CN102317510A - 金属箔及其制造方法、绝缘基板、布线基板 - Google Patents

Abstract

本发明能够以低成本提供一种表面处理金属箔，该金属箔在制作精细电路时不需要进行溅射处理，可在基板表面容易地形成能维持高密合强度的极薄的无电解铜箔，可以提供形状均一、具有锚固效果的粗化形状的印模。经表面处理的金属箔为如下状态：对未处理金属箔的至少一面通过烧镀实施粗化突起镀敷，在该粗化突起镀敷上再实施被膜镀敷，其表面粗糙度以Rz值计为1.0μm～2.5μm，并且由所述粗化突起镀敷形成的粗化突起被处理成相邻的粗化突起间具有0.1μm以上、1.0μm以下的间隙的柱状形状。该表面处理金属箔最适合用于印模用途。并且，表面处理金属箔优选为铜箔。

Description

金属箔及其制造方法、绝缘基板、布线基板

技术领域

本发明涉及金属箔及其制造方法。本发明特别涉及用于通过薄膜导体层在绝缘基板上形成布线的印模(replica)用金属箔及其制造方法。

印模用金属箔特别适于制造用于安装半导体元件、集成电路、电子零部件等的布线基板。

此外，本发明还涉及使用金属箔形成了粗化处理面的绝缘基板，以及在该绝缘基板的粗化处理面上形成了规定的布线图案的布线基板。

背景技术

随着近几年电子技术的发展，用于安装半导体元件、集成电路、电子零部件等的布线基板正朝着轻薄短小化和高集成化、高输出化、高速化的方向迅速发展。因此，在例如半导体基板上形成铜等的金属布线时，通常是并用溅射成膜和电解镀敷。特别是随着半导体元件的高机能·高速化，铜布线的精细化的工艺开发正迅速发展。由于如上所述的布线基板的高集成化，对于轻薄短小化将不可避免布线宽度的减少和布线长度的增加，例如布线材料的电阻会引起信号延迟、强制阻碍传输的高速化。因此，电阻小的极薄金属材料被用于布线材料。

目前作为在布线基板上形成极薄金属膜的技术，采用溅射法和CVD(化学蒸镀)法。其中，从成膜的量产性和稳定性的角度出发，通常采用比较有利的溅射法。然而，由溅射法形成的布线有易于产生因电迁移或因布线的伸缩发生的应力迁移而导致的断线事故的难点，且有使得布线基板的制造成品率降低的问题。并且还必须使用特殊的处理设备，制造成本也高，在性价比方面的改善成了亟待解决的问题。

本发明提供一种适用于所谓的印模法的金属箔，所述印模法是在制造布线基板时，将金属箔表面的表面形状转印到绝缘基板上，在转印的表面形成金属的薄层。

在这里，首先对将金属箔作为印模使用的使用方法(印模法)进行说明。而且，为了将说明简单化，针对在布线基板的单侧的表面形成金属箔的印模的工序进行说明。

用于安装半导体元件、集成电路、电子零部件等的布线基板是将环氧系的粘接性树脂或半固化树脂涂布在酰亚胺系树脂、液晶高分子等的树脂膜等的表面的绝缘基板。并且，该布线基板是将芳族聚酰胺树脂或玻璃等绝缘性纤维含浸于环氧树脂中，再形成例如厚度约为5～20μm的环氧层半固化状态、即B阶段(Bステ一ジ)的玻璃环氧基板等的绝缘基板。

将金属箔层叠在该绝缘基板上。作为金属箔，采用例如具有粗化处理面的铜箔。通过真空热压将金属箔的粗化处理面侧层叠在绝缘基板的表面。

接着，将层叠的金属箔蚀刻除去。在绝缘基板的表面，经真空热压的金属箔以及嵌入绝缘基板的金属箔的粗化处理面的金属，例如金属箔为铜箔时，通过通常用于布线基板的制造的氯化铁或氯化铜等蚀刻液进行蚀刻而除去。

通过金属箔的蚀刻除去可将粗化处理面的金属从绝缘基板的表面除去。因此，金属箔的粗化处理面的凸凹形状被转印到绝缘基板上，在绝缘基板表面形成由凸凹(印模)产生的粗化处理面。该凸凹(印模)在金属箔的粗化处理面为粒状时，转印到绝缘基板的表面的凸凹形状就形成为许多的粒状形状的凹部。该凹部以存在凹部内部的开口部的截面积比表面积和凹部表面的开口部的截面积都要大的部分的形状形成。由此，凹部形成为最适于锚固效果的形状。

