KR102555411B1 - 발광 소자를 포함하는 디스플레이 장치 - Google Patents
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- 239000000872 buffer Substances 0.000 claims abstract description 277
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims abstract description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 67
- 230000001066 destructive effect Effects 0.000 abstract description 5
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 307
- 239000010408 film Substances 0.000 description 60
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 30
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 29
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 25
- 239000000463 material Substances 0.000 description 22
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 19
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 16
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 16
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 10
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 10
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 4
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 2
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- 239000011358 absorbing material Substances 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N olefin Natural products CCCCCCCC=C JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium(II) oxide Chemical compound [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
- H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K50/858—Arrangements for extracting light from the devices comprising refractive means, e.g. lenses
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/38—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]
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- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K59/879—Arrangements for extracting light from the devices comprising refractive means, e.g. lenses
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- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
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- Optics & Photonics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
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Abstract
본 발명은 발광 소자를 포함하는 디스플레이 장치에 관한 것이다. 상기 디스플레이 장치는 상기 발광 소자로부터 방출되는 빛의 경로 상에 위치하는 버퍼 절연막을 포함할 수 있다. 상기 버퍼 절연막은 상기 발광 소자로부터 멀어질수록 굴절률이 감소하는 제 1 버퍼 절연막과 상기 발광 소자로부터 멀어질수록 굴절률이 증가하는 제 2 버퍼 절연막의 적층 구조일 수 있다. 이에 따라, 상기 디스플레이 장치에서는 상기 발광 소자로부터 방출된 빛의 의도하지 않은 보강/상쇄 간섭이 방지될 수 있다. 따라서, 상기 디스플레이 장치에서는 발광 효율이 향상되고, 색 좌표의 편차가 방지될 수 있다.
Description
본 발명은 발광 소자에 의해 생성된 빛의 경로 상에 절연막들이 위치하는 디스플레이 장치에 관한 것이다.
일반적으로 모니터, TV, 노트북, 디지털 카메라와 같은 전자 기기는 영상을 구현하기 위하여 디스플레이 장치를 포함한다. 예를 들어, 상기 디스플레이 장치는 특정한 색을 구현하는 빛을 방출하는 발광 소자 및 상기 발광 소자를 제어하기 위한 박막 트랜지스터를 포함할 수 있다.
상기 박막 트랜지스터 및 상기 발광 소자는 소자 기판 상에 형성될 수 있다. 상기 소자 기판은 상기 박막 트랜지스터 및 상기 발광 소자를 지지할 수 있다. 상기 소자 기판은 투명한 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 발광 소자로부터 방출된 빛은 상기 소자 기판을 통해 외부로 방출될 수 있다.
상기 소자 기판과 상기 박막 트랜지스터 및 상기 발광 소자 사이에는 버퍼 절연막이 위치할 수 있다. 상기 버퍼 절연막은 상기 박막 트랜지스터의 형성 공정 및/또는 상기 발광 소자의 형성 공정에서 상기 소자 기판에 의한 품질 저하를 방지할 수 있다.
그러나, 상기 디스플레이 장치에서는 상기 소자 기판과 상기 버퍼 절연막 사이의 굴절률 차이 및/또는 상기 소자 기판과 상기 발광 소자 사이에 적층된 절연막들 사이의 굴절률 차이에 의해 상기 발광 소자로부터 방출된 빛이 의도하지 않게 반사될 수 있다. 상기 소자 기판과 상기 발광 소자 사이에서 의도하지 않게 반사된 빛은 상기 발광 소자의 전극 및/또는 상기 박막 트랜지스터의 전극에 의해 재반사될 수 있다. 상기 발광 소자의 전극 및/또는 상기 박막 트랜지스터의 전극에 의해 재반사된 빛은 상기 소자 기판과 상기 발광 소자 사이에서 반사되지 않은 빛과 보강 및/또는 상쇄 간섭을 발생할 수 있다. 이에 따라, 상기 디스플레이 장치에서는 휘도가 저하되거나, 색 좌표가 변경될 수 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 의도하지 않은 빛의 보강/상쇄 간섭을 방지할 수 있는 디스플레이 장치를 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 다른 과제는 발광 소자로부터 방출된 빛의 경로 상에 위치하는 절연막들 사이의 경계면에서 의도하지 않은 반사가 방지될 수 있는 디스플레이 장치를 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제들은 앞서 언급한 과제들로 한정되지 않는다. 여기서 언급되지 않은 과제들은 아래의 기재로부터 통상의 기술자에게 명확하게 이해될 것이다.
상기 해결하고자 하는 과제를 달성하기 위한 본 발명의 기술적 사상에 따른 디스플레이 장치는 소자 기판 상에 위치하는 제 1 버퍼 절연막을 포함한다. 제 1 버퍼 절연막 상에는 제 2 버퍼 절연막이 위치한다. 제 2 버퍼 절연막 상에는 발광 소자가 위치한다. 제 1 버퍼 절연막의 굴절률 및 제 2 버퍼 절연막의 굴절률은 제 1 버퍼 절연막과 제 2 버퍼 절연막 사이의 경계면으로부터 멀어질수록 감소한다.
제 2 버퍼 절연막과 발광 소자 사이에는 컬러 필터가 위치할 수 있다.
제 1 버퍼 절연막은 소자 기판에 가까이 위치하는 제 1 최하위 버퍼층, 제 2 버퍼 절연막에 가까이 위치하는 제 1 최상위 버퍼층 및 제 1 최하위 버퍼층과 제 1 최상위 버퍼층 사이에 위치하는 제 1 중간 버퍼층을 포함할 수 있다. 제 1 중간 버퍼층의 굴절률은 제 1 최하위 버퍼층의 굴절률과 제 1 최상위 버퍼층의 굴절률 사이일 수 있다.
제 1 최하위 버퍼층의 굴절률은 소자 기판의 굴절률보다 클 수 있다.
제 2 버퍼 절연막은 제 1 버퍼 절연막에 가까이 위치하는 제 2 최하위 버퍼층을 포함할 수 있다. 제 2 최하위 버퍼층의 굴절률은 제 1 최상위 버퍼층의 굴절률보다 작을 수 있다.
제 2 최하위 버퍼층의 굴절률은 제 1 중간 버퍼층의 굴절률과 동일할 수 있다.
제 2 버퍼 절연막은 발광 소자에 가까이 위치하는 제 2 최상위 버퍼층 및 제 2 최하위 버퍼층과 제 2 최상위 버퍼층 사이에 위치하는 제 2 중간 버퍼층을 더 포함할 수 있다. 제 2 중간 버퍼층의 굴절률은 제 2 최하위 버퍼층의 굴절률과 제 2 최상위 버퍼층의 굴절률 사이일 수 있다.
제 2 중간 버퍼층의 굴절률은 제 1 최하위 버퍼층의 굴절률과 동일할 수 있다.
제 2 최상위 버퍼층의 굴절률은 소자 기판의 굴절률과 동일할 수 있다.
제 2 최상위 버퍼층의 수직 두께는 제 2 중간 버퍼층의 수직 두께보다 클 수 있다.
