CN102569343A - 有机发光显示装置及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

根据本发明的一方面，提供有机发光显示装置，包括：具有半导体层、栅电极、源电极及漏电极的至少一个晶体管；具有形成在与所述半导体层相同的层的第一电极、形成在与所述栅电极相同的层的第二电极、形成在与所述源电极及漏电极相同的层的第三电极的第一电容器；具有形成在与所述半导体层相同的层并且包含所掺杂的离子杂质的第一电极、形成在与所述栅电极相同的层的第二电极的第二电容器；形成在与所述栅电极相同的层并且与所述晶体管电连接的像素电极；位于所述像素电极上的发光层；以及与所述像素电极相对设置的相对电极，并且在所述相对电极和所述像素电极之间设置有所述发光层。

Description

有机发光显示装置及其制造方法
技术领域
本发明涉及有机发光显示装置及其制造方法。
背景技术
有机发光显示装置不仅具有重量轻、厚度薄的优点，而且还具有视角广、响应速度快以及功耗低等优点，从而作为下一代显示装置而受人瞩目。
发明内容
本发明的目的在于提供制造工序简单并且开口率优异的有机发光显示装置及其制造方法。
根据本发明的一方面，提供有机发光显示装置，包括：具有半导体层、栅电极以及源电极与漏电极的至少一个以上的晶体管；具有第一电极、第二电极以及第三电极的第一电容器，其中，所述第一电极形成在与所述半导体层相同的层，所述第二电极形成在与所述栅电极相同的层，所述第三电极形成在与所述源电极与漏电极相同的层；具有第一电极与第二电极的第二电容器，其中，所述第一电极形成在与所述半导体层相同的层并且包含所掺杂的离子杂质，所述第二电极形成在与所述栅电极相同的层；形成在与所述栅电极相同的层并且与所述晶体管电连接的像素电极；位于所述像素电极上的发光层；以及与所述像素电极相对设置的相对电极，并且在所述相对电极和所述像素电极之间设置有所述发光层。
根据本发明的另一特征，所述第一电容器可以与向所述至少一个晶体管供给电源电压的电源电压供给线连接，并且与所述电源电压供给线重叠。
根据本发明的再一特征，所述至少一个晶体管为驱动晶体管、所述第一电容器可以为向所述驱动晶体管施加电压的存储电容器。
根据本发明的再一特征，所述第一电容器的第一电极可以包括未掺杂离子杂质的半导体。
根据本发明的再一特征，所述第一电容器的第一电极与第三电极可以通过接触孔连接。
根据本发明的再一特征，所述第一电容器可以并联形成在所述第一电极和所述第二电极之间的第一静电电容以及形成在所述第二电极和所述第三电极之间的第二静电电容。
根据本发明的再一特征，所述第一电容器的第二电极可以包含与所述栅电极相同的物质。
根据本发明的再一特征，所述第一电容器的第三电极可以包含与所述源电极及漏电极相同的物质。
根据本发明的再一特征，所述第一电容器的第三电极可以包括向所述至少一个晶体管供给电源电压的电源电压供给线。
根据本发明的再一特征，所述第二电容器可以为与驱动晶体管的栅电极连接的补偿电容器。
根据本发明的再一特征，所述第二电容器的第二电极可以为透明导电物质。
根据本发明的再一特征，所述栅电极可以包括：包含透明导电物质的第一层；以及包含金属的第二层。
根据本发明的再一特征，所述像素电极可以由与所述栅电极相同的透明导电物质形成。
根据本发明的再一特征，所述半导体层可以为非晶硅或者晶硅。
根据本发明的再一特征，所述相对电极可以为反射从所述发光层释放的光的反射电极。
根据本发明的另一方面，提供有机发光显示装置的制造方法，包括：第一掩模工序，在基板上形成半导体层，且图案化所述半导体层以形成晶体管的半导体层、第一电容器的第一电极和第二电容器的第一电极；第二掩模工序，在第一掩模工序的结果物上形成第一绝缘层，在所述第一绝缘层上依次形成透明导电物质和第一金属并将其图案化，以形成晶体管的栅电极、像素电极、第一电容器的第二电极和第二电容器的第二电极；第三掩模工序，在第二掩模工序的结果物上形成第二绝缘层，形成使所述半导体层的源区域及漏区域、所述像素电极、所述第一电容器的第一电极的一部分以及所述第二电容器的第二电极露出的多个接触孔；第四掩模工序，在第三掩模工序的结果物上形成第二金属，图案化所述第二金属，以形成与所述源区域及漏区域连接的源电极及漏电极以及所述第一电容器的第三电极；以及第五掩模工序，在第四掩模工序的结果物上形成第三绝缘层，并且在第三绝缘层形成开口以使所述像素电极的透明导电物质露出。
