CN102351198A - 四氟化硅的制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种四氟化硅的制备方法,包括以下步骤:液态氟化氢与Si源在浓硫酸的作用下反应,得到四氟化硅。本发明以液态氟化氢为原料,减少了原料中水的含量,降低了水分对生成的四氟化硅的影响,从而提高了四氟化硅的纯度。另外,与氟化氢气体相比,液态氟化氢为原料能够减少氟化氢损耗,减少生成的四氟化硅中氟化氢杂质的含量,提高四氟化硅的纯度。进一步的,本发明首先将Si源与浓硫酸混合均匀,再向其中加入液态氟化氢进行反应,能够减少氟化氢挥发,提高氟化氢的利用率,提高得到的四氟化硅的纯度。实验表明,采用本发明提供的方法制备得到的四氟化硅的纯度为96wt%以上。
Description
技术领域
本发明属于四氟化硅技术领域,尤其涉及一种四氟化硅的制备方法。
背景技术
四氟化硅,又叫四氟硅烷,英文名称为silicon tetrafluoride,分子式为SiF4,CAS登录号为7783-61-1。四氟化硅是一种无色、有毒、有刺激性臭味的气体,具有多种用途,除了用于氟硅酸和氟化铅的制取、水泥和人造大理石的硬化剂等,还可以用于电子和半导体行业,如用作氮化硅或硅化钽等的蚀刻剂、P型掺杂剂、外延沉积扩散硅源、制备电子级硅烷或硅等。
现有技术公开了多种四氟化硅的制备方法,其中,以萤石为主要原料制备SiF4是最原始的方法,该方法包括以下步骤:首先将萤石粉矿、浓硫酸和石英砂混合,在沙浴加热的条件下,萤石粉矿、浓硫酸和石英砂发生反应,反应式如下:
2CaF2+2H2SO4+SiO2==SiF4+2CaSO4+2H2O
反应完毕后用水将反应产物冷凝,再送入冰丙酮冷却的气体肼中除去其中的杂质HF,最后将得到的产物在密闭容器中升华或加压蒸馏纯化,得到高纯度SiF4。采用该方法制备SiF4,会产生大量氟化氢副产物,不仅增加了后续处理的难度、影响SiF4的纯度,而且严重腐蚀设备。另外,该方法以价格昂贵的萤石粉为原料,增加了生产成本。
现有技术也公开了一种以氟化氢和SiO2为原料反应制备SiF4的方法。利用氟化氢制备SiF4时,首先将氟化氢气体通入反应器底部,然后加入浓硫酸和二氧化硅,使二氧化硅分散于浓硫酸中与氟化氢发生反应,反应式如下:
4HF+SiO2==SiF4+2H2O
该方法直接以氟化氢气体为原料制备SiF4,氟化氢气体易混于得到的SiF4中,得到的SiF4纯度较低。公开号为CN101774587A的中国专利文献公开了一种四氟化硅的制备方法,包括以下步骤:将质量浓度为96%~98%的浓硫酸与质量浓度为50%~52%的氢氟酸预混合吸收,得到混合物A;将二氧化硅与质量浓度为80%~85%的浓硫酸预混合,得到混合物B;将混合物A和混合物B混合后搅拌反应,得到四氟化硅。但是,该方法不仅操作繁琐,不适于连续化生产,而且由于原料中水的含量较多,影响得到的SiF4纯度,其纯度一般在92%以下。
发明内容
有鉴于此,本发明要解决的技术问题在于提供一种四氟化硅的制备方法,本发明提供的制备方法操作简单,得到的SiF4纯度高。
本发明提供了一种四氟化硅的制备方法,包括以下步骤:
a)液态氟化氢与Si源在浓硫酸的作用下反应,得到四氟化硅。
优选的,所述步骤a)具体包括:
a1)将Si源与浓硫酸混合均匀;
a2)向所述步骤a1)得到的混合物中加入液态氟化氢,反应后得到四氟化硅。
优选的,所述步骤a1)具体包括:
将Si源与浓硫酸混合,混合均匀后进行加热。
优选的,所述加热的温度为60℃~120℃。
优选的,所述浓硫酸的浓度为80%以上。
优选的,所述Si源中的Si、浓硫酸与液态氟化氢的摩尔比为1∶(3~10)∶(1~5)。
