电路板及其制造方法
技术领域
本发明涉及一种电路板,尤其涉及一种具有嵌入元件的电路板及其制造方法。
背景技术
将电子元件整合于印刷电路板或半导体平台中已是近几年来众所瞩目的电子元件发展技术。
图1A至1C是显示现有电路板的剖面图。如图1A所示,首先提供一绝缘基板100,此绝缘基板100可为一般环氧树脂玻纤板。形成一凹槽110于绝缘基板100中。接着,如图1B所示,将指环状磁性元件120置入凹槽110。然后,如图1C所示,涂布环氧树脂封装胶材130覆盖指环状磁性元件120并将凹槽110填满并进行固化。待封装胶材130固化后,对位在指环状磁性元件120的内部的封装胶材130进行钻孔镀铜以形成导通孔140。同时,也对位在指环状磁性元件120的外部的绝缘基板100进行钻孔镀铜以形成导通孔150,同时再形成表面金属层连接导通孔140与150,再对此表面金属层制作线路如此便完成环绕指环状磁性元件120的导电线圈的制作。完成钻孔镀铜后的结构如图1C所示。
现有技术提供很多类似以上所述的结构与作法,但此等不免有各种缺点,譬如于图1C所示,现有的表面金属导线容易与底下的绝缘基板100及封装胶材130分离,导致导电线圈失效。
发明内容
本发明提供一种电路板及其所制造方法,用以解决电路板的表面金属导线容易与底下绝缘基板及封装胶材分离的结构不良问题。
本发明提供一种电路板,包含一绝缘基板,具有一指环型凹槽及由该指环型凹槽所定义的一岛状部分及一外围部分;一嵌入元件置于该指环型凹槽中;一绝缘填胶覆盖该嵌入元件并填满该指环型凹槽;一上电镀布线层位于该绝缘基板上方及一下电镀布线层位于该绝缘基板下方;一上粗糙介电层介于该绝缘基板与该上电镀布线层之间,用以强化该绝缘基板与该上电镀布线层的连结;一下粗糙介电层介于该绝缘基板与该下电镀布线层之间,用以强化该绝缘基板与该下电镀布线层的连结;一内电通孔垂直穿透该岛状部分并电连接该上电镀布线层及该下电镀布线层;及一外电通孔垂直穿透该外围部分并电连接上电镀布线层及该下电镀布线层,其中该内电通孔、该外电通孔、该上电镀布线层及该下电镀布线层系形成一导电线圈环绕该嵌入元件。该上粗糙介电层及该下粗糙介电层的表面的中心线平均粗糙度(Ra)范围为0.5μm至2.0μm。
本发明也提供一种电路板的制造方法,包含:提供一绝缘基板,所述绝缘基板预先定义一指环型区域,一岛状部分及一外围部分;形成一指环型凹槽于所述绝缘基板的所述指环型区域中;置放一嵌入元件于所述指环型凹槽并使一绝缘填胶覆盖所述嵌入元件并填满所述指环型凹槽;形成一上粗糙介电层及一下粗糙介电层分别覆盖所述绝缘基板的上方与下方,所述上粗糙介电层及所述下粗糙介电层的表面的中心线平均粗糙度范围为0.5μm至2.0μm;电镀形成一内电通孔垂直穿透所述岛状部分及一外电通孔垂直穿透所述外围部分;电镀形成一上电镀布线层于所述上粗糙介电层表面上及一下电镀布线层位于所述下粗糙介电层表面上;使所述内电通孔、所述外电通孔、所述上电镀布线层及所述下电镀布线层电连接以构成一导电线圈环绕所述嵌入元件。
本发明提供另一种电路板,包含一绝缘基板,具有一指环型凹槽及由该指环型凹槽所定义的一岛状部分及一外围部分;一嵌入元件置于该指环型凹槽中;一上电镀布线层位于该绝缘基板上方及一下电镀布线层位于该绝缘基板下方;一绝缘层位于该上电镀布线层与该绝缘基板之间;一上粗糙介电层介于该绝缘层与该上电镀布线层之间,用以强化该绝缘层与该上电镀布线层的连结;一下粗糙介电层介于该绝缘基板与该下电镀布线层之间,用以强化该绝缘基板与该下电镀布线层的连结;一内电通孔垂直穿透该岛状部分并电连接该上电镀布线层及该下电镀布线层;及一外电通孔垂直穿透该外围部分并电连接上电镀布线层及该下电镀布线层,其中该内电通孔、该外电通孔、该上电镀布线层及该下电镀布线层系形成一导电线圈环绕该嵌入元件。该上粗糙介电层及该下粗糙介电层的中心线平均粗糙度(Ra)范围为0.5μm至2.0μm。