接着，在绝缘基板的表面附着成为无电解镀敷的核的钯，之后通过无电解镀敷将电阻率较小的金属，例如将铜薄薄地镀敷成厚度约为0.1～5μm。

接着，在薄薄地镀敷的镀敷层表面的期望形成布线图案的区域以外的区域设置镀敷掩膜(メツキマスク)。镀敷掩膜是通过以下方法形成的：例如在镀敷层表面设置感光性树脂后，为形成期望图案，使用光掩膜进行曝光、显影。

然后，通过从上述形成的无电解镀敷层供电，在没有覆盖感光性树脂的期望形成布线图案的区域电镀良导电性金属，例如铜，以形成布线。

接着，将感光性树脂除去后，使用硫酸过氧化氢系或过硫酸盐类或者氨络合盐类等蚀刻液进行蚀刻，将没有被电镀层覆盖的部分的无电解镀敷层除去。无电解镀敷层与电镀金属层的布线相比，由于较薄，因此蚀刻的速度较快。于是，期望图案的电镀层的布线几乎没有被蚀刻。因此，由电镀层形成的期望图案之下的无电解镀敷层由于被电镀层的布线掩盖而得到保护，因此没有被蚀刻。最后，浸渍于高锰酸钾和氢氧化钠的混合液中。由此，将附着在绝缘基板的露出的表面的没有被上述蚀刻液蚀刻掉的钯除去。(相关的方法揭示于例如专利文献1中。)

专利文献1：日本专利特开2006-196813号公报

发明内容

专利文献1记载了铜箔的粗化处理面是以电镀电流设为通常的数倍来对铜箔表面进行镀敷、即利用异常镀敷(烧镀(ヤケメツキ))现象使粒状的铜的细小粒子镀敷生长而成的处理面。该文献虽然记载了其粒子的大小或粗糙度以及粒状等综合的粗化形状对与绝缘基板的密合强度来说是重要的因素、在铜箔制造上是最优化的、也容易获得，但是对于其详情并没有揭示。

本发明对适于制造用于安装半导体元件、集成电路、电子零部件等的布线基板的印模用金属箔进行了认真研究，成功实现了以下的发明：作为印模用途的金属箔，提供一种形成有良好形状的粗化面的金属箔，还提供一种绝缘基板与布线图案间的密合性良好、蚀刻平直性(エツチング直造性)和厚度均一性也很好的具有布线图案的布线基板。

目前市售的电解铜箔通常是为提高与基板的密合性，其粗化处理的形状为铜粒的突起状(コブ状)，且该铜粒突起相互间在根部也是致密地粘在一起的。

本发明的主要用作印模用途的表面处理金属箔的最大特征在于，在粗化处理面侧形成了具有0.1μm以上、1.0μm以下的间隙的微细柱状形状的凸凹。

本发明的金属箔是具有镀敷粗化表面的金属箔，其特征在于，该镀敷粗化表面为如下状态：对未处理金属箔的至少一面通过烧镀实施粗化突起镀敷(粗化コブメツキ)，在该粗化突起镀敷之上再实施被膜镀敷(カプセルメツキ)，其表面粗糙度按照JIS-B-0601规定的Rz值(下同)计为1.0μm～2.5μm，并且由上述粗化突起镀敷形成的粗化突起为相邻的粗化突起间具有0.1μm以上、1.0μm以下的间隙的柱状形状。

本发明的金属箔是对上述镀敷粗化表面实施了防锈处理的金属箔。

本发明的金属箔是上述未处理金属箔为轧制铜箔或电解铜箔、至少上述未处理铜箔的镀敷粗化表面形成侧的表面粗糙度以Rz值计为1.0μm～2.2μm的金属箔。

本发明的金属箔的主要用途为印模用途。

本发明的绝缘基板是被转印上述金属箔的上述镀敷粗化表面的凸凹形状而形成了粗化处理面的绝缘基板。

本发明的布线基板是在上述的绝缘基板的粗化处理面上形成了规定的布线图案的布线基板。

本发明的金属箔的制造方法的特征在于，用镀敷浴对表面粗糙度Rz值为1.0μm～2.2μm的未处理金属箔实施烧镀以形成粗化突起镀敷表面，然后对该粗化突起镀敷表面实施被膜镀敷，制成表面粗糙度以Rz值计为1.0μm～2.5μm、相邻的粗化突起间具有0.1μm以上、1.0μm以下的间隙的柱状形状的镀敷粗化表面，其中，上述镀敷浴为向硫酸-硫酸铜镀敷液、焦磷酸铜镀敷液或碳酸铜镀敷液中加入了添加金属的镀敷浴。