优选的,所述反应的温度为60℃~120℃。
优选的,所述液态氟化氢按照以下方法制备:
含NaAlF4原料与硫酸反应,得到混合气体;
将所述混合气体提纯、液化后,得到液态氟化氢。
优选的,所述含NaAlF4原料中NaAlF4与硫酸的摩尔比为1∶(1~5)。
优选的,所述Si源为硅石粉和石英砂中的一种或两种。
与现有技术相比,本发明使液态氟化氢与Si源在浓硫酸的作用下发生反应,得到四氟化硅。本发明以液态氟化氢为原料,减少了原料中水的含量,降低了水分对生成的四氟化硅的影响,从而提高了四氟化硅的纯度。另外,与氟化氢气体相比,液态氟化氢为原料能够减少氟化氢损耗,减少生成的四氟化硅中氟化氢杂质的含量,提高四氟化硅的纯度。进一步的,本发明首先将Si源与浓硫酸混合均匀,再向其中加入液态氟化氢进行反应,能够减少氟化氢挥发,提高氟化氢的利用率,提高得到的四氟化硅的纯度。实验表明,采用本发明提供的方法制备得到的四氟化硅的纯度为96wt%以上。
具体实施方式
本发明提供了一种四氟化硅的制备方法,包括以下步骤:
a)液态氟化氢与Si源在浓硫酸的作用下反应,得到四氟化硅。
本发明以液态氟化氢为原料,减少了原料中水的含量,降低了水分对生成的四氟化硅的影响,从而提高了四氟化硅的纯度。
在本发明中,所述液态氟化氢在浓硫酸的作用下与Si源发生反应,具体包括以下步骤:
a1)将Si源与浓硫酸混合均匀;
a2)向所述步骤a1)得到的混合物中加入液态氟化氢,反应后得到四氟化硅。
在本发明中,所述Si源可以为硅酸盐、含有SiO2的原料等,如硅石粉、石英粉等,优选为硅石粉。所述硅石粉的粒径优选为50目~300目,更优选为80目~200目;所述硅石粉的纯度优选为85wt%,更优选为95wt%,最优选为98wt%。
所述浓硫酸的作用在于吸收除去生成的水,以减少杂质气体的生成,提高得到的四氟化硅的纯度。在本发明中,所述浓硫酸的浓度优选为80wt%以上,更优选为90wt%以上。
首先将Si源与浓硫酸混合均匀,使Si源均匀分散于浓硫酸中,然后优选将得到的混合溶液在搅拌的条件下加热,优选加热至Si源与液态氟化氢的反应温度后加入液态氟化氢,氟化氢与Si源发生反应,生成四氟化硅,反应式如下:
SiO2+4HF→SiF4+2H2O
在本发明中,将Si源和浓硫酸的混合溶液加热至Si源与液态氟化氢的反应温度后再加入液态氟化氢,能够减少氟化氢的挥发,从而提高四氟化硅的纯度。按照本发明优选将Si源和浓硫酸的混合溶液加热至60℃~120℃,更优选加热至80℃~100℃。
在本发明中,所述Si源中的Si与所述浓硫酸的摩尔比优选为1∶(3~10),更优选为1∶(4~8)。在本发明中,浓硫酸的添加量影响得到的四氟化硅的纯度,浓硫酸的添加量较低时,对水的吸收不完全,导致四氟化硅的纯度降低,二氧化碳等其他杂质气体的含量较高。
在本发明中,所述液态氟化氢为高纯液态氟化氢,其纯度优选为95wt%以上,更优选为98wt%以上。本发明对所述液态氟化氢的来源没有特殊限制,优选按照以下方法制备:
含NaAlF4原料与硫酸反应,得到混合气体;
将所述混合气体提纯、液化后,得到液态氟化氢。
在本发明中,所述含NaAlF4原料优选为采用氢化铝钠制备硅烷过程中生成的副产物NaAlF4,也可以掺入部分市售的NaAlF4。采用氢化铝钠制备硅烷时,氢化铝钠与四氟化硅反应生成硅烷的同时得到NaAlF4,反应式如下:
NaAlH4+SiF4==SiH4+NaAlF4
本发明对所述氢化铝钠与四氟化硅并无特殊限制,氢化铝钠的纯度优选为95wt%以上,四氟化硅的纯度优选为95wt%以上。制备硅烷时,首先用二甲基醚或甲苯将氢化铝钠稀释至浓度为5wt%~20wt%,然后加入四氟化硅,在30℃~60℃、0.01MPa~0.5MPa的条件下反应生成NaAlF4。