本发明也提供另一种电路板的制造方法,包含:提供一绝缘基板,所述绝缘基板预先定义一指环型区域,一岛状部分及一外围部分,所述指环型区域横向地介于所述岛状部分与所述外围部分之间;形成一指环型凹槽于所述绝缘基板的所述指环型区域中;置放一嵌入元件于所述指环型凹槽;形成一粘胶层及一绝缘层于所述绝缘基板的上方;形成一上粗糙介电层覆盖所述绝缘层上方,及一下粗糙介电层覆盖所述绝缘基板的下方;电镀形成一内电通孔垂直穿透所述岛状部分及一外电通孔垂直穿透所述外围部分;电镀形成一上电镀布线层于所述上粗糙介电层表面上及一下电镀布线层于所述下粗糙介电层表面上,所述上粗糙介电层及所述下粗糙介电层的表面的中心线平均粗糙度范围为0.5μm至2.0μm;及使所述内电通孔、所述外电通孔、所述上电镀布线层及所述下电镀布线层电连接以构成一导电线圈环绕所述嵌入元件。
本发明通过粗糙介电层的表面结构可强化形成其上的导电布线层与绝缘基板的结合度,因此可有效地避免导电层与绝缘基板分离。
本发明还包含其他方面以解决其他问题并合并上述的各方面详细揭示于以下实施方式中。
附图说明
图1A至1C是显示现有电路板的剖面图。
图2A及2B至图9A及9B是本发明第一实施例显示一电路板制作过程中各步骤的俯视图与剖面图。
图10A及10B至图13A及13B是本发明第二实施例显示另一电路板制作过程中各步骤的俯视图与剖面图。
图14为本发明一实施例的凹凸介电层的一扫描电子显微镜照片。
图15为本发明一实施例的粗糙介电层的一扫描电子显微镜照片。
主要元件符号说明:
100:绝缘基板; 110:凹槽;
120:指环状磁性元件; 130:封装胶材;
140:导通孔; 150:导通孔;
210:绝缘基板; 210r:指环型区域;
210a:岛状部分; 210b:外围部分;
310:指环型凹槽; 310a:底部;
410:绝缘填胶; 510:嵌入元件;
512:间隙; 710a,1210a:内通孔;
710b,1210b:外通孔; 810a,1310a:内电通孔;
810b,1310b:外电通孔; 830:导电层;
840:导电层; 910,1330:上布线层;
920,1340:下布线层; 1020:粘胶层;
1030:绝缘层; 513:上表面;
1010:嵌入元件;
610,620,1110,1120:凹凸介电层;
7610,7620,1110’,1120’:粗糙介电层。
具体实施方式
以下将参考所附图示范本发明的较佳实施例。所附图中相似元件采用相同的元件符号。应注意为清楚呈现本发明,所附图中的各元件并非按照实物的比例绘制,而且为避免模糊本发明的内容,以下说明也省略现有的元组件、相关材料、及其相关处理技术。
图2A及2B至图9A及9B是本发明第一实施例显示一电路板制作过程中各步骤的俯视图与剖面图,标示A的图为俯视图,标示B的图为沿标示A的图的虚线I-I’的剖面图。
首先,参考图2A及2B,提供一绝缘基板210。在此实施例,绝缘基板210可为一般环氧树脂玻纤板(FR4)。绝缘基板210的面积依需求而定。可于绝缘基板210中制作一个或多个嵌入元件,也可同时形成其他线路。为清楚说明,图中仅显示虚线X-X’,Y-Y’所划出单一嵌入元件的制造区域。此外,于绝缘基板210上也事先预定放置嵌入元件的位置。在此实施例中,嵌入元件为指环型磁性元件,所以嵌入区域为由虚线r及r’所划出的指环型区域210r。绝缘基板210上相对指环型区域210r为内部的区域定义为岛状部分210a;绝缘基板210上相对指环型区域210r为外部的区域定义为外围部分210b。指环型区域210r横向地介于岛状部分210a与外围部分210b之间。应注意,在此实施例中使用指环状磁性元件为示范说明,并不因此限制本发明的嵌入元件的形状,也未限制嵌入区域的形状。在其它实施例,嵌入元件或嵌入区域皆可视需要变化。
