CN102280593A - 有机发光显示装置及其制造方法 - Google Patents

Abstract

一种能够防止诸如氧或水汽的外部杂质的渗透并提高抗冲击性的有机发光显示装置及一种制造该有机发光显示装置的方法。所述有机发光显示装置包括：第一基底；显示单元，设置在所述第一基底上；第二基底，设置在所述显示单元上方；密封构件，通过所述密封构件将所述第一基底与所述第二基底结合。所述密封构件包括：第一密封剂，所述第一密封剂包括填充料并与所述第一基底和所述第二基底分隔开；第二密封剂，所述第二密封剂接触所述第一基底和所述第二基底并覆盖所述第一密封剂的至少一部分。

Description

有机发光显示装置及其制造方法

本申请要求于2010年6月11日在韩国知识产权局提交的第10-2010-0055462号韩国申请的权益，该申请的公开通过引用包含于此。

技术领域

本发明的多方面涉及一种有机发光显示装置及一种制造该有机发光显示装置的方法，更具体地讲，涉及一种能够防止诸如氧或水汽的外部杂质的渗透的有机发光显示装置以及一种制造该有机发光显示装置的方法。

背景技术

近来，流行使用薄膜便携式平板显示装置来代替传统的显示装置。在平板显示装置中，由于电致发光显示装置是自发射显示装置并具有视角宽、对比度高和响应时间短的优点，所以它被认为是下一代显示装置。另外，与无机发光显示装置相比，包括由有机材料形成的发射层的有机发光显示装置具有较高的亮度、较低的驱动电压和较短的响应时间。此外，有机发光显示装置可以产生全彩图像。

图1是传统的有机发光显示装置的剖视图。参照图1，显示单元20设置在基底10上，包封基底30设置在显示单元20的上方。通过使用密封剂41将基底10与包封基底30结合。

平板显示装置(例如，包括在平板显示装置中的有机发光器件)由于内部因素和外部因素而容易劣化。内部因素包括由来自用于形成电极的氧化铟锡(ITO)中的氧而导致的发射层的劣化以及由发射层与发射层和相邻的层的界面之间的反应而导致的劣化。外部因素包括外部水汽、外部氧和外部紫外线的渗透以及器件制造条件。具体地讲，外部水汽和外部氧对器件的寿命的影响很大。因此，有机发光器件的封装非常重要。

然而，在如图1所示的传统的有机发光显示装置中，当通过使用传统的密封剂41将基底10与包封基底30结合时，诸如外部氧或外部水汽的杂质可通过密封剂41和包封基底30的界面渗透到传统的有机发光显示装置中，从而毁坏显示单元20。此外，冲击会容易导致密封剂41破裂。

发明内容

本发明的多方面提供了一种能够防止诸如氧或水汽的外部杂质的渗透并提高抗冲击性的有机发光显示装置以及一种制造该有机发光显示装置的方法。

根据本发明的一方面，提供了一种有机发光显示装置，所述有机发光显示装置包括：第一基底；显示单元，设置在所述第一基底上；第二基底，设置在所述显示单元上方；密封构件，通过所述密封构件将所述第一基底与所述第二基底结合，其中，所述密封构件包括：第一密封剂，所述第一密封剂包括填充料并与所述第一基底和所述第二基底分隔开；第二密封剂，所述第二密封剂接触所述第一基底和所述第二基底并覆盖所述第一密封剂的至少一部分。