NaAlF4为硅烷制备过程中的副产物,以其为生产四氟化硅的原料能够大大降低四氟化硅的生产成本。但是,本发明也可以以其他方法制备得到的NaAlF4为原料。
所述含NaAlF4原料中还可以含有其他含F材料,如氟化钙、氟化钠、氟化硅钠等。为了有利于反应进行,所述含NaAlF4原料的粒径优选为80目~200目,更优选为100目~150目。所述含NaAlF4原料中,NaAlF4的纯度优选为85wt%以上,更优选为95wt%以上,最优选为98wt%以上。
向所述含NaAlF4原料中加入硫酸,NaAlF4及其他含氟材料与硫酸发生反应,得到氟化氢气体和盐,反应式如下:
2NaAlF4+4H2SO4→Na2SO4+A12(SO4)3+8HF
在本发明中,所述硫酸为纯硫酸,所述含NaAlF4原料中的NaAlF4与所述硫酸的摩尔比优选为1∶(1~5),更优选为1∶(1.5~3)。所述硫酸和所述含NaAlF4原料发生反应的温度优选为100℃~200℃,更优选为120℃~150℃。按照本发明,所述NaAlF4与硫酸优选在微负压的条件下进行反应。
反应完毕后,得到含有氟化氢的混合气体,所述混合气体中除了氟化氢,还含有二氧化碳、水等杂质气体,对所述混合气体进行提纯和液化后,得到液态氟化氢。
本发明优选采用蒸馏的方法对所述混合气体进行提纯,优选将所述混合气体送入蒸馏塔进行粗蒸馏除去其中的水分等杂质;本发明优选将所述经过提纯的气体送入冷却器进行冷却、液化,得到高纯度的液态氟化氢。
在本发明中,所述NaAlF4与硫酸优选在转炉反应釜中进行反应。
与气态氟化氢相比,以液态氟化氢为原料,不仅降低了运输难度,而且减少了最终产物中氟化氢的含量,从而提高了四氟化硅的纯度。
在本发明中,所述Si源与所述氟化氢进行反应的温度优选为60℃~120℃,更优选为80℃~100℃。在本发明中,Si源与所述氟化氢进行反应的温度影响四氟化硅的纯度,温度较高时,液态氟化氢容易挥发,导致四氟化硅中的氟化氢含量较高。
在本发明中,所述Si源中的Si与所述氟化氢的摩尔比优选为1∶(1~5),更优选为1∶(2~4)。
在本发明中,所述Si源与所述氟化氢优选在微正压的条件下进行反应。反应完毕后,得到含有四氟化硅的混合气体,所述混合气体中除了四氟化硅外,还含有氟化氢、水分等杂质气体。
本发明优选将所述含有四氟化硅的混合气体经过冷却器进行冷却,除去其中的水分和氟化氢,再继续经过三级硫酸干燥塔进一步吸收水分,得到高纯的四氟化硅气体。
得到四氟化硅气体后,对其纯度进行分析,结果表明,本发明得到的四氟化硅气体的纯度能够达到95wt%以上,更优选为达到98wt%以上。
在本发明提供的制备方法中,所述浓硫酸吸收反应生成的水分之后逐渐变为稀硫酸,本发明优选收集所述稀硫酸,通过酸蒸发器浓缩后循环使用,进一步降低生产成本。
本发明使液态氟化氢与Si源在浓硫酸的作用下发生反应,得到四氟化硅。本发明以液态氟化氢为原料,减少了原料中水的含量,降低了水分对生成的四氟化硅的影响,从而提高了四氟化硅的纯度。另外,与氟化氢气体相比,液态氟化氢为原料能够减少氟化氢损耗,减少生成的四氟化硅中氟化氢杂质的含量,提高四氟化硅的纯度。进一步的,本发明首先将Si源与浓硫酸混合均匀,再向其中加入液态氟化氢进行反应,能够减少氟化氢挥发,提高氟化氢的利用率,提高得到的四氟化硅的纯度。实验表明,采用本发明提供的方法制备得到的四氟化硅的纯度为96wt%以上。
为了进一步说明本发明,以下结合实施例对本发明提供的四氟化硅的制备方法进行详细描述。
实施例1