接着,参考图3A及3B,利用合适的技术,移除位于指环型区域210r的绝缘基板210材料,以形成一指环型凹槽310。指环型凹槽310用来收纳嵌入元件510(见图5A及5B)并使其完全嵌入绝缘基板210中,故在此实施例中,指环型凹槽310的平面大小及体积略大于嵌入元件510。执行移除绝缘基板210材料制程时应注意控制深度以保留部分的绝缘基板210材料作为指环型凹槽310的底部310a。
然后,参考图4A及4B,在指环型凹槽310中先注入适量的绝缘填胶410。绝缘填胶410的成份可为一般型环氧树脂,常温硬化型树脂,双液型树脂,光硬化型树脂或其他任何合适材料。接着参考图5A及5B,在绝缘填胶410未硬化前,将嵌入元件510置于指环型凹槽310中并挤压绝缘填胶410使其充满指环型凹槽310的内壁与嵌入元件510的间隙512。嵌入元件510的高度可低于指环型凹槽310的深度,故绝缘填胶410可进一步淹盖嵌入元件510的上方。实际上,绝缘填胶410的成份由所选定的嵌入元件应有的应力程度来决定。绝缘填胶410的用意在于填满凹槽中未被嵌入元件510占据的空间。在其他实施例,可嵌入不具磁性的其他元件,则绝缘填胶410可由适合此嵌入元件的其他成份来组成。在此实施例,嵌入元件510可来自任何适合作为电磁元件的磁性材料,例如铁芯(ferrite core)。本实施例的嵌入元件510一般厚度可在0.8mm~3.0mm的范围内,但不以此为限。待绝缘填胶410硬化后,可视需要平坦化图5B所示的结构的上表面513,以使绝缘基板210的上表面与绝缘填胶410的上表面共平面。在此实施例,于指环型凹槽310中是先填入绝缘填胶410后再放入嵌入元件,但本发明并非以此为限。在另一实施例,可先放置嵌入元件于指环型凹槽310中再填入绝缘填胶410。
接着,如图6A及6B所示,分别形成凹凸介电层610及620覆盖绝缘基板210的上下表面。图6A以虚线表示指环型区域210r。于此实施例,形成凹凸介电层610及620将含多种(至少两种)不同分子量的高分子的胶体,以贴合或涂布方式,形成于绝缘基板210的上下表面,然后进行烘烤。在此实施例,此胶体所含高分子的种类以环氧树脂为主,其包含两种或两种以上的分子量分布。藉由分子量分布的差异,此胶体于烘烤时因局部反应速率不同,将产生相对较硬质部分及相对较软质部分,软硬质的结构差异造成凹凸不平的表面。图14为凹凸介电层610的一扫描电子显微镜照片。
接着,如图7A及7B所示,于绝缘基板210的岛状部分210a及外围部分210b分别制作垂直穿透绝缘基板210的内通孔710a及外通孔710b。内通孔710a及外通孔710b沿指环型区域210r的内外边缘排列,其个数可依需求而定。制作方法可采用机械钻孔或激光钻孔或其他合适技术。内通孔710a及外通孔710b的孔径一般可在0.15mm~0.3mm的范围内,但不以此为限。完成钻孔后,利用合适的药液执行去钻污、除胶渣等步骤。在此过程中,凹凸介电层610及620会经过药水的侵蚀,其表面将产生多个均匀分布的微孔洞,进而形成如于图7A及7B中以7610及7620代表的粗糙介电层。图15为图7A的一扫描式电子显微镜照片,其可清楚看出多个均匀分布的微孔洞的结构。本文所指的粗糙介电层指表面的中心线平均粗糙度(Ra)范围在0.5μm至2.0μm的介电层。在此实施例,粗糙介电层7610及7620的表面具有多个均匀分布的微孔洞。多个微孔洞的表面结构可强化后续形成其上的导电层的结合度(即电镀强度与耐热强度),藉此避免导电层与绝缘基板210分离。在此实施例中,粗糙介电层7610及7620的厚度约在10~50μm,但本发明不以此为限。在另一实施例,形成粗糙介电层7610及7620可利用其他方法,譬如可于绝缘基板210的上下表面先形成实质上平坦,或表面起伏不显著,其经合适的药液侵蚀后无法产生符合要求的粗糙度的介电层。对这样的介电层通过等离子体轰击处理或其他表面蚀刻方式也可使其表面产生多个微孔洞。