本发明的金属箔的制造方法中，向所述镀敷液中加入的添加金属是铁、铬、钼、钨，以及选自钒和锑的两种或任一种。

本发明的金属箔的制造方法中，对上述镀敷粗化面实施防锈处理。

本发明的金属箔的制造方法中，上述未处理金属箔为轧制铜箔或电解铜箔。

由本发明的金属箔的制造方法进行了粗化处理的金属箔的主要用途为印模用途。

由于本发明的金属箔在主要的印模用途中具有良好的锚固效果(利用了印模的锚固效果)，所以可以降低在后续工序的无电解镀敷时的镀敷量成本。此外，由于绝缘基板与布线图案间的密合性良好，因此在电路制作时的细线电路蚀刻工序中的蚀刻平直性良好。因而，本发明在制造用于安装半导体元件、集成电路、电子零部件等的布线基板时具有很好的效果。

附图说明

图1(A)是表示判断蚀刻后的电路平直性的标准(Level)的照片。(B)是表示利用EPMA(X射线显微分析仪；电子探针显微分析仪(Electron ProbeMicro-Analysis))判断残渣铜映像(マツピング)的标准(Level)的照片。(C)是说明粗化突起间隙的相片。

具体实施方式

本发明的金属箔是不锈钢箔、铝箔、铜箔等，特好是作为印模用途的箔可以被蚀刻的金属箔。

以下，对于本发明，以作为金属箔需求较大的电解铜箔为例进行详细说明。另外，对于轧制铜箔，由于也可以得到同样的结果，因此省略了详细的说明。

本发明所用的镀敷粗化表面形成前的电解铜箔(以下会表达为“未处理铜箔”)的单重厚(日文：单重厚み)为60g/m²～153g/m²(相当于标称厚度为9～18μm)，厚度方向的结晶构造为微粒(微晶)。“单重厚”表示“单重(单位面积的重量)”除以“铜比重(8.9)”而得的理论上的厚度(即，“单重厚”＝“单重”/“铜比重(8.9)”)。“标称厚度”表示实测的厚度。

之所以将未处理铜箔的单重厚定为60g/m²～153g/m²的范围，是因为在粗化处理未处理箔、将粗化处理箔层叠到绝缘基板上时的操作性，还有在通过蚀刻除去箔时的蚀刻处理的难易性等特性方面良好。

对该未处理铜箔实施烧镀。实施烧镀的镀敷浴是通过向硫酸-硫酸铜镀敷液、焦磷酸铜镀敷液或碳酸铜镀敷液的任一种基本镀敷液组成中加入金属添加剂而获得的。作为金属添加剂，添加Fe(铁)、Mo(钼)、Cr(铬)、W(钨)，以及选自V(钒)或Sb(锑)中的任一种或两种。

通过在上述镀敷浴的临界电流密度附近对未处理铜箔表面实施烧镀，形成微晶的突起状的柱状形状。由于在烧镀浴中添加了如下所述的规定量的Fe(铁)、Mo(钼)、Cr(铬)、W(钨)，因此可以设有间隙的形态形成多个微细柱状形状。此外，通过添加V(钒)或Sb(锑)，在单面处理箔的情况下，可以提高耐化学品性。对镀敷方法的具体情况如后叙述。

接着，为了使通过烧镀由粗化镀敷形成的粗化突起镀敷表面的突起状微细柱状形状的铜粒不易脱落，实施平滑镀敷(平滑メツキ)，即所谓的被膜镀敷，制成表面粗化铜箔，或者印模用途的铜箔(以下有时简称为“印模用铜箔”)。对于被膜镀敷方法，在后面进行叙述。

上述被膜镀敷以实现如下形态来实施：所形成的镀敷粗化表面的粗化处理形状按照JIS-B-0601规定的Rz值(下同)计为1.0μm以上、2.5μm以下，使铜粒在实施被膜镀敷后仍保持微细柱状形状(柱状)，且该柱状间具有0.1μm以上、1.0μm以下的柱状间隙。

对于以上制得的印模用铜箔，如上所述，首先将印模用铜箔层叠在作为层叠对象的绝缘基板上，例如环氧树脂基材或者聚酰亚胺树脂或者有机薄膜的绝缘基板。然后，通过蚀刻将该印模用铜箔完全溶解除去，在绝缘基板表面形成具有柱状间隙的微细柱状的印模。简言之，就是将印模用铜箔(金属箔)的镀敷粗化表面的凹凸形状转印，在绝缘基板上形成粗化处理面。然后，通过镀敷处理在该绝缘基板的粗化处理面上形成金属膜后，对该金属膜实施湿法蚀刻处理、进行图案加工而形成规定的布线图案，藉此形成布线基板。

