CN102282614A - 光学信息记录介质、记录方法、再生方法以及记录再生装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种光学信息记录介质，具备：基板、覆盖层、被所述基板以及所述覆盖层所夹的第1信息层，通过从所述覆盖层一侧照射光束，在所述第1信息层记录信息，对记录于所述第1信息层的信息进行再生，所述第1信息层包含：记录膜、和配置于所述记录膜和所述覆盖层之间的保护膜，所述覆盖层和所述记录膜之间的距离为0.5nm以上12nm以下。

Description

光学信息记录介质、记录方法、再生方法以及记录再生装置
技术领域
本发明涉及通过激光等的光束来记录、再生信息的光学信息记录介质、记录方法、再生方法以及记录再生装置。
背景技术
近年来，能通过激光照射来记录信息的光学信息记录介质被广泛研究开发、商品化。在这样的光学信息记录介质中，有改写型和追记型，其中改写型能记录信息，能删除或改写已经记录有信息的介质，追记型能记录信息，但不能删除已记录的信息或用新的信息来进行改写。
作为追记型的光学信息记录介质的一种，例如，已知在信息层上具备以氧化物作为基础材料、包含分散了金属元素的材料、更具体地包含了Te和TeO2的混合物TeOx(0＜x＜2)的信息记录膜的光学信息记录介质。包含TeOx的记录膜在不实施激光退火等的初始化处理而形成记录膜之后，就保持非晶相的状态不变地使用。即，在形成包含TeOx的记录膜之后，能不进行热处理而以非晶相的状态来记录信息。因此，具有光学信息记录介质的制造简单、能以低成本来制造的优点。
若在这样的光学信息记录介质上照射比规定强度大的激光，则在照射了激光的区域中，记录膜从非晶相改变为结晶相，形成记录标记(recordmark)。例如，在记录层的轨道上形成以基于根据要记录的信息而调制的信号的长度来表征的空白以及标记的组合。由于包含TeOx的记录膜中的在非晶相和结晶相中反射率有较大的不同，若用具有不在记录膜产生相变程度的强度的激光来扫描已记录有信息的轨道，则能获得具有与空白以及标记对应的强度变化的反射光，能再生被记录于光学信息记录介质的信息。由于包含TeOx的记录膜中的从非晶相向结晶相的变化为不可逆过程，因此，不能进行基于信息覆写的修改或删除。
近年来，追求记录容量更大的光学信息记录介质。作为使光学信息记录介质的记录容量变大的方法，一般是使用通过使激光的波长变短、或使对激光进行聚光的物镜的数值口径变大来缩小聚光的光斑径，并提高记录面密度的方法。另外，为了使每个光学信息记录介质的记录面积增大，层叠了多个信息层的多层构造的光学信息记录介质也在近年被实用化。为了和这样的高密度记录或多层记录对应，也提出了调整在TeOx中添加Pd、Au等的记录材料的组成、以及记录膜的厚度的光学信息记录介质(例如参照专利文献2)。另外，在提高了光学信息记录介质的记录密度的情况下，会有反射光的强度降低或标记间的热干扰的问题。为了解决这些课题，提出了通过和记录膜相邻来设置反射膜，由此利用光学干涉效应来提高记录膜的光吸收率从而提高记录灵敏度，并且，将在记录膜产生的热扩散到反射膜，抑制标记间的热干扰(例如参照专利文献3)。
专利文献1：JP特开昭50-46317号公报
专利文献1：国际公开WO98/09823号手册
专利文献2：JP特开2002-251778号公报
在进行如上所述的高密度记录，特别是进行使用了蓝紫色激光的记录的情况下，由于激光加热而产生的热负载，记录膜容易受到损伤。其结果，会有在再生信号中包含较多的噪声等再生信号的质量恶化的可能性。另外，即使在记录时所受到的热负载不会立即使再生信号的质量恶化的情况下，也认为通过长时间保存光学信息记录介质，热负载带来的影响会显现，再生信号劣化。
如上所述，近年来追求使光学信息记录介质的记录容量进一步增大。另外，追求能以高倍速来记录信息的光学信息记录介质。因此，需要提高记录密度、增大上限记录线速度、增加信息层的层数。与此相伴，光学信息记录介质的记录膜受到的热负载有进一步增大的倾向。因此，缓和热负载并提高保存可靠性越来越重要。