상기 해결하고자 하는 다른 과제를 달성하기 위한 본 발명의 기술적 사상에 따른 디스플레이 장치는 발광 소자를 포함한다. 발광 소자는 제 1 전극과 제 2 전극 사이에 위치하는 발광층을 포함한다. 발광 소자의 제 1 전극 상에는 버퍼 절연막이 위치한다. 버퍼 절연막은 발광 소자로부터 멀어질수록 굴절률이 감소하는 제 1 버퍼 절연막과 발광 소자로부터 멀어질수록 굴절률이 증가하는 제 2 버퍼 절연막의 적층 구조이다.
제 2 버퍼 절연막은 발광 소자와 제 1 버퍼 절연막 사이에 위치할 수 있다.
제 1 버퍼 절연막은 제 1 버퍼층들의 적층 구조일 수 있다. 제 2 버퍼 절연막은 제 2 버퍼층들의 적층 구조일 수 있다. 적층된 제 2 버퍼층의 수는 적층된 제 1 버퍼층의 수와 동일할 수 있다.
제 1 버퍼층들은 동일한 두께를 가질 수 있다.
제 2 버퍼층들 사이의 굴절률 변화는 제 1 버퍼층들 사이의 굴절률 변화와 대칭될 수 있다.
본 발명의 기술적 사상에 따른 디스플레이 장치는 소자 기판과 발광 소자 사이에 위치하는 버퍼 절연막에 의한 굴절률의 급격한 변화를 방지할 수 있다. 이에 따라, 본 발명의 기술적 사상에 따른 디스플레이 장치에서는 발광 소자로부터 방출된 빛이 인접한 절연막들의 굴절률 차이에 의해 반사되지 않을 수 있다. 즉, 본 발명의 기술적 사상에 따른 디스플레이 장치에서는 의도하지 않은 빛의 보강/상쇄 간섭이 방지될 수 있다. 따라서, 본 발명의 기술적 사상에 따른 디스플레이 장치에서는 발광 효율이 향상되고, 색 좌표의 편차가 방지될 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 디스플레이 장치를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 2는 도 1의 P 영역을 확대한 도면이다.
도 3은 디스플레이 장치의 소자 기판과 발광 소자 사이에 위치하는 버퍼 절연막의 굴절률 분포에 따른 상기 발광 소자로부터 방출된 빛의 스펙트럼을 나타낸 그래프이다.
도 4 내지 7은 각각 본 발명의 다른 실시 예에 따른 디스플레이 장치를 나타낸 도면들이다.
도 8 내지 도 10은 각각 청색, 녹색 또는 적색 서브 픽셀에서 소자 기판과 발광 소자 사이에 제 1 버퍼 절연막과 제 2 버퍼 절연막의 적층 유무에 따른 상기 발광 소자로부터 방출된 빛의 스펙트럼을 나타낸 그래프이다.
도 2는 도 1의 P 영역을 확대한 도면이다.
도 3은 디스플레이 장치의 소자 기판과 발광 소자 사이에 위치하는 버퍼 절연막의 굴절률 분포에 따른 상기 발광 소자로부터 방출된 빛의 스펙트럼을 나타낸 그래프이다.
도 4 내지 7은 각각 본 발명의 다른 실시 예에 따른 디스플레이 장치를 나타낸 도면들이다.
도 8 내지 도 10은 각각 청색, 녹색 또는 적색 서브 픽셀에서 소자 기판과 발광 소자 사이에 제 1 버퍼 절연막과 제 2 버퍼 절연막의 적층 유무에 따른 상기 발광 소자로부터 방출된 빛의 스펙트럼을 나타낸 그래프이다.
본 발명의 상기 목적과 기술적 구성 및 이에 따른 작용 효과에 관한 자세한 사항은 본 발명의 실시 예를 도시하고 있는 도면을 참조한 이하 상세한 설명에 의해 더욱 명확하게 이해될 것이다. 여기서, 본 발명의 실시 예들은 당업자에게 본 발명의 기술적 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위하여 제공되는 것이므로, 본 발명은 이하 설명되는 실시 예들에 한정되지 않도록 다른 형태로 구체화될 수 있다.
또한, 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조 번호로 표시된 부분들은 동일한 구성 요소들을 의미하며, 도면들에 있어서 층 또는 영역의 길이와 두께는 편의를 위하여 과장되어 표현될 수 있다. 덧붙여, 제 1 구성 요소가 제 2 구성 요소 "상"에 있다고 기재되는 경우, 상기 제 1 구성 요소가 상기 제 2 구성 요소와 직접 접촉하는 상측에 위치하는 것뿐만 아니라, 상기 제 1 구성 요소와 상기 제 2 구성 요소 사이에 제 3 구성 요소가 위치하는 경우도 포함한다.
여기서, 상기 제 1, 제 2 등의 용어는 다양한 구성 요소를 설명하기 위한 것으로, 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소로부터 구별하는 목적으로 사용된다. 다만, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위에서는 제 1 구성 요소와 제 2 구성 요소는 당업자의 편의에 따라 임의로 명명될 수 있다.
본 발명의 명세서에서 사용하는 용어는 단지 특정한 실시 예를 설명하기 위해 사용되는 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 예를 들어, 단수로 표현된 구성 요소는 문맥상 명백하게 단수만을 의미하지 않는다면 복수의 구성 요소를 포함한다. 또한, 본 발명의 명세서에서, "포함하다" 또는 "가지다"등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
덧붙여, 다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미가 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥상 가지는 의미와 일치하는 의미가 있는 것으로 해석되어야 하며, 본 발명의 명세서에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
(실시 예)
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 디스플레이 장치를 개략적으로 나타낸 도면이다. 도 2는 도 1의 P 영역을 확대한 도면이다.
도 1 및 2를 참조하면, 본 발명의 실시 예에 따른 디스플레이 장치는 소자 기판(100)을 포함할 수 있다. 상기 소자 기판(100)은 절연성 물질을 포함할 수 있다. 상기 소자 기판(100)은 투명한 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 소자 기판(100)은 유리 기판일 수 있다.
상기 소자 기판(100) 상에는 발광 소자(500)가 위치할 수 있다. 상기 발광 소자(500)는 특정한 색을 구현하는 빛을 방출할 수 있다. 예를 들어, 상기 발광 소자(500)는 순서대로 적층된 제 1 전극(510), 발광층(520) 및 제 2 전극(530)을 포함할 수 있다.
상기 제 1 전극(510)은 도전성 물질을 포함할 수 있다. 상기 제 1 전극(510)은 투명한 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 전극(510)은 ITO, IZO와 같은 투명한 도전성 물질로 형성된 투명 전극일 수 있다.
상기 제 1 전극(510)의 가장 자리는 뱅크 절연막(150)에 의해 덮일 수 있다. 상기 발광층(520) 및 상기 제 2 전극(530)은 상기 뱅크 절연막(150)에 의해 노출된 상기 제 1 전극(510)의 일부 영역 상에 적층될 수 있다. 이에 따라, 본 발명의 실시 예에 따른 디스플레이 장치에서는 상기 소자 기판(100) 상에 위치하는 다수의 발광 소자(500)가 상기 뱅크 절연막(150)에 의해 서로 절연될 수 있다.
상기 발광층(520)은 상기 제 1 전극(510)과 상기 제 2 전극(530) 사이의 전압 차에 대응하는 휘도의 빛을 생성할 수 있다. 예를 들어, 상기 발광층(520)은 발광 물질을 포함하는 발광 물질층(EML)을 포함할 수 있다. 상기 발광 물질은 유기 물질, 무기 물질 또는 하이브리드 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 본 발명의 실시 예에 따른 디스플레이 장치는 유기 물질로 형성된 발광층(520)을 포함하는 유기 발광 표시 장치일 수 있다.
