实施例的变更。因此，本发明真正的技术保护范围应当由权利要求书的技术思想确定。
Claims (10)
1.一种显示装置，其中，包括：
基板；
显示部，布置于所述基板上，且配备有薄膜晶体管、与所述薄膜晶体管电连接的显示元件和夹设于所述薄膜晶体管与所述显示元件之间的平坦化层；以及
薄膜封装层，密封所述显示部，
其中，所述显示元件包括与所述薄膜晶体管电连接的第一电极，所述第一电极包括依次层叠的第一导电层、第二导电层及第三导电层，
所述第二导电层的端部相比于所述第一导电层的端部及所述第三导电层的端部更向外部凸出。
2.如权利要求1所述的显示装置，其中，
所述第一导电层位于所述第三导电层下部，
所述第二导电层的面积大于所述第一导电层的面积及所述第三导电层的面积，所述第一导电层的面积大于所述第三导电层的面积。
3.如权利要求1所述的显示装置，其中，
所述第一导电层及所述第三导电层包含相同的材质。
4.如权利要求3所述的显示装置，其中，
所述第一导电层及所述第三导电层包含氧化铟锡、氧化铟锌、氧化锌铟锡、氧化锌镓及氧化铟镓锌中至少一种，
所述第二导电层包含银。
5.如权利要求1所述的显示装置，其中，
所述显示部包括显示区域以及形成于所述显示区域的外围的非显示区域，
所述平坦化层包括将所述平坦化层分割为中央部及外围部的分割区域，并且所述中央部的面积大于所述显示区域的面积。
6.如权利要求5所述的显示装置，其中，
所述显示部还包括布置于所述非显示区域的电压线，
所述电压线包括包含钛的第一层、包含铝的第二层以及包含钛的第三层。
7.如权利要求6所述的显示装置，其中，
所述电压线包括被施加互不相同的电压的第一电压线及第二电压线，
所述第一电压线包括：第一主电压线，以对应于所述显示区域的一侧的方式布置；以及第一连接部，从所述第一主电压线沿第一方向凸出，进而横穿所述分割区域，
所述第二电压线包括：第二主电压线，包围所述第一主电压线的两端部和所述显示区域的剩余区域；以及第二连接部，从所述第二主电压线沿所述第一方向凸出，进而横穿所述分割区域，
所述第一连接部及所述第二连接部与焊盘部连接。
8.如权利要求7所述的显示装置，其中，
所述第一连接部及所述第二连接部各自的上表面及侧面在所述分割区域与所述薄膜封装层直接相接。
9.如权利要求7所述的显示装置，其中，
所述薄膜封装层包括依次层叠的第一无机膜、有机膜及第二无机膜，
所述第一无机膜在所述分割区域中与所述第一连接部及所述第二连接部所分别包括的所述第二层的侧面直接相接。
10.一种显示装置的制造方法，其中，包括如下步骤：
在基板上形成薄膜晶体管；
在所述基板上形成覆盖所述薄膜晶体管的平坦化层；以及
在所述平坦化层上形成与所述薄膜晶体管连接的第一电极，
其中，所述第一电极通过在所述平坦化层上依次层叠第一导电层、第二导电层及第三导电层之后依次分别对所述第三导电层、所述第二导电层及所述第一导电层进行图案化而形成，
进行图案化后的所述第二导电层的面积形成为大于进行图案化后的所述第一导电层的面积及进行图案化后的所述第三导电层的面积。
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