发明内容
本发明解决这样的课题，目的在于提供一种光学信息记录介质，其高密度、高线速度记录中的再生信号的质量良好，且保存可靠性高。
本发明的光学信息记录介质具备：基板；覆盖层；和被所述基板以及所述覆盖层所夹的第1信息层，通过从所述覆盖层一侧照射光束，在所述第1信息层记录信息，对记录于所述第1信息层的信息进行再生，所述第1信息层包含：记录膜、和配置于所述记录膜和所述覆盖层之间的保护膜，所述覆盖层和所述记录膜之间的距离为0.5nm以上12nm以下。
通过覆盖层和记录膜之间的距离为0.5nm以上12nm以下，保护记录膜不受到热损伤，另外，能抑制保护膜的剥离，能实现高密度、高线速度记录中的再生信号的质量良好且保存可靠性高的光学信息记录介质。
在某优选的实施方式中，光学信息记录介质还具备设于所述基板和所述第1信息层之间的第2信息层。
由此，即使在层叠了信息层的记录容量大的光学信息记录介质中，也能实现高密度、高线速度记录中的再生信号的质量良好且保存可靠性高的光学信息记录介质。
在某优选的实施方式中，所述记录膜包含追记型的记录材料。
在某优选的实施方式中，所述追记型的记录材料包含从由Cr-O、Zn-O、Ga-O、In-O、Sn-O、Sb-O、Bi-O以及Te-O构成的群中选出的至少一种。
在某优选的实施方式中，所述光学信息记录介质中，所述第1信息层还具有设于所述记录膜和所述基板之间的反射膜。
在某优选的实施方式中，所述第1信息层具有设于所述记录膜和所述反射膜之间的中间膜。
在某优选的实施方式中，所述保护膜包含从由Zn-O、Te-O以及Sn-O构成的群中选出的至少一种，在所述保护膜中，Zn、Te以及Sn的合计相对于除了氧以外的全部原子的比例为50at％以上。
在某优选的实施方式中，所述保护膜分别包含从由Zn-O、Te-O以及Sn-O构成的群中选出的至少一种、和从由Cr-O、Sb-O、Bi-O、In-O以及Ga-O构成的群中选出的至少一种，在所述保护膜中，Zn、Te以及Sn的合计相对于除了氧以外的全部原子的比例为33at％以上96at％以下，Cr、Sb、Bi、In以及Ga的合计相对于除了氧以外的全部原子的比例为4at％以上67at％以下。
在某优选的实施方式中，所述第1信息层的槽的间距为1μm以下。
本发明的光学信息记录介质的记录方法，在上述任一种的光学信息记录介质中，用波长为450nm以下的光束来记录信息。
本发明的光学信息记录介质的再生方法，用波长为450nm以下的光束对记录于上述任一种所述的光学信息记录介质中的信息进行再生。
本发明的记录再生装置在上述任一种所述的光学信息记录介质中，用波长为450nm以下的光束来记录信息；和用波长为450nm以下的光束对记录于上述任一种所述的光学信息记录介质中的信息进行再生。
根据本发明，通过覆盖层和记录膜之间的距离为0.5nm以上12nm以下，可保护记录膜不受到热损伤，另外，能抑制保护膜的剥离，且能实现高密度、高线速度记录中的再生信号的质量良好且保存可靠性高的光学信息记录介质。
附图说明
图1是表示本发明的光学信息记录介质的一个实施方式的示意性的部分剖面图。
图2是表示本发明的光学信息记录介质的其它实施方式的示意性的部分剖面图。
图3是表示本发明的光学信息记录介质的其它实施方式的示意性的部分剖面图。
图4是表示本发明的记录再生装置的一个实施方式中的主要部分的概略图。
(符号说明)
1基板
2第1信息层
3记录膜
4保护膜
5覆盖层(cover layer)
6激光
7物镜
8反射膜
9中间膜
10分离层
11第2信息层
12激光二极管
13半反射镜
14电动机
15光学信息记录介质
16光检测器
具体实施方式
下面，说明本发明的光学信息记录介质的实施方式。图1是表示本发明的光学信息记录介质的实施方式的示意性的部分剖面图。图1所示的光学信息记录介质具备：基板1、覆盖层5、被基板1以及覆盖层5所夹的第1信息层2。第1信息层2至少包含记录膜3以及保护膜4。保护膜4配置于记录膜3和覆盖层5之间。