상기 발광층(520)은 발광 효율을 높이기 위하여 다중층 구조일 수 있다. 예를 들어, 상기 발광층(520)은 정공 주입층(HIL), 정공 수송층(HTL), 전자 수송층(ETL) 및 전자 주입층(EIL) 중 적어도 하나를 더 포함할 수 있다.
상기 제 2 전극(530)은 도전성 물질을 포함할 수 있다. 상기 제 2 전극(530)은 상기 제 1 전극(510)과 다른 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제 2 전극(530)은 알루미늄(Al), 은(Ag)과 같은 반사율이 높은 금속을 포함할 수 있다. 이에 따라, 본 발명의 실시 예에 따른 디스플레이 장치에서는 상기 발광층(520)에 의해 생성된 빛이 상기 제 1 전극(510) 및 상기 소자 기판(110)을 통해 외부로 방출될 수 있다.
상기 소자 기판(100)과 상기 발광 소자(500) 사이에는 구동 회로가 위치할 수 있다. 상기 구동 회로는 상기 발광 소자(500)로 구동 전류를 공급할 수 있다. 상기 구동 회로는 적어도 하나의 박막 트랜지스터(300) 및 스토리지 커패시터를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 구동 회로는 상기 발광 소자(500)의 상기 제 1 전극(510)과 전기적으로 연결되는 박막 트랜지스터(300)를 포함할 수 있다.
상기 박막 트랜지스터(300)는 게이트 신호 및 데이터 신호에 따른 구동 전류를 생성할 수 있다. 예를 들어, 상기 박막 트랜지스터(300)는 반도체 패턴(310), 게이트 절연막(320), 게이트 전극(330), 층간 절연막(340), 소스 전극(350) 및 드레인 전극(360)을 포함할 수 있다. 상기 발광 소자(500)는 해당 박막 트랜지스터(300)의 상기 드레인 전극(360)과 연결될 수 있다.
상기 반도체 패턴(310)은 상기 소자 기판(100)에 가까이 위치할 수 있다. 상기 반도체 패턴(310)은 반도체 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 반도체 패턴(310)은 비정질 실리콘 또는 다결정 실리콘을 포함할 수 있다. 상기 반도체 패턴(310)은 산화물 반도체일 수 있다. 예를 들어, 상기 반도체 패턴(310)은 IGZO를 포함할 수 있다.
상기 반도체 패턴(310)은 소스 영역, 드레인 영역 및 채널 영역을 포함할 수 있다. 상기 채널 영역은 상기 소스 영역과 상기 드레인 영역 사이에 위치할 수 있다. 상기 채널 영역은 상기 소스 영역 및 상기 드레인 영역보다 낮은 전기 전도율을 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 소스 영역 및 상기 드레인 영역은 상기 채널 영역보다 도전성 불순물의 농도가 높을 수 있다.
상기 게이트 절연막(320)은 상기 반도체 패턴(310) 상에 위치할 수 있다. 상기 소자 기판(100)과 대향하는 상기 반도체 패턴(310)의 상부면은 상기 게이트 절연막(320)에 의해 부분적으로 덮일 수 있다. 예를 들어, 상기 게이트 절연막(320)은 상기 반도체 패턴(310)의 상기 채널 영역과 중첩할 수 있다. 상기 반도체 패턴(310)의 상기 소스 영역 및 상기 드레인 영역은 상기 게이트 절연막(320)에 의해 노출될 수 있다.
상기 게이트 절연막(320)은 절연성 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 게이트 절연막(320)은 실리콘 산화물 및/또는 실리콘 질화물을 포함할 수 있다. 상기 게이트 절연막(320)은 High-K 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 게이트 절연막(320)은 하프늄 산화물(HfO) 또는 티타늄 산화물(TiO)을 포함할 수 있다. 상기 게이트 절연막(320)은 다중층 구조일 수 있다.
상기 게이트 전극(330)은 상기 게이트 절연막(320) 상에 위치할 수 있다. 상기 게이트 전극(330)은 상기 게이트 절연막(320)에 의해 상기 반도체 패턴(310)과 절연될 수 있다. 예를 들어, 상기 게이트 전극(330)은 상기 반도체 패턴(310)의 상기 채널 영역과 중첩할 수 있다.
상기 게이트 전극(330)은 도전성 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 게이트 전극(330)은 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W)과 같은 금속을 포함할 수 있다.
상기 층간 절연막(340)은 상기 반도체 패턴(310) 및 상기 게이트 전극(330) 상에 위치할 수 있다. 상기 층간 절연막(340)은 상기 반도체 패턴(310)의 외측으로 연장할 수 있다. 예를 들어, 상기 반도체 패턴(310)의 측면 및 상기 게이트 전극(330)의 측면은 상기 층간 절연막(340)에 의해 덮일 수 있다.
상기 층간 절연막(340)은 절연성 물질을 포함할 수 있다. 상기 층간 절연막(340)의 굴절률은 상기 소자 기판(100)의 굴절률과 동일할 수 있다. 예를 들어, 상기 층간 절연막(340)은 실리콘 산화물을 포함할 수 있다.
상기 소스 전극(350) 및 상기 드레인 전극(360)은 상기 층간 절연막(340) 상에 위치할 수 있다. 상기 소스 전극(350)은 상기 반도체 패턴(310)의 상기 소스 영역과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 드레인 전극(360)은 상기 반도체 패턴(310)의 상기 드레인 영역과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 드레인 전극(360)은 상기 소스 전극(350)과 이격될 수 있다. 예를 들어, 상기 층간 절연막(340)은 상기 반도체 패턴(310)의 상기 소스 영역을 노출하는 컨택홀 및 상기 반도체 패턴(310)의 상기 드레인 영역을 노출하는 컨택홀을 포함할 수 있다.
상기 소스 전극(350) 및 상기 드레인 전극(360)은 도전성 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 소스 전극(350) 및 상기 드레인 전극(360)은 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W)과 같은 금속을 포함할 수 있다. 상기 드레인 전극(360)은 상기 소스 전극(350)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 상기 게이트 전극(330)은 상기 소스 전극(350) 및 상기 드레인 전극(360)과 다른 물질을 포함할 수 있다.
상기 구동 회로는 상기 뱅크 절연막(150)에 의해 노출된 상기 제 1 전극(510)의 일부 영역과 중첩하지 않을 수 있다. 예를 들어, 상기 박막 트랜지스터(300)는 상기 뱅크 절연막(150)과 중첩할 수 있다. 이에 따라, 본 발명의 실시 예에 따른 디스플레이 장치에서는 상기 발광 소자(500)에 의해 방출된 빛이 상기 박막 트랜지스터(300)에 의해 차단되지 않을 수 있다.
상기 소자 기판(100)과 상기 박막 트랜지스터(300) 사이에는 버퍼 절연막(110, 120)이 위치할 수 있다. 상기 버퍼 절연막(110, 120)은 상기 박막 트랜지스터(300)의 형성 공정 및 상기 발광 소자(500)의 형성 공정에서 상기 소자 기판(100)에 의한 품질 저하를 방지할 수 있다. 상기 버퍼 절연막(110, 120)은 다중층 구조일 수 있다. 예를 들어, 상기 버퍼 절연막(110, 120)은 제 1 버퍼 절연막(110)과 제 2 버퍼 절연막(120)의 적층 구조일 수 있다.