将氢化铝钠加入到二甲基醚中,得到浓度为10%作用的溶液,向所述溶液中加入四氟化硅,在50℃、0.1MPa的条件下反应,收集副产物NaAlF4,将所述副产物干燥后,测量其NaAlF4的纯度为96.2wt%,将所述NaAlF4原料研磨至粒径为100目~150目。
实施例2
向转炉内加入实施例1制备的NaAlF4原料和硫酸,NaAlF4原料中NaAlF4和硫酸的摩尔比为1∶2,升温至100℃反应,将得到的混合气体经过粗馏塔蒸馏、冷却器冷却液化后,得到液态氟化氢;测量所述液态氟化氢的纯度为99.5%。
向衬氟塑料立式反应釜中加入纯度为98wt%的硅石粉和质量浓度为98%的浓硫酸,硅石中SiO2和浓硫酸的摩尔比为1∶5,混合均匀后加热至60℃搅拌,然后向其中加入液态氟化氢,液态氟化氢中氟化氢与硅石中SiO2的摩尔比为4∶1,反应后得到混合气体;将所述混合气体冷却、经过三级硫酸干燥塔纯化后,得到四氟化硅气体。
采用四氟化硅气体分析仪在线对所述四氟化硅气体进行检测,其中,四氟化硅的含量为99.8wt%,氟化氢的含量为0.2wt%,其他杂质气体为0.1wt%。
实施例3
向转炉内加入实施例1制备的NaAlF4原料和硫酸,NaAlF4原料中NaAlF4和硫酸的摩尔比为1∶2,升温至150℃反应,将得到的混合气体经过粗馏塔蒸馏、冷却器冷却液化后,得到液态氟化氢;测量所述液态氟化氢的纯度为99.3%。
向衬氟塑料立式反应釜中加入纯度为98wt%的硅石粉和质量浓度为98%的浓硫酸,硅石中SiO2和浓硫酸的摩尔比为1∶4,混合均匀后加热至100℃搅拌,然后向其中加入液态氟化氢,液态氟化氢中氟化氢与硅石中SiO2的摩尔比为4∶1,反应后得到混合气体;将所述混合气体冷却、经过三级硫酸干燥塔纯化后,得到四氟化硅气体。
采用四氟化硅气体分析仪在线对所述四氟化硅气体进行检测,其中,四氟化硅的含量为99.6wt%,氟化氢的含量为0.2wt%,其他杂质气体为0.2wt%。
实施例4
向转炉内加入实施例1制备的NaAlF4原料和硫酸,NaAlF4原料中NaAlF4和硫酸的摩尔比为1∶2,升温至180℃反应,将得到的混合气体经过粗馏塔蒸馏、冷却器冷却液化后,得到液态氟化氢;测量所述液态氟化氢的纯度为99.1%。
向衬氟塑料立式反应釜中加入纯度为98wt%的硅石粉和质量浓度为98%的浓硫酸,硅石中SiO2和浓硫酸的摩尔比为1∶3,混合均匀后加热至120℃搅拌,然后向其中加入液态氟化氢,液态氟化氢中氟化氢与硅石中SiO2的摩尔比为4∶1,反应后得到混合气体;将所述混合气体冷却、经过三级硫酸干燥塔纯化后,得到四氟化硅气体。
采用四氟化硅气体分析仪在线对所述四氟化硅气体进行检测,其中,四氟化硅的含量为97.5wt%,氟化氢的含量为0.4wt%,其他杂质气体为2.1wt%。
实施例5
向转炉内加入实施例1制备的NaAlF4原料和硫酸,NaAlF4原料中NaAlF4和硫酸的摩尔比为1∶2,升温至200℃反应,将得到的混合气体经过粗馏塔蒸馏、冷却器冷却液化后,得到液态氟化氢;测量所述液态氟化氢的纯度为99.8%。
向衬氟塑料立式反应釜中加入纯度为98wt%的硅石粉和质量浓度为98%的浓硫酸,硅石中SiO2和浓硫酸的摩尔比为1∶5,混合均匀后加热至140℃搅拌,然后向其中加入液态氟化氢,液态氟化氢中氟化氢与硅石中SiO2的摩尔比为4∶1,反应后得到混合气体;将所述混合气体冷却、经过三级硫酸干燥塔纯化后,得到四氟化硅气体。
采用四氟化硅气体分析仪在线对所述四氟化硅气体进行检测,其中,四氟化硅的含量为97.2wt%,氟化氢的含量为2.5wt%,其他杂质气体为0.3wt%。
比较例1
将2.52kg实施例1制备的NaAlF4原料和1.2kg纯度为98wt%的硅石粉混合,搅拌均匀后在300℃下煅烧20min,得到煅烧产物;