根据本发明的另一特征，所述第二掩模工序之后，在所述源区域及漏区域可以掺杂离子杂质。
根据本发明的再一特征，所述第四掩模工序可以包括：去除在所述像素电极和所述第二电容器的第二电极上层叠的所述第二金属的第一蚀刻工序；以及去除在所述像素电极与第二电容器的透明导电物质上形成的所述第一金属的第二蚀刻工序。
根据本发明的再一特征，在所述第四掩模工序中，以与所述第一金属相同的材料形成所述第二金属，并且可以同时蚀刻所述第一金属和所述第二金属。
根据本发明的再一特征，所述第四掩模工序之后、可以在所述第二电容器的第一电极掺杂离子杂质。
根据本发明的再一特征，所述第五掩模工序之后，在所述像素电极上部还可以形成发光层与相对电极。
根据如上所述的本发明的有机发光显示装置及其制造方法，提供如下所述的效果。
第一，在电源电压供给线上重叠地形成存储电容器，从而可以根据发光区域面积的增加提高开口率。
第二，通过并联存储电容器，从而可以提高静电电容。
第三，通过以MIM CAP结构形成补偿电容器，从而可以提高电路的电压设计裕度。
第四，通过5次掩模工序可以制造如上所述的有机发光显示装置。
附图说明
图1是简要图示根据本发明一实施例的有机发光显示装置所包括的一个像素的平面图；
图2是图1的电路图；
图3A是沿着图1的A-A线的截面图；
图3B是沿着图1的B-B线的截面图；
图4是简要图示根据本发明比较例的有机发光显示装置所包括的一个像素的平面图；
图5是图4的电路图；
图6A是沿着图4的A’-A’线的截面图；
图6B是沿着图4的B’-B’线的截面图；
图7A至图11B是简要图示根据本发明一实施例的有机发光显示装置的制造方法的截面图。
附图标记说明
1：有机发光显示装置；         10：基板；
12：第一绝缘层；              15：第二绝缘层；
17：第三绝缘层；              113：第一像素电极；
114：第二像素电极；           118：发光层；
119：相对电极；               211：半导体层；
211a：源区域及漏区域；        211c：沟道区域；
213：第一栅电极；             214：第二栅电极；
216：源电极及漏电极；         311：第一电容器的第一电极；
313：第一电容器的第二电极第一层；
314：第一电容器的第二电极第二层；
316：第一电容器的第三电极；
411：第二电容器的第一电极；
413：第二电容器的第二电极第一层；
414：第二电容器的第二电极第二层；
S：扫描线；                 D：数据线；
V：电源电压供给线；         CC：补偿控制信号线；
PXL1：像素部；              TR1～TR3：薄膜晶体管；
Cst：第一电容器；           Cvth：第二电容器；
C1～C4：接触孔。            C5：开口
具体实施方式
下面，参考附图所示的本发明的优选实施例，进一步详细说明本发明。
图1是简要图示根据本发明一实施例的有机发光显示装置1所包括的一个像素的平面图，图2是图1的电路图，图3A是沿着图1的A-A线的截面图，图3B是沿着图1的B-B线的截面图。
如图1所示，根据本发明一实施例的有机发光显示装置1的像素内部设置有：如扫描线S、数据线D、电源电压供给线V、补偿控制信号线CC等多个导电线；包括发光区域EL1的像素部PXL1；第一薄膜晶体管TR1至第三薄膜晶体管TR3；第一电容器Cst；以及第二电容器Cvth。
图1为用于说明本发明的一实例，但是本发明并不限于此。即，除了图1所示的导电线之外，还可以包括其他的导电线，另外，无须每个像素均包括如补偿控制信号线CC等部分导电线，而是相邻的像素可以共同使用一个。并且，薄膜晶体管和电容器的数量也并不限于此，根据像素电路部可以组合三个以上的薄膜晶体管、两个以上的电容器。