상기 소자 기판(100) 상에는 버퍼 절연막(110, 120)이 위치할 수 있다. 상기 버퍼 절연막(110, 120)은 후속 공정에서 상기 소자 기판(100)에 의한 품질 저하를 방지할 수 있다. 상기 버퍼 절연막(110, 120)은 다중층 구조일 수 있다. 예를 들어, 상기 버퍼 절연막(110, 120)은 제 1 버퍼 절연막(110)과 제 2 버퍼 절연막(120)의 적층 구조일 수 있다.
상기 제 1 버퍼 절연막(110)은 상기 소자 기판(100)에 가까이 위치할 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 버퍼 절연막(110)은 상기 소자 기판(100)과 상기 제 2 버퍼 절연막(120) 사이에 위치할 수 있다.
상기 제 1 버퍼 절연막(110)의 굴절률은 상기 소자 기판(100)으로부터 멀어질수록 증가할 수 있다. 상기 제 1 버퍼 절연막(110)은 굴절률이 다른 제 1 버퍼층들(111, 112, 113)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 버퍼 절연막(110)은 상기 소자 기판(100) 상에 순서대로 적층된 제 1 최하위 버퍼층(111), 제 1 중간 버퍼층(112) 및 제 1 최상위 버퍼층(113)을 포함할 수 있다. 상기 제 1 최상위 버퍼층(113)의 굴절률은 상기 제 1 최하위 버퍼층(111)의 굴절률보다 클 수 있다. 상기 제 1 중간 버퍼층(112)의 굴절률은 상기 제 1 최하위 버퍼층(111)의 굴절률과 상기 제 1 최상위 버퍼층(113)의 굴절률 사이일 수 있다.
상기 제 1 버퍼층들(111, 112, 113)은 절연성 물질을 포함할 수 있다. 상기 제 1 버퍼층들(111, 112, 113) 중 적어도 하나는 다른 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 최하위 버퍼층(111) 및 상기 제 1 중간 버퍼층(112)은 실리콘 산 질화물(SiON)을 포함하고, 상기 제 1 최상위 버퍼층(113)은 실리콘 질화물(SiN)을 포함할 수 있다.
상기 제 1 버퍼층들(111, 112, 113)은 동일한 두께를 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 중간 버퍼층(112)의 두께(TC1)는 상기 제 1 최하위 버퍼층(111)의 두께(TL1)와 동일할 수 있다. 상기 제 1 최상위 버퍼층(113)의 두께(TU1)의 두께는 상기 제 1 중간 버퍼층(112)의 두께(TC1)와 동일할 수 있다.
상기 제 2 버퍼 절연막(120)은 상기 제 1 버퍼 절연막(110) 상에 위치할 수 있다. 예를 들어, 상기 제 2 버퍼 절연막(120)은 상기 제 1 버퍼 절연막(110)과 상기 발광 소자(500) 사이에 위치할 수 있다. 상기 제 2 버퍼 절연막(120)은 상기 소자 기판(100)과 대향하는 상기 제 1 버퍼 절연막(110)의 상부면과 직접 접촉할 수 있다. 상기 제 1 버퍼 절연막(110)의 상부면은 상기 제 1 버퍼 절연막(110)과 상기 제 2 버퍼 절연막(120) 사이의 경계면일 수 있다.
상기 제 2 버퍼 절연막(120)의 굴절률은 상기 제 1 버퍼 절연막(110)으로부터 멀어질수록 감소할 수 있다. 이에 따라, 본 발명의 실시 예에 따른 디스플레이 장치에서는 발광 소자(500)로부터 방출된 빛의 경로 상에 굴절률의 급격한 변화가 방지될 수 있다. 상기 제 2 버퍼 절연막(120)은 굴절률이 다른 제 2 버퍼층들(121, 122, 123)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제 2 버퍼 절연막(120)은 상기 제 1 버퍼 절연막(110) 상에 순서대로 적층된 제 2 최하위 버퍼층(121), 제 2 중간 버퍼층(122) 및 제 2 최상위 버퍼층(123)을 포함할 수 있다. 상기 제 2 최상위 버퍼층(123)의 굴절률은 상기 제 2 최하위 버퍼층(121)의 굴절률보다 작을 수 있다. 상기 제 2 중간 버퍼층(122)의 굴절률은 상기 제 2 최하위 버퍼층(121)의 굴절률과 상기 제 2 최상위 버퍼층(123)의 굴절률 사이일 수 있다.
상기 제 2 버퍼층들(121, 122, 123)은 절연성 물질을 포함할 수 있다. 상기 제 2 버퍼층들(121, 122, 123) 중 적어도 하나는 다른 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제 2 최하위 버퍼층(121) 및 상기 제 2 중간 버퍼층(122)은 실리콘 산 질화물(SiON)을 포함하고, 상기 제 2 최상위 버퍼층(123)은 실리콘 산화물(SiO)을 포함할 수 있다.
상기 제 2 버퍼층들(121, 122, 123)의 굴절률 변화는 상기 제 1 버퍼 절연막(110)과 상기 제 2 버퍼 절연막(120) 사이의 경계면을 기준으로 상기 제 1 버퍼층들(111, 112, 113)의 굴절률 변화와 다를 수 있다. 예를 들어, 상기 제 2 최하위 버퍼층(121)의 굴절률은 상기 제 1 최상위 버퍼층(113)의 굴절률보다 작을 수 있다. 상기 제 2 중간 버퍼층(122)의 굴절률은 상기 제 1 중간 버퍼층(112)의 굴절률보다 작을 수 있다. 상기 제 2 최상위 버퍼층(123)의 굴절률은 상기 제 1 최하위 버퍼층(111)의 굴절률보다 작을 수 있다.
상기 제 1 버퍼층들(111, 112, 113) 및 상기 제 2 버퍼층들(121, 122, 123)은 상기 제 1 최상위 버퍼층(123)을 기준으로 대칭되는 굴절률을 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 제 2 최하위 버퍼층(121)의 굴절률은 상기 제 1 중간 버퍼층(112)의 굴절률과 동일할 수 있다. 상기 제 2 최하위 버퍼층(121)의 두께(TL2)는 상기 제 1 중간 버퍼층(112)의 두께(TC2)와 동일할 수 있다. 상기 제 2 중간 버퍼층(122)의 굴절률은 상기 제 1 최하위 버퍼층(111)의 굴절률과 동일할 수 있다. 상기 제 2 중간 버퍼층(122)의 두께(TC2)는 상기 제 1 최하위 버퍼층(111)의 두께(TL1)과 동일할 수 있다. 상기 제 2 최상위 버퍼층(123)의 굴절률은 상기 소자 기판(100)의 굴절률과 동일할 수 있다. 상기 제 2 최상위 버퍼층(123)의 두께(TU2)는 상기 제 2 중간 버퍼층(122)의 두께(TC2)보다 클 수 있다.