然后,参考图8A及8B,利用现有的电镀技术成长导电材料于内通孔710a,外通孔710b及粗糙介电层7610及7620的表面上,以制作位于岛状部分210a的内电通孔810a,位于外围部分210b的外电通孔810b,以及覆盖粗糙介电层7610及7620的导电层830及840。在此实施例,使用铜材料进行电镀,所以铜层是长成的,非压合而成。电镀铜层沿粗糙介电层7610及7620的多个微孔洞所形成的高低起伏表面成长而成,以增强彼此之间的结合力。此实施例,导电层830及840的厚度范围约在0.1mil至1.0mil,其相较于一般压合的铜层0.45mil,此实施例可制作更薄的线路,而且经过标准测试,导电层830及840的剥离强度可达3.0lb/in以上,于288℃的锡炉耐热性可达10sec/cycle。在一较佳的实施例,使用可成长低应力铜的药水,则可获得剥离强度及耐热强度更好的导电层。
接着,再参考图9A及9B,利用影像移转与蚀刻,图案化导电层830及840,以形成上布线层910及下布线层920,其中内电通孔810a、外电通孔810b、上布线层910及该下布线层920形成一导电线圈环绕嵌入元件510。如上述,由于具有粗糙介电层7610及7620,上布线层910及下布线层920与底下的绝缘基板210的接合强度增加。因此,相较于一般压合的图案化铜层,此实施例可制作线宽更细的线路,其线宽的范围在3mil以下,较佳还可达到0.5mil以下。
图10A及10B至图13A及13B是本发明第二实施例显示一电路板制作过程中各步骤的俯视图与剖面图,标示A的图为俯视图,标示B的图为沿标示A的图的虚线I-I’的剖面图。第二实施例的图10A及10B接续第一实施例的图3A及图3B,故图10A及10B之前的步骤请参考图1A至3A及图1B至3B。
如图10A及10B所示,将一嵌入元件1010置于指环型凹槽310中。指环型凹槽310内可选择性填入或不填入绝缘填胶。第二实施例以不填绝缘填胶作示范说明。嵌入元件1010置入指环型凹槽310后,接着形成一粘胶层1020及一绝缘层1030覆盖绝缘基板210的上表面(即具有指环型凹槽310的表面)。粘胶层1020可使用已成型的一胶片(bondply)或胶片(prepreg),其可为环氧树脂或其他合适材料组成。绝缘层1030可为类似于绝缘基板210的材料制成的平板或为或其他合适材料。
接着,参考图11A及11B,分别形成凹凸介电层1110及1120覆盖图10A所示的结构的上下表面。凹凸介电层1110及1120的成份与制法同于第一实施例的凹凸介电层610及620,其表面同样具有高低不平的结构,可于后续形成具有多个均匀微孔洞的粗糙介电层。
然后,如图12A及12B所示,于绝缘基板210的岛状部分210a及外围部分210b分别制作垂直穿透绝缘基板210的内通孔1210a及外通孔1210b。制作方法如同于第一实施例,可采用机械钻孔或激光钻孔或其他合适技术。完成钻孔后,可执行去钻污、除胶渣等步骤。在此过程中,由于经过药水的侵蚀,凹凸介电层1110及1120转变成如图12A及12B中以1110’及1120’代表的粗糙介电层。
接着,参考图13A及13B,利用现有的电镀技术成长导电材料于内通孔1210a,外通孔1210b及粗糙介电层1110’及1120’的表面上;然后进行影像移转与蚀刻,以制作位于岛状部分210a的内电通孔1310a,位于外围部分210b的外电通孔1310b,以及上布线层1330及下布线层1340于粗糙介电层1110’及1120’的上方。图13A及13B步骤的执行细节可参考第一实施例于图8A-9A及图8B-9B的说明。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已,并非用以限定本发明的保护范围范围;凡其它未脱离本发明所揭示的精神下所完成的等效改变或修饰,均应包含在本申请的权利要求书所界定的范围内。