如图2所示，第一薄膜晶体管TR1的栅电极与扫描线S连接，第一薄膜晶体管TR1的第一电极与数据线D连接。第二薄膜晶体管TR2的栅电极通过第二电容器Cvth与第一薄膜晶体管TR1的第二电极连接，第二薄膜晶体管TR2的第一电极与电源电压供给线V连接、第二电极与有机发光二极管的阳极连接。第三薄膜晶体管TR3的栅电极与补偿控制信号线CC连接，第三薄膜晶体管TR3的第一电极与第二薄膜晶体管TR2的栅电极连接、第二电极与第二薄膜晶体管TR2的第二电极连接。此时，第一薄膜晶体管TR1成为开关晶体管，第二薄膜晶体管TR2成为驱动晶体管，第三薄膜晶体管TR3成为用于补偿阈值电压Vth的补偿晶体管。在图3中，第一薄膜晶体管TR1、第二薄膜晶体管TR2、第三薄膜晶体管TR3被图示为P型，但是并不限于此，还可以为其中至少一个形成为N型。
第一电容器Cst连接在第一薄膜晶体管TR1的第二电极和电源电压供给线V之间。第一电容器Cst包括并联的两个电容器，即电容器Cst1和电容器Cst2。第二电容器Cvth连接在第一薄膜晶体管TR1的第二电极和第二薄膜晶体管TR2的栅电极之间。第一电容器Cst是在向第一薄膜晶体管TR1施加数据信号的期间存储数据信号的存储电容器，第二电容器Cvth是用于补偿阈值电压Vth的不均匀性的补偿电容器。
如图3A所示，第一薄膜晶体管TR1包括：设置在基板10上的半导体层211、栅电极213、栅电极214、源电极及漏电极216。所述附图中仅图示了第一薄膜晶体管TR1的截面形状，但是第二薄膜晶体管TR2和第三薄膜晶体管TR3具有与第一薄膜晶体管TR1相同的截面。
基板10可以由如玻璃材料或者塑料材料等多种材料形成。但是，如果在向基板10侧呈现图像的背面发光型的情况下，优选地，基板10由透明材料形成。
虽未在所述附图中示出，但是为了在基板10的上部形成平坦的面并阻断杂质元素向基板10的上部渗透，在基板10的上部还可以形成缓冲层(未图示)。缓冲层可以由SiO2和/或SiNx等形成。
半导体层211可以包含非晶硅或者晶硅，并且包括：沟道区域211c；以及沟道区域211c外侧的掺杂有离子杂质的源区域及漏区域211a。源区域及漏区域211a可以被第三族元素掺杂而形成为p-型半导体、可以被第五族元素掺杂而形成为n-型半导体。
在半导体层211上，隔着作为栅绝缘膜的第一绝缘层12、与半导体层211的沟道区域211c对应的位置处依次形成有第一栅电极213和第二栅电极214。
第一绝缘层12用于使半导体层211与第一栅电极213、第二栅电极214绝缘，可以由如SiNx和/或SiO2等无机膜形成。
第一栅电极213和第二栅电极214可以由蚀刻选择比互相不同的导电物质形成。例如，第一栅电极213和第二栅电极214可以由如ITO等透明导电物质，选自钛(Ti)、钼(Mo)、铝(Al)、银(Ag)、铜(Cu)以及这些物质的合金的一种以上的蚀刻选择比相互不同的物质来选择。在本实施例中，第一栅电极213使用透明导电物质、即ITO，第二栅电极214使用三重层的Mo/Al/Mo。另外，第一栅电极213的透明导电物质除了ITO之外，还可以选自IZO、ZnO以及In2O3。
第一栅电极213和第二栅电极214上设置有第二绝缘层15。第二绝缘层15起到使第一栅电极213和第二栅电极214与源电极及漏电极216绝缘的层间绝缘膜的功能。
第二绝缘层15可以由多种绝缘物质形成。例如，可以由如氧化物、氮化物等无机物形成，还可以由有机物形成。形成第二绝缘层15的无机绝缘膜可以包括：SiO2、SiNx、SiON、Al2O3、TiO2、Ta2O5、HfO2、ZrO2、BST、PZT等，有机绝缘膜可以包括：一般的常用聚合物(PMMA、PS)、具有phenol基团的高分子衍生物、丙烯酸类高分子、酰亚胺类高分子、芳醚类高分子、酰胺类高分子、氟类高分子、对二甲苯类高分子、乙烯醇类高分子以及这些物质的混合物等。另外，第二绝缘层15还可以由无机绝缘膜与有机绝缘膜的复合层叠物来形成。
源电极及漏电极216与半导体层211的源区域及漏区域211a连接。在所述附图中，源电极及漏电极216显示为一个层，但是本发明并不限于此，源电极及漏电极216可以形成为多个层。
如图3A所示，基板10上设置有像素部PXL1。像素部PXL1包括：第一像素电极113、发光层118以及相对电极119。
第一像素电极113形成在与第一栅电极213相同的层，并且由与第一栅电极213相同的透明导电物质形成。透明导电物质可以包括选自氧化铟锡(indium tin oxide，简称为ITO)、氧化铟锌(indium zinkoxide，简称为IZO)、氧化锌(zink oxide，简称为ZnO)、氧化铟(indiumoxide，简称为In2O3)、氧化镓铟(indium galium oxide，简称为IGO)以及氧化锌铝(aluminium zink oxide，简称为AZO)的至少一个以上物质。