상기 소자 기판(100)과 상기 제 1 버퍼 절연막(110) 사이에는 차광 패턴(200)이 위치할 수 있다. 상기 차광 패턴(200)은 외부로부터 입사하는 광을 차단할 수 있다. 예를 들어, 상기 박막 트랜지스터(300)의 상기 반도체 패턴(310)은 상기 차광 패턴(200)과 중첩할 수 있다. 상기 차광 패턴(200)의 수평 폭은 상기 반도체 패턴(310)의 수평 폭보다 클 수 있다. 이에 따라, 본 발명의 실시 예에 따른 디스플레이 장치에서는 상기 반도체 패턴(310)의 채널 영역 방향으로 진행하는 외광이 상기 차광 패턴(200)에 의해 차단될 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시 예에 따른 디스플레이 장치에서는 외광에 의한 상기 박막 트랜지스터(300)의 오동작이 방지될 수 있다.
상기 차광 패턴(200)은 다중층 구조일 수 있다. 예를 들어, 상기 차광 패턴(200)은 상기 소자 기판(100) 상에 순서대로 적층된 저반사층(210) 및 차광층(220)을 포함할 수 있다. 상기 저반사층(210)은 저반사 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 저반사층(210)은 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta)과 같은 저반사 금속을 포함할 수 있다. 상기 차광층(220)은 도전성 물질을 포함할 수 있다. 상기 차광층(220)의 반사율은 상기 저반사층(210)의 반사율보다 클 수 있다. 예를 들어, 상기 차광층(220)은 알루미늄(Al), 은(Ag)과 같은 금속을 포함할 수 있다. 이에 따라, 본 발명의 실시 예에 따른 디스플레이 장치에서는 상기 차광층(220)에서 반사된 빛에 의한 시인성 저하가 방지될 수 있다.
상기 차광 패턴(200)은 상기 구동 회로와 전기적으로 연결될 수 있다. 예를 들어, 상기 박막 트랜지스터(300)의 상기 드레인 전극(360)은 상기 차광 패턴(200)의 상기 차광층(220)과 연결될 수 있다. 상기 제 1 버퍼 절연막(110) 및 상기 제 2 버퍼 절연막(120)은 상기 차광층(220)의 일부 영역을 노출하는 컨택홀을 포함할 수 있다. 이에 따라, 본 발명의 실시 예에 따른 디스플레이 장치에서는 상기 차광 패턴(200)에 의한 기생 커패시턴스가 방지될 수 있다.
상기 소자 기판(100)과 대향하는 상기 박막 트랜지스터(300)의 상부면 상에는 하부 보호막(130)이 위치할 수 있다. 상기 하부 보호막(130)은 외부 충격 및 수분에 의한 상기 박막 트랜지스터(300)의 손상을 방지할 수 있다. 예를 들어, 상기 하부 보호막(130)은 상기 소스 전극(350) 및 상기 드레인 전극(360)의 외측으로 연장할 수 있다. 상기 박막 트랜지스터(300)는 상기 하부 보호막(130)에 의해 완전히 덮일 수 있다.
상기 하부 보호막(130)은 절연성 물질을 포함할 수 있다. 상기 하부 보호막(130)은 상기 소스 전극(350) 및 상기 드레인 전극(360)의 외측에서 상기 층간 절연막(340)과 직접 접촉할 수 있다. 상기 하부 보호막(130)은 상기 층간 절연막(340)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 하부 보호막(130)은 실리콘 산화물을 포함할 수 있다.
상기 하부 보호막(130)과 상기 발광 소자(300) 및 상기 뱅크 절연막(150) 사이에는 오버 코트층(140)이 위치할 수 있다. 상기 오버 코트층(140)은 상기 차광 패턴(200) 및 상기 박막 트랜지스터(300)에 의한 단차를 제거할 수 있다. 예를 들어, 상기 소자 기판(100)과 대향하는 상기 오버 코트층(140)의 상부면은 평평한 평면일 수 있다.
상기 오버 코트층(140)은 절연성 물질을 포함할 수 있다. 상기 오버 코트층(140)은 상대적으로 유동성이 큰 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 오버 코트층(140)은 유기 절연 물질을 포함할 수 있다.
상기 발광 소자(500)로부터 방출된 빛의 경로 상에는 컬러 필터(400)가 위치할 수 있다. 예를 들어, 상기 컬러 필터(400)는 상기 하부 보호막(130)과 상기 오버 코트층(140) 사이에 위치할 수 있다. 상기 컬러 필터(400)에 의한 단차는 상기 오버 코트층(140)에 의해 제거될 수 있다.
상기 발광 소자(500)로부터 방출된 빛이 나타내는 색은 상기 컬러 필터(400)에 의해 변경될 수 있다. 예를 들어, 상기 발광 소자(500)로부터 방출된 백색을 나타내는 빛은 상기 컬러 필터(400)에 의해 청색, 적색 또는 녹색을 구현할 수 있다. 상기 컬러 필터(400)는 상기 뱅크 절연막(150)에 의해 노출된 상기 제 1 전극(510)의 일부 영역과 중첩할 수 있다. 상기 컬러 필터(400)는 상기 박막 트랜지스터(300)와 중첩하지 않을 수 있다. 상기 컬러 필터(400)의 수평 폭은 상기 뱅크 절연막(150)에 의해 노출된 상기 제 1 전극(510)의 일부 영역의 수평 폭보다 클 수 있다. 이에 따라, 본 발명의 실시 예에 따른 디스플레이 장치에서는 상기 발광 소자(500)로부터 방출된 모든 빛이 상기 컬러 필터(400)를 통과할 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시 예에 따른 디스플레이 장치에서는 빛샘이 방지될 수 있다.
상기 발광 소자(500)의 상기 제 2 전극(530) 상에는 봉지층(600)이 위치할 수 있다. 상기 봉지층(600)은 외부 충격 및 수분에 의한 상기 발광 소자(500)의 손상을 방지할 수 있다. 예를 들어, 상기 봉지층(600)은 상기 소자 기판(100) 상에 위치하는 적어도 하나의 발광 소자(500)를 완전히 덮을 수 있다. 상기 봉지층(600)은 흡습 물질로 형성된 흡습 비드들을 포함할 수 있다. 상기 봉지층(600)은 다중층 구조일 수 있다. 예를 들어, 상기 봉지층(600)은 상기 발광 소자(500) 상에 순서대로 적층된 하부 봉지층 및 상부 봉지층을 포함할 수 있다. 상기 흡습 비드들은 상기 상부 봉지층 내에 분산될 수 있다. 상기 하부 봉지층은 상기 발광 소자와 상기 상부 봉지층 사이에 위치할 수 있다. 이에 따라, 본 발명의 실시 예에 따른 디스플레이 장치에서는 상기 흡습 비드들의 팽창에 의해 상기 발광 소자(500)에 가해지는 압력이 상기 하부 봉지층에 의해 완화될 수 있다.
상기 봉지층(600)은 절연성 물질을 포함할 수 있다. 상기 봉지층(600)은 경화 공정이 필요하지 않은 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 봉지층(600)은 올레핀(olefin)계 물질을 포함할 수 있다. 이에 따라, 본 발명의 실시 예에 따른 디스플레이 장치에서는 상기 봉지층(600)의 형성 공정에 의한 상기 발광 소자(500)의 열화가 방지될 수 있다. 상기 하부 봉지층은 상기 상부 봉지층과 다른 물질을 포함할 수 있다.