目前，在作为印模用途使用频度较高的市售的单面粗化处理铜箔上，通常表面的凹部为臼状(すり鉢状)、铜粒突起相互间在根部也是致密地粘在一起的。因此，锚固效果(利用印模的锚固效果)较差，同时在无电解镀敷时的镀敷量也较多，使得成本上升。还有，也使得之后的电路制作时的细线电路蚀刻工序中的蚀刻平直性变差。

主要用途为印模用的本发明的铜箔是在粗化处理面侧形成了具有0.1μm以上、1.0μm以下的间隙的微细柱状形状。因此，通过使用该铜箔，在绝缘基板表面可以容易形成均一且凹陷程度完好的间隔和形状、锚固效果(利用印模的锚固效果)良好的凹凸(印模)。因而，可以将作为后续工序的无电解镀敷时的镀敷量节约至最低限，并使之后的电路制作时的细线电路蚀刻工序中的蚀刻平直性良好。藉此，作为适于制造用于安装半导体元件、集成电路、电子零部件等的布线基板的印模用铜箔，可以提供具有良好的粗化面的表面处理铜箔。。

使得铜箔表面的微细柱状形状(粗化处理形状)形成为表面粗糙度Rz值在1.0μm以上、2.5μm以下。

通过这样进行规定，可以在绝缘基板表面上不残留多余的蚀刻残渣，形成具有柱状间隙的微细柱状印模。

在这里，如果Rz(相当于印模的深度)小于1.0μm，则在耐热可靠性方面会有发生异常的担忧。而且，当Rz超过2.5μm时，在绝缘基板表面形成的凹部的尺寸会变大，有可能成为电路形成时的障碍。因此，印模用铜箔的粗化处理形状特别优选Rz值为1.0μm以上、2.5μm以下。

本发明中，在印模用铜箔的粗化处理面侧形成了具有0.1μm以上、1.0μm以下的间隙的微细柱状形状。

镀敷粗化处理前的铜箔具有微晶结构。所谓的具有微晶结构的铜箔是指实施粗化处理前的表面粗糙度Rz值为1.0μm以上、2.2μm以下的光亮的铜箔。通过粗化突起处理，可以将具有微晶结构的铜箔制成具有上述间隙的粗化形状。即，通过使用具有柱状结晶的一般的电解铜箔基底进行的粗化突起处理，很难形成为本发明的印模形状。

本发明中未处理铜箔的表面粗糙度Rz值规定为1.0μm以上，这是因为Rz值小于1.0μm的未处理铜箔在制箔工序中的生产性极低、不适合作为工业用材料。此外，当Rz值超过2.2μm时，在烧镀工序中的初期电沉积的铜粒子会集中附着(镀敷)在粗度较高的顶端，其结果是形成树枝状的极脆的粗化，为了达到完好的状态，必须要额外实施后续工序中的平滑镀敷。其结果为，不仅得不到作为印模的合适的凹凸间隔，在蚀刻时树枝状的顶端还会成为基板内的残渣，引起迁移异常(マイグレ一シヨン不具合)的可能性很高。因此，将未处理铜箔的表面粗糙度Rz值规定为2.2μm以下。

实施本发明的粗化突起镀敷，将Rz(相当于印模的深度)值为1.0μm以上2.5μm以下、粗化突起间的间隙为0.1μm以上1.0μm以下的印模用铜箔贴合在绝缘基板上。然后，在后续工序通过为除去铜箔而实施的高锰酸处理等进行净化处理，获得该印模形状未受损的绝缘基板面。然后，通过无电解镀敷在该绝缘基板面上形成超极薄的铜膜，并对该超极薄的铜膜的表面实施电解铜镀敷处理。通过这样的操作，可容易形成密合性良好、蚀刻平直性和厚度均一性也良好的极薄铜箔层。