在第一像素电极113上形成有发光层118，从发光层118释放的光通过由透明导电物质形成的第一像素电极113，从而向基板10侧释放。
在第一绝缘层12和第一像素电极113的上部形成有第三绝缘层17，第三绝缘层17形成有露出第一像素电极113上部的开口C5。在所述开口C5内部设置有发光层118。由发光层118决定发光区域EL1。
发光层118可以为低分子有机物或者高分子有机物。当发光层118为低分子有机物时，以发光层118为中心，可以层叠有空穴传输层(holetransport layer，简称为HTL)、空穴注入层(hole injection layer，简称为HIL)、电子传输层(electron transport layer，简称为ETL)以及电子注入层(electron injection layer，简称为EIL)等。除此之外，根据需求，还可以层叠有多种层。此时，可以使用的有机材料包括但不限于：酞菁铜(copper phthalocyanine，简称为CuPc)、N，N′-二(萘-1-基)-N，N′-二苯基-联苯胺(N，N′-Di(naphthalene-1-yl)-N，N′-diphenyl-benzidine：NPB)、三-8-羟基喹啉铝(tris-8-hydroxyquinolinealuminum)(Alq3)等多种。
另外，当发光层118为高分子有机物时，除了发光层118之外，还可以包括空穴传输层(HTL)。空穴传输层可以使用聚-(2，4)-乙烯-二羟基噻吩(poly-(2，4)-ethylene-dihydroxy thiophene，简称为PEDOT)或者聚苯胺(polyaniline，简称为PANI)等。此时，可以使用的有机材料有聚亚苯基乙烯(Poly-Phenylenevinylene，简称为PPV)类以及聚芴(Polyfluorene)类等高分子有机物。
在发光层118上沉积用作公共电极的相对电极119。在根据本实施例的有机发光显示装置1中，第一像素电极113用作阳极、相对电极119用作阴极。当然，还可以适用相反的电极的极性。
可以由包含反射物质的反射电极构成相对电极119。此时，所述相对电极119可以包含选自铝(Al)、镁(Mg)、锂(Li)、钙(Ca)、LiF/Ca以及LiF/Al的一种以上的物质。相对电极119由反射电极形成，从而，从发光层118释放的光被相对电极119反射并透过由透明导电物形成的第一像素电极113，从而向基板10侧释放。
如图3B所示，基板10上形成有第一电容器Cst。第一电容器Cst包括：形成在与半导体层211相同的层的第一电极311；形成在与栅电极213、栅电极214相同的层的第二电极313、第二电极314；以及形成在与源电极及漏电极216相同的层的第三电极316。
就电路而言，第一电容器Cst与电源电压供给线V(参考图1)连接；就结构而言，第一电容器Cst被设置为与所述电源电压供给线V重叠。
第一电容器Cst的第一电极311沿着电源电压供给线V而位于其下部，并且以与半导体层211的沟道区域211c相同的非晶硅半导体或者晶硅半导体形成。构成第一电容器Cst的第一电极311的半导体不包含离子杂质。
第一电容器Cst的第一电极311上形成有第一绝缘层12，第一绝缘层12上设置有由与形成栅电极213、栅电极214的物质相同的物质形成的第二电极313、第二电极314。第二电极的第一层313由与第一栅电极213相同的透明导电物质形成，第二电极的第二层314由与第二栅电极214相同的金属形成。第一电容器Cst的第二电极313、第二电极314也被设置为，沿着前述的电源电压供给线V而位于其下部。
在第一电容器Cst的第二电极313、第二电极314上形成有第二绝缘层15，第二绝缘层15上设置有包含与源电极及漏电极216相同的物质的第一电容器Cst的第三电极316。第三电极316沿着电源电压供给线V得以形成。此时，第三电极316通过接触孔C4与第一电极311连接。从而，第一电容器Cst并联有具有第一静电电容和第二静电电容的两个电容器、即电容器Cst1、电容器Cst2(参考图3)，其中，所述第一静电电容形成在第一电极311与第二电极313、第二电极314之间，所述第二静电电容形成在第二电极313、第二电极314与第三电极316之间。从而，可以增加第一电容器Cst的静电电容。