본 발명의 실시 예에 따른 디스플레이 장치는 상기 봉지층(600)이 상기 발광 소자(500)와 직접 접촉하는 것으로 설명된다. 그러나, 본 발명의 다른 실시 예에 따른 디스플레이 장치는 상기 발광 소자(500)의 상기 제 2 전극(530)과 상기 봉지층(600) 사이에 위치하는 상부 보호막을 더 포함할 수 있다. 상기 상부 보호막은 외부 충격 및 수분에 의한 상기 발광 소자(500)의 손상을 방지할 수 있다. 상기 상부 보호막은 절연성 물질을 포함할 수 있다. 상기 상부 보호막은 다중층 구조일 수 있다. 상기 상부 보호막은 상기 봉지층(600)과 다른 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 상부 보호막은 무기 물질로 형성된 무기 절연막들 사이에 유기 물질로 형성된 유기 절연막이 위치하는 구조일 수 있다. 이에 따라, 본 발명의 다른 실시 예에 따른 디스플레이 장치에서는 외부 충격 및 수분에 의한 발광 소자(500)의 손상이 효과적으로 방지될 수 있다.
상기 봉지층(600) 상에는 봉지 기판(700)이 위치할 수 있다. 상기 봉지 기판(700)은 상기 봉지층(600)에 의해 상기 발광 소자(500)가 형성된 상기 소자 기판(100)과 결합될 수 있다. 상기 봉지 기판(700)은 상기 소자 기판(100)과 다른 물질을 포함할 수 있다. 상기 봉지 기판(700)은 영상을 구현하는 동작에서 상기 발광 소자(500) 및/또는 상기 박막 트랜지스터에 의해 발생한 열을 방출할 수 있다. 예를 들어, 상기 봉지 기판(700)은 알루미늄(Al)과 같이 상대적으로 열전도도(thermal conductivity)가 높은 금속을 포함할 수 있다.
결과적으로, 본 발명의 실시 예에 따른 디스플레이 장치는 소자 기판(100)과 발광 소자(500) 사이에 상기 발광 소자(500)로부터 멀어질수록 굴절률이 감소하는 제 1 버퍼 절연막(110)과 상기 발광 소자(500)로부터 멀어질수록 굴절률이 증가하는 제 2 버퍼 절연막(120)을 적층하여, 상기 소자 기판(100)을 통해 외부로 방출되는 빛의 경로 상에 적층된 절연막들 사이의 굴절률 차이를 최소화할 수 있다. 이에 따라, 본 발명의 실시 예에 따른 디스플레이 장치에서는 버퍼 절연막(110, 120)과 주변 구성 사이에서 급격한 굴절률의 변화가 방지될 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시 예에 따른 디스플레이 장치에서는 상기 버퍼 절연막(110, 120)에 의한 의도하지 않은 반사가 방지될 수 있다.
도 3은 소자 기판(100)과 발광 소자(500) 사이에 위치하는 버퍼 절연막(110, 120)의 굴절률 분포에 따른 상기 발광 소자(500)로부터 방출된 빛의 스펙트럼을 나타낸 그래프이다. 여기서, S1은 본 발명의 실시 예에 따른 디스플레이 장치의 스펙트럼을 나타낸 그래프이다. S2는 버퍼 절연막(110, 120)의 굴절률이 소자 기판(100)에서 발광 소자(500) 방향으로 갈수록 감소하는 디스플레이 장치의 스펙트럼을 나타낸 그래프이다. S3은 버퍼 절연막의 굴절률이 소자 기판(100)에서 발광 소자(500) 방향으로 갈수록 증가하는 디스플레이 장치의 스펙트럼을 나타낸 그래프이다.
도 3을 참조하면, S1은 S2 및 S3와 비교하여, 그래프의 흔들림(wiggling)이 적은 것을 알 수 있다. 즉, 본 발명의 실시 예에 따른 디스플레이 장치는 경계면으로부터 멀어질수록 굴절률이 감소하는 제 1 버퍼 절연막(110)과 제 2 버퍼 절연막(120)의 적층 구조를 통해 발광 소자(500)로부터 방출된 빛의 의도하지 않은 보강/상쇄 간섭을 방지함으로써, 위치에 따른 빛의 특성 산포를 최소화할 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시 예에 따른 디스플레이 장치에서는 발광 효율이 향상되고, 색 좌표의 편차가 방지될 수 있다.
본 발명의 실시 예에 따른 디스플레이 장치는 제 2 버퍼 절연막(120)의 제 2 최하위 버퍼층(121)이 제 1 버퍼 절연막(110)의 제 1 최상위 버퍼층(113)보다 작은 굴절률을 갖는 것으로 설명된다. 그러나, 본 발명의 다른 실시 예에 따른 디스플레이 장치에서는 제 2 버퍼층들(121, 122, 123)의 굴절률 변화가 제 1 버퍼 절연막(110)과 제 2 버퍼 절연막(120) 사이의 경계면을 기준으로 제 1 버퍼층들(111, 112, 113)의 굴절률 변화와 대칭될 수 있다. 예를 들어, 본 발명의 다른 실시 예에 따른 디스플레이 장치는 제 2 버퍼 절연막(120)의 제 2 최하위 버퍼층(121), 제 2 중간 버퍼층(122) 및 제 2 최상위 버퍼층(123)이 각각 제 1 버퍼 절연막(110)의 제 1 최상위 버퍼층(113), 제 1 중간 버퍼층(112) 및 제 1 최하위 버퍼층(111)과 동일한 굴절률을 가질 수 있다. 이에 따라, 도 4에 도시된 바와 같이, 본 발명의 다른 실시 예에 따른 디스플레이 장치에서는 상기 제 2 최상위 버퍼층(123)의 두께(TU2)가 상기 제 1 최하위 버퍼층(111)의 두께(TL1)과 동일하고, 상기 제 2 중간 버퍼층(122)의 두께(TC2)가 상기 제 1 중간 버퍼층(112)의 두께(TC1)과 동일하며, 상기 제 2 최하위 버퍼층(121)의 두께(TL1)가 상기 제 1 최상위 버퍼층(113)의 두께(TU1)와 동일할 수 있다. 따라서, 본 발명의 다른 실시 예에 따른 디스플레이 장치에서는 스펙트럼의 흔들림(wiggling)을 최소화하며, 소자 기판(100)에 의한 품질 저하를 효과적으로 방지할 수 있다.
본 발명의 실시 예에 따른 디스플레이 장치는 제 1 버퍼층들(111, 112, 113)이 동일한 두께(TL1=TC1=TU1)를 가지는 것으로 설명된다. 그러나, 본 발명의 다른 실시 예에 따른 디스플레이 장치에서는 제 1 버퍼층들(111, 112, 113)이 서로 다른 두께를 가질 수 있다. 예를 들어, 도 5에 도시된 바와 같이, 본 발명의 다른 실시 예에 따른 디스플레이 장치에서는 제 1 최하위 버퍼층(111)의 두께(TL1)이 제 1 최상위 버퍼층(113)의 두께(TU1)보다 작고, 제 2 중간 버퍼층(112)의 두께(TC1)가 상기 제 1 최하위 버퍼층(111)의 두께(TL1)와 상기 제 1 최상위 버퍼층(113)의 두께(TU1) 사이일 수 있다. 또한, 본 발명의 다른 실시 예에 따른 디스플레이 장치에서는 제 2 버퍼층들(121, 122, 123)이 상기 제 1 버퍼층들(111, 112, 113)에 대응되는 두께를 가질 수 있다. 이에 따라, 본 발명의 다른 실시 예에 따른 디스플레이 장치에서는 버퍼 절연막(110, 120)의 구성에 대한 자유도가 향상될 수 있다.