本发明的印模用铜箔是，使用表面粗糙度Rz值为1.0μm以上2.2μm以下的光亮的铜箔，对其表面实施粗化突起处理。

对上述铜箔进行粗化突起镀敷处理的烧镀浴组成如下所述。

·硫酸浓度：80～120g/l

·来自硫酸铜的铜浓度：20～30g-Cu/l，优选23～25g-Cu/l

·来自钼化合物的钼浓度：150～350mg-Mo/l

·来自铁化合物的铁浓度：150～300mg-Fe/l，优选250±50mg-Fe/l

·来自铬化合物的三价铬浓度：150～300mg-Cr/l，优选250±50mg-Cr/l

·来自钨化合物的钨浓度：0.1～20mg-Cr/l，优选10±2.5mg-W/l

·来自钒化合物或锑化合物的钒浓度或锑浓度：50～200mg-V/l或50～200mg-Sb/l，优选150±30mg-V/l或150±30mg-Sb/l

·来自氯化合物的氯浓度：0.1～2.0mg-Cl/l，优选0.1～0.5mg-Cl/l

使用该镀敷浴，在下述的镀敷条件下实施烧镀处理。

·浴温：20～30℃，优选23.5～25.5℃

·电流密度：直流整流为25～35A/dm²，优选28±1.5A/dm²

实施烧镀的铜箔表面，无论是从电解镀敷制箔的阴极鼓的表面剥离侧的一面(光泽面)，还是液面侧的一面(无光泽面(マツト面))，只要是其表面粗糙度Rz值为1.0μm以上2.2μm以下的面就没有问题。

当铜箔是由一般的柱状结晶结构制成的电解铜箔时，优选使用光泽面侧。可是，当铜箔是由微晶制成的两面平滑的铜箔(例如由古河电气工业株式会社制造的电解铜箔，WS箔)时，与光泽面相比，无光泽面更富有平滑性。因此，在使用该WS箔时，通过在平滑的无光泽面侧实施烧镀后实施被膜镀敷处理以形成完好的粗化突起处理，可制成Rz值在2.5μm以下且粗化突起的突起间隙为0.1μm以上1.0μm以下的形状的粗化面。

接着，在下述的条件下，对上述由烧镀形成的粗化突起处理形状的表面实施平滑被膜镀敷。

·硫酸浓度：80～120g/l

·来自硫酸铜的铜浓度：40～60g-Cu/l，优选50±2.5g-Cu/l

·浴温：45～60℃，优选55±2.5℃

·电流密度：直流整流为18～25A/dm²，优选20±2.5A/dm²

由此，通过在粗化突起处理面上实施平滑被膜镀敷处理，可以形成没有粉末掉落、牢固且完好的柱状形状。

其后，作为防锈处理，对该铜箔实施有机防锈处理、铬酸盐处理、镍处理或者锌处理，制成印模用的粗化处理铜箔。

作为有机防锈剂，优选苯并三唑(1，2，3-Benzotriazole[标称：BTA])，但也可是市售的衍生物。其处理量是按照JIS-Z-2371规定的盐水喷雾试验(盐水浓度：5％-NaCl，温度35℃)条件下实施浸渍处理24小时，只要表面的氧化铜不变色即可。

在镍处理防锈时，作为附着Ni的金属被定量分析的量为0.06～0.12mg-Ni/dm²(每10cm的分析值)即可。当粗化处理面侧超过0.12mg/dm²时，发生迁移异常的可能性变高，因而不优选。此外，小于0.06mg-Ni/dm²时将得不到充分的防锈效果。

在锌处理防锈时，作为附着Zn的金属被定量分析的量为0.15～0.35mg-Zn/dm²(每10cm的分析值)即可。粗化处理面侧即使超过0.35mg/dm²，仅仅是通过扩散效果而表面黄铜化，并无特别的障碍，但优选合适的上限量为0.35mg-Zn/dm²。另一方面，当小于0.15mg-Zn/dm²时，根据经验将会发生变色异常，因而不优选。

另外，是对铜箔的单面进行粗化处理还是对两面进行粗化处理，可以任意地选择。

将得到的印模用铜箔(例如标称厚度为9μm的粗化处理用铜箔)作为例如BGA(Ball-Grid-Array：球栅阵列)(印模)用途的构件使用时，使粗化处理面侧与对象基材贴合。并且，在层叠后将全部的该铜箔高效地蚀刻除去，再用高锰酸处理液清洗干净。此外，高锰酸处理液具有将烧镀时引入的铜以外的金属残渣溶解的效果。因此，高锰酸处理液是作为消除迁移可能性的手段和完好地实现之后的无电解铜镀敷工序的前处理剂的最适合的试剂。

作为BGA用途构件必需制成厚度为3μm的极薄铜箔时，按照无电解铜镀敷试剂的工序，在该基材的印模面上实施无电解铜镀敷即可。此外，根据情况除了无电解铜镀敷以外，通过电解镀敷来增加厚度将有利于成本的降低。