如图1所示，用物镜7对激光等的光束6进行聚光，提供将聚光后的光束6从覆盖层5侧照射到第1信息层2，进行对第1信息层2的信息的记录，或进行被记录于第1信息层2的信息的再生。
如图2所示，第1信息层2还具有设于记录膜3和基板1之间的反射膜8。另外，也可以具有设于记录膜3和反射膜8之间的中间膜9。
光学信息记录介质也可以具有2个以上的信息层。具体地，如图3所示，光学信息记录介质还具备设于基板1和第1信息层2之间的第2信息层11。这种情况下，优选在第1信息层2和第2信息层11之间设置分离层10。另外，光学信息记录介质也可以具备3个以上的信息记录层。在光学信息记录介质具备多个信息层的情况下，将多个信息层从靠近基板1侧起依次称为L0层、L1层……。
基板1支撑第1信息层2、第2信息层11。作为基板1的材料，可以使用聚碳酸酯树脂、聚甲基丙烯酸甲酯树脂、聚烯烃树脂、降莰烷系树脂、紫外线硬化性树脂或适宜地组合这些树脂等。另外，基板1的厚度虽无特别的限定，但能使用0.01～3.0mm程度的厚度。在基板1的和第1信息层2或第2信息层11接触的表面上，形成有螺旋状的槽。为了提高记录密度，槽的间距优选为1μm以下。该槽与形成于第1信息层2或第2信息层11的槽对应。
覆盖层5用于防止在信息层2产生损伤或刮痕等，并且防止信息层2暴露在大气中而被氧化。另外，在光学信息记录介质中，调整从覆盖层5的光束所入射的表面到第1信息层2为止的距离。作为覆盖层5的材料，可以使用聚碳酸酯树脂、聚甲基丙烯酸甲酯树脂、聚烯烃树脂、降莰烷系树脂、紫外线硬化性树脂、玻璃或适宜地组合这些树脂等。另外，覆盖层5的厚度虽无特别的限定，但能使用0.01～1.5mm程度的厚度。例如在物镜7的数值口径NA为0.8～0.9程度的情况下，优选覆盖层5的厚度为0.03～0.3mm程度。在覆盖层5较薄的情况下，例如在覆盖层5的厚度为0.3mm以下的情况下，贴合由上述材料形成的薄片来形成覆盖层5，或通过旋涂法来涂覆紫外线硬化性树脂，通过照射紫外线使其硬化来形成覆盖层5。
在光学信息记录介质具备2个以上的信息层的情况下，在2个信息层之间设置分离层10。分离层10调整2个信息层的间隔。也可以为了第1信息层3的轨道而在分离层10的第1信息层2侧的表面上形成螺旋状的槽。作为分离层10的材料，可以使用紫外线硬化性树脂等。分离层10的厚度优选为：至少由物镜7的数值口径NA和激光6的波长λ所决定的焦点深度以上，以使得在对第1信息层2以及第2信息层11的任意一层进行再生时，来自另一层的串扰变小。另外，优选通过分离层10来调整各信息层的位置，以使得物镜7能使光束6会聚在全部的信息层上。例如，在λ＝405nm、NA＝0.85的情况下，分离层10的厚度优选为5μm以上50μm以下。但是，若能开发出可以降低层间的串扰的光学系统或技术时，则分离层的厚度也可以比5μm要薄。
接下来，详细说明第1信息层2。如上所述，第1信息层2至少包含记录膜3以及保护膜4。记录膜3包含通过光束的照射而引起从非晶相向结晶相相变的追记型记录材料。具体地，追记型记录材料至少包含从由Cr-O、Zn-O、Ga-O、In-O、Sn-O、Sb-O、Bi-O以及Te-O构成的群中选出的至少一种来作为母材。在此，Cr-O、Zn-O等分别意味着铬氧化物(CrOx)、锌氧化物(ZnOx)。通过包含这些材料，能在高密度、高线速度记录中，在记录膜3形成希望的形状的记录标记，在将光束照射至已形成的记录标记上的情况下，能获得良好质量的再生信号。在记录膜3上，除了这些母材以外，还可以以通过升温而高速结晶化从而产生光学变化为目的，在追记型的记录材料中添加从由Te、Sb、Bi、Ge、Sn、Ga、In、Pd、Au、Pt、Ni、Ag以及Cu构成的群中选出的至少一种来作为添加物。另外，在使用Te-O来作为追记型的记录材料的母材的情况下，能在追记型的记录材料中添加从Te、Al、Si、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ga、Ge、Zr、Nb、Mo、Ru、Rh、Pd、Ag、In、Sn、Sb、Hf、Ta、W、Re、Os、Ir、Pt、Au以及Bi构成的群中选出的至少一种元素作为添加物。