根据非限制性方面，所述第一密封剂可容纳在所述第二密封剂中。

根据非限制性方面，所述第二密封剂可省略填充料。

根据非限制性方面，所述第一密封剂可包括V-Te玻璃料或V-W玻璃料。

根据非限制性方面，所述第二密封剂可包括V-P-B-Zn玻璃料。

根据非限制性方面，所述第一密封剂和所述第二密封剂可具有基本相同的热膨胀系数(CTE)。

根据非限制性方面，所述第一密封剂和所述第二密封剂的CTE可为(30～90)×10^-7/K。

根据非限制性方面，所述第一密封剂的转变温度和熔化温度可低于所述第二密封剂的转变温度和熔化温度。

根据非限制性方面，所述第一密封剂的转变温度和熔化温度可比所述第二密封剂的转变温度和熔化温度低大约30℃至50℃。

根据非限制性方面，所述第一密封剂的流动性可比所述第二密封剂的流动性差。

根据非限制性方面，具有预定深度的沟槽可形成在所述第二基底的接触所述密封构件的区域中。

根据非限制性方面，所述第二密封剂的至少一部分可容纳在所述沟槽中。

根据本发明的另一方面，提供了一种有机发光显示装置，所述有机发光显示装置包括：第一基底；显示单元，设置在所述第一基底上；第二基底，设置在所述显示单元上方；第二密封剂的第一部分，形成在所述第一基底上并包括玻璃料；第一密封剂，形成在所述第二密封剂上并包括玻璃料和填充料；所述第二密封剂的第二部分，形成在所述第一密封剂上。

根据非限制性方面，所述第二密封剂的所述第一部分、所述第一密封剂和所述第二密封剂的所述第二部分可顺序地形成在所述第一基底的其上设置有所述显示单元的一个表面上。

根据本发明的另一方面，提供了一种制造有机发光显示装置的方法，所述方法包括：提供其上形成有显示单元的第一基底；在第二基底的一个表面上形成第二密封剂的第一部分；在所述第二密封剂的所述第一部分上形成包括填充料的第一密封剂；在所述第一密封剂上形成所述第二密封剂的第二部分；将所述第一基底与所述第二基底结合，从而所述第一密封剂以及所述第二密封利的所述第一部分和所述第二部分在所述第一基底和所述第二基底之间形成密封构件。

根据非限制性方面，所述第二密封剂可省略填充料。

根据非限制性方面，在所述第二基底的一个表面上形成所述第二密封剂的所述第一部分可包括：在所述第二基底的一个表面上形成沟槽；在所述沟槽中形成所述第二密封剂的所述第一部分。

根据非限制性方面，在所述沟槽中形成所述第二密封剂的所述第一部分的过程中，所述第二密封剂的所述第一部分的至少一部分可容纳在所述沟槽中。

根据非限制性方面，在所述第一密封剂上形成所述第二密封剂的第二部分的过程中，所述第二密封剂的所述第二部分可覆盖所述第一密封剂的至少一部分。

根据非限制性方面，所述第一密封剂可与所述第一基底和所述第二基底分隔开。

根据非限制性方面，所述第二密封剂的所述第一部分、所述第一密封剂和所述第二密封剂的所述第二部分可顺序地形成在所述第二基底上。

将在接下来的描述中部分阐述本发明另外的方面和/或优点，还有一部分通过描述将是清楚的，或者可以经过本发明的实施而得知。

附图说明

下面通过结合附图对实施例进行描述，本发明的这些和/或其它方面和优点将变得清楚并更容易被理解，在附图中：

图1是传统的有机发光显示装置的剖视图；

图2是根据本发明实施例的有机发光显示装置的示意性局部平面图；

图3是图2中的有机发光显示装置的示意性剖视图；

图4是根据本发明另一实施例的有机发光显示装置的示意性局部平面图；

图5是根据本发明另一实施例的有机发光显示装置的示意性局部平面图；

图6A至图6E是解释根据本发明实施例的有机发光显示装置的制造方法的示意性剖视图；

图7是图2中的有机发光显示装置的局部示意性剖视图。

具体实施方式

现在将详细描述本发明的当前实施例，本发明当前实施例的示例示出在附图中，其中，相似的标号始终表示相似的元件。下面通过参照附图来描述实施例以解释本发明的多个方面。

图2是根据本发明实施例的有机发光显示装置100的示意性局部平面图，图3是图2中的有机发光显示装置100的示意性剖视图。包括在图3中的有机发光显示装置100中的第二基底120未示出在图2中的有机发光显示装置100中。

包括有机发光器件的显示单元200设置在第一基底110的一部分上。

第一基底110可由主要由SiO₂组成的透明玻璃材料形成。然而，形成第一基底110的材料可不限于此。例如，第一基底110也可由透明的塑性材料形成。用于形成第一基底110的透明塑性材料可为诸如聚醚砜(PES)、聚丙烯酸酯(PAR)、聚醚酰亚胺(PEI)、聚邻苯二甲酸酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚苯硫醚(PPS)、聚烯丙酯(polyallylate)、聚酰亚胺、聚碳酸酯(PC)、三醋酸纤维素(TAC)或醋酸丙酸纤维素(CAP)的绝缘的有机材料。