电源电压供给线V通常被形成为具有相比扫描线S或者数据线D相对更宽的宽度，并且由反射率高或者透过率低的金属形成。在根据本实施例的有机发光显示装置1中，将第一电容器Cst设置为与透过率低的电源电压供给线V重叠，从而，与将第一电容器Cst形成在不与电源电压供给线V重叠的像素内部的其它区域时相比，可以提高有机发光显示装置的开口率。
如图3B所示，在基板10上设置有第二电容器Cvth。第二电容器Cvth包括：形成在与半导体层211相同的层的第一电极411；以及形成在与第一栅电极213相同的层的第二电极413。
第二电容器Cvth的第一电极411包含与薄膜晶体管的半导体层211相同的物质。第二电容器Cvth的第二电极413由与第一栅电极213相同的透明导电物质形成。尤其，第一电极411由掺杂有离子杂质的半导体物质形成，从而与第二电极413一同形成MIM(metal-insulator-metal)CAP结构。
通常与金属氧化物半导体(Metal Oxide Semiconductor，简称为MOS)CAP结构相比，MIM CAP结构可以在较宽的电压范围内保持一定的静电电容。从而，在设计电路时可以提高电压设计裕度。
在第一电容器Cst的第三电极316和第二电容器Cvth的第二电极413上形成有第三绝缘层17，在第三绝缘层17上设置有公共电极、即相对电极119。
图4是简要图示根据本发明比较例的有机发光显示装置2所包括的一个像素的平面图，图示了第一电容器Cst’在与电源电压供给V’线不重叠的像素内部的其它区域形成的情况。图5是图4的电路图，图6A是沿着图4的A’-A’线的截面图，图6B是沿着图4的B’-B’线的截面图。
如图4所示，根据本比较例的有机发光显示装置2的像素内部设置有：如扫描线S、数据线D、电源电压供给线V’、补偿控制信号线CC等多个导电线；包括发光区域EL2的像素部PXL2；第一薄膜晶体管TR1至第三薄膜晶体管TR3；第一电容器Cst’以及第二电容器Cvth’。
如图5所示，就电路而言，根据本比较例的有机发光显示装置2与前述的根据本实施例的有机发光显示装置1的区别在于，不是以并联的方式设置第一电容器Cst’，而是单独设置第一电容器Cst’，其中，所述第一电容器Cst’为存储电容器。
如图6A所示，在基板10上设置有：第一薄膜晶体管TR1、第一电容器Cst’、像素部PXL2。第一薄膜晶体管TR1包括：半导体层21、栅电极23、栅电极24以及源电极及漏电极26。像素部PXL2包括：像素电极13、发光层18以及相对电极19。
像素电极13形成在与第一栅电极23相同的层，并且由与第一栅电极23相同的透明导电物质形成。在像素电极13上形成有发光层18，从发光层18释放的光通过由透明导电物质形成的第一像素电极13，从而向基板10侧释放。
在像素部PXL2和第一薄膜晶体管TR1之间设置有存储电容器、即第一电容器Cst’。比较例的第一电容器Cst’包括：形成在与半导体层21相同的层的第一电极51a；以及形成在与栅电极23、栅电极24相同的层的第二电极53。此时，第一电极51a由掺杂有离子杂质的半导体物质形成，从而与第二电极53一同形成MIM CAP结构。在整体上，这种MIM CAP结构的透过率低，从而从发光层18释放的光很难透过。从而，根据发光层18得以限定的发光区域EL2相比根据本发明一实施例的有机发光显示装置1的发光区域EL1更窄。结果，开口率下降。
如图6B所示，基板10上设置有电源电压供给线V’和第二电容器Cvth’。
电源电压供给线V’包括：以与第一栅电极23相同的物质形成在第一绝缘层12上的第一层33；以及以与第二栅电极24相同的物质形成的第二层34。在第一层33和第二层34上设置有第二绝缘层15，在第二绝缘层15上包括以与源电极及漏电极26相同的物质形成的第三层36。
第二电容器Cvth’包括：形成在与半导体层21相同的层的第一电极41a；以及形成在与第一栅电极23相同的层的第二电极43。第二电容器Cvth’的第一电极41a包括与薄膜晶体管的半导体层21相同的物质。第二电容器Cvth’的第二电极43由与第一栅电极23相同的透明导电物质形成。尤其，第一电极41a由掺杂有离子杂质的半导体物质形成，从而与第二电极43一同形成MIM CAP结构。