记录膜3优选使包含上述母材以及添加物的主成份为80at％以上，更优选为包含90at％以上。进而，除了上述主成份以外，还可以出于调整结晶化速度、热传导率或光学常数等、或提高耐热性或耐湿性等的目的，记录膜3可根据需要，在记录膜3整体的10at％以内，更优选为5at％以内的比例的范围内，包含其它氧化物、氮化物、氟化物、碳化物、硫化物、硼化物、O、N、F、C、S、B等非金属元素构成的群中选出的一种。
记录膜3的膜厚优选为2nm以上70nm以下，更优选为4nm以上40nm以下。在记录膜3比2nm薄的情况下，由于无法获得充分的反射率以及反射率变化，因此再生信号的C/N比(载噪比)变小。另外，在比70nm厚的情况下，由于记录膜3的薄膜内的热扩散相对变大，因此记录标记的轮廓变得不清楚，在高密度记录中，再生信号的C/N比变小。
在记录膜3上形成与形成于基板1的槽相对应的螺旋状的槽。在槽和槽之间形成有螺旋状的凸部。因此，优选形成有记录膜3的槽的间距也为1μm以下。将槽和凸部分别称为“沟槽(groove)”和“岸台(land)”。根据记录方式不同，将沟槽或/以及岸台作为用于记录信息的轨道使用。
保护膜4主要保护记录膜3不受到潮气影响，并且在记录膜由于光束而成为高热的情况下，予以保护记录膜3不受到热损伤，抑制由于记录膜3的热而导致覆盖层5变形。因此，优选用耐热性高的材料来构成保护膜4。具体地，优选用无机材料来构成保护膜4，更优选用无机电介质材料来构成保护膜4。更具体地，保护膜4包含从由Zn-O、Te-O以及Sn-O构成的群中选出的至少一种。在保护膜4中，优选Zn、Te以及Sn的合计相对于除了氧以外的全部原子的比例为50at％以上。或，所述保护膜4分别包含从由Zn-O、Te-O以及Sn-O构成的群中选出的至少一种、和从由Cr-O、Sb-O、Bi-O、In-O以及Ga-O构成的群中选出的至少一种。这种情况下，在保护膜4中，优选Zn、Te以及Sn的合计相对于除了氧以外的全部原子的比例为33at％以上96at％以下，Cr、Sb、Bi、In以及Ga的合计相对于除了氧以外的全部原子的比例为4at％以上67at％以下。由此，在高密度记录中，能获得较高的保存可靠性。另外，只要是在不损害本来的功能程度的10at％以内的范围，则也能追加上述以外的材料成分。另外，也可以通过使记录膜3的表面氧化来构成保护膜4。
具体地，保护膜4的厚度优选为0.5nm以上12nm以下，更优选为1nm以上5nm以下。如上所述，保护膜4主要发挥记录膜3的防湿、保护记录膜3不受到热损伤、以及抑制覆盖层5的变形的功能是非常重要的。因此，现有技术中，在光学信息记录介质中，认为保护膜厚一些较好。例如，在现有的DVD中，一般保护膜为100nm以上，在现有的BD中，保护膜的厚度也为20nm。但是，通过本申请的发明者的详细的研究，保护膜的厚度即使成为远比现有的要薄的0.5nm以上12nm以下，也从充分发挥上述的功能。另一方面，在保护膜4的厚度如现有那样为数十nm以上的情况下，认为，在长时间保管光学信息记录介质的情况下，或在高温高湿下保管光学信息记录介质的情况下，在保护膜4产生膜应力，在记录膜3和保护膜4之间产生剥离，在剥离的部分标记的边界变得不清楚，或在保护膜产生凹凸等，从而会降低再生信号的质量。
在图1到图3所示的光学信息记录介质中，在覆盖层5和记录膜3之间仅存在保护膜4。但是，在作为保护膜4的功能之一的抑制覆盖层5的变形，在有其它膜形成于记录膜3和覆盖层5之间的情况下，会受到其它的膜的影响。因此，在第1信息层2中，若还考虑在记录膜3和覆盖层5之间设置保护膜4以外的膜的情况，则优选覆盖层5和记录膜3之间的距离为0.5nm以上12nm以下，更优选为1nm以上5nm以下。