如果有机发光显示装置100为底部发射型有机发光显示装置，即，在朝向第一基底110的方向上显示图像，则第一基底110可由透明材料形成。然而，如果有机发光显示装置100为顶部发射型有机发光显示装置，即，在与第一基底110相反的方向上显示图像的显示装置，则第一基底110不需要由透明材料形成。在后者的情况下，基底110可由金属形成。当第一基底110由金属形成时，第一基底110可包括从由碳、铁、铬、锰、镍、钛、钼、不锈钢(SUS)、Invar合金、Inconel合金、Kovar合金组成的组中选择的至少一种金属。然而，第一基底110也可以包括其它材料。例如，第一基底110可为金属箔。

尽管未示出，还可以在第一基底110上形成缓冲层(未示出)，以使第一基底110平坦化并防止杂质元素渗透。

其上形成有显示单元200的第一基底110与设置在显示单元200上方的第二基底120结合。第二基底120也可为玻璃基底或诸如亚克力基底(acrylsubstrate)的塑性基底。此外，第二基底120可为金属基底。

通过使用密封构件410将第一基底110与第二基底120结合。密封构件410可包括玻璃料。

在这点上，有机发光显示装置100包括密封构件410，密封构件410包括第一密封剂411和第二密封剂412，第一密封剂411包括填充料并与第一基底110和第二基底120分隔开预定的间隙，第二密封剂412覆盖第一密封剂411的至少一部分并且不包括填充料。

通常，可使用玻璃料膏来形成密封构件410。玻璃料膏包括液体载体和作为固体组分(content)的玻璃粉末。玻璃粉末为通过细磨由四种或四种以上的化合物组成的玻璃而制备的粉末。对玻璃粉末进行干磨，使得玻璃粉末颗粒的粒径在已经烧结的密封构件410的厚度t_frit的20％以内。通常，厚度t_frit在大约3μm至30μm的范围内。因此，玻璃粉末颗粒的平均粒径可在大约0.6μm至大约6μm的范围内。

同时，由于包括在有机发光显示装置100中的第一基底110和第二基底120由具有低热膨胀系数(CTE)的玻璃形成，以在热处理前后保持不变的模样(pattern)，所以用于制备玻璃料膏的玻璃粉末也可以具有与第一基底110和第二基底120的CTE相似的CTE。

然而，为了通过局部熔化密封构件410将第一基底110与第二基底120结合，密封构件410可为在低温下熔化并且一旦熔化，平滑流动并在第一基底110和第二基底120之间形成强的机械结合的密封剂。具有这种特征的密封剂具有高CTE，并且由于其分子间键弱而具有非常低的抗冲击性。即，即使对该密封剂施加非常小的冲击，该密封剂也极可能出现破裂。

因此，当制备玻璃料膏时，通过将诸如陶瓷的填充料添加到具有高CTE的玻璃粉末中来补偿这种低的抗冲击性和高的CTE。填充料可为CTE比玻璃粉末的CTE低的任何填充料。例如，填充料可具有负的CTE，从而在玻璃料膏中获得结构稳定性和低CTE。对玻璃粉末添加填充料可以改善诸如杨氏模量、断裂韧性等机械性能。同时，尽管产品的机械性能得到改善，但是当产品跌落和应力集中在填充料上时，在密封构件410中包括填充料会另外导致产品的毁坏。

然而，当对玻璃粉末添加填充料时，流动性快速劣化。更具体地讲，由于玻璃料膏的玻璃转变温度T_g低于第一基底110和第二基底120的玻璃转变温度T_g，所以在第一基底110和第二基底120与玻璃料膏的界面之间未形成化学键，在玻璃料膏的分子抓住第一基底110和第二基底120的分子的界面中形成机械结合。可期望高流动性以稳定地(smoothly)形成机械结合。对玻璃粉末添加填充料导致流动性的快速劣化。

结果，可以期望对玻璃料膏添加填充料以补偿低抗冲击性和高CTE并改善机械性能，但是同时，由于较差的流动性而不期望向玻璃料膏中添加填充料。

为了解决这个问题，本实施例的有机发光显示装置100的密封构件410具有垂直堆叠的多层结构。更具体的地讲，包括填充料的第一密封剂411设置在密封构件410的中心处(即，密封构件410的不接触第一基底110和第二基底120的一部分)，从而补偿低抗冲击性和高CTE并改善密封构件410的机械性能。此外，不包括填充料的第二密封剂412设置在密封构件410的接触第一基底110和第二基底120的一部分上，这样改善了流动性，从而在第一基底110和第二基底120与密封构件410之间稳定地形成机械结合。