从而，根据本比较例的有机发光显示装置2中，第一电容器Cst’形成在与电源电压供给线V’不重叠的像素内部的其它区域，因此，根据发光层18得以限定的、所形成的发光区域EL2的面积变窄。从而，开口率得下降。
下面，参考图7A至图11B说明根据本发明一实施例的有机发光显示装置1的制造方法。
图7A和7B是简要图示根据本发明一实施例的有机发光显示装置1的第一掩模工序结果的截面图。
如图7A所示，在基板10上形成第一薄膜晶体管的半导体层211，如图7B所示，在基板10上形成第一电容器Cst的第一电极311和第二电容器Cvth的第一电极411。
虽未在所述附图中示出，但是，在基板10上沉积形成半导体层的物质(未图示)、在形成半导体层的物质(未图示)上涂布光刻胶(未图示)。通过采用第一光掩模(未图示)的光刻工序来图案化形成半导体层的物质(未图示)，从而同时形成第一薄膜晶体管TR1的半导体层211、第一电容器Cst的第一电极311以及第二电容器Cvth的第一电极411。虽未在所述附图中示出，但是与第一薄膜晶体管TR1一同形成第二薄膜晶体管TR2和第三薄膜晶体管TR3。
通过以曝光装置(未图示)向第一光掩模(未图示)曝光之后，经过显影(developing)、蚀刻(etching)以及剥离(stripping)和灰化(ashing)等一系列的工序，实施基于光刻的第一掩模工序。
半导体层211可以由非晶硅(amorphous silicon)或者晶硅(polysilicon)形成。此时，晶硅还可以通过将非晶硅结晶化得以形成。结晶化非晶硅的方法包括但不限于：快速热处理(rapid thermal annealing，简称为RTA)法、固相晶化(solid phase crystallization，简称为SPC)法、准分子激光热处理(excimer laser annealing，简称为ELA)法、金属诱导晶化(metal induced crystallization，简称为MIC)法、金属诱发侧向晶化(metal induced lateral crystallization，简称为MILC)法、连续侧向结晶(sequential lateral solidification，简称为SLS)法等。
图8A和8B是简要图示根据本发明一实施例的有机发光显示装置1的第二掩模工序结果的截面图。
如图8A所示，在图7A的第一掩模工序的结果物上层叠第一绝缘层12，在第一绝缘层12上依次层叠第一栅电极213和第二栅电极214，在像素部PXL1依次层叠第一像素电极113和第二像素电极114。
如图8B所示，在图7B的第一掩模工序的结果物上形成第一绝缘层12，在第一绝缘层12上依次层叠第一电容器Cst的第二电极的第一层313和第二层314、依次层叠第二电容器Cvth的第二电极的第一层413和第二层414。
将第一栅电极213、第一像素电极113、第一电容器Cst的第二电极的第一层313以及第二电容器Cvth的第二电极的第一层413同时形成在相同的层，并且可以由选自ITO、IZO、ZnO以及In2O3的、相同的透明导电物质形成。
将第二栅电极214、第二像素电极114、第一电容器Cst的第二电极的第二层314以及第二电容器Cvth的第二电极的第二层414同时形成在相同的层，并且其可以由选自钛(Ti)、钼(Mo)、铝(Al)、银(Ag)、铜(Cu)以及这些物质的合金的一种以上的材料形成。
在如上所述的结构物上掺杂D1离子杂质。如上所述，作为离子杂质，可以掺杂第三族元素或者第五族元素的离子，并且，将薄膜晶体管的半导体层211作为目标，以1×1015atoms/cm2以上的浓度实施掺杂。
此时，将第一栅电极213和第二栅电极214用作自对准(self align)掩模板来向半导体层211掺杂离子杂质，从而使半导体层211包括掺杂有离子杂质的源区域及漏区域211a以及位于其之间的沟道区域211c。即，通过将第一栅电极213和第二栅电极214用作自对准掩模板，从而在不增加额外的光掩模的情况下，可以形成源区域及漏区域211a。
图9A和9B是简要图示根据本发明一实施例的有机发光显示装置1的第三掩模工序结果的截面图。