본 발명의 실시 예에 따른 디스플레이 장치는 박막 트랜지스터(300)의 게이트 전극(330), 소스 전극(350) 및 드레인 전극(360)이 단일층 구조인 것으로 설명된다. 그러나, 도 6에 도시된 바와 같이, 본 발명의 다른 실시 예에 따른 디스플레이 장치는 박막 트랜지스터(300)가 다중층 구조의 게이트 전극(330), 소스 전극(350) 및 드레인 전극(360)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 게이트 전극(330)은 하부 게이트층(331) 및 상부 게이트층(332)를 포함하고, 상기 소스 전극(350)은 하부 소스층(351) 및 상부 소스층(352)을 포함하며, 상기 드레인 전극(360)은 하부 드레인층(361) 및 상부 드레인층(362)을 포함할 수 있다. 상기 하부 게이트층(331), 상기 하부 소스층(351) 및 상기 하부 드레인층(361)은 저반사 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 하부 게이트층(331), 상기 하부 소스층(351) 및 상기 하부 드레인층(361)은 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta)과 같은 저반사 금속을 포함할 수 있다. 상기 상부 게이트층(332), 상기 상부 소스층(352) 및 상기 상부 드레인층(362)은 각각 상기 하부 게이트층(331), 상기 하부 소스층(351) 및 상기 하부 드레인층(361)보다 높은 전도율을 가질 수 있다.
본 발명의 실시 예에 따른 디스플레이 장치는 박막 트랜지스터(300)의 층간 절연막(340)이 제 2 버퍼 절연막(120)과 하부 보호막(130) 사이로 연장하는 것으로 설명된다. 그러나, 도 6에 도시된 바와 같이, 본 발명의 다른 실시 예에 따른 디스플레이 장치에서는 소자 기판(100)과 컬러 필터(400) 사이에서 하부 보호막(130)이 제 2 버퍼 절연막(120)과 직접 접촉할 수 있다. 예를 들어, 본 발명의 다른 실시 예에 따른 디스플레이 장치에서는 소스 전극(350) 및 드레인 전극(360)의 형성 공정에 사용되는 마스크를 통해 층간 절연막(340)의 일부 영역이 제거될 수 있다. 이에 따라, 본 발명의 다른 실시 예에 따른 디스플레이 장치에서는 층간 절연막(340)의 물질에 대한 자유도가 향상될 수 있다. 예를 들어, 본 발명의 다른 실시 예에 따른 디스플레이 장치에서는 상기 층간 절연막(340)의 굴절률은 상기 하부 보호막(130)의 굴절률과 큰 차이를 가질 수 있다. 이에 따라, 본 발명의 다른 실시 예에 따른 디스플레이 장치에서는 층간 절연막(340)의 기능이 충분히 수행되며, 색 좌표의 편차가 방지될 수 있다.
본 발명의 실시 예에 따른 디스플레이 장치는 발광 소자(500)의 발광층(520) 및 제 2 전극(530)가 뱅크 절연막(150) 상으로 연장하는 것으로 설명된다. 즉, 본 발명의 실시 예에 따른 디스플레이 장치는 각 발광 소자(500)의 발광층(520) 및 제 2 전극(530)가 인접한 발광 소자(500)의 발광층(520) 및 제 2 전극(530)와 연결될 수 있다. 그러나, 도 7에 도시된 바와 같이, 본 발명의 다른 실시 예에 따른 디스플레이 장치에서는 각 발광 소자(500)가 인접한 발광 소자(500)와 분리된 발광층(520)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 본 발명의 다른 실시 예에 따른 디스플레이 장치에서는 청색 서브 픽셀 상에 위치하는 발광 소자(500)가 청색 발광층(520)을 포함하고, 녹색 서브 픽셀 상에 위치하는 발광 소자(500)가 녹색 발광층(520)을 포함하며, 적색 서브 픽셀 상에 위치하는 발광 소자(500)가 적색 발광층(520)을 포함할 수 있다.
도 8은 청색 서브 픽셀에서 소자 기판과 발광 소자 사이에 제 1 버퍼 절연막과 제 2 버퍼 절연막의 적층 유무에 따른 상기 발광 소자로부터 방출된 빛의 스펙트럼을 나타낸 그래프이다. 도 9는 녹색 서브 픽셀에서 소자 기판과 발광 소자 사이에 제 1 버퍼 절연막과 제 2 버퍼 절연막의 적층 유무에 따른 상기 발광 소자로부터 방출된 빛의 스펙트럼을 나타낸 그래프이다. 도 10은 적색 서브 픽셀에서 소자 기판과 발광 소자 사이에 제 1 버퍼 절연막과 제 2 버퍼 절연막의 적층 유무에 따른 상기 발광 소자로부터 방출된 빛의 스펙트럼을 나타낸 그래프이다.
도 8 내지 10을 참조하면, 청색, 녹색 또는 적색 서브 픽셀에서 소자 기판과 발광 소자 사이에 제 1 버퍼 절연막과 제 2 버퍼 절연막이 적층된 디스플레이 장치(B1, G1, R1)가 단일 굴절률을 갖는 버퍼 절연막을 갖는 디스플레이 장치(B2, G2, R2)와 비교하여, 그래프의 흔들림(wiggling)이 적은 것을 알 수 있다. 즉, 본 발명의 다른 실시 예에 따른 디스플레이 장치에서는 인접한 발광 소자(500)와 분리되는 발광층(520)을 포함하는 발광 소자(500)의 발광 효율이 향상되고, 각 발광 소자(500)로부터 방출된 빛에 의한 색 좌표의 편차가 방지될 수 있다. 예를 들어, 본 발명의 다른 실시 예에 따른 디스플레이 장치에서는 청색, 녹색 또는 적색 서브 픽셀 상에 위치하는 제 1 버퍼 절연막과 제 2 버퍼 절연막의 적층 구조를 조절하여 색 좌표를 최적화할 수 있다. 따라서, 본 발명의 다른 실시 예에 따른 디스플레이 장치에서는 구현되는 영상의 품질이 향상될 수 있다.