在这点上，包括填充料的第一密封剂411可混合有具有负CTE的特定填充料和玻璃粉末，以获得结构稳定性和低CTE，并且填充料相对于玻璃粉末的比例(大约达50％)增大，从而进一步提高机械性能。在这种情况下，玻璃粉末的CTE可在大约(70～200)×10^-7/K的范围内。通过将预定量的填充料与玻璃粉末混合，第一密封剂411的CTE最终可在大约(30～90)×10^-7/K的范围内尽可能地小。用于形成第一密封剂411的材料可为V-Te玻璃料或V-W玻璃料。

同时，不包括填充料的第二密封剂412可由具有与第一基底110和第二基底120的CTE(大约(35～45)×10^-7/K)稍微相似的CTE的材料形成。即，第二密封剂412的CTE可在大约(30～90)×10^-7/K的范围内尽可能小。如上所述，这种材料的机械性能弱，但是流动性优异。用于形成第二密封剂412的材料可为V-P-B-Zn玻璃料。

用于形成第一密封剂411的材料和用于形成第二密封剂412的材料具有基本相似的CTE(大约50×10^-7/K)，以防止第一密封剂411和第二密封剂412相互结合时由于第一密封剂411和第二密封剂412之间的残余应力而出现破裂。

下面将相互比较用于形成第一密封剂411和第二密封剂412的材料的性质。

用于形成第一密封剂411的材料的玻璃转变温度T_g和熔化温度T_m可比用于形成第二密封剂412的玻璃转变温度T_g和熔化温度T_m稍微低一些，例如，低大约30～50℃。原因在于当烧结第一密封剂411和第二密封剂412时，用于形成第二密封剂412的材料比用于形成第一密封剂411的材料晚熔化并且比用于形成第一密封剂411的材料早硬化。用于形成第二密封剂412的材料比用于形成第一密封剂411的材料晚熔化，从而用于形成第一密封剂411的材料的粘合剂和溶剂的残余物形成孔并通过孔逃脱，并且孔内填充有具有优良的流动性的第二密封剂412。此外，用于形成第二密封剂412的材料比用于形成第一密封剂411的材料早硬化，从而包括在用于形成第一密封剂411的材料中的填充料不会渗过第二密封剂412。即，防止填充料接触第一基底110和第二基底120。

第一密封剂411包括填充料，因此第二密封剂412的流动性比第一密封剂411的流动性好。因此，接触第一基底110和第二基底120的第二密封剂412可具有平坦且光滑的表面。

第一密封剂411包括填充料，因此第一密封剂411的诸如杨氏模量、断裂韧性等的机械性能比第二密封剂412的机械性能好。

相互接触的第一基底110和密封构件410以及相互接触的第二基底120和密封构件410具有相似的CTE，从而防止由于残余应力而出现破裂。直接接触第一基底110和第二基底120的第二密封剂412的流动性得到改善，从而在第一基底110与密封构件410之间以及第二基底120与密封构件410之间稳定地形成机械结合，并且改善了第一基底110和第二基底120与密封构件410之间的界面的平坦性和均匀性。由于包括填充料而具有优良的机械刚度的第一密封剂411设置在密封构件410的中心处，从而防止由于冲击而导致的变形。此外，包括填充料的第一密封剂411容纳在第二密封剂412中，从而填充料不直接接触第一基底110和第二基底120，从而提高抗冲击性。

图4是根据本发明另一实施例的有机发光显示装置101的示意性局部平面图。参照图4，本实施例的有机发光显示装置101包括第一基底110、显示单元200、第二基底120和密封构件420。本实施例的有机发光显示装置101与前一实施例的有机发光显示装置100的不同之处在于：具有预定深度的沟槽121形成在第二基底120的接触密封构件420的区域中。

更具体地讲，具有预定深度的沟槽121形成在第二基底120中，以防止由密封构件420的厚度的增加导致的不同的压力而产生光学牛顿环。在具有预定深度的沟槽121形成在第二基底120中之后，第二密封剂422和第一密封剂421顺序地形成在沟槽121中，这样会减小第一基底110和第二基底120之间的间隙，从而防止产生光学牛顿环。