如图9A和9B所示，在图8A和图8B的第二掩模工序的结果物上层叠第二绝缘层15，图案化第二绝缘层15，以形成露出第二像素电极114的上部的第一接触孔C1、露出半导体层211的源区域及漏区域211a的一部分的第二接触孔C2、露出第二电容器Cvth的第二电极的第二层414的上部的第三接触孔C3以及露出第一电容器Cst的第一电极311的一部分的第四接触孔C4。
图10A和10B是简要图示根据本发明一实施例的有机发光显示装置1的第四掩模工序结果的截面图。
如图10A所示，在图9A的第三掩模工序的结果物上形成分别与源区域及漏区域211a连接的源电极及漏电极216，并且去除像素部PXL1的第二像素电极114的一部分。
如图10B所示，在图9B的第三掩模工序的结果物上形成与第一电容器Cst的第一电极311连接的第一电容器Cst的第三电极316，并且去除第二电容器Cvth的第二电极的第二层414的一部分。
所述第四掩模工序可以包括：蚀刻层叠在第二像素电极114和第二电容器Cvth的第二电极的第二层414上的、形成源电极及漏电极216的导电物质的第一蚀刻工序；以及在第一蚀刻工序之后去除第二像素电极114和第二电容器Cvth的第二电极的第二层414的第二蚀刻工序。当形成第二像素电极114和第二电容器Cvth的第二电极的第二层414的材料不同于源电极及漏电极216的材料时，优选地实施分离的蚀刻工序，当然，当形成第二像素电极114和第二电容器Cvth的第二电极的第二层414的材料的种类相同于源电极及漏电极216的材料的种类时，可以实施一次蚀刻工序。
第四掩模工序之后、在如上所述的结构物上掺杂D2离子杂质。如上所述，作为离子杂质，可以掺杂第三族元素或者第五族元素的离子，并且，将第二电容器Cvth的第一电极411作为目标，以1×1015atoms/cm2以上的浓度实施掺杂。
第二电容器Cvth的第二电极的第一层413的厚度形成为
Figure BSA00000634870300141
以下、即形成得较薄，因此离子杂质通过第一层413而掺杂在第一电极411上。其结果，掺杂有离子杂质的第一电极411与第二电容器Cvth的第二电极的第一层413一同形成MIM CAP结构，从而在设计电路时可以提高电压设计裕度。
另外，在第一电极311的上部以较厚的厚度形成的第二电极的第二层314与第三电极316起到阻断膜的作用，从而第一电容器Cst的第一电极311不被离子杂质掺杂。
图11A和11B是简要图示根据本发明一实施例的有机发光显示装置1的第五掩模工序结果的截面图。
如图11A和图11B所示，在图10A和图10B的第四掩模工序的结果物上形成第三绝缘层17，并且形成使第一像素电极113的上表面露出的开口C5。
开口C5的内部设置有上述的发光层118(参考图3A)，从而，发光层118通过施加至第一像素电极113和相对电极119(参考图3A)的电压而发光。从而，发光区域EL1得以扩大，由此可以增加开口率。
本发明参考附图所示的实例进行了说明，但是这仅是示例性的，所属技术领域的技术人员能够了解依此可以有多种变型和等效的其他实施例。从而，本发明所要保护的真正的技术范围应由权利要求书的技术方案所定。

Claims (21)

1.一种有机发光显示装置，包括：
至少一个晶体管，具有半导体层、栅电极、源电极及漏电极；
第一电容器，具有形成在与所述半导体层相同的层第一电极、形成在与所述栅电极相同的层的第二电极、以及形成在与所述源电极及漏电极相同的层的第三电极；
第二电容器，具有形成在与所述半导体层相同的层并且包含掺杂的离子杂质的第一电极、以及形成在与所述栅电极相同的层的第二电极；
像素电极，形成在与所述栅电极相同的层，并且与所述晶体管电连接；
发光层，位于所述像素电极上；以及
相对电极，与所述像素电极相对设置，并且在所述相对电极和所述像素电极之间设置有所述发光层。
2.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其特征在于，
所述第一电容器与向所述至少一个晶体管供给电源电压的电源电压供给线连接，并且与所述电源电压供给线重叠。
3.根据权利要求2所述的有机发光显示装置，其特征在于，
所述至少一个晶体管为驱动晶体管，
所述第一电容器为向所述驱动晶体管施加电压的存储电容器。
4.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其特征在于，