通过用上述的材料来构成保护膜4，并具备上述的厚度，保护膜4能满足如下条件：(1)保护记录膜3不受到热损伤；(2)和记录层3等的相邻的材料的紧密接触性良好，即使高温、高湿条件下也不产生剥离、腐蚀以及扩散等；(3)透明性高且具有适度的折射率，能增强记录膜3的光学变化；(4)其自身热稳定，即使在高温高湿下粒径和组成分布也不发生变动。
其结果，本实施方式的光学信息记录介质即使在高密度、高线速度记录中也具备较高的保存可靠性。在现有的光学信息记录介质中，例如在以4m/s程度的线速度来记录信息的情况下，由于在高温高湿条件(例如温度85℃、相对湿度85％)下保管，即使不产生信息的劣化，在以其2倍以上的线速度进行记录的情况下，可以看到信息的劣化。这是由于在提高线速度的情况下，需要使用更强功率的光束来记录信息，对记录膜的热负载变得更大，所以信息产生了劣化。
与此相对，本实施方式的光学信息记录介质如上所述，通过将覆盖层5和记录膜3之间的距离保持在一定范围内，能在更严格的高线速度的记录中抑制信息的劣化。另外，与图1所示那样的具备1个信息层的光学信息记录介质相比，在图3所示那样的具备多个信息层的光学信息记录介质中，用于对第2信息层进行记录再生的光束需要透过第1信息层。因此，需要使第1信息层2的记录膜3和反射膜8的膜厚较小。这种情况下，高温以及/或高湿条件下保管的情况下的信息的劣化易于进展。本实施方式的光学信息记录介质在具备多个信息层的情况下特别能挥发较高的保存可靠性。
在第1信息层2中，反射膜8有反射光束6的作用。作为反射膜8的材料能使用Ag、Au、Al、Cu等金属或包含这些金属的合金。优选地，使用反射率高的Ag合金来构成反射膜8。由此，在高密度、高线速度记录中，能获得良好的再生信号质量。作为向Ag添加的元素，并没有特别的限定，但能在反射膜8的材料中添加少量的防止凝聚以及粒径微细化效果高的Pd、Pt、Ni、Ru、Au、Cu、Zn、Al、Ga、In、Si、Ge、Sn、Sb、Bi、Ca、Mg、Y、Nd、Sm、Ti、Cr、O、N、F、C、S、B等。特别是，通过使用从Pd、Cu、Bi、Nd以及Ga构成的群中选出的一种，能获得较高的防止凝聚以及粒径微细化的效果。在发挥这样的效果的同时，为了不损伤Ag的高的热传导率和反射率，添加元素的含有量优选为相对于反射膜5整体为0.01at％以上10at％以下，更优选为0.05at％以上5at％以下。
中间膜9有缓和、调整从记录膜3向反射膜8的散热速度，进而通过光学干涉效应来调整信息层整体的光学特性的作用。作为中间膜9的材料，例如能使用Y、Ce、Ti、Zr、Nb、Ta、Co、Zn、Al、Si、Ge、Sn、Pb、Sb、Bi、Te等的氧化物，Ti、Zr、Nb、Ta、Cr、Mo、W、B、Al、Ga、In、Si、Ge、Sn、Pb等的氮化物，Ti、Zr、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Si等的碳化物，Zn、Cd等的硫化物、硒化物或碲化物，Mg、Ca、La等的稀土类的氟化物、C、Si、Ge等的单体或它们的混合物。由此，在高密度、高线速度记录中，能进一步获得良好的再生信号质量。其中，在反射膜8包含Ag或Ag合金的情况下，若使用硫化物作为中间膜9的材料则有可能会侵蚀反射膜8。因此，在反射膜8包含Ag或Ag合金的情况下，优选用不含硫化物的材料来构成中间膜9。另外，中间膜9也可以是和保护膜4相同的材料。中间膜9的厚度优选为2nm以上40nm以下，更优选为5nm以上20nm以下。
接下来，说明本实施方式的光学信息记录介质的制造方法。本实施方式的光学信息记录介质可通过如下步骤来制造：在覆盖层5上形成第1信息层2或在覆盖层5上依次形成第1信息层2、分离层10以及第2信息层11，之后，在基板1上形成或贴合形成有信息层或分离层10的覆盖层5。或也可以反之，在基板1上形成第1信息层2或在基板1上依次形成第2信息层11、分离层10以及第2信息层2，再贴合或形成覆盖层5，从而制造本实施方式的光学信息记录介质。特别是后者，适于例如物镜7的数值口径NA大到0.8以上、基板1的厚度为0.3mm以下的情况。这种情况下，作为激光6的引导用的槽的沟槽或地址信号等的凹凸图案形成在基板1以及分离层10的表面上，需要从压模等预先形成希望的凹凸图案的模具进行转印。此时，特别是在如分离层10那样层厚较薄而使得通常使用的喷射法较为困难的情况下，能使用2P法(photo-polymerization法：光聚合法)。