向所述煅烧产物中加入3.92g浓度为98wt%的浓硫酸,升温至320℃进行反应,将反应得到的混合气体进行干燥、纯化处理,得到四氟化硅气体。
采用四氟化硅气体分析仪对所述四氟化硅气体进行检测,其中,四氟化硅的含量为96.5wt%,氟化氢的含量为2.5wt%,其他杂质气体为1wt%。
由上述实施例即比较例可知,本发明提供的制备方法对反应条件要求不高、反应过程可控,且得到的SiF4纯度高、杂质含量少。
以上所述仅是本发明的优选实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明原理的前提下,还可以做出若干改进和润饰,这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。
Claims (10)
1.一种四氟化硅的制备方法,包括以下步骤:
a)液态氟化氢与Si源在浓硫酸的作用下反应,得到四氟化硅。
2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述步骤a)具体包括:
a1)将Si源与浓硫酸混合均匀;
a2)向所述步骤a1)得到的混合物中加入液态氟化氢,反应后得到四氟化硅。
3.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于,所述步骤a1)具体包括:
将Si源与浓硫酸混合,混合均匀后进行加热。
4.根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于,所述加热的温度为60℃~120℃。
5.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述浓硫酸的浓度为80%以上。
6.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述Si源中的Si、浓硫酸与液态氟化氢的摩尔比为1∶(3~10)∶(1~5)。
7.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述反应的温度为60℃~120℃。
8.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述液态氟化氢按照以下方法制备:
含NaAlF4原料与硫酸反应,得到混合气体;
将所述混合气体提纯、液化后,得到液态氟化氢。
9.根据权利要求8所述的制备方法,其特征在于,所述含NaAlF4原料中NaAlF4与硫酸的摩尔比为1∶(1~5)。
10.根据权利要求1~9任意一项所述的制备方法,其特征在于,所述Si源为硅石粉和石英砂中的一种或两种。
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Date | Code | Title | Description |
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C06 | Publication | ||
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SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C12 | Rejection of a patent application after its publication | ||
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20120215 |