所述第一电容器的第一电极包括未掺杂离子杂质的半导体。
5.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其特征在于，
所述第一电容器的第一电极与第三电极通过接触孔连接。
6.根据权利要求5所述的有机发光显示装置，其特征在于，
所述第一电容器具有并联的、形成在所述第一电极和所述第二电极之间的第一静电电容以及形成在所述第二电极和所述第三电极之间的第二静电电容。
7.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其特征在于，
所述第一电容器的第二电极包含与所述栅电极相同的物质。
8.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其特征在于，
所述第一电容器的第三电极包含与所述源电极及漏电极相同的物质。
9.根据权利要求8所述的有机发光显示装置，其特征在于，
所述第一电容器的第三电极包括向所述至少一个晶体管供给电源电压的电源电压供给线。
10.根据权利要求3所述的有机发光显示装置，其特征在于，
所述第二电容器为与驱动晶体管的栅电极连接的补偿电容器。
11.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其特征在于，
所述第二电容器的第二电极为透明导电物质。
12.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其特征在于，所述栅电极包括：
第一层，包含透明导电物质；以及
第二层，包含金属。
13.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其特征在于，
所述像素电极由与所述栅电极相同的透明导电物质形成。
14.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其特征在于，
所述半导体层为非晶硅或者晶硅。
15.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其特征在于，
所述相对电极为反射从所述发光层释放的光的反射电极。
16.一种有机发光显示装置的制造方法，包括：
第一掩模工序，在基板上形成半导体层，图案化所述半导体层以形成晶体管的半导体层、第一电容器的第一电极和第二电容器的第一电极；
第二掩模工序，在第一掩模工序的结果物上形成第一绝缘层，在所述第一绝缘层上依次形成透明导电物质和第一金属并将其图案化，以形成晶体管的栅电极、像素电极、第一电容器的第二电极和第二电容器的第二电极；
第三掩模工序，在第二掩模工序的结果物上形成第二绝缘层，形成使所述半导体层的源区域及漏区域、所述像素电极、所述第一电容器的第一电极的一部分以及所述第二电容器的第二电极露出的多个接触孔；
第四掩模工序，在第三掩模工序的结果物上形成第二金属，图案化所述第二金属，以形成与所述源区域及漏区域连接的源电极及漏电极以及所述第一电容器的第三电极；以及
第五掩模工序，在第四掩模工序的结果物上形成第三绝缘层，在第三绝缘层形成开口以使所述像素电极的透明导电物质露出。
17.根据权利要求16所述的有机发光显示装置的制造方法，其特征在于，
所述第二掩模工序之后，在所述源区域及漏区域掺杂离子杂质。
18.根据权利要求16所述的有机发光显示装置的制造方法，其特征在于，所述第四掩模工序包括：
第一蚀刻工序，去除在所述像素电极和第二电容器的第二电极上层叠的所述第二金属；以及
第二蚀刻工序，去除在所述像素电极和第二电容器的透明导电物质上形成的所述第一金属。
19.根据权利要求16所述的有机发光显示装置的制造方法，其特征在于，
在所述第四掩模工序中，以与所述第一金属相同的材料形成所述第二金属，并且同时蚀刻所述第一金属和所述第二金属。
20.根据权利要求16所述的有机发光显示装置的制造方法，其特征在于，
所述第四掩模工序之后、在所述第二电容器的第一电极掺杂离子杂质。
21.根据权利要求16所述的有机发光显示装置的制造方法，其特征在于，
所述第五掩模工序之后，在所述像素电极上部还形成发光层和相对电极。
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