此外，将无电解镀敷和电解镀敷组合起来，对Line/Space(以下略记为L/S)＝20μm/20μm以下的精细布线电路实施蚀刻加工时，由于在无电解镀敷的结晶和电解镀敷的结晶之间的界面会偶尔发生因蚀刻液的浸透而导致的电路故障，因此在细线加工时需要注意。

以上，作为未处理金属箔，以电解铜箔为例进行了说明。然而，作为未处理金属箔，除电解铜箔外，可以同样使用轧制铜箔、铝箔、不锈钢箔等。

实施例

接着，基于以下的实施例对本发明的实施方式进行说明。

[实施例1]

对单重厚为107g/m²(相当于标称厚度12μm)、具有微晶粒的未处理电解铜箔的液面侧，对表面粗糙度Rz值为1.5μm的面在以下的条件下实施形成粗化突起的烧镀。

在下述的浴组成及镀敷条件下进行电解处理(烧镀)。

·硫酸浓度：100g/l

·来自硫酸铜的铜浓度：23.5g-Cu/l

·来自钼化合物的钼浓度：250mg-Mo/l

·来自铁化合物的铁浓度：200mg-Fe/l

·来自铬化合物的三价铬浓度：200mg-Cr/l

·来自钨化合物的钨浓度：8.5mg-W/l

·来自钒化合物的钒浓度：150mg-V/l

·来自氯化合物的氯浓度：0.5mg-Cl/l

·浴温：24.5℃

·电流密度：直流整流为28A/dm²

接着，为了通过对上述烧镀粗化面实施平滑镀敷以形成无粉末落下的牢固且完好的粗化突起处理形状，在下述的浴组成和镀敷条件下实施被膜镀敷。

·硫酸浓度：100g/l

·来自硫酸铜的铜浓度：50g-Cu/l

·浴温：55℃

·电流密度：直流整流为22A/dm²

其后，用公知的铬酸盐处理液(相当于CrO₃浓度为3.0g/l)对该铜箔的两面进行防锈处理。

将由实施例1制造的铜箔在220℃、30kgf/cm²、100分钟的条件下层叠在市售的高频对应绝缘基板(三菱瓦斯化学株式会社(三菱瓦斯化学株式会社)制)上。其后，将层叠在该表面的全部的铜箔用氯化铜蚀刻液(比重：1.265；浴温：45℃)完全溶解除去，并进行充分的水洗洗净。接着，使用日本马可达米特公司(日本マクダ一ミツト株式会社)制造的残渣清除处理液(デスミアプロセス工程液；マキユダイザ一9204、9275、9276、9279)对印模部进行所谓的高锰酸蚀刻，并进行充分的水洗洗净。然后，按照公知的增厚用(厚づけ用)无电解铜镀敷方法(日立制作所AP2方法(日立製作所AP2プロセス))在该表面形成约3.0μm厚的铜膜。

接着，在附有该无电解铜膜的基板的铜膜表面形成L/S＝50μm/50μm的蚀刻测试用的细线电路，并用光学显微镜观察蚀刻后的电路的平直性(参见图1(A))。然后，利用EPMA实施对导致迁移的金属残渣、尤其是对铜的映像观察(参见图1(B))。其结果示于表1。

此外，测定铜膜与绝缘基板间的密合强度，其结果一并记入表1。密合强度(kN/m)按照以下方法进行测定：用公知的硫酸-硫酸铜浴对附有无电解铜膜的基板的铜膜表面进行镀敷增高以达到35μm厚，用通过UV照射而固化的UV油墨和丝网在镀敷增高的表面进行图案印刷，形成幅度为0.1m/m的图案，将通过蚀刻得到的该图案按照JIS-C-6481进行测定。

还有，对于处理表面的粗化突起间的间隔以及该间隔的有无，使用符合JIS标准的市售的微型游标卡尺(マイクロノギス)对在立体显微镜的倍率下拍摄的截面照片(参见图1(C))中粗化突起的最外面轮廓间的间隔进行实测，并按照倍率换算求出间隔。在这里，如图1(C)所示，由于铜粒子分散附着在处理表面上并呈树枝状电沉积生长，所以多个柱状形状彼此间隔地形成。多个柱状形状以距离处理表面越远其幅度变得越窄的形态形成。因此，对该柱状形状的底部的间隔如上所述进行了实测。该测定结果一并记入表1。

表1所示的蚀刻后的电路的平直性的判定是根据光学显微镜的观察结果进行的。判定标准如图1(A)所示，将显微镜照片中蚀刻面近似为直线者记为◎；直线性稍微有些问题但在实用性方面判断为没有问题者记为△；在实用性方面判断为有问题者记为×。