110: 소자 기판 110: 제1 버퍼 절연막
111: 제 1 최하위 버퍼층 112: 제 1 중간 버퍼층
113: 제 1 최상위 버퍼층 120: 제 2 버퍼 절연막
121: 제 2 최하위 버퍼층 122: 제 2 중간 버퍼층
123: 제 2 최상위 버퍼층 200: 차광 패턴
300: 박막 트랜지스터 400: 컬러 필터
500: 발광 소자 600: 봉지층
700: 봉지 기판
111: 제 1 최하위 버퍼층 112: 제 1 중간 버퍼층
113: 제 1 최상위 버퍼층 120: 제 2 버퍼 절연막
121: 제 2 최하위 버퍼층 122: 제 2 중간 버퍼층
123: 제 2 최상위 버퍼층 200: 차광 패턴
300: 박막 트랜지스터 400: 컬러 필터
500: 발광 소자 600: 봉지층
700: 봉지 기판
Claims (15)
- 소자 기판 상에 위치하는 제 1 버퍼 절연막;
상기 제 1 버퍼 절연막 상에 위치하는 제 2 버퍼 절연막; 및
상기 제 2 버퍼 절연막 상에 위치하는 발광 소자를 포함하되,
상기 제 1 버퍼 절연막은 제 1 최하위 버퍼층, 상기 최하위 버퍼층보다 큰 굴절률을 갖는 제 1 중간 버퍼층 및 상기 제 1 중간 버퍼층보다 큰 굴절률을 갖는 제 1 최상위 버퍼층의 적층 구조를 가지고,
상기 제 2 버퍼 절연막은 제 2 최하위 버퍼층, 상기 제 2 최하위 버퍼층보다 작은 굴절률을 갖는 제 2 중간 버퍼층 및 상기 제 2 중간 버퍼층보다 작은 굴절률을 갖는 제 2 최상위 버퍼층의 적층 구조를 가지며,
상기 제 2 버퍼 절연막의 상기 제 2 최하위 버퍼층은 상기 제 1 버퍼 절연막의 상기 제 1 최상위 버퍼층과 접촉하는 디스플레이 장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 제 2 버퍼 절연막과 상기 발광 소자 사이에 위치하는 컬러 필터를 더 포함하는 디스플레이 장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 제 1 최하위 버퍼층, 상기 제 1 중간 버퍼층 및 상기 제 1 최상위 버퍼층은 동일한 수직 두께를 갖는 디스플레이 장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 제 1 최하위 버퍼층의 굴절률은 상기 소자 기판의 굴절률보다 큰 디스플레이 장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 제 2 최하위 버퍼층의 굴절률은 상기 제 1 최상위 버퍼층의 굴절률보다 작은 디스플레이 장치. - 제 5 항에 있어서,
상기 제 2 최하위 버퍼층의 굴절률은 상기 제 1 중간 버퍼층의 굴절률과 동일한 디스플레이 장치. - 제 5 항에 있어서,
상기 제 2 최하위 버퍼층의 수직 두께는 상기 제 1 최상위 버퍼층의 수직 두께와 동일한 디스플레이 장치. - 제 5 항에 있어서,
상기 제 2 중간 버퍼층의 굴절률은 상기 제 1 최하위 버퍼층의 굴절률과 동일한 디스플레이 장치. - 제 5 항에 있어서,
상기 제 2 최상위 버퍼층의 굴절률은 상기 소자 기판의 굴절률과 동일한 디스플레이 장치. - 제 9 항에 있어서,
상기 제 2 최상위 버퍼층의 수직 두께는 상기 제 2 중간 버퍼층의 수직 두께보다 큰 디스플레이 장치. - 제 1 버퍼 절연막 상에 위치하고, 제 1 전극과 제 2 전극 사이에 위치하는 발광층을 포함하는 발광 소자; 및
상기 제 1 버퍼 절연막과 상기 발광 소자의 상기 제 1 전극 사이에 위치하는 제 2 버퍼 절연막을 포함하되,
상기 제 1 버퍼 절연막은 제 1 버퍼층들 및 상기 제 1 버퍼층들과 상기 발광 소자 사이에 위치하는 제 1 최상위 버퍼층을 포함하고,
상기 제 2 버퍼 절연막은 제 2 버퍼층들 및 상기 제 2 버퍼층들과 상기 발광 소자 사이에 위치하는 제 2 최상위 버퍼층을 포함하고,
상기 제 1 버퍼층들의 굴절률은 상기 발광 소자로부터 멀어질수록 상기 제 1 최상위 버퍼층의 굴절률로부터 점진적으로 감소하고,
상기 제 2 버퍼층들의 굴절률은 상기 발광 소자로부터 멀어질수록 상기 제 2 최상위 버퍼층의 굴절률로부터 점진적으로 증가하는 디스플레이 장치. - 제 11 항에 있어서,
상기 제 2 버퍼 절연막은 상기 제 1 버퍼 절연막과 접촉하는 디스플레이 장치. - 제 11 항에 있어서,
상기 제 2 버퍼층들의 수는 상기 제 1 버퍼층들의 수와 동일한 디스플레이 장치. - 제 13 항에 있어서,
상기 제 1 버퍼층들은 동일한 두께를 갖는 디스플레이 장치. - 제 13 항에 있어서,
상기 제 2 버퍼층들 사이의 굴절률 변화는 상기 제 1 버퍼층들 사이의 굴절률 변화와 대칭되는 디스플레이 장치.
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020180123316A KR102555411B1 (ko) | 2018-10-16 | 2018-10-16 | 발광 소자를 포함하는 디스플레이 장치 |
| CN201910783075.4A CN111063819B (zh) | 2018-10-16 | 2019-08-23 | 具有发光器件的显示装置 |
| EP19201442.1A EP3640992B1 (en) | 2018-10-16 | 2019-10-04 | Display apparatus having a light-emitting device |
| US16/593,031 US11309526B2 (en) | 2018-10-16 | 2019-10-04 | Display apparatus having a light-emitting device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020180123316A KR102555411B1 (ko) | 2018-10-16 | 2018-10-16 | 발광 소자를 포함하는 디스플레이 장치 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20200042752A KR20200042752A (ko) | 2020-04-24 |
| KR102555411B1 true KR102555411B1 (ko) | 2023-07-13 |
Family
ID=68158920
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020180123316A KR102555411B1 (ko) | 2018-10-16 | 2018-10-16 | 발광 소자를 포함하는 디스플레이 장치 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US11309526B2 (ko) |
| EP (1) | EP3640992B1 (ko) |
| KR (1) | KR102555411B1 (ko) |
| CN (1) | CN111063819B (ko) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| KR20230152412A (ko) * | 2022-04-27 | 2023-11-03 | 엘지이노텍 주식회사 | 광 경로 제어 부재 및 이를 포함하는 디스플레이 장치 |
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| KR20180070263A (ko) * | 2016-12-16 | 2018-06-26 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| KR20180123316A (ko) | 2017-05-08 | 2018-11-16 | 주식회사 휴비스 | 용출형 고중공복합섬유 및 그 제조방법 |
-
2018
- 2018-10-16 KR KR1020180123316A patent/KR102555411B1/ko active IP Right Grant
-
2019
- 2019-08-23 CN CN201910783075.4A patent/CN111063819B/zh active Active
- 2019-10-04 EP EP19201442.1A patent/EP3640992B1/en active Active
- 2019-10-04 US US16/593,031 patent/US11309526B2/en active Active
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20160218161A1 (en) * | 2015-01-27 | 2016-07-28 | Boe Technology Group Co. Ltd. | Bottom Emission Organic Electroluminescence Display Device, Preparation Method Thereof, and Display Apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN111063819B (zh) | 2022-07-22 |
| EP3640992B1 (en) | 2023-07-26 |
| US20200119311A1 (en) | 2020-04-16 |
| CN111063819A (zh) | 2020-04-24 |
| KR20200042752A (ko) | 2020-04-24 |
| EP3640992A1 (en) | 2020-04-22 |
| US11309526B2 (en) | 2022-04-19 |
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