图5是根据本发明另一实施例的有机发光显示装置102的示意性局部平面图。参照图5，本实施例的有机发光显示装置102包括第一基底110、显示单元200、第二基底120和密封构件430。本实施例的有机发光显示装置102与前面的实施例的有机发光显示装置100和101的不同之处在于：第一密封剂431不容纳在第二密封剂432中，并且第二密封剂432的第一部分、第一密封剂431和第二密封剂432的第二部分顺序地形成在第一基底110上。因此，容易制造本实施例的有机发光显示装置102。

图6A至图6E是解释根据本发明实施例的有机发光显示装置的制造方法的示意性剖视图。参照图6A至图6E，制造有机发光显示装置的方法包括：在第一基底的一个表面上形成显示单元或者提供其上形成有显示单元的第一基底；在第二基底的一个表面上形成沟槽；在所述沟槽中形成第二密封剂的第一部分；在所述第二密封剂的所述第一部分上形成包括填充料的第一密封剂；在所述第一密封剂上形成所述第二密封剂的第二部分；将第一基底与第二基底结合从而第一密封剂和第二密封剂形成第一基底和第二基底之间的密封构件。

在第一基底110的一个表面上形成或提供显示单元200。可从各种塑性基底和玻璃基底以及金属基底中选择第一基底110的材料。还可在第一基底110上形成缓冲层(未示出)。

如图6A中所示，在第二基底120的一个表面中形成沟槽121。更具体地讲，在第二基底120的将接触后续形成的密封构件420的区域中形成具有预定深度的沟槽121，从而防止由密封构件420的厚度的增加导致的不同的压力而产生光学牛顿环。沟槽121减小了第一基底110和第二基底120之间的间隙，从而防止产生光学牛顿环。

如图6B中所示，在沟槽121中形成第二密封剂的第一部分422a。即，第二密封剂的第一部分422a的至少一部分被容纳在沟槽121中。如上所述，不包括填充料的密封剂材料被用作第二密封剂，这提高流动性，从而在第一基底110与密封构件420之间以及第二基底120与密封构件420之间稳定地形成机械结合。

如图6C中所示，在第二密封剂的第一部分422a上形成包括填充料的第一密封剂421。如上所述，包括填充料的密封剂材料被用作第一密封剂421，从而补偿低抗冲击性和高CTE并改善密封构件420的机械性能。

如图6D中所示，在第一密封剂421上形成第二密封剂的第二部分422b，以覆盖第一密封剂421。第二密封剂的第二部分422b可形成为覆盖第一密封剂421的至少一部分。如上所述，不包括填充料的密封剂材料被用作第二密封剂，这改善了流动性，从而在第一基底110与密封构件420之间以及第二基底120与密封构件420之间稳定地形成机械结合。

如图6E中所示，将第一基底110和第二基底120相互结合，从而用于密封构件420的第一密封剂421及第二密封剂422a、422b位于第一基底110和第二基底120之间。即，通过利用使用激光照射器等对密封构件420进行局部激光照射的方法使密封剂421、422a、422b硬化，来将第一基底110和第二基底120相互结合。

在本实施例中，相互接触的第一基底110和密封构件420以及相互接触的第二基底120和密封构件420具有相似的CTE，从而防止因残余应力而出现破裂。直接接触第一基底110和第二基底120的第二密封剂422的流动性得到改善，从而在第一基底110与密封构件420之间以及第二基底120与密封构件420之间稳定地形成机械结合并改善了第一基底110和第二基底120与密封构件420之间的界面的平坦性和均匀性。由于包括填充料而具有优良机械性能的第一密封剂421设置在密封构件420的中心处，从而防止由于冲击而出现变形。此外，包括填充料的第一密封剂421被容纳在第二密封剂422中，从而填充料不直接接触第一基底110和第二基底120，从而提高抗冲击性。

图7是图2中的有机发光显示装置的局部示意性剖视图，示例性地示出了显示单元200的详细结构。将理解的是，显示单元200不限于在此所描述的那样，并且可使用任意的可包封的显示单元。