利用铜残渣的映像的观察如图1(B)所示，将通过EPMA观察完全未确认到铜残渣者记为◎；大致不能确认者记为○；稍微有残渣存在但在实用上没有问题者记为△。

对于处理表面的粗化突起间的间隔以及该间隔的有无，如图1(C)所示，是使用符合JIS标准的市售的微型游标卡尺对在立体显微镜的倍率下拍摄的截面照片中粗化突起的最外面轮廓间的间隔进行实测，并按照倍率换算求出间隔间的距离。

[实施例2]

将实施例1中使用的具有微晶粒的未处理铜箔的单重厚改为63g/m²(相当于标称厚度为7μm)。除此点以外，烧镀条件、被膜镀敷条件、防锈处理条件与实施例1完全相同地实施各处理，其评价测定结果一并记入表1。

[实施例3]

将实施例1中使用的具有微晶粒的未处理铜箔的单重厚改为153g/m²(相当于标称厚度为18μm)。除此点以外，烧镀条件、被膜镀敷条件、防锈处理条件与实施例1完全相同地实施各处理，其评价测定结果一并记入表1。

[实施例4]

对厚度为单重厚107g/m²(相当于标称厚度12μm)、具有微晶粒的未处理电解铜箔的液面侧的表面粗糙度Rz值为1.5μm的面，在以下的浴组成和镀敷条件下实施形成粗化突起的烧镀。

在这里，在下述的基本浴中溶解各化合物使其达到下述的浓度后，用工业用浓硫酸将pH调整为1.2，形成焦磷酸铜电解镀敷浴。

·基本浴：在作为来自焦磷酸铜的铜浓度溶解有23.5g-Cu/l的铜的溶液中添加焦磷酸钾(焦磷酸化合物)300g/l

·来自钼化合物的钼浓度：250mg-Mo/l

·来自铁化合物的铁浓度：200mg-Fe/l

·来自铬化合物的三价铬浓度：200mg-Cr/l

·来自钨化合物的钨浓度：8.5mg-W/l

·来自钒化合物的钒浓度：150mg-V/l

·来自氯化合物的氯浓度：0.5mg-Cl/l

使用上述组成的焦磷酸电解镀敷浴，在下述条件下实施电解处理(烧镀)。

·浴温：28.5℃

·电流密度：直流整流为32A/dm²

烧镀以后的被膜镀敷用焦磷酸铜浴也可以，但在本实施例使用了与实施例1完全相同的被膜镀敷条件和防锈处理条件实施了处理。其评价测定结果一并示于表1。

[实施例5]

对厚度为单重厚107g/m²(相当于标称厚度12μm)、具有微晶粒的未处理电解铜箔的液面侧的表面粗糙度Rz值为1.5μm的面，在以下的条件下实施形成粗化突起的烧镀。

这里，在下述的基本浴中添加各化合物使其达到下述的浓度，形成碳酸铜电解镀敷浴。

·基本浴：作为来自碳酸铜的铜浓度，溶解有23.5g-Cu/l的铜，用工业用浓硫酸将pH调整为1.2

·来自钼化合物的钼浓度：250mg-Mo/l

·来自铁化合物的铁浓度：200mg-Fe/l

·来自铬化合物的三价铬浓度：200mg-Cr/l

·来自钨化合物的钨浓度：8.5mg-W/l

·来自钒化合物的钒浓度：150mg-V/l

·来自氯化合物的氯浓度：0.5mg-Cl/l

使用该碳酸铜电解镀敷浴，在下述条件下进行电解镀敷处理(烧镀)。

·浴温：28.5℃

·电流密度：直流整流为32A/dm²

使烧镀以后的被膜镀敷条件和防锈处理条件与实施例1完全相同地进行各处理，其评价测定结果一并示于表1。

[实施例6]

代替未处理金属箔，使用工业用的通用轧制铝箔：单重量为68g/m²(相当于标称厚度为25μm)的金属箔。另外，在烧镀前，用25g/l的氢氧化钠溶液(浴温：85℃)对其表面进行表面脱脂洗净。然后，为了能实施完好的烧镀，使用在乙酸酸性的浴液中溶解有50g/l的氧化锌的溶液，对要实施烧镀处理的面实施0.35mg-Zn/dm²的锌镀敷前处理。除这些点以外，烧镀处理条件、被膜镀敷条件还有防锈处理条件都和实施例1完全相同地进行各处理，其评价测定结果一并记入表1。