第1信息层2以及第2信息层11的各薄膜能通过例如真空蒸镀法、溅射法、离子电镀法、CVD(Chemical Vapor Deposition)法、MBE(Molecular Beam Epitaxy)法等气相薄膜堆叠法来形成。在用溅射法、真空蒸镀法、MBE法等的情况下，为了形成希望的组成的薄膜，只要使用由和形成的薄膜的组成相同组成构成的靶和蒸镀源即可。
在下面的实施例中，确认了各膜的靶材料组成和实质形成的薄膜的组成大致相同。其中，根据成膜装置、成膜条件或靶的制造方法等的不同，也会有靶的材料的组成和实际形成的薄膜的组成不同的情况。在这种情况下，优选根据经验，预先求取用于补正组成的偏差的补正系数，来决定靶材料组成，以获得希望的组成的薄膜。各薄膜的膜厚能通过调整膜形成时间或膜成长速度来进行控制。
构成各薄膜的材料，即构成元素和其组成比，能通过螺旋电子分光法、X射线光电子分光法或2次离子质量分析法等的方法(例如应用物理学会/薄膜·表面物理分科学会编“薄膜制作手册”共立出版株式会社、1991年等)来进行调查。
接下来，说明本发明的光学信息记录介质的记录方法、再生方法以及记录再生装置的实施方式。
图4概略表示了进行在本发明的光学信息记录介质上记录信息、以及进行记录于光学信息记录介质的信息的再生的至少一方的记录再生装置的最小限度的必需的构成的一例。
图4所示的记录再生装置具备：光源12、物镜7、电动机14、半反射镜6和光检测器16。为了实现高记录密度，光源12优选出射波长短的光束6，优选450nm以下的波长的光束。从作为光源12的激光二极管出射的光束6透过半反射镜6，入射到物镜7。物镜7将光束6进行会聚，在载置于电动机14的转盘上的光学信息记录介质15的第1信息层2的记录膜3上(图1)上形成规定大小的射束点(聚光点)。对于光学信息记录介质15，而使用上述的本实施方式的光学信息记录介质。
在记录信息的情况下，利用根据要记录的信息而进行调制的信号来驱动光源，从而将调制后的光束6照射到光学信息记录介质15的记录膜3。通过电动机14来使光学信息记录介质15旋转，由此光束6扫描光学信息记录介质15的轨道，形成记录标记。
在对记录于光学信息记录介质15中的信息进行再生的情况下，用比记录时功率要弱的光束6来扫描光学信息记录介质15的轨道，用半反射镜13将反射光向检测器16反射。检测器16将反射光变换为电信号，通过处理电信号，能获得记录于光学信息记录介质15中的信息作为再生信号。
本实施方式的记录再生装置，特别适于用在以高记录速度(高倍速)、高记录密度来在光学信息记录介质15上记录信息的情况。
实施例
下面，制作包含各种材料以及厚度的保护膜的光学信息记录介质，通过评价光学信息记录介质的实施例，来进一步具体说明本发明。本发明并不限定于下面的实施例。
(实施例1)
制作盘1到盘22作为包含1个信息层的光学信息记录介质。作为基板，使用由聚碳酸酯树脂构成、直径约12cm、厚度约1.1mm、槽间距为0.32μm、预先形成有槽深度约为20nm的螺旋状的槽的基板。在该基板的形成有槽的表面上，作为第1信息层，通过溅射法按照以下顺序分别形成由Ag99Bi1构成的膜厚60nm的反射膜、由(ZnO)90(Cr2O3)10构成的膜厚20nm的中间膜、由Te36O54Pd10构成的膜厚25nm的记录膜、和各种材料以及各种膜厚的保护膜。在该第1信息层的表面上，使用紫外线硬化树脂形成厚度100μm的覆盖层。
作为保护膜，使用表1所示的材料以及膜厚，制作盘1～22。
(表1)