参照图7，多个薄膜晶体管(TFT)220形成在第一基底110上，并且有机发光器件230形成在每个TFT 220上。有机发光器件230可包括：像素电极231，电连接到TFT 220；对向电极235，设置在第一基底110的表面的上方；中间层233，设置在像素电极231和对向电极235之间并至少包括发射层。

形成在第一基底110上的TFT 220可包括栅极221、源极和漏极223、半导体层227、栅极绝缘层213和层间绝缘层215。TFT 220的结构不限于图7中示出的结构。例如，TFT 220还可为包括由有机材料形成的半导体层227的有机TFT或包括由硅形成的半导体层227的硅TFT。如果需要，还可在TFT220和第一基底110之间形成由氧化硅或氮化硅形成的缓冲层211。

有机发光器件230可包括：像素电极231和对向电极235，彼此相对；中间层233，设置在像素电极231和对象电极235之间并由有机材料形成。中间层233可至少包括发射层。例如，中间层233可包括将在后面描述的多个层。

像素电极231用作阳极，对向电极235用作阴极。在另一实施例中，像素电极231用作阴极，而对向电极235用作阳极。

像素电极231可为透明电极或反射电极。如果像素电极231为透明电极，则像素电极231可由ITO、1ZO、ZnO或In₂O₃形成，如果像素电极231为反射电极，则像素电极231可包括由Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr或它们的混合物形成的反射膜和由ITO、IZO、ZnO或In₂O₃形成的膜。

对向电极235也可以为透明电极或反射电极。如果对向电极235为透明电极，则对向电极235可包括由Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Mg或它们的混合物形成的膜，所述膜面向像素电极231和对向电极235之间的中间层233以及形成在该膜上的辅助电极或汇流电极线，其中，辅助电极或汇流电极线可由诸如ITO、IZO、ZnO或In₂O₃的透明电极材料形成。如果对向电极235为反射电极，则可通过沉积Li、Ca、LiF/Ca、LiF/A1、Al、Mg或它们的混合物来形成对向电极235。

同时，像素限定层(PDL)219覆盖像素电极231的边缘，并在像素电极231的外部具有指定的厚度。PDL 219限定发射区，并且在朝向像素电极231的边缘的方向上加宽了像素电极231和对向电极235之间的距离，以防止在像素电极231的边缘处形成强电场，从而防止像素电极231和对向电极235的短路。

在像素电极231和对向电极235之间形成至少包括反射层的中间层233。中间层233的结构可改变。中间层233可由低分子量有机材料或聚合物有机材料形成。

当中间层233由低分子量有机材料形成时，中间层233可包括有机发射层(EML)以及从由空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)组成的组中选择的至少一层，其中，每层可为单层或多层。在这点上，适合的低分子量有机材料可为铜酞菁(CuPc)、N，N′-二萘-1-基-N，N′-二苯基联苯胺(NPB)或三-8-羟基喹啉铝(Alq₃)。可以例如在使用掩模的沉积工艺中使用这些低分子量有机材料。

当中间层233由聚合物有机材料形成时，通常，中间层233可具有HTL和EML，HTL可由PEDOT形成，EML可由从聚苯撑乙烯(PPV)和聚芴中选择的聚合物材料形成。

有机发光器件230可电连接到设置在其下方的TFT 220。在这点上，如果包括覆盖TFT 220的平坦化层217，则有机发光器件230可设置在平坦化层217上，并且有机发光器件230的像素电极231可通过形成在平坦化层217中的接触孔电连接到TFT 220。

用第二基底120密封形成在第一基底110上的有机发光器件230。如上所述，第二基底120可由各种材料形成，例如玻璃、塑性材料等。

根据本发明实施例的有机发光显示装置和制造该有机发光显示装置的方法能够防止诸如氧或水汽的外部杂质的渗透并提高抗冲击性。

尽管已经示出并描述了本发明的几个实施例，但是本领域的技术人员应该理解，在不脱离本发明的原理和精神的情况下，可以对实施例作出修改，本发明的范围在权利要求及其等同物中限定。

Claims (24)

1.一种有机发光显示装置，所述有机发光显示装置包括：

第一基底；

显示单元，设置在所述第一基底上；

第二基底，设置在所述显示单元上方；

密封构件，通过所述密封构件将所述第一基底与所述第二基底结合，

其中，所述密封构件包括：第一密封剂，所述第一密封剂包括填充料并与所述第一基底和所述第二基底分隔开；第二密封剂，所述第二密封剂接触所述第一基底和所述第二基底并覆盖所述第一密封剂的至少一部分。