[比较例1]

在进行实施例1的形成粗化突起的烧镀处理时，在该浴液中没有使用作为添加金属和添加物的钼、铁、铬、钨、钒和氯。除这些点以外，实施与实施例1相同的被膜镀敷和防锈处理，进行同样的评价测定，其结果一并记入表1。

[比较例2]

代替实施例1所用的具有微晶粒的未处理铜箔，使用标称厚度为12μm的具有一般的柱状结晶的市售的单面粗化处理电解铜箔(古河电气工业株式会社制造的GTS-MP-12μm箔)。除此点以外，烧镀条件、被膜镀敷条件、防锈处理条件与实施例1相同地进行各处理，其评价测定结果一并记入表1。

[比较例3]

用公知的硫酸-硫酸铜浴对利用通用的溅射加工方法在高频对应芯基板的单面形成了厚度约为0.5μm的超薄厚度的铜膜的材料的超薄铜膜表面进行电解镀敷增厚，以形成总厚度为5.0μm及35μm的膜。然后，进行与实施例相同的评价和测定，其结果一并记入表1。

[表1]

◎：极好(最适)，○：良好，△：实用上无障碍，×：实用上有障碍

由上述表1所示的结果可明确，与各比较例的金属布线膜相比，根据本发明的方法可以形成电路蚀刻平直性良好、无电路间迁移的担忧、具备所用构件所必需的密合强度的足够的强度、较用目前的加工方法得到的极薄铜膜在品质上有所改善的金属布线膜。

此外，通过无电解铜镀敷可形成作为铜结晶致密且厚度均一性良好的铜薄膜。因此，可使集成电路等的制造工序的成品率和品质得到提高，不采用溅射法或半蚀刻法(ハ一フエツチング法)也可以低成本地制造并提供能够消除精细布线的因迁移而引起的故障的极薄铜箔。

符号的说明

◎：极好(最适)

○：良好

△；实用上无障碍

×：实用上有障碍

Claims (12)

1.一种金属箔，所述金属箔具有镀敷粗化表面，其特征在于，该镀敷粗化表面为如下状态：对未处理金属箔的至少一面通过烧镀实施粗化突起镀敷，在该粗化突起镀敷上再实施被膜镀敷，其表面粗糙度以Rz值计为1.0μm～2.5μm，并且由所述粗化突起镀敷形成的粗化突起为相邻的粗化突起间具有0.1μm以上、1.0μm以下的间隙的柱状形状。

2.如权利要求1所述的金属箔，其特征在于，对所述镀敷粗化表面实施了防锈处理。

3.如权利要求1所述的金属箔，其特征在于，所述未处理金属箔为轧制铜箔或电解铜箔，至少所述未处理铜箔的镀敷粗化表面形成侧的表面粗糙度以Rz值计为1.0μm～2.2μm。

4.如权利要求3所述的金属箔，其特征在于，所述未处理铜箔的单重厚为60g/m²～153g/m²。

5.权利要求1～4中任一项所述的金属箔为印模用途的金属箔。

6.一种绝缘基板，其特征在于，权利要求5所述的金属箔的所述镀敷粗化表面的凸凹形状被转印至绝缘基板而形成了粗化处理面。

7.一种布线基板，其特征在于，在权利要求6所述的绝缘基板的所述粗化处理面上形成了规定的布线图案。

8.一种金属箔的制造方法，其特征在于，用镀敷浴对表面粗糙度以Rz值计为1.0μm～2.2μm的未处理金属箔实施烧镀以形成粗化突起镀敷表面，然后对该粗化突起镀敷表面实施被膜镀敷，制成表面粗糙度以Rz值计为1.0μm～2.5μm、相邻的粗化突起间具有0.1μm以上、1.0μm以下的间隙的柱状形状的镀敷粗化表面，其中，所述镀敷浴为向硫酸-硫酸铜镀敷液、焦磷酸铜镀敷液或碳酸铜镀敷液中加入了添加金属的镀敷浴。

9.如权利要求8所述的金属箔的制造方法，其特征在于，向所述镀敷液中添加的添加金属是铁、铬、钼、钨，以及选自钒和锑的两种或任一种。

10.如权利要求8所述的金属箔的制造方法，其特征在于，对所述镀敷粗化表面实施防锈处理。

11.如权利要求8所述的金属箔的制造方法，其特征在于，所述未处理金属箔为轧制铜箔或电解铜箔。

12.经权利要求8～11中任一项所述的金属箔的制造方法处理过的金属箔为印模用途的金属箔的制造方法。

Images