Figure BDA0000076503430000131
对从上述各盘的沟槽，即从螺旋状的槽的激光入射侧观察而成为向近前凸起的部分，使用波长405nm、透镜数值口径为0.85的光学系统，以线速度4.9m/s以及9.8m/s使盘旋转的同时，对盘照射激光，分别记录频率16.5MHz以及33.0MHz的单一信号。在记录信号时，使用功率级为P1、幅度分别为6ns以及3ns的单一脉冲，将不记录信号的部分以及再生时的功率P2全部设为0.7mW。
在该条件下，在未记录的轨道记录1次信号，用光谱分析器来对单一信号的C/N比进行测定。使P1任意地变化来进行测定，将振幅成为比最大值低3dB的功率的1.25倍的值作为设定功率。在测定各盘的设定功率下的C/N比(加速前C/N比)之后，为了确认保存可靠性，将各盘在温度85℃、相对湿度85％的条件下保持200小时后，再次测定C/N比(加速后C/N比)。在表1表示其结果。
如表1所示，在保护膜的厚度为0.2nm的盘1、13中，在任意的线速度下，加速后的C/N比的下降较大，保存可靠性不充分。另外，在保护膜的厚度为15nm以及20nm的盘8、9、20以及21中，在高线速度(9.8m/s)下的加速后的C/N比的降低较大，保存可靠性不充分。与此相对，盘2、3、4、5、6、7、10、11、12、14、15、16、17、18、19以及22在任意的线速度下进行记录的情况下，加速后的C/N比的降低都较小，示出了良好的保存可靠性。根据以上可知，只要覆盖层和记录膜的距离为0.5nm～12nm，就能确保良好的保存可靠性。
(实施例2)
作为包含2个信息层的光学信息记录介质，制作盘23到盘44。作为基板，使用由聚碳酸酯树脂构成、直径约12cm、厚度约1.1mm、槽间距为0.32μm、预先形成有槽深度约为20nm的螺旋状的槽的基板。在该基板的形成有槽的表面上，作为第2信息层，通过溅射法按照以下顺序依次层叠如下各膜：由Ag99Bi1构成的膜厚60nm的反射膜、由(ZnO)90(Cr2O3)10构成的膜厚20nm的中间膜、由Te36O54Pd10构成的膜厚25nm的记录膜、由(ZnO)90(Cr2O3)10构成的膜厚3nm的保护膜。在该第2信息层的表面上，使用紫外线硬化性树脂，通过2P法转印和保护基板相同的槽图案，形成厚度约25μm的分离层。在该分离层的表面上，作为第1信息层，通过溅射法按照以下顺序分别形成由Ag99Bi1构成的膜厚15nm的反射膜、由(ZnO)90(Cr2O3)10构成的膜厚20nm的中间膜、由Te36O54Pd10构成的膜厚15nm的记录膜、和各种材料以及各种膜厚的保护膜。在该第1信息层的表面上，使用紫外线硬化树脂形成厚度75μm的覆盖层。
作为保护膜，使用表2所示的材料以及膜厚，制作盘23～44。
(表2)
Figure BDA0000076503430000161
和实施例1相同，对从上述各盘的第1信息层以及第2信息层的沟槽、即从螺旋状的槽的激光入射侧观察而成为向近前凸起的部分，使用波长405nm、透镜数值口径为0.85的光学系统，以线速度4.9m/s以及9.8m/s使盘旋转的同时，对盘照射激光，分别记录频率16.5MHz以及33.0MHz的单一信号。在记录信号时，使用功率级为P1、幅度分别为6ns以及3ns的单一脉冲，将不记录信号的部分以及再生时的功率P2全部设为0.7mW。
在该条件下，在第1信息层以及第2信息层的未记录的轨道进行1次信号的记录，用光谱分析器来对单一信号的C/N比进行测定。使P1任意地变化来进行测定，将振幅成为比最大值低3dB的功率的1.25倍的值作为设定功率。在测定各盘的设定功率下的C/N比(加速前C/N比)之后，为了确认保存可靠性，将各盘在温度85℃、相对湿度85％的条件下保持200小时后，再次测定C/N比(加速后C/N比)。在表2表示第1信息层的C/N比。