2.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，所述第一密封剂容纳在所述第二密封剂中。

3.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，所述第二密封剂不包含填充料。

4.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，所述第一密封剂包括V-Te玻璃料或V-W玻璃料。

5.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，所述第二密封剂包括V-P-B-Zn玻璃料。

6.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，所述第一密封剂和所述第二密封剂具有基本相似的热膨胀系数。

7.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，所述第一密封剂和所述第二密封剂的热膨胀系数为30×10^-7/K至90×10^-7/K。

8.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，所述第一密封剂的转变温度和熔化温度低于所述第二密封剂的转变温度和熔化温度。

9.根据权利要求8所述的有机发光显示装置，其中，所述第一密封剂的转变温度和熔化温度比所述第二密封剂的转变温度和熔化温度低30℃至50℃。

10.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，所述第一密封剂的流动性比所述第二密封剂的流动性差。

11.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，具有预定深度的沟槽形成在所述第二基底的接触所述密封构件的区域中。

12.根据权利要求11所述的有机发光显示装置，其中，所述第二密封剂的至少一部分容纳在所述沟槽中。

13.一种有机发光显示装置，所述有机发光显示装置包括：

第一基底；

显示单元，设置在所述第一基底上；

第二基底，设置在所述显示单元上方；

第二密封剂的第一部分，形成在所述第一基底上并包括玻璃料；

第一密封剂，形成在所述第二密封剂的所述第一部分上并包括玻璃料和填充料；

所述第二密封剂的第二部分，形成在所述第一密封剂上。

14.根据权利要求13所述的有机发光显示装置，其中，所述第二密封剂的所述第一部分、所述第一密封剂和所述第二密封剂的所述第二部分顺序地形成在所述第一基底的其上设置有所述显示单元的一个表面上。

15.一种制造有机发光显示装置的方法，所述方法包括：

提供其上形成有显示单元的第一基底；

在第二基底的一个表面上形成第二密封剂的第一部分；

在所述第二密封剂的所述第一部分上形成包括填充料的第一密封剂；

在所述第一密封剂上形成所述第二密封剂的第二部分；

将所述第一基底与所述第二基底结合，从而所述第一密封剂以及所述第二密封剂的所述第一部分和所述第二部分形成所述第一基底和所述第二基底之间的密封构件。

16.根据权利要求15所述的方法，其中，所述第二密封剂不包含填充料。

17.根据权利要求15所述的方法，其中，在所述第二基底的一个表面上形成所述第二密封剂的所述第一部分包括：

在所述第二基底的一个表面上形成沟槽；

在所述沟槽中形成所述第二密封剂的所述第一部分。

18.根据权利要求17所述的方法，其中，在所述沟槽中形成所述第二密封剂的所述第一部分的过程中，所述第二密封剂的所述第一部分的至少一部分容纳在所述沟槽中。

19.根据权利要求15所述的方法，其中，在所述第一密封剂上形成所述第二密封剂的第二部分的过程中，所述第二密封剂的所述第二部分覆盖所述第一密封剂的至少一部分。

20.根据权利要求15所述的方法，其中，所述第一密封剂与所述第一基底和所述第二基底分隔开。

21.根据权利要求15所述的方法，其中，所述第二密封剂的所述第一部分、所述第一密封剂和所述第二密封剂的所述第二部分顺序地形成在所述第二基底上。

22.根据权利要求15所述的方法，其中，通过局部照射所述第一密封剂及所述第二密封剂的第一部分和第二部分来形成所述密封构件。

23.根据权利要求22所述的方法，其中，所述第二密封剂的流动性比所述第一密封剂的流动性好，从而当照射所述第一密封剂及所述第二密封剂的第一部分和第二部分时，所述第二密封剂流动以与所述第一基底和所述第二基底形成机械结合。

24.根据权利要求22所述的方法，其中，所述第一密封剂的转变温度和熔化温度低于所述第二密封剂的转变温度和熔化温度，从而当照射所述第一密封剂及所述第二密封剂的所述第一部分和所述第二部分时，所述第一密封利在所述第二密封剂之前熔化，以形成孔并且所述第二密封剂的一些填充在所述第一密封剂的所述孔中。

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