如表2所示，在保护膜的厚度为0.2nm的盘23、35中，在任意的线速度下，加速后的C/N比的下降较大，保存可靠性不充分。另外，在保护膜的厚度为15nm以及20nm的盘30、31、42以及43中，在高线速度(9.8m/s)下的加速后的C/N比的降低较大，保存可靠性不充分。与此相对，盘24、25、26、27、28、29、32、33、34、36、37、38、39、40、41以及44在任意的线速度下进行记录的情况下，加速后的C/N比的降低都较小，示出了良好的保存可靠性。
根据以上可知，只要覆盖层和记录膜的距离为0.5nm～12nm，就能确保良好的保存可靠性。另外，实施例2的各盘与实施例1的盘相比加速前的C/N比大约低2dB。因此，C/N比的富余量(margin)较小，若由于加速试验而C/N比降低，由此再生信号的质量不充分，因此，被判断为不能作为制品的光学信息记录介质会变多，这是可以预想到的。在这种情况下，根据本发明，由于保存可靠性较高，因此能抑制由于加速而引起的C/N比的降低。因此，能在具备2个或其以上的记录层的光学信息记录介质中适宜地应用本发明。
以上，根据实施例1以及实施例2可知，本发明在具备1个信息层的光学信息记录介质和具备2个以上的信息层的光学信息记录介质中均能适用。
产业上的可利用性
本发明的光学信息记录介质能适宜地应用于用于进行影像、音乐、信息等能电子化的数据保存的高记录密度、高倍速的光学信息记录介质中。

Claims (12)

1.一种光学信息记录介质，具备：
基板；
覆盖层；和
被所述基板以及所述覆盖层所夹的第1信息层，
通过从所述覆盖层一侧照射光束，在所述第1信息层记录信息，对记录于所述第1信息层的信息进行再生，
所述第1信息层包含：记录膜、和配置于所述记录膜和所述覆盖层之间的保护膜，
所述覆盖层和所述记录膜之间的距离为0.5nm以上12nm以下。
2.根据权利要求1所述的光学信息记录介质，其中，
所述光学信息记录介质还具备设于所述基板和所述第1信息层之间的第2信息层。
3.根据权利要求2所述的光学信息记录介质，其中，
所述记录膜包含追记型的记录材料。
4.根据权利要求3所述的光学信息记录介质，其中，
所述追记型的记录材料包含从由Cr-O、Zn-O、Ga-O、In-O、Sn-O、Sb-O、Bi-O以及Te-O构成的群中选出的至少一种。
5.根据权利要求4所述的光学信息记录介质，其中，
所述第1信息层还具有设于所述记录膜和所述基板之间的反射膜。
6.根据权利要求5所述的光学信息记录介质，其中，
所述第1信息层具有设于所述记录膜和所述反射膜之间的中间膜。
7.根据权利要求6所述的光学信息记录介质，其中，
所述保护膜包含从由Zn-O、Te-O以及Sn-O构成的群中选出的至少一种，
在所述保护膜中，Zn、Te以及Sn的合计相对于除了氧以外的全部原子的比例为50at％以上。
8.根据权利要求7所述的光学信息记录介质，其中，
所述保护膜分别包含从由Zn-O、Te-O以及Sn-O构成的群中选出的至少一种、和从由Cr-O、Sb-O、Bi-O、In-O以及Ga-O构成的群中选出的至少一种，
在所述保护膜中，Zn、Te以及Sn的合计相对于除了氧以外的全部原子的比例为33at％以上96at％以下，Cr、Sb、Bi、In以及Ga的合计相对于除了氧以外的全部原子的比例为4at％以上67at％以下。
9.根据权利要求8所述的光学信息记录介质，其中，
所述第1信息层的槽的间距为1μm以下。
10.一种光学信息记录介质的记录方法，在权利要求1～9中任一项所述的光学信息记录介质中，用波长为450nm以下的光束来记录信息。
11.一种光学信息记录介质的再生方法，用波长为450nm以下的光束对记录于权利要求1～9中任一项所述的光学信息记录介质中的信息进行再生。
12.一种记录再生装置，进行如下的至少一方：
在权利要求1～9中任一项所述的光学信息记录介质中，用波长为450nm以下的光束来记录信息；和
用波长为450nm以下的光束对记录于权利要求1～9中任一项所述的光学信息记录介质中的信息